CN103098241A - Iii族氮化物半导体发光元件的制造方法及iii族氮化物半导体发光元件 - Google Patents

Iii族氮化物半导体发光元件的制造方法及iii族氮化物半导体发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN103098241A
CN103098241A CN2011800434749A CN201180043474A CN103098241A CN 103098241 A CN103098241 A CN 103098241A CN 2011800434749 A CN2011800434749 A CN 2011800434749A CN 201180043474 A CN201180043474 A CN 201180043474A CN 103098241 A CN103098241 A CN 103098241A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nitride semiconductor
iii nitride
iii
emitting component
semiconductor light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800434749A
Other languages
English (en)
Inventor
吉本晋
三桥史典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of CN103098241A publication Critical patent/CN103098241A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。该III族氮化物半导体发光元件中，接合JC相对于与氮化镓基半导体层的c轴正交的基准面倾斜，电极与该氮化镓基半导体层的半极性面接合。但是，该氮化镓基半导体层中的氧浓度使得生长为用以形成接合JC的氮化镓基半导体层中的氧浓度被降低。因电极与该氮化镓基半导体层的半极性面形成接合，因此金属/半导体接合显示出良好的欧姆特性。

Description

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件
技术领域
本发明涉及III族氮化物半导体发光元件的制造方法、及III族氮化物半导体发光元件。
现有技术
专利文献1中记载了一种III-V族氮化物半导体的制造方法。通过该方法，可以制造出重现性好并且能够得到低接触电阻的欧姆电极。
非专利文献1中记载了对p型GaN的欧姆接触。包含Ni/Au的金属沉积在p型GaN上。然后，通过热处理，在非晶Ni-Ga-O相和大的Au晶粒的存在下，将金属镍转化为NiO。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-300421号公报
非专利文献
非专利文献1：Jin-Kuo Ho等,JOURNAL OF APLIED PHYSICS,第86卷第8期,1999,“Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achievedby the oxidation of Ni/Au films”
发明内容
期望得到对氮化镓等氮化镓基半导体的非c面的更好的欧姆接触。根据发明人的发现，氮化镓等氮化镓基半导体的非c面，即半极性面，在曝露于含有氧的气氛中时，比c面更容易被氧化。
由该发现显示出，重要的是降低电极膜所接合的氮化镓基半导体表面的氧浓度。但是，在制造工序中容易产生氧的混入。另外，根据发明人的另一发现，在半极性面中切断氧与镓的键合并不容易。这样就认为，金属/半导体的界面中氧浓度的降低与氮化镓基半导体层的半极性面所固有的性质有密切关联。
本发明鉴于所述情况而作出，其目的在于提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件的制造方法。另外，本发明的目的在于提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。
本发明的一个方式为一种III族氮化物半导体发光元件的制造方法。该方法包括：(a)在真空腔室内，以摄氏300度以上的衬底温度，在不进行III族氮化物半导体的成膜的情况下将外延衬底曝露在镓气氛中的工序；和(b)在所述真空腔室内，在所述外延衬底的主面上形成用于电极的导电膜，从而形成衬底产物的工序。所述外延衬底的所述主面具有包含氮化镓基半导体的半极性，所述外延衬底包含含有III族氮化物半导体的有源层。
根据该制造方法，在真空腔室内，以摄氏300度以上的衬底温度，在不进行III族氮化物半导体的成膜的情况下将外延衬底曝露在镓气氛中。尽管在该曝露工序之前在外延衬底的III族氮化物半导体的表面形成有氧化物，但是在曝露工序中镓被供给至氮化镓基半导体的半极性主面，位于半极性主面的表面的镓氧化物被还原，从而被改性为熔点低的镓氧化物。此时的反应如下所示。
Ga2O3+4Ga→3Ga2O。
该镓氧化物Ga2O根据其熔点并通过曝露工序中衬底温度的作用，从氮化镓基半导体释放到真空腔室的空中。因此，在半极性主面与电极膜形成接合之前，通过对富于与氧的键合性的半极性主面照射镓，可以降低半极性主面附近的氧浓度。由此，可以制造出具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。
本发明的一个方式的制造方法可以还包括在衬底的主面上生长半导体区域而形成所述外延衬底的工序。所述衬底的所述主面包含III族氮化物半导体。所述半导体区域优选包含第一导电型III族氮化物半导体层、所述有源层、及第二导电型III族氮化物半导体层，所述外延衬底优选包含所述衬底，所述衬底的所述主面优选以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜，所述外延衬底的所述主面优选以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜。
根据该制造方法，当倾斜角为10度以上且80度以下的范围时，氮化镓基半导体的半极性面富于与氧的键合性。因此，在形成欧姆电极时，氧的降低是重要的。
本发明的一个方式的制造方法中，所述外延衬底优选包含设置在所述有源层上的p型氮化镓基半导体层；所述p型氮化镓基半导体层优选含有镁作为掺杂剂；所述p型氮化镓基半导体层的主面优选构成所述外延衬底的所述主面。
根据该制造方法，可以形成与p型氮化镓基半导体层形成欧姆接触的电极。
本发明的一个方式的制造方法中，所述导电膜优选包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的任一种。该制造方法中，优选包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的至少任一种。
本发明的一个方式的制造方法中，所述衬底温度优选为所述外延衬底的形成中成膜温度中的最低温度以下。根据该制造方法，可以减少通过曝露工序中的改性处理而可能产生的对有源层的热应力。
本发明的一个方式的制造方法中，所述最低温度优选为摄氏900度以下。根据该制造方法，利用镓氧化物具有各种熔点，可以降低半极性主面中的氧浓度。作为镓氧化物，例如存在以下的氧化物。Ga2O3具有较高的熔点(例如摄氏1725度，1个大气压，RT)，而Ga2O具有较低的熔点(例如摄氏500度，1×10-6托)。
本发明的一个方式的制造方法中，所述有源层优选包含InGaN层，所述外延衬底的所述衬底温度优选为所述有源层的所述InGaN层的生长温度以下。根据该制造方法，可以避免有源层的InGaN层的品质因曝露工序中的热处理而下降。
本发明的一个方式的制造方法可以还包括在将所述衬底产物从所述真空腔室取出后，对所述电极进行图案形成的工序。该方法优选在形成所述导电膜后不进行用于所述电极的合金化。根据该制造方法，也可以不进行用于电极的合金化。
本发明的一个方式的制造方法中，所述衬底的所述III族氮化物半导体优选为GaN。另外，本发明的一个方式的制造方法中，所述外延衬底的所述主面优选包含GaN。
本发明的一个方式的制造方法，可以还包括在将所述外延衬底配置于所述真空腔室内后在所述有源层上进行III族氮化物半导体的成膜，从而形成所述外延衬底的工序。根据该制造方法，可以降低通过该成膜而生长的III族氮化物半导体的氧浓度。
本发明的一个方式的制造方法中，优选在将所述外延衬底曝露在镓气氛中后，不进行III族氮化物半导体的成膜，而进行所述导电膜的形成。根据该制造方法，可以在通过改性而提供的半极性面上形成欧姆电极。
本发明的一个方式的制造方法中，所述外延衬底的所述主面优选以63度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜。该角度范围内的半极性面具有容易被氧化的阶差。
本发明的一个方式的制造方法中，与所述导电膜形成接触的氮化镓基半导体层中的氧浓度可以为1×1018cm-3以下。根据该制造方法，可降低与电极形成接合的氮化镓基半导体区域的氧浓度。
本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件包含：(a)第一导电型III族氮化物半导体层，(b)设置在所述第一导电型III族氮化物半导体层的主面上的有源层，(c)设置在所述有源层的主面上的III族氮化物半导体层，和(d)与所述III族氮化物半导体层形成接合的电极。所述III族氮化物半导体层具有第二导电型，所述接合相对于与所述第一导电型III族氮化物半导体层的c轴正交的基准面倾斜。
根据该III族氮化物半导体发光元件，由于所述接合相对于与第一导电型III族氮化物半导体层的c轴正交的基准面倾斜，因此，电极与第二III族氮化物半导体层的半极性面接合。由于电极与该半极性面形成接合，因此该接合显示出良好的欧姆特性。
本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件中，所述接合可以以10度以上且80度以下的范围的角度从与所述基准轴正交的面倾斜。根据该III族氮化物半导体发光元件，以10度以上且80度以下的范围的角度倾斜的半极性面比c面(极性面)更容易被氧化，因此所述方式是优选的。
本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件中，所述电极可以包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的任一种。该III族氮化物半导体发光元件中，优选包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的至少任一种。
本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件，可以还包含具有包含III族氮化物半导体的主面的支撑基体。所述支撑基体的所述主面以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜，所述第一导电型III族氮化物半导体层、所述有源层、及所述III族氮化物半导体层在所述支撑基体的所述主面的法线方向上排列。
根据该III族氮化物半导体发光元件，对包含在以10度以上且80度以下的范围的角度倾斜的半极性面上依次排列的半导体层的半导体叠层的半极性上表面提供了良好的欧姆接触。
本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件中，所述支撑基体的所述III族氮化物半导体优选为GaN。另外，本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件中，所述III族氮化物半导体层的主面优选包含GaN。
本发明的另一个方式的III族氮化物半导体发光元件中，所述有源层包含含有铟作为III族构成元素的氮化镓基半导体层，所述有源层以在360nm以上且600nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的方式设置。
根据该III族氮化物半导体发光元件，可以降低360nm以上且600nm以下的波长范围内的驱动电压。
本发明的所述目的及其它目的、特征、以及优点，根据参考附图而展开的本发明的优选实施方式的以下的详细内容而更容易明白。
发明的效果
如以上说明的，根据本发明的一个方式，提供了具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件的制造方法。另外，根据本发明的另一个方式，提供了具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。
附图说明
图1是示意性地示出本实施方式的III族氮化物半导体发光元件的制造方法中主要工序的附图；
图2是示意性地示出本实施方式的III族氮化物半导体发光元件的制造方法中主要工序的附图；
图3是示意性地示出本实施方式的III族氮化物半导体发光元件的制造方法中主要工序的附图；
图4是示意性地示出本实施方式的III族氮化物半导体发光元件的制造方法中主要工序的附图；
图5是示出GaN区域与金属(金)的界面附近的透射型电子显微镜(TEM)图像的附图；
图6是示出利用二次离子质谱(SIMS)法测定用于电极形成的底层氮化镓基半导体区域中的氧浓度的结果的附图；
图7是示出电流-电压特性的附图。
具体实施方式
本发明的发现可以通过参考作为例示示出的附图并考虑以下的详细内容而容易地理解。接下来，在参考附图的同时，说明本发明的III族氮化物半导体发光元件的制造方法、以及III族氮化物半导体发光元件的实施方式。在可能的情况下，对相同部分标注相同符号。
图1～图4是示意性地示出本实施方式的III族氮化物半导体发光元件的制造方法中主要工序的附图。如图1的(a)部分所示，工序S101中准备衬底11。衬底11具有包含III族氮化物半导体的主面11a。主面11a相对于与在III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴(由向量VC表示)正交的平面倾斜，因此显示出半极性。衬底11的III族氮化物半导体例如可以包含GaN等。
如图1的(b)部分所示，工序S102中，在生长炉10a中在衬底11上生长用于半导体发光元件的半导体叠层13，从而形成外延衬底E。接下来，对一个实施例进行说明。在将衬底11配置到生长炉10a中后，向生长炉10a中供给氨气和氢气从而进行衬底11的主面11a的热清洗。然后，在生长炉10a中，在衬底11的主面11a上依次生长多个III族氮化物半导体层。作为在生长炉10a中的生长法，可以使用例如有机金属气相生长法。
半导体叠层13包含称为n型III族氮化物半导体区域15的第一导电型III族氮化物半导体层、有源层17、和称为p型III族氮化物半导体区域19的第二导电型III族氮化物半导体层。n型III族氮化物半导体区域15例如可以包含GaN、AlGaN、InAlGaN等。p型III族氮化物半导体区域19例如可以包含GaN、AlGaN、InAlGaN等，并且可以包含电子阻挡层27和p型包覆层29。p型III族氮化物半导体区域19在必要的情况下可以包含p型接触层。有源层17例如具有量子阱结构21，量子阱结构21可以包含交替排列的势垒层23和阱层25。势垒层23的带隙大于阱层25的带隙。势垒层23例如可以包含GaN、InGaN、InAlGaN等，阱层25例如可以包含GaN、InGaN、InAlGaN等。
工序S102中在衬底11的主面11a上生长半导体叠层13而形成外延衬底时，衬底11的主面11a优选以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面倾斜。另外，外延衬底E的主面优选以10度以上且80度以下的范围的角度从与基准轴Cx正交的面倾斜。当它们的倾斜角为10度以上且80度以下的范围时，氮化镓基半导体的半极性面富于与氧的键合性。因此，在形成欧姆电极时，氧的降低是重要的。
外延衬底E的主面中的倾斜角优选以63度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜。该角度范围内的半极性面具有容易被氧化的阶差。
如图1的(c)部分所示，工序S103中，将外延衬底E从生长炉10a中取出后，外延衬底E曝露在含氧的大气中。结果，在露出于外延衬底E的表面的氮化镓基半导体面上形成作为自然氧化物的氧化镓12。
在将外延衬底E从生长炉10a中取出后，如图2的(a)部分所示，工序S104中将外延衬底E配置到处理装置10b中。
然后，如图2的(b)部分所示，工序S105中，利用处理装置10b将外延衬底E加热。在加热条件的一例中，加热温度例如为摄氏750度，热处理时间为30分钟，热处理的气氛例如为Ga气氛。该温度范围例如可以为摄氏300度以上，这是因为，在为该温度以下时，Ga氧化物Ga2O3不会被还原为蒸气压更高的Ga2O。另外，该温度范围例如可以为摄氏900度以下的范围，这是为了避免对有源层17的损伤。热处理的气氛例如可以为Ga气氛。
在外延衬底E的加热后，在不打破真空的情况下，如图2的(c)部分所示，工序S106中，在处理装置10b的腔室内形成含镓的气氛，从而将外延衬底E的表面13a曝露在该气氛中。为了避免氮化镓基半导体的生长，该处理的气氛中优选不含有氮。该处理中的衬底温度的范围例如可以为摄氏300度以上，这是因为，在为该温度以下时，Ga氧化物Ga2O3不会被还原为蒸气压更高的Ga2O。另外，该温度范围例如可以为摄氏900度以下的范围，这是为了避免对有源层17的损伤。用于该热处理的持续时间例如为30分钟。
用于该加热工序和曝露工序的衬底温度优选为外延衬底E的形成中的成膜温度中的最低温度以下，从而可以减少有可能通过加热工序和曝露工序中的改性处理而产生的对有源层的热应力。有源层包含InGaN层时，外延衬底E的衬底温度优选为例如有源层的InGaN阱层的生长温度以下，从而可以避免有源层的InGaN层的品质因加热工序和曝露工序中的热处理而下降。
该工序的一个实施例中，对外延衬底E的表面13a的曝露可以通过对表面13a照射镓助熔剂31实现。
镓与氧的化合物具有各种形态。并且，镓氧化物具有各种熔点。利用该熔点的差异，可以降低半极性主面中的氧浓度。作为镓氧化物，例如有如下物质。Ga2O3的熔点(例如摄氏1725度，一个大气压，RT)较高，但Ga2O的熔点(例如摄氏500度，1×10-6托)较低。
至此为止的工序中，在将外延衬底E配置到处理装置10b的真空腔室内后，进行通过加热和Ga照射实施的改性处理。然后，在必要的情况下，如图3的(a)部分所示，工序S107中，在不打破真空的情况下，在处理装置10b的真空腔室中，在包含有源层17的半导体叠层13上生长氮化镓基半导体层33，从而可以形成新的外延衬底E2。根据该方法，可以降低通过该成膜生长的III族氮化物半导体的氧浓度。
在后续的工序中在氮化镓基半导体层33上沉积用于电极的金属，因此优选在氮化镓基半导体层33中添加所期望的导电型掺杂剂，例如镁、锌等p型掺杂剂。p型掺杂剂的浓度例如可以为1×1016cm-3以上且1×1021cm-3以下。根据该制造方法，可以形成与p型氮化镓基半导体层形成欧姆接触的电极。
在除去镓气氛后，如图3的(b)部分所示，工序S107中，在不打破真空的情况下，在处理装置10b的真空腔室中，在外延衬底E2的主面上形成用于电极的导电膜35，从而形成衬底产物SP。
根据该制造方法，在处理装置10b的真空腔室内以摄氏300度以上的衬底温度，在不进行III族氮化物半导体的成膜的情况下将外延衬底E曝露在镓气氛中。尽管在该曝露工序之前在外延衬底E的III族氮化物半导体的表面上形成有氧化镓Ga2O3，在曝露工序中镓被供给至氮化镓基半导体半极性主面13a从而氧化镓Ga2O3被改性，半极性主面被改性为熔点低的Ga氧化物Ga2O。该Ga氧化物Ga2O根据其熔点并通过曝露工序中的衬底温度的作用，从氮化镓基半导体表面释放到生长炉10a的真空腔室的空中。因此，在半极性主面13a与电极膜形成接合之前，通过对富于与氧的键合性的半极性主面13a照射Ga，可以降低半极性主面附近的氧浓度。因此，可以制造出具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。
本实施方式中，将外延衬底E曝露在镓气氛中后，可以在不进行III族氮化物半导体的成膜的情况下，进行导电膜35等金属的成膜。根据该方法，可以在通过改性提供的半极性面13a上形成欧姆电极。
导电膜35优选包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的任一种。该制造方法中，优选包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的至少任一种。
如图3的(c)部分所示，工序S109中，将外延衬底E2从处理装置10b中取出后，外延衬底E2曝露在含氧的大气中。但是，包含氮化镓基半导体的半极性面已由导电膜35覆盖，因此，在衬底产物SP的表面上，金属膜露出。如图3的(c)部分所示，从处理装置10b中取出的衬底产物SP被放置在含氧的大气中。
将衬底产物SP从处理装置10b的真空腔室中取出后，如图4的(a)部分所示，工序S110中，对导电膜35进行图案形成，从而形成电极37。该方法在形成导电膜35后不进行用于电极37的合金化。通过不进行用于电极37的合金化，具有防止加热所引起的电极劣化或电极与半导体的界面异常的优点。
如图4的(b)部分所示，工序S111中，在衬底11的背面11b上形成电极39。在电极39的形成之前，为了得到所期望的厚度而将衬底11的背面进行研磨，从而可以形成经研磨的背面。通过这些工序，制作出衬底产物SP3。
然后，进行衬底产物SP3的分离，得到III族氮化物半导体发光元件41。III族氮化物半导体发光元件41包含：第一导电型III族氮化物半导体层43，设置在第一导电型III族氮化物半导体层43的主面上的有源层45，设置在有源层45的主面上的第一III族氮化物半导体层49，设置在第一III族氮化物半导体层49的主面上的第二III族氮化物半导体层51，和设置在第二III族氮化物半导体层51的主面上的电极53。第二III族氮化物半导体层51与第一III族氮化物半导体层49形成第一接合J1。电极53与第二III族氮化物半导体层51形成第二接合J2。
第一和第二接合J1、J2相对于与第一导电型III族氮化物半导体层43的c轴VC43正交的基准面倾斜。有源层45的主面相对于与第一导电型III族氮化物半导体层43的c轴VC43正交的基准面倾斜。构成有源层45的阱层45b和势垒层45a沿相对于与第一导电型III族氮化物半导体层43的c轴VC43正交的基准面倾斜的平面延伸。第一和第二III族氮化物半导体层49、51具有第二导电型。
根据该III族氮化物半导体发光元件41，由于第二接合J2相对于与c轴VC43正交的基准面倾斜，因此，电极53与第二III族氮化物半导体层51的半极性面接合。由于电极53与该半极性面51a形成接合，因此，第二接合J2显示出良好的欧姆特性。
第一和第二接合J1、J2相对于主面55a实质平行，第一和第二接合J1、J2优选以10度以上且80度以下的范围的角度从与基准轴正交的面倾斜。
III族氮化物半导体发光元件41可以还包含支撑基体55，支撑基体55具有包含III族氮化物半导体的主面55a。支撑基体55的主面55a以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴VC55延伸的基准轴正交的面倾斜。III族氮化物半导体层43、有源层45、第一III族氮化物半导体层49、和第二III族氮化物半导体层51在支撑基体55的主面55a的法线Nx的方向上排列。
支撑基体55的主面55a优选以63度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜。该角度范围内的半极性面具有容易被氧化的阶差。
为了得到良好的欧姆特性，第二III族氮化物半导体层51中的氧浓度优选为1×1018cm-3以下。
有源层45包含含有铟作为III族构成元素的氮化镓基半导体层，有源层45例如以在500nm以上且540nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的方式设置。
图5是示出GaN区域与电极(金属)的界面附近的透射型电子显微镜(TEM)图像的附图。参考图5的(a)部分，其示出在c面上形成金(Au)膜时所形成的接合。参考图5的(b)部分，其示出在{20-21}面上形成金膜时所形成的接合。图5的(b)部分的接合中，在金(Au)与{20-21}-GaN的界面观察到拍摄得较暗的层，该暗层比图5的(b)部分中的界面的暗层厚。该暗层表示界面中的氧化物。如根据图5所理解的，半极性面中氧化物层比c面厚。
(实施例1)
图6表示利用二次离子质谱(SIMS)法测定用于电极形成的底层的氮化镓基半导体区域中的氧浓度的结果的附图。为了进行二次离子质谱的评价，准备以下的器件结构。在从横轴的左侧至右侧(深度0.3μm至0.7μm的方向)的方法中，将以下的层在{20-21}GaN衬底上依次排列。
ud-GaN：630nm。
p-GaN：50nm。
p-GaN：400nm。
n-GaN：1000nm。
准备直至图6所示的虚线JC线为止的外延衬底。外延衬底包含{20-21}GaN衬底、n型GaN层(1000nm)、p型GaN层(400nm)、及p型GaN层(50nm)。n型GaN层(1000nm)、p型GaN层(400nm)、及p型GaN层(50nm)在{20-21}GaN衬底上生长。p型GaN层(50nm)的表面曝露在含氧的大气中。准备具有所述结构的外延衬底A1、A2。将外延衬底A1配置到分子束外延(MBE)装置中后，在不照射Ga助熔剂的情况下，在p型GaN层(50nm)上利用MBE法生长非掺杂GaN(630nm)层而形成外延衬底B1。另外，将外延衬底A2配置到分子束外延(MBE)装置中后，照射Ga助熔剂后接着在p型GaN层(50nm)上利用MBE法生长非掺杂GaN(630nm)层而形成外延衬底B2。
镓照射的条件例如下所述。
衬底温度：摄氏750度。
Ga助熔剂量：1.4×10-6托(1托以133.322帕斯卡换算)。
照射时间：30分钟。
参考图6，在无Ga助熔剂照射的测定结果B1的表面，在SIMS分析中观察到氧峰值(超过1×1019cm-3且接近于1×1020cm-3的峰值)，在利用MBE法生长的GaN层中观察到平坦的氧浓度(比1×1018cm-3大的稳态值)。
另外，参考图6，在有Ga助熔剂照射的测定结果B2的表面，在SIMS分析中未观察到任何氧峰值，测定结果B1中的氧峰值(超过1×1019cm-3且接近1×1020cm-3的峰值)消失。
图6的结果显示，通过进行Ga助熔剂的照射，可以减少因与含氧的大气接触所形成的镓氧化物。通过在Ga助熔剂的照射后接着形成导电膜，可以在镓氧化物的量降低的半极性面上形成用于电极的导电膜。另外，通过在Ga助熔剂的照射后接着形成氮化镓基半导体膜，可以降低该半导体膜中的氧浓度，可以在氧浓度低的氮化镓基半导体膜的半极性面上形成用于电极的导电膜。
图7是示出电流-电压特性的附图。图7的(a)部分示出了测定中所使用的器件结构。外延衬底包含{20-21}GaN衬底、n型GaN层(1000nm)、p型GaN层(400nm)、第一p型GaN层(50nm)和第二p型GaN层(50nm)。n型GaN层(1000nm)、p型GaN层(400nm)、第一p型GaN层(50nm)和第二p型GaN层(50nm)在{20-21}GaN衬底上生长。第一p型GaN层(50nm)的表面曝露在含氧的大气中。在第一p型GaN层(50nm)上，在不照射Ga助熔剂的情况下，使用MBE装置生长第二p型GaN层(50nm)，并且在第二p型GaN层(50nm)上形成金电极，从而制作衬底产物C1。另外，使用MBE装置照射Ga助熔剂后，接着生长第二p型GaN层(50nm)，并且在第二p型GaN层(50nm)上形成金电极，从而制作衬底产物C2。制作出具有包含厚度2000nm的金电极的所述结构的衬底产物C1、C2。
如图7的(b)部分所示，可以理解，通过Ga助熔剂的应用，能够改善欧姆特性并降低驱动电压。根据本实施方式，接触电阻为1×10-3Ω·cm2以下。另外，金的反应性低，因此金电极的使用对于研究氧化膜的影响是优选的。因此，电极的材料不限定为金。
电极所接合的氮化镓基半导体中的氧分布根据Ga照射而变化。具体而言，通过Ga照射，降低了电极/半导体膜界面中的氧化膜的量。除本说明书中所公开的实验外，还进行了各种实验，包含这些实验结果在内，金属/半导体的界面中的氧浓度为该金属所接合的氮化镓基半导体层的内部(距离界面100nm的深度)的氧浓度的10倍以下。半导体层的种类不变。
(实施例2)
发明人通过模拟来估测了Ga照射中的真空度与衬底温度的关系。所述模拟通过利用Outotec Research Oy公司制造的称为HSC Chemistry的化学反应/平衡计算软件导出。以下示出所估测的情况。
气氛压力，加热温度(摄氏)。
7.50E-02，摄氏1070度以上。
7.50E-03，摄氏860度以上。
7.50E-04，摄氏710度以上。
7.50E-05，摄氏610度以上。
7.50E-06，摄氏540度以上。
7.50E-07，摄氏490度以上。
7.50E-08，摄氏450度以上。
7.50E-09，摄氏400度以上。
7.50E-10，摄氏370度以上。
7.50E-11，摄氏340度以上。
7.50E-12，摄氏310度以上。
7.50E-13，摄氏290度以上。
表述“7.50E-13”表示“7.50×10-13”。根据该估测，随着减小Ga照射中的真空度的值(高真空)，可以减小衬底温度。
在优选的实施方式中图示并说明了本发明的原理，但本领域技术人员知道，本发明可以在不脱离其原理的情况下变更配置和详细内容。本发明并不限定于本实施方式所公开的特定构成。因此，来自权利要求书及其精神的范围的全部修改和变更均可申请权利。
产业实用性
如以上所述，根据本实施方式，提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件的制造方法。另外，根据本实施方式，提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。
符号说明
10a生长炉
10b处理装置
11衬底
12自然氧化物氧化镓
13半导体叠层
13a半导体叠层的表面
E、E2外延衬底
15n型III族氮化物半导体区域
17有源层
19p型III族氮化物半导体区域
21量子阱结构
23势垒层
25阱层
27电子阻挡层
29p型包覆层
31镓助熔剂
33氮化镓基半导体层
35导电膜
SP3衬底产物
41III族氮化物半导体发光元件
43第一导电型III族氮化物半导体层
45第一导电型III族氮化物半导体层
47有源层
49第一III族氮化物半导体层
51第二III族氮化物半导体层
53电极
J1、J2接合
55支撑基体

Claims (20)

1.一种III族氮化物半导体发光元件的制造方法，用于制造III族氮化物半导体发光元件，其中，
所述方法包括：
在真空腔室内，以摄氏300度以上的衬底温度，在不进行III族氮化物半导体的成膜的情况下将外延衬底曝露在镓气氛中的工序；和
在所述真空腔室内，在所述外延衬底的主面上形成用于电极的导电膜，从而形成衬底产物的工序，并且
所述外延衬底的所述主面具有包含氮化镓基半导体的半极性，
所述外延衬底包含含有III族氮化物半导体的有源层。
2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
还包括在衬底的主面上生长半导体区域而形成所述外延衬底的工序，并且
所述衬底的所述主面包含III族氮化物半导体，
所述半导体区域包含第一导电型III族氮化物半导体层、所述有源层、及第二导电型III族氮化物半导体层，
所述外延衬底包含所述衬底，
所述衬底的所述主面以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜，
所述外延衬底的所述主面以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜。
3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
所述外延衬底包含设置在所述有源层上的p型氮化镓基半导体层；
所述p型氮化镓基半导体层含有镁作为掺杂剂；
所述p型氮化镓基半导体层的主面构成所述外延衬底的所述主面。
4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述导电膜包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的任一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述衬底温度为所述外延衬底的形成中成膜温度中的最低温度以下。
6.如权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，所述衬底温度为摄氏900度以下。
7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
所述有源层包含InGaN层；
所述外延衬底的所述衬底温度为所述有源层的所述InGaN层的生长温度以下。
8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
还包括在将所述衬底产物从所述真空腔室取出后，对所述电极进行图案形成的工序，
该方法在形成所述导电膜后不进行用于所述电极的合金化。
9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
所述衬底的所述III族氮化物半导体为GaN，
所述外延衬底的所述主面包含GaN。
10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
所述外延衬底的所述主面以63度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜。
11.如权利要求1至10中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
在将所述外延衬底曝露在镓气氛中后，不进行III族氮化物半导体的成膜，而进行所述导电膜的形成。
12.如权利要求1至11中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
还包括在将所述外延衬底曝露在镓气氛中后，在所述真空腔室内，在所述有源层上进行氮化镓基半导体的成膜的工序。
13.如权利要求1至11中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，
与所述导电膜形成接触的氮化镓基半导体层中的氧浓度为1×1018cm-3以下。
14.一种III族氮化物半导体发光元件，其中，
所述III族氮化物半导体发光元件包含：
第一导电型III族氮化物半导体层；
设置在所述第一导电型III族氮化物半导体层的主面上的有源层；
设置在所述有源层的主面上的III族氮化物半导体层；和
与所述III族氮化物半导体层形成接合的电极，并且
所述III族氮化物半导体层具有第二导电型，
所述接合相对于与所述第一导电型III族氮化物半导体层的c轴正交的基准面倾斜。
15.如权利要求14所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，
所述接合以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿所述c轴的方向延伸的基准轴正交的面倾斜。
16.如权利要求14或15所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，所述电极包含Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt、Tl中的任一种。
17.如权利要求14至16中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，
还包含具有包含III族氮化物半导体的主面的支撑基体，并且
所述支撑基体的所述主面以10度以上且80度以下的范围的角度从与沿该III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴正交的面倾斜，
所述第一导电型III族氮化物半导体层、所述有源层、及所述III族氮化物半导体层在所述支撑基体的所述主面的法线方向上排列。
18.如权利要求14至17中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，
所述支撑基体的所述III族氮化物半导体为GaN，
所述III族氮化物半导体层的主面包含GaN。
19.如权利要求14至18中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，
所述III族氮化物半导体层中的氧浓度为1×1018cm-3以下。
20.如权利要求14至19中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，
所述有源层包含含有铟作为III族构成元素的氮化镓基半导体层。
CN2011800434749A 2010-09-08 2011-08-29 Iii族氮化物半导体发光元件的制造方法及iii族氮化物半导体发光元件 Pending CN103098241A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-201116 2010-09-08
JP2010201116A JP5136615B2 (ja) 2010-09-08 2010-09-08 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子を製造する方法
PCT/JP2011/069488 WO2012032960A1 (ja) 2010-09-08 2011-08-29 Iii族窒化物半導体発光素子を製造する方法、及びiii族窒化物半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103098241A true CN103098241A (zh) 2013-05-08

Family

ID=45810562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800434749A Pending CN103098241A (zh) 2010-09-08 2011-08-29 Iii族氮化物半导体发光元件的制造方法及iii族氮化物半导体发光元件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130207076A1 (zh)
EP (1) EP2615651A4 (zh)
JP (1) JP5136615B2 (zh)
CN (1) CN103098241A (zh)
TW (1) TW201232810A (zh)
WO (1) WO2012032960A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5892495B2 (ja) * 2013-12-24 2016-03-23 株式会社タムラ製作所 Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の成膜方法、及び結晶積層構造体
US10475930B2 (en) * 2016-08-17 2019-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming crystalline oxides on III-V materials

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006229A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film electrode for high-quality GaN optical devices and method of fabricating the same
CN1624944A (zh) * 2003-12-03 2005-06-08 住友电气工业株式会社 发光装置
JP2008300421A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体の製造方法およびｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体
TW201027803A (en) * 2008-10-20 2010-07-16 Sumitomo Electric Industries Method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing epitaxial wafer

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148342A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Sony Corp Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の成長方法
JPH11177134A (ja) * 1997-12-15 1999-07-02 Sharp Corp 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子
US6853663B2 (en) * 2000-06-02 2005-02-08 Agilent Technologies, Inc. Efficiency GaN-based light emitting devices
JP2002141283A (ja) * 2000-08-08 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板、その製造方法、半導体装置及びパターン形成方法
JP4593067B2 (ja) * 2002-10-31 2010-12-08 古河電気工業株式会社 半導体材料の積層構造の製造方法
JP2008227540A (ja) * 2003-12-03 2008-09-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7880176B2 (en) * 2004-07-23 2011-02-01 Samsung Led Co., Ltd. Top-emitting light emitting diodes and methods of manufacturing thereof
JP2006253500A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 固体表面の酸素除去方法、結晶成長方法、半導体製造方法及び半導体装置
JP4375497B1 (ja) * 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050006229A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film electrode for high-quality GaN optical devices and method of fabricating the same
CN1624944A (zh) * 2003-12-03 2005-06-08 住友电气工业株式会社 发光装置
JP2008300421A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体の製造方法およびｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体
TW201027803A (en) * 2008-10-20 2010-07-16 Sumitomo Electric Industries Method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing epitaxial wafer

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012032960A1 (ja) 2012-03-15
JP5136615B2 (ja) 2013-02-06
JP2012059891A (ja) 2012-03-22
EP2615651A1 (en) 2013-07-17
EP2615651A4 (en) 2015-02-25
TW201232810A (en) 2012-08-01
US20130207076A1 (en) 2013-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1810351B1 (en) Gan compound semiconductor light emitting element
TWI364850B (en) Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device
KR101139142B1 (ko) 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP3705016B2 (ja) 透光性電極用膜及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US9209254B2 (en) Structure and manufacturing method of the structure, and gallium nitride-based semiconductor light-emitting device using the structure and manufacturing method of the device
WO2010071113A1 (ja) 半導体発光素子
JP2007042898A (ja) Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2005340860A (ja) 半導体発光素子
US20080315237A1 (en) Gallium Nitride-Based Compound Semiconductor Light Emitting Device
JPH10308534A (ja) 発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
JP3665243B2 (ja) 窒化物半導体素子及びその製造方法
EP2528118A1 (en) Semiconductor element and process for producing semiconductor element
CN103098241A (zh) Iii族氮化物半导体发光元件的制造方法及iii族氮化物半导体发光元件
US20150126022A1 (en) Method for forming electrode of n-type nitride semiconductor, nitride semiconductor device, and manufacturing method thereof
CN104576869B (zh) Iii族氮化物半导体元件、iii族氮化物半导体元件的制造方法
EP2290708B1 (en) Light-emitting element and a production method therefor
EP2008314A1 (en) Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JPH11274567A (ja) 半導体素子の電極の形成方法
JP5730326B2 (ja) Ｉｎ金属酸化物膜の形成方法
JP5482771B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子を製造する方法
JP2006013474A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2003273401A (ja) 発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
JP4123200B2 (ja) オーミック電極の形成方法
JP2020027905A (ja) 積層体及びその製造方法
Scherer et al. Low Resistance Ohmic Contacts to p-type GaN

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130508