CN102993638B - 半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置 - Google Patents

半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102993638B
CN102993638B CN201210337024.7A CN201210337024A CN102993638B CN 102993638 B CN102993638 B CN 102993638B CN 201210337024 A CN201210337024 A CN 201210337024A CN 102993638 B CN102993638 B CN 102993638B
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
epoxy resin
semiconductor
resin
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210337024.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102993638A (zh
Inventor
岩重朝仁
市川智昭
杉本直哉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN102993638A publication Critical patent/CN102993638A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102993638B publication Critical patent/CN102993638B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/05—Alcohols; Metal alcoholates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/06—Ethers; Acetals; Ketals; Ortho-esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/04—Epoxynovolacs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/10—Esters; Ether-esters
    • C08K5/101—Esters; Ether-esters of monocarboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5425—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one C=C bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/26—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers modified by chemical after-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置。本发明涉及一种半导体封装用环氧树脂组合物，其包含如下成分(A)至(E)，其中成分(D)的含量为全部环氧树脂组合物的0.1至1.5重量%：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机填料；(D)由下式(1)表示的化合物，其中R1表示羟基或烷氧基，R2表示氢原子或单价烃基，并且n为1至7的整数；以及(E)包含如下(α)和(β)中至少一种的脱模剂：(α)数均分子量为550至800的线性饱和羧酸，和(β)氧化聚乙烯蜡：

Description

半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置
技术领域
本发明涉及一种半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置，所述半导体封装用环氧树脂组合物在抑制翘曲产生和成型性方面优异。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，为了避免与外部接触，通常对完成与衬底结合之后的半导体元件用成型树脂如热固性树脂进行封装。作为成型树脂，例如，使用其中分散有包含二氧化硅粉末作为主要成分的无机填料的环氧树脂。例如，作为使用成型树脂的封装法，将转移成型法投入实际应用中，所述转移成型法包括：将与衬底结合的半导体元件置于成型模具中，将成型树脂压送到模具中，将成型树脂热固化，并使树脂成型。
通常，包含用成型树脂封装的半导体元件的树脂封装半导体装置具有优异的可靠性、批量生产性、成本等，并且因此与使用陶瓷作为构成材料的陶瓷封装半导体装置一起被广泛使用。
单面封装结构如球栅阵列(BGA)的半导体装置具有如下问题：由于衬底和包含固化树脂的封装层之间的收缩量之差而在衬底和封装层之间产生应力，并且由所述应力在包装中产生翘曲。为了抑制翘曲产生，对提高作为封装树脂的固化树脂的玻璃化转变温度以由此减少固化树脂和衬底之间的收缩量之差进行了研究(参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-112515号公报
发明内容
然而，上述提高了固化树脂的玻璃化转变温度的封装用树脂组合物具有因为高交联点密度而使阻燃性劣化的问题。因此，提高固化树脂的玻璃化转变温度的方法存在限制。因此，实际情况是需要通过其它方法而获得如下封装材料：其中抑制了包装的翘曲产生，翘曲的温度依赖性低，并且流动性、连续成型性和粉末粘连性(powder blocking property)良好。
考虑到上述情况而进行了本发明，并且其目的是提供一种半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置，所述半导体封装用环氧树脂组合物不仅抑制了包装的翘曲，而且减少了其温度依赖性，并且流动性、连续成型性和粉末粘连性良好。
即，本发明涉及如下1至6项。
1.一种半导体封装用环氧树脂组合物，包含如下成分(A)至(E)，其中成分(D)的含量为全部环氧树脂组合物的0.1至1.5重量%：
(A)环氧树脂；
(B)酚醛树脂；
(C)无机填料；
(D)由下式(1)表示的化合物：
其中R1表示羟基或烷氧基，R2表示氢原子或单价烃基，并且n为1至7的整数；以及
(E)包含如下(α)和(β)中至少一种的脱模剂：
(α)数均分子量为550至800的线性饱和羧酸，和
(β)氧化聚乙烯蜡。
2.根据项1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中作为成分(A)的所述环氧树脂为由下式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂：
其中R11至R18可各自相同或不同，且表示氢原子或者碳原子数为1至10的取代或未取代的单价烃基，并且n为0至3的整数。
3.根据项1或2所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中成分(D)的含量为全部环氧树脂组合物的0.4至1.5重量%。
4.根据项1至3中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中成分(E)的含量为全部环氧树脂组合物的0.05至2.0重量%。
5.根据项1至4中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中作为成分(E)的所述脱模剂为数均分子量为550至800的线性饱和羧酸(α)。
6.一种半导体装置，其包含用根据项1至5中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物封装的半导体元件。
本发明人进行了认真且深入地研究以获得一种半导体封装材料，其不仅抑制包装的翘曲，而且减少其翘曲温度的依赖性，并且除具有优异的流动性和连续成型性之外，还具有优异的粉末粘连性。结果，本发明人发现，当以特定量使用由上式(1)表示的乙二醇化合物(成分(D))，并且另外使用上述特定的脱模剂(成分(E))时，因为这些成分的协同效应，可以抑制翘曲产生，减少了翘曲温度依赖性，并获得了优异的成型性和粉末粘连性。本发明人基于该发现而达成了本发明。
因此，本发明提供一种半导体封装用环氧树脂组合物以及使用其封装的半导体装置，所述半导体封装用环氧树脂组合物包含环氧树脂(成分(A))；酚醛树脂(成分(B))；无机填料(成分(C))，所述组合物进一步包含特定量的由上式(1)表示的特定的乙二醇化合物(化合物(D))和特定的脱模剂(化合物(E))。所述组合物抑制了包装的翘曲，并减少了翘曲的温度依赖性。另外，所述组合物除具有优异的流动性和连续成型性之外，还具有优异的粉末粘连性。结果，使用所述组合物能够以良好的生产性制造具有高可靠性的半导体装置。
另外，在将下文所述的由式(2)表示的具有联苯基团的特定环氧树脂用作所述环氧树脂(成分(A))时，除更优异的流动性之外，还获得了优异的阻燃性的提高效果。
附图说明
图1是示出单面树脂封装型包装的横截面示意图。
附图标记
1半导体元件安装衬底(BT树脂)
2半导体元件(Si芯片)
3封装树脂
4接合线
5焊料端子
具体实施方式
下面说明用于实施本发明的实施方式。
本发明的半导体封装用环氧树脂组合物(下文中简称为“环氧树脂组合物”)使用环氧树脂(成分(A))、酚醛树脂(成分(B))、无机填料(成分(C))、特定的化合物(成分(D))和特定的脱模剂(成分(E))获得，并且一般具有粉末状、颗粒状或通过将粉末压片而获得的片状。
A：环氧树脂
所述环氧树脂(成分(A))可使用各种环氧树脂。例如，优选使用双官能环氧树脂。尤其是，特别优选使用由下式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂。
其中R11至R18可各自相同或不同，且表示氢原子或者碳原子数为1至10的取代或未取代的单价烃基，并且n为0至3的整数。
在上式(2)中，碳原子数为1至10的取代或未取代的单价烃基可以是饱和的烃基也可以是不饱和的烃基。另外，碳原子数为1至10的取代或未取代的单价烃基可以为直链状、支化状或环状。R11至R18特别优选为甲基或乙基。
优选将由上式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂单独用作所述环氧树脂(成分(A))，但是也可以一起使用具有不同结构的其它环氧树脂。例如，可将各种环氧树脂如双环戊二烯型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚型环氧树脂以及三羟苯基甲烷型环氧树脂用作所述其它环氧树脂。在这些环氧树脂中，特别优选熔点或软化点超过室温(25±10℃)的环氧树脂。例如，优选将环氧当量为180至210且软化点为60至110℃的环氧树脂用作甲酚酚醛清漆环氧树脂。特别地，在关于引线偏移的要求严格的半导体装置中，优选使用双官能环氧树脂。然而，从流动性和阻燃性的观点来看，优选使用由上式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂。因此，在将具有不同结构的其它环氧树脂与由上式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂一起使用的情况下，优选以全部环氧树脂成分的60重量%以上的量使用由上式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂。
B：酚醛树脂
所述酚醛树脂(成分(B))作为环氧树脂(成分(A))的固化剂而起作用。酚醛树脂的实例包括双环戊二烯型酚醛树脂、苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂(phenol aralkyl resin)、联苯芳烷基型酚醛树脂以及三苯基甲烷型酚醛树脂。这些酚醛树脂可单独使用或以其两种以上的混合物使用。
优选以足以使环氧树脂(成分(A))固化的量将酚醛树脂(成分(B))与环氧树脂(成分(A))混合。具体地，以使得相对于环氧树脂(成分(A))中的环氧基团1当量，酚醛树脂(成分(B))中的羟基总量优选为0.6至1.2当量，更优选为0.7至1.0当量的方式将环氧树脂(成分(A))与酚醛树脂(成分(B))混合。
C：无机填料
与上述成分(A)和成分(B)一起使用的无机填料(成分(C))的实例包括石英玻璃、滑石、二氧化硅粉末(例如熔融二氧化硅粉末或结晶二氧化硅粉末)、氧化铝粉末、氮化铝粉末和氮化硅粉末。可以以任意形式如粉碎状、球状或经磨碎处理的形式使用这些无机填料。这些无极填料可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。其中，优选使用二氧化硅粉末，因为可降低所得固化产物的线性膨胀系数。在二氧化硅粉末中，从高填充性和高流动性的观点来看，特别优选使用熔融球状二氧化硅粉末。
另外，从提高流动性的观点来看，优选使用平均粒径在5至40μm范围内的无机填料(成分(C))。例如，通过从总体中选择随机测量样品并使用市售的激光衍射/散射粒度分布分析仪测量其粒径，能够测定所述无机填料(成分(C))的平均粒径。
将无机填料(成分(C))的含量设定为优选全部环氧树脂组合物的60至93重量%，特别优选70至91重量%的范围。在其中无机填料(成分(C))的含量太小的情况下，环氧树脂组合物的粘度过度下降，并且倾向于在成型时产生差的外观(形成空隙)。另一方面，在含量太大的情况下，环氧树脂组合物的流动性变差，从而倾向于造成引线偏移和不完全填充。
D：特定的化合物
与上述成分(A)至(C)一起使用的特定的化合物(成分(D))是由下式(1)表示的化合物：
其中R1表示羟基或烷氧基，R2表示氢原子或单价烃基，并且n为1至7的整数。
在式(1)中，R1是羟基或烷氧基，且R2是氢原子或单价烃基。从翘曲温度依赖性和粉末粘连性的综合观点来看，R1优选为烷氧基，R2优选为氢原子或烷基。R1特别优选为碳原子数为1至5的烷氧基，且R2特别优选为氢原子或碳原子数为1至3的烷基。重复数n优选为2至4的整数。
由式(1)表示的化合物(成分(D))可通过常规制造方法合成。例如，通过在碱性催化剂如氢氧化钠或氢氧化钾的存在下在加压加湿的状态中将环氧乙烷与乙二醇或二乙二醇加成聚合能够合成聚乙二醇。通过在高温、中压下向水中加入环氧乙烷能够合成作为原料的乙二醇。可将市售的产品(例如，由东邦化学工业株式会社(Toho ChemicalIndustries,Ltd.)制造)用作所述化合物(成分(D))。
从翘曲的抑制效果的观点来看，要求将成分(D)的含量设定为全部环氧树脂组合物的0.1至1.5重量%的范围。除了翘曲的抑制效果之外，考虑到粉末粘连性，所述含量特别优选为0.4至1.5重量%。在成分(D)的含量太小的情况下，不能实现翘曲产生的抑制效果和翘曲温度依赖性的降低效果。另一方面，在成分(D)的含量太大的情况下，难以确保良好的粉末粘连性。
E：特定的脱模剂
使用与上述成分(A)至(D)一起使用的特定的脱模剂(成分(E))以在本发明中确保连续成型性的提高，并且所述特定的脱模剂(成分(E))包括以下(α)和(β)中的至少一种。在特定的脱模剂(成分(E))中，从不使得引起树脂粘度劣化的观点来看，特别优选使用作为以下(α)的直链饱和羧酸。另一方面，从提高连续成型性(耐沾污性)的观点来看，优选以下(α)和(β)的组合使用。
(α)数均分子量为550至800的直链饱和羧酸。
(β)氧化聚乙烯蜡。
具体地，所述直链饱和羧酸(α)是由下式(3)表示的化合物：
其中n为32至52的整数。
在式(3)中，重复数n为32至52，但实际上适当选择重复数n从而使得数均分子量为满足550至800的值。具体地，将由贝克石油公司(Baker Petrorite)制造的Unicid等用作直链饱和羧酸(α)。
要求可使用的直链饱和羧酸(α)具有550至800，特别优选600至800的数均分子量。在其中数均分子量太小的情况下，脱模剂在包装表面上渗出，并且包装的表面倾向于被沾污。另一方面，基本上难以获得和制造数均分子量超过上述范围的直链饱和羧酸，因此使用其不现实。
可通过例如如下测量数均分子量。将样品(直链饱和羧酸(α))以0.1重量%的量溶于四氢呋喃(THF)中，并且可使用GPC(凝胶渗透色谱)测量换算成聚苯乙烯的数均分子量。下面描述在这种情况下的测量条件。
测量条件
GPC装置：HLC-8120GPC(由东曹株式会社(Tosoh Corporation)制造)
柱：[(GMHHR-H)+(GMHHR-H)+(G2000HHR)](由东曹株式会社制造)
流速：0.8ml/分钟
浓度：0.1重量%
注入量：100μl
柱温：40℃
洗脱液：四氢呋喃(THF)
优选通过适当选择滴点、酸值、数均分子量、密度、平均粒径等的数值而使用氧化聚乙烯蜡(β)。具体地，优选的是，滴点为100至130℃的范围，酸值为10至70mgKOH/g的范围，数均分子量为800至3,000的范围，并且密度在0.8至1.1g/cm3的范围。例如，可将由科莱恩公司(Clariant)制造的PED-136、PED-521等用作具有这种性能的氧化聚乙烯蜡(β)。
在本发明的环氧树脂组合物中，可将一般的脱模剂与上述特定的脱模剂(成分(E))一起使用。所述一般的脱模剂的实例包括化合物如通常的高级脂肪酸酯和高级脂肪酸钙。例如，使用巴西棕榈蜡、聚乙烯型蜡等。它们可单独使用或以其两种以上的混合物使用。优选将所述特定的脱模剂(成分(E))单独用作脱模剂成分。在将所述特定的脱模剂(成分(E))与所述一般的脱模剂一起使用的情况下，优选以使得所述特定的脱模剂(成分(E))的量为全部脱模剂成分的20重量%以上的方式混合所述特定的脱模剂(成分(E))。
所述特定的脱模剂(成分(E))的含量优选为全部环氧树脂组合物的0.05至2.0重量%，特别优选0.1至0.5重量%。在其中成分(E)的含量太小或太大的情况下，难以赋予翘曲抑制以及在维持阻燃性、流动性和粉末粘连性的同时进一步确实地确保连续成型性。
各种添加剂
必要时，除了上述成分(A)至(E)之外，本发明的环氧树脂组合物还可以适当地包含各种添加剂如固化促进剂、硅烷偶联剂、阻燃剂、离子捕集剂、应力降低剂、颜料如碳黑、以及着色剂。
作为固化促进剂，可使用各种发挥固化促进作用的化合物。所述固化促进剂的实例包括磷化合物、叔胺、季铵盐、咪唑类和硼化合物。它们可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。其中，从成型性和固化性的观点来看，优选使用由下式(4)表示的咪唑化合物。咪唑化合物的具体实例为2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑。
其中，R3表示烷基或芳基，且R4和R5可相互相同或不同，并表示-CH3或-CH2OH，条件是R4和R5中的至少一个为-CH2OH。
基于酚醛树脂(成分(B))的重量，将固化促进剂的含量设定为优选1.0至12.0重量%，更优选3.0至10.0重量%的范围。
优选将具有两个以上烷氧基的硅烷偶联剂用作上述硅烷偶联剂。所述硅烷偶联剂的具体实例包括3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷和六甲基二硅氮烷。这些硅烷偶联剂可单独使用或以其两种以上的混合物使用。
阻燃剂的实例包括酚醛清漆型的溴化环氧树脂和金属氢氧化物。这些阻燃剂可单独使用或以其两种以上的混合物使用。
作为离子捕集剂，可使用具有捕集离子的能力的所有常规化合物。所用离子捕集剂的实例包括水滑石、氢氧化铋和氧化钇。这些离子捕集剂可单独使用或以其两种以上的混合物使用。
应力降低剂的实例包括丁二烯橡胶如丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯共聚物和甲基丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯共聚物，以及聚硅氧烷化合物。这些应力降低剂可单独使用或以其两种以上的混合物使用。
本发明的半导体封装用环氧树脂组合物可以例如如下制造。根据常规方法将成分(A)至(E)，以及如果必要的一种或多种其他添加剂适当混合，并在捏合机如混合辊中在加热下将所得混合物熔融捏合。将捏合的混合物冷却至室温以获得固体。通过常规方法将固体粉碎。如果必要，将粉末压缩成片。由此，可通过一系列步骤制备目标环氧树脂组合物。
半导体装置
使用由此获得的环氧树脂组合物封装半导体元件的方法不受特别限制。可通过常规成型方法如转移成型来进行封装以获得半导体装置。可将通过将固体粉碎而不经过压片步骤获得的颗粒状态的粉末应用于压缩成型方法。由此获得的半导体装置的实例包括IC和LSI。
由此获得的本发明半导体装置包括如图1所示的单面树脂封装型包装。所述单面树脂封装型包装包含半导体元件安装衬底1如双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT树脂)，以及安装在所述衬底上的半导体元件(Si芯片)2，仅衬底的安装面侧用封装树脂3封装。在图1中，4是用于连接半导体元件2和半导体元件安装衬底1上的电路部分(未示出)的接合线，以及5是在半导体元件安装衬底1的其他表面上形成的连接用焊料端子。
实施例
下面参考下列实施例和比较例对本发明进行说明，但是本发明不应被理解为受限于这些实施例。
首先，制备下列成分。
环氧树脂
由式(2)表示的联苯型环氧树脂，其中R11至R18为甲基，并且n为0(环氧当量：192，熔点：105℃)
酚醛树脂b1
联苯芳烷基型酚醛树脂(羟基当量：203，软化点：65℃)
酚醛树脂b2
苯酚酚醛清漆树脂(羟基当量：104，软化点：60℃)
酚醛树脂b3
三苯基甲烷型酚醛树脂(羟基当量：97，软化点：111℃)
固化促进剂
2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑
乙二醇型化合物d1(实施例)
单乙二醇(数均分子量：62；式(1)中，n=1，R1=OH且R2=H)
乙二醇型化合物d2(实施例)
二乙二醇(数均分子量：106；式(1)中，n=2，R1=OH且R2=H)
乙二醇型化合物d3(实施例)
聚乙二醇(数均分子量：194-238；式(1)中，n=4，R1=OH且R2=H)
乙二醇型化合物d4(实施例)
聚乙二醇(数均分子量：282-326；式(1)中，n=6，R1=OH且R2=H)
乙二醇型化合物d5(实施例)
三乙二醇二甲基醚(数均分子量：178；式(1)中，n=3，R1=CH3O且R2=CH3)
乙二醇型化合物d6(实施例)
二乙二醇单丁基醚(数均分子量：162；式(1)中，n=2，R1=C4H9O且R2=H)
乙二醇型化合物d7(比较例)
聚乙二醇(数均分子量：370-414；式(1)中，n=8，R1=OH且R2=H)
乙二醇型化合物d8(比较例)
聚乙二醇(数均分子量：590-634；式(1)中，n=13，R1=OH且R2=H)
无机填料
球状熔融二氧化硅粉末(平均粒径：13μm)
颜料
碳黑
阻燃剂
氢氧化镁
硅烷偶联剂
3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
脱模剂e1(α：实施例)
CH3-(CH2)n-COOH(n=24(平均)，由贝克石油公司制造，Unicid700(数均分子量：789))
脱模剂e2(β：实施例)
PED-136(氧化聚乙烯蜡，酸值：60mgKOH/g)，由科莱恩公司制造
脱模剂e3(β：实施例)
PED-521(氧化聚乙烯蜡，酸值：17mgKOH/g)，由科莱恩公司制造
脱模剂e4(β：比较例)
PED-190(聚乙烯蜡)，由科莱恩公司制造
脱模剂e5(β：比较例)
PED-520(聚乙烯蜡)，由科莱恩公司制造
实施例1至18和比较例1至12
将下面示出的表1至4中所示的各成分以表中所示的比例同时混合，并且用混合辊(100℃)将所得混合物各自熔融捏合3分钟。将熔融产物冷却。将所得固体粉碎，并将所得粉末压缩成片。由此，制备用于半导体封装的目标环氧树脂组合物。
根据下列方法，对实施例和比较例中获得的各环氧树脂组合物进行测量和评价。将所得结果示出在下面所示的表1至4中。
1)连续成型性
预先清洁成型模具。通过转移成型(成型温度：175℃，成型时间：90秒)用实施例和比较例中获得的各环氧树脂封装包装，并重复该程序。计算直至所述环氧树脂组合物粘连到成型模具上(粘连)或形成污点的成型次(shot)数，并记录停止时的次数。
所用包装为通过用金线(0.02mm直径×4.5mm长)将半导体元件(10mm×10mm×0.3mm厚)与球栅阵列(BGA)衬底(35mm×35mm×0.5mm厚)引线结合而制造的包装。
2)翘曲温度依赖性
通过转移成型(成型温度：175℃，成型时间：90秒)用实施例和比较例中获得的各环氧树脂组合物封装包装，并将所述环氧树脂组合物在175℃下后固化3小时。由此，获得成型产物(单面封装型包装)。所述包装是以10mm间隔，以3个芯片(长)×3个芯片(宽)(总共9个)的形式，用管芯(die)接合材料(EM-700J，由日东电工株式会社(Nitto DenkoCorporation)制造)，将硅芯片(10mm×10mm×0.37mm厚)安装在其中涂布有阻焊剂(由太阳油墨制造株式会社(TAIYO INK MFG.Co.，LTD)制造的PSR-4000AUS308)的衬底上(50mm×50mm×0.22mm厚，CLL-HL832，由三菱瓦斯化学株式会社(Mitsubishi Gas ChemicalCompany，Inc.)制造)。
以10℃的间隔在25℃至260℃的范围内测量所得成型产物的翘曲，并计算在该范围内的最大值和最小值之差(μm)。
3)流动性
螺旋流(SF)值
根据EMMI 1-66的方法，在175±5℃、120秒和70kg/cm2的条件下使用螺旋流测量用成型模具测量螺旋流(SF)值(cm)。
凝胶化时间(GT)
将约0.1至0.5g在实施例和比较例中获得的各环氧树脂组合物置于175℃的热平板上，并用直径为1.5mm的玻璃棒搅拌。将直至观察不到树脂拉丝(cobwebbing)的时间作为凝胶化时间(秒)。在考虑固化性的情况下，60秒以下的凝胶化时间一般是合适的。
4)粉末粘连性
将在实施例和比较例中获得的各环氧树脂组合物粉碎，并使其在25℃和60%RH的条件下静置24小时。将所得粉末通过1mm筛目的筛网。评价如下。当粉末以20重量%以上的量残留在筛网上时，判定粉末粘连性为不良的“C”。当粉末以小于5重量%的量残留在筛网上时，判定粉末粘连性为“A”。当粉末以5至小于20重量%的量残留在筛网上时，判定粉末粘连性为“B”。
表1
(重量份)
表2
(重量份)
表3
(重量份)
表4
(重量份)
从上述结果中可以看出，实施例的环氧树脂组合物使用所有成分(A)至(E)，并且与比较例的环氧树脂组合物相比具有改进的翘曲温度依赖性，在其它评价项(成型性、流动性和粉末粘连性)中获得了良好的评价结果，并且根据这个事实，获得了实用上优异的半导体封装用环氧树脂组合物。
另外可以看出，考虑到翘曲的抑制效果，作为成分(D)的乙二醇型化合物的混合量必须为全部环氧树脂组合物的0.1至1.5重量%，但是从翘曲抑制效果和粉末粘连性两者的观点来看，所述混合量优选为0.4至1.5重量%。另外，从实施例13和14的测量结果可以看出，从翘曲温度依赖性和另外的粉末粘连性的观点来看，在作为成分(D)的乙二醇型化合物中，式(1)中的R1更优选为烷氧基而不是OH基。
另一方面，显而易见的是，使用比较例用乙二醇型化合物d7和d8作为成分(D)的比较例2~5、11和12的环氧树脂组合物，以及不使用乙二醇型化合物的比较例1和10的环氧树脂组合物具有高翘曲温度依赖性并且不能实现翘曲抑制效果。
更显而易见的是，具有如下构成的比较例8的环氧树脂组合物不能实现翘曲的抑制效果：作为成分(D)的乙二醇型化合物的混合量落在特定范围外并低于下限；并且具有如下构成的比较例9的环氧树脂组合物不能实现良好的粉末粘连性：作为成分(D)的乙二醇型化合物的混合量落在特定范围外并超出上限。
显而易见的是，使用充当本发明成分(E)的(α)和(β)之外的脱模剂的聚乙烯蜡的比较例6和7的环氧树脂组合物的连续成型性的测量结果显著低，结果，连续成型性差。
尽管已经参考其具体实施方式对本发明进行了详细说明，但是对本领域技术人员显而易见的是，在不背离本发明主旨和范围的情况下，可以在其中进行各种变化和修改。
顺便提及，本申请基于2011年9月12日提交的日本专利申请2011-198165，并且通过参考将其内容并入本文。
通过参考将本文引用的所有文献以其整体并入本文中。
工业实用性
本发明的半导体封装用环氧树脂组合物在成型性以及高温高湿可靠性方面显示优异的特性，并因此可以用作各种半导体装置如单面树脂封装型包装中的封装材料。

Claims (5)

1.一种半导体封装用环氧树脂组合物，包含如下成分(A)至(E)，其中成分(D)的含量为全部环氧树脂组合物的0.4至1.5重量％：
(A)环氧树脂；
(B)酚醛树脂；
(C)无机填料；
(D)由下式(1)表示的化合物：
其中R1表示碳原子数为1至5的烷氧基，R2表示氢原子或碳原子数为1至3的烷基，并且n为1至7的整数；以及
(E)包含如下(α)和(β)中至少一种的脱模剂：
(α)数均分子量为550至800的线性饱和羧酸，和
(β)氧化聚乙烯蜡。
2.根据权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中作为成分(A)的所述环氧树脂为由下式(2)表示的具有联苯基团的环氧树脂：
其中R11至R18可各自相同或不同，且表示氢原子或者碳原子数为1至10的取代或未取代的单价烃基，并且n为0至3的整数。
3.根据权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中成分(E)的含量为全部环氧树脂组合物的0.05至2.0重量％。
4.根据权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物，其中作为成分(E)的所述脱模剂为数均分子量为550至800的线性饱和羧酸(α)。
5.一种半导体装置，包含用根据权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物封装的半导体元件。
CN201210337024.7A 2011-09-12 2012-09-12 半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置 Expired - Fee Related CN102993638B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-198165 2011-09-12
JP2011198165A JP5799694B2 (ja) 2011-09-12 2011-09-12 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102993638A CN102993638A (zh) 2013-03-27
CN102993638B true CN102993638B (zh) 2016-12-21

Family

ID=47829134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210337024.7A Expired - Fee Related CN102993638B (zh) 2011-09-12 2012-09-12 半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9340700B2 (zh)
JP (1) JP5799694B2 (zh)
KR (1) KR101865417B1 (zh)
CN (1) CN102993638B (zh)
MY (1) MY158651A (zh)
SG (1) SG188749A1 (zh)
TW (1) TWI538954B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015001998A1 (ja) * 2013-07-03 2015-01-08 住友ベークライト株式会社 フェノール樹脂成形材料
US9624369B2 (en) * 2014-03-25 2017-04-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Liquid resin composition, cured product, wiring structure, and package using wiring structure
CN113451227B (zh) * 2019-03-06 2022-07-19 西安航思半导体有限公司 高可靠性qfn封装器件结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6467676B1 (en) * 1999-09-24 2002-10-22 Advanpack Solutions Pte Ltd. Fluxing adhesive
CN1699495A (zh) * 2004-05-18 2005-11-23 日东电工株式会社 光学半导体元件密封用环氧树脂组合物和使用它的光学半导体装置
CN101072807A (zh) * 2004-12-16 2007-11-14 大赛璐化学工业株式会社 热固性环氧树脂组合物及其用途

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3618174B2 (ja) * 1996-06-20 2005-02-09 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3674179B2 (ja) 1996-10-04 2005-07-20 株式会社デンソー ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法
JPH10330596A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 難燃性樹脂組成物およびこれを用いた半導体封止材料
JP2000273154A (ja) * 1999-03-24 2000-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002105286A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置
JP2004018786A (ja) 2002-06-19 2004-01-22 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP2006028259A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
US20070043166A1 (en) 2004-07-29 2007-02-22 Norihisa Hoshika Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device
JP4569260B2 (ja) * 2004-10-27 2010-10-27 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN102627832B (zh) * 2004-11-30 2017-04-26 住友电木株式会社 环氧树脂组合物及半导体器件
JP2006193566A (ja) 2005-01-11 2006-07-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体用エポキシ樹脂組成物の製造方法
KR101090608B1 (ko) 2005-01-28 2011-12-08 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체장치
JP4961677B2 (ja) * 2005-03-28 2012-06-27 富士ゼロックス株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物並びにそれを用いた電子部品装置、積層基板、多層回路基板及びプリント配線基板
JP2006274221A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN1962802A (zh) * 2005-11-07 2007-05-16 信越化学工业株式会社 半导体密封用环氧树脂组合物及半导体装置
JP2007314702A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物と樹脂封止半導体装置
JP5164076B2 (ja) * 2009-06-04 2013-03-13 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP5177763B2 (ja) * 2009-06-04 2013-04-10 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6467676B1 (en) * 1999-09-24 2002-10-22 Advanpack Solutions Pte Ltd. Fluxing adhesive
CN1699495A (zh) * 2004-05-18 2005-11-23 日东电工株式会社 光学半导体元件密封用环氧树脂组合物和使用它的光学半导体装置
CN101072807A (zh) * 2004-12-16 2007-11-14 大赛璐化学工业株式会社 热固性环氧树脂组合物及其用途

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130028883A (ko) 2013-03-20
TWI538954B (zh) 2016-06-21
US9340700B2 (en) 2016-05-17
JP5799694B2 (ja) 2015-10-28
KR101865417B1 (ko) 2018-06-07
SG188749A1 (en) 2013-04-30
CN102993638A (zh) 2013-03-27
MY158651A (en) 2016-10-31
US20130062790A1 (en) 2013-03-14
TW201315768A (zh) 2013-04-16
JP2013060483A (ja) 2013-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6107013B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP5663250B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
EP1943287A2 (en) Molding composition and method, and molded article
CN102898781A (zh) 半导体封装用环氧树脂组合物和使用所述组合物的半导体装置
CN102627832A (zh) 环氧树脂组合物及半导体器件
JP5742723B2 (ja) 流動特性測定用金型、流動特性測定方法、半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
KR20070104569A (ko) 성형 조성물, 성형 방법 및 성형된 제품
CN102993638B (zh) 半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置
CN109486100A (zh) 电子封装用环氧树脂组合物及其制备方法
CN101906236A (zh) 半导体封装用环氧树脂组合物以及使用所述组合物的半导体装置
JP2018141052A (ja) 樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
CN111153631A (zh) 一种高导热高可靠性环氧树脂组合物及其应用
CN105385110A (zh) 环保型环氧树脂组合物及其制备方法
CN103965584A (zh) 薄片的制造方法
CN106589827A (zh) 一种储存性良好的环保型环氧树脂组合物及其制备方法
CN105593296A (zh) 半导体密封用环氧树脂组合物、半导体安装结构体及其制造方法
WO2009084831A2 (en) Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same
KR20200094792A (ko) 볼 그리드 어레이 패키지 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 에폭시 수지 경화물 및 전자 부품 장치
CN108485185B (zh) 一种高信赖性高流动性车用类环氧树脂组成物及其应用
JPH0366151A (ja) 半導体装置
CN108384195B (zh) 一种对镍高粘结性环氧树脂组成物及其应用
EP1538182A1 (en) Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby
CN106589828A (zh) 一种环保型环氧树脂组合物及其制备方法
JP2012201695A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2009256475A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161221

Termination date: 20210912