CN102978576A - 一种高致密铬合金靶材的生产方法 - Google Patents

一种高致密铬合金靶材的生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102978576A
CN102978576A CN2012105070514A CN201210507051A CN102978576A CN 102978576 A CN102978576 A CN 102978576A CN 2012105070514 A CN2012105070514 A CN 2012105070514A CN 201210507051 A CN201210507051 A CN 201210507051A CN 102978576 A CN102978576 A CN 102978576A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
metal powder
temperature
production method
chrome metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012105070514A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102978576B (zh
Inventor
钟小亮
王广欣
王树森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yantai Hilde Mstar Technology Ltd
Original Assignee
SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC filed Critical SUZHOU JC MATERIALS TECHNOLOGY LLC
Priority to CN201210507051.4A priority Critical patent/CN102978576B/zh
Publication of CN102978576A publication Critical patent/CN102978576A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102978576B publication Critical patent/CN102978576B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高致密铬合金靶材的生产方法,其包括依次进行的真空脱气、阶段性升温加、保压炉冷、热锻、退火、热轧、退火以及机加工步骤,其中:采用 -200 目、纯度为 99.95wt% 以上、氧含量为 1000ppm 以下的铬粉以及合金金属的粉体为原料。本发明能够成功获得成分与密度均匀、晶粒大小小于 100 微米、纯度大于 99.9% 、相对密度大于 99% 、氧含量小于 1000ppm 的高致密铬合金靶材。此外,本发明方法生产成本低,工艺过程简单易控。

Description

一种高致密铬合金靶材的生产方法
技术领域
本发明属于新材料技术领域,具体涉及一种铬合金靶材的生产方法。 
背景技术
金属铬(Cr)是稍带蓝色的银白色金属。铬在大气中有强烈的钝化能力,能长久保持光泽,铬对多种酸及强碱有很好的耐腐蚀性,化学稳定性好。铬还有高硬度、高电阻率等特点。由于铬的多种特性,采用各种表面技术制备的铬及其合金或化合物膜层在表面工程中得以广泛应用,例如:机械功能膜层、微电子薄膜、电磁功能薄膜、光学薄膜、装饰功能膜层等等。随着高新技术的发展,在微电子半导体集成电路、大型幕墙玻璃和汽车后视镜等技术领域,需要使用性能各异、要求不同的高纯铬合金溅射靶材。 
溅射镀膜是利用溅射现象来达到制取各种薄膜的目的,即在真空室中利用荷能离子轰击靶材表面,使被轰击出的粒子在基体上沉积形成薄膜。由于磁控溅射镀膜具有附着性好、膜质较致密、节水节电、无三废处理等优点,使得它具有着很大的应用优势。 
目前广泛采用的铬合金靶材生产方法主要为热等静压法,经过氢气还原,脱气处理,在大于100MPa,1200℃以上的环境下烧结成型,制成高密度铬合金靶材,但成本较高,工艺复杂,特别是制造大规格靶材。 
热压法是一种较新颖的铬合金靶材生产方法,制造的铬合金靶材能达到的相对密度大于98%,工艺过程相对简单且制造成本较低。但对于大型高致密铬合金靶材的制备,目前尚缺乏成熟稳定的制备工艺。 
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种操作简单、低成本的大型高致密铬合金靶材的生产方法。 
为解决以上技术问题,本发明采取如下技术方案: 
一种高致密铬合金靶材的生产方法,铬合金为铬与选自镍、硅、铝、铜、钛中的一种或多种的合金,所述生产方法包括依次进行的如下步骤: 
(Ⅰ)、真空脱气:采用-200目、纯度为99.95wt%以上、氧含量为1000ppm以下的铬粉以及合金金属的粉体为原料,均匀混料后,将原料放入模具中,首先加压4~6MPa,然后在真空度保持为10-3Pa以下的环境下,以250~400℃/h的加热速率加热至500~800℃,保温40~80min,充入氩气; 
(Ⅱ)、阶段性升温加压:加压至9~12MPa,然后以150~250℃/h的加热速率加热至550~1100℃,保温40~80min;然后以90~110℃/h的加热速率加热至600~1400℃,保温40~80min,从1100℃开始,在温度上升的过程中温度每上升40~60℃增加1.5~2.5MPa压力,加热截止温度为1350~1500℃,直至压力为20~100MPa; 
(Ⅲ)、保压炉冷:保持20~100MPa的压力,停止加热,靶材随炉冷; 
(Ⅳ)、热锻:锻造温度为400~1200℃,变形率为0.1%/min~20%/min; 
(Ⅴ)、退火:在300℃~700℃温度下保温3~5小时进行去应力退火; 
(Ⅵ)、热轧:采取单向式、交叉式或旋转式的热扎方式,轧制的道次变形率为2%~20%; 
(Ⅶ)、退火:在300℃~700℃温度下保温3~5小时进行去应力退火; 
(Ⅷ)、机加工获得铬合金靶材成品。 
进一步地,步骤(I)中的加热速率优选为290~310℃/h。步骤(Ⅱ)中,第一次加热的加热速率优选为190~210℃/h。步骤(Ⅱ)中,第二次加热的加热速率优选为95~105℃/h。 
根据一个具体和优选方面,步骤(Ⅱ)中,从1100℃开始,温度每上升50℃增加2MPa的压力。 
根据又一具体和优选方面,步骤(Ⅱ)中,最终压力为20~40MPa。 
进一步地,步骤(Ⅵ)中,热轧温度为900~1400℃。 
本发明还涉及一种高致密铬合金靶材,其上述的生产方法生产得到,铬合金靶材的氧含量小于1000ppm,相对密度大于99%,纯度大于99.9wt%。 
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点和效果: 
本发明通过筛选确定的工艺步骤,以及严格控制杂质引入、采取严格的结合材料本身性质的多阶段升温升压方式并同时提供了成熟的工艺参数,较长时间的随炉冷却,成功获得高致密铬合金靶材。该铬合金靶材成分与密度均匀、晶粒大小小于100微米、纯度大于99.9%、相对密度大于99%、氧含量小于1000ppm。此外,本发明方法生产成本低,工艺过程简单易控。 
具体实施方式
本发明所基于的热压法的作用机理如下: 
铬粉烧结属单元系烧结,烧结机制以扩散为主。当温度低于400℃,应力回复,吸附的气体和水分挥发,压块尺寸基本保持不变;随炉温度升高,由于 靶坯中的气体放出,导致真空度降低,当升温至400~800℃时,开始出现再结晶,颗粒内变形开始恢复,形成新的晶粒,颗粒界面因扩散逐渐粘结,坯体强度逐渐提高。当真空度升至10-2Pa时,为了避免铬的氧化,通入惰性气体(如:氩气)。继续升温至1100~1200℃,降低升温速度,升温时间控制在1-2h,使粉末颗粒粘结和流动充分进行,孔隙尺寸和数量均不断减少,烧结体收缩,密度有很大提高,强度有一定增加。随炉温的升高,靶材的密度和强度都有不同程度的提高,烧结温度控制在1300~1350℃,升温时间为1~2h,此时保温0.5~1.5h。烧结过程中加热速率不能太快,因为吸附气体排除不彻底将影响铬合金靶材收缩,进而影响靶环的烧结密度和氧含量,同时压制时产生高的内应力在烧结过程中会由于加热速率太快而造成铬合金靶材变形或裂纹出现。高温烧结阶段的温度和时间是影响粉末产品烧结性能的主要因素。 
在烧结过程中,实现纯铬粉靶的烧结温度,通常在1250~1450℃之间。此时气氛露点只在-20~0℃之间,相应的残压仅为133.3Pa以上即可实现烧结,不发生氧化。实践证明,在1250~1450℃烧结阶段,若无惰性气体保护,而仅在真空条件下烧结,有氧化现象发生,铬的蒸发现象也比较严重。为了减少在高温、负压下铬的蒸发损失,在高温烧结阶段必须通入惰性气体(氩气)加以保护。真空度对靶坯的烧结密度有一定的影响,在实践中发现:由于真空度偏低,导致烧结密度下降5%左右。 
热锻和热轧是在高于坯料金属的再结晶温度上加工,可以破坏铬合金靶材的内部组织,细化靶材的晶粒,并消除显微组织的缺陷,从而使靶材组织密实,力学性能得到改善。这种改善主要体现在沿锻造或轧制方向上,从而使靶材在一定程度上不再是各向同性体,烧结时形成的气孔、裂纹和疏松,也可在高温和压力作用下被焊合。不均匀冷却和受力造成的残余应力,一般通过去应力退火消除。 
本发明方法的有益效果具体如下: 
1、本发明使用的原料铬粉具有低的氧含量,且纯度为99.95%,生产过程严格控制杂质的引入,简化工艺过程,操作方法规范化。 
2、本发明在生产过程中在高温高真空的条件下,充分去除了残留在粉末中的气体,避免烧结过程中的杂质引入。 
3、本发明采用多阶段升温升压的方式,结合材料本身的性质,不同阶段采用不同的升温速率,减少生产时间,不同温度使用不同的压力,逐级让铬粉末 致密化。 
4、降温阶段较好避免降温过程可能造成的应力释放,长时间的随炉冷有利于减小或消除靶材内部粉末间的应力,以防止靶材的开裂,提高靶材强度和致密性。 
5、通过热锻,将靶材进一步致密,大晶粒得到破碎,增加了靶材的强度。 
6、退火处理后,靶材基本消除了由于热压和热锻造成的内应力,能有效的防止靶材开裂。 
7、为了让靶材得到要求的尺寸,对热压后的进行热轧成型,能够让靶材更加致密。 
总结而言,本发明方法可以低成本制备大型高密度铬合金靶材。以下结合具体的实施例对本发明做进一步详细的说明。显然本发明的保护范围不限于以下实施例。 
实施例1 
本例提供一种铬镍合金靶材的生产方法,其包括依次进行的如下步骤: 
(Ⅰ)、真空脱气 
采用-200目,纯度为99.95wt%,氧含量(718ppm)的铬粉和镍粉(要求-200目,纯度大于99.9%,氧含量为690ppm)为原料,铬粉与镍粉的投料重量比为4:1,混合均匀,首先加压5MPa,以保证抽真空过程中粉末不会大量溢出,在真空度保持为10-3Pa的环境下,以200℃/h的升温速率升至700℃,保温1小时,充入氩气; 
(Ⅱ)、阶段升温升压 
为保证高温烧结过程中,铬材料的流动与粘接有序阶段性进行,热压过程采用多阶段升温加压的方式完成烧结。加压至10MPa,然后以200℃/h的加热速度加热至1100℃,保温1小时,保证模具腔体温度分布均匀。最后以100℃/h的加热速度加热至1400℃,保温1小时,从1100℃开始,在温度上升的过程中每50℃增加2MPa压力,加热截止温度为1400℃,最终压力为30MPa。 
(Ⅲ)、保压炉冷 
保持20MPa的压力,停止加热,靶材随炉冷。 
(Ⅳ)、热锻 
为了保证靶材内部晶粒均匀且晶粒细小,密度分布均匀,对热压后的靶材进行热锻,锻造温度为1200℃,变形率为1%/min。 
(Ⅴ)、退火 
为了消除热锻过程中靶材内部的残余应力,在400℃下保温3小时进行去应力退火。 
(Ⅵ)、热轧 
针对靶材的形状不同,使用旋转式的热扎方式,热轧温度为1350℃,轧制的道次变形率为10%。 
(Ⅶ)、退火:在400℃温度下保温4小时进行去应力退火; 
(Ⅷ)、机加工获得铬合金靶材成品。 
所生产的铬镍合金靶材的产品性能如表1所示: 
表1铬镍合金靶材性能 
品名 相对密度 纯度 晶粒大小 三点弯曲强度 晶粒分布 氧含量
铬镍合金靶材 99.1% 99.85% 小于100μm 119MPa 均匀 1020ppm
实施例2 
本例提供一种镍铬硅合金靶材的生产方法,其包括依次进行的如下步骤: 
(I)、真空脱气 
采用-200目,纯度为99.95wt%,氧含量718ppm的铬粉、镍粉(要求-200目,纯度大于99.9%,氧含量为690ppm)以及硅粉(要求-200目,纯度大于99.99%,氧含量为800ppm)为原料,铬粉、镍粉、硅粉的投料重量比为45:30:25,混合均匀,首先加压5MPa,以保证抽真空过程中粉末不会大量溢出,在真空度保持为10-3的环境下,以300℃/h的升温速率升至700℃,保温1小时,充入氩气。 
(Ⅱ)、阶段升温升压 
加压至10MPa,然后以200℃/h的加热速度加热至1100℃,保温1小时,保证模具腔体温度分布均匀。最后以100℃/h的加热速度加热至1400℃,保温1小时,从1100℃开始,在温度上升的过程中每50℃增加2MPa压力,加热截止温度为1350℃,最终压力为40MPa。 
(Ⅲ)、保压炉冷 
保持20MPa的压力,停止加热,靶材随炉冷。 
(Ⅳ)、热锻 
为了保证靶材内部晶粒均匀且晶粒细小,密度分布均匀,对热压后的靶材 进行热锻,锻造温度为1200℃,变形率为1%/分。 
(Ⅴ)、退火 
为了消除热锻过程中靶材内部的残余应力,在350℃下保温3小时进行去应力退火。 
(Ⅵ)、热轧 
针对靶材的形状不同,使用旋转式的热扎方式,热轧温度为1350℃,轧制的道次变形率为6%。 
(Ⅶ)、退火:在350℃温度下保温4小时进行去应力退火; 
(Ⅷ)、机加工获得铬合金靶材成品。 
所生产的镍铬硅合金靶材的产品性能如表2所示: 
表2镍铬硅合金靶材材性能 
品名 相对密度 纯度 晶粒大小 三点弯曲强度 晶粒分布 氧含量
镍铬硅合金靶材 99.3% 99.92% 小于100μm 110MPa 均匀 860ppm
实施例3 
本例提供一种铬钛合金靶材的生产方法,其包括依次进行的如下步骤: 
(I)、真空脱气 
采用-200目,纯度为99.95wt%,氧含量为718ppm的铬粉、钛粉(要求-200目,纯度大于99.9%,氧含量为990ppm)为原料,铬粉、钛粉的投料重量比为9:1,混合均匀,首先加压5MPa,以保证抽真空过程中粉末不会大量溢出,在真空度保持为10-3的环境下,以300℃/h的升温速率升至650℃,保温1小时,充入氩气。 
(Ⅱ)、阶段升温升压 
为保证高温烧结过程中,铬材料的流动与粘接有序阶段性进行,热压过程采用多阶段升温加压的方式完成烧结。加压至10MPa,然后以150℃/h的加热速率加热至1050℃,保温1小时,然后以100℃/h的加热速度加热至1400℃,保温1小时,从1100℃开始,在温度上升的过程中每50℃增加2MPa压力,加热截止温度为1400℃,最终压力为40MPa。 
(Ⅲ)、保压炉冷 
卸压,停止加热,靶材随炉冷。 
(Ⅳ)、热锻 
为了保证靶材内部晶粒均匀且晶粒细小,密度分布均匀,对热压后的靶材进行热锻,锻造温度为1000℃,变形率为0.3%/min。 
(Ⅴ)、退火 
为了消除热锻过程中靶材内部的残余应力,在300℃~700℃下保温3~5小时进行去应力退火。 
(Ⅵ)、热轧 
针对靶材的形状不同,使用旋转式的热扎方式,热轧温度为1200℃,轧制的道次变形率为6%。 
(Ⅶ)、退火:在400℃温度下保温4小时进行去应力退火; 
(Ⅷ)、机加工获得铬合金靶材成品。 
所生产的铬钛合金靶材的产品性能如表3所示: 
表3铬钛合金靶材性能 
品名 相对密度 纯度 晶粒大小 三点弯曲强度 晶粒分布 氧含量
铬钛合金靶材 99.5% 99.91% 小于100μm 119MPa 均匀 822ppm
实施例4 
本例提供一种钴铬铂合金靶材的生产方法,其包括依次进行的如下步骤: 
(I)、真空脱气 
采用-200目,纯度为99.95wt%,氧含量718ppm的铬粉、钴粉(要求-200目,纯度大于99.9%,氧含量为910ppm)、铂粉(要求-200目,纯度大于99.9%,氧含量为710ppm)为原料,铬粉、钴粉、铂粉的投料重量比为90:8:2,混合均匀,首先加压5MPa,以保证抽真空过程中粉末不会大量溢出,在真空度保持为10-3的环境下,以300℃/h的升温速率升至800℃,保温1小时,以降低粉末中分子态的气体,充入氩气。 
(Ⅱ)、阶段升温升压 
为保证高温烧结过程中,铬材料的流动与粘接有序阶段性进行,热压过程采用多阶段升温加压的方式完成烧结。加压至10MPa,然后以200℃/h的加热速度加热至1100℃,保温1小时,保证模具腔体温度分布均匀。最后以100℃/h的加热速度加热至1400℃,保温1小时,从1100℃开始,在温度上升的过程中每50℃增加2MPa压力,加热截止温度为1350℃,最终压力为20MPa。 
(Ⅲ)、保压炉冷 
保持20MPa的压力,停止加热,靶材随炉冷。 
(Ⅳ)、热锻 
为了保证靶材内部晶粒均匀且晶粒细小,密度分布均匀,对热压后的靶材进行热锻,锻造温度为1000℃,变形率为0.5%/min。 
(Ⅴ)、退火 
为了消除热锻过程中靶材内部的残余应力,在450℃下保温4小时进行去应力退火。 
(Ⅵ)、热轧 
针对靶材的形状不同,使用旋转式的热扎方式,热轧温度为1300℃,轧制的道次变形率为5%。 
(Ⅶ)、退火:在450℃温度下保温4小时进行去应力退火; 
(Ⅷ)、机加工获得铬合金靶材成品。 
所生产的钴铬铂合金靶材的产品性能如表4所示: 
表4钴铬铂合金靶材性能 
品名 相对密度 纯度 晶粒大小 三点弯曲强度 晶粒分布 氧含量
钴铬铂合金靶材 99.2% 99.91% 小于100μm 131MPa 均匀 881ppm
铬合金靶材性能的检测方法如下。 
相对密度:使用排水法测量,测试仪器为固体密度测试仪,计算方法为:相对密度=实际密度/理论密度。 
纯度:使用电感耦合等离子体原子发射光谱仪、氮氧分析仪及碳分析仪测试,主体测试元素包括:Fe、Cu、Al、Si、Pb、P、C、N、O。 
晶粒大小:使用金相显微镜照相观察,要求单一晶粒的任何方向最大尺寸均小于100μm。 
三点弯曲强度:使用三点弯曲试验机,测试样品的尺寸为长度120mm、厚度10mm、宽度30mm,两端支撑点距端点10mm,受力点为试样中点。 
晶粒分布:使用金相显微镜照相观察,要求任何两个晶粒的最大尺寸的比值大于0.5。 
氧含量:使用氮氧分析仪测试。 
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护 范围之内。 

Claims (8)

1. 一种高致密铬合金靶材的生产方法,所述的铬合金为铬与选自镍、硅、钛、钴、铂中的一种或多种的合金,其特征在于:所述的生产方法包括依次进行的如下步骤:
(Ⅰ)、真空脱气:采用-200目、纯度为99.95wt%以上、氧含量为1000ppm以下的铬粉以及合金金属的粉体为原料,均匀混料后,将原料放入模具中,首先加压4~6MPa,然后在真空度保持为10-3Pa以下的环境下,以250~400℃/h的加热速率加热至500~800℃,保温40~80min,充入氩气;
(Ⅱ)、阶段性升温加压:加压至9~12MPa,然后以150~250℃/h的加热速率加热至550~1100℃,保温40~80min;然后以90~110℃/h的加热速率加热至600~1400℃,保温40~80min,从1100℃开始,在温度上升的过程中温度每上升40~60℃增加1.5~2.5MPa压力,加热截止温度为1350~1500℃,直至压力为20~100MPa;
(Ⅲ)、保压炉冷:保持20~100MPa的压力,停止加热,靶材随炉冷;
(Ⅳ)、热锻:锻造温度为400~1200℃,变形率为0.1%/min~20%/min;
(Ⅴ)、退火:在300℃~700℃温度下保温3~5小时进行去应力退火;
(Ⅵ)、热轧:采取单向式、交叉式或旋转式的热扎方式,轧制的道次变形率为2%~20%;
(Ⅶ)、退火:在300℃~700℃温度下保温3~5小时进行去应力退火;
(Ⅷ)、机加工获得铬合金靶材成品。
2. 根据权利要求1所述的高致密铬合金靶材的生产方法,其特征在于:步骤(I)中的加热速率为290~310℃/h。
3. 根据权利要求1所述的高致密铬合金靶材的生产方法,其特征在于:步骤(Ⅱ)中,第一次加热的加热速率为190~210℃/h。
4. 根据权利要求1所述的高致密铬合金靶材的生产方法,其特征在于:步骤(Ⅱ)中,第二次加热的加热速率为95~105℃/h。
5. 根据权利要求1或3或4所述的高致密铬合金靶材的生产方法,其特征在于:步骤(Ⅱ)中,从1100℃开始,温度每上升50℃增加2MPa的压力。
6. 根据权利要求1所述的高致密铬合金靶材的生产方法,其特征在于:步骤(Ⅱ)中,最终压力为20~40MPa。
7. 根据权利要求1所述的高致密铬合金靶材的生产方法,其特征在于:步骤(Ⅵ)中,热轧温度为900~1400℃。
8. 一种高致密铬合金靶材,其特征在于:其由权利要求1至7中任一项权利要求所述的生产方法生产得到,所述铬合金靶材的氧含量小于1000ppm,相对密度大于99%,纯度大于99.9wt%。
CN201210507051.4A 2012-12-03 2012-12-03 一种高致密铬合金靶材的生产方法 Active CN102978576B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210507051.4A CN102978576B (zh) 2012-12-03 2012-12-03 一种高致密铬合金靶材的生产方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210507051.4A CN102978576B (zh) 2012-12-03 2012-12-03 一种高致密铬合金靶材的生产方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102978576A true CN102978576A (zh) 2013-03-20
CN102978576B CN102978576B (zh) 2014-12-31

Family

ID=47852909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210507051.4A Active CN102978576B (zh) 2012-12-03 2012-12-03 一种高致密铬合金靶材的生产方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102978576B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104227000A (zh) * 2014-09-06 2014-12-24 中信锦州金属股份有限公司 一种铬靶材的生产方法
CN104480444A (zh) * 2014-12-30 2015-04-01 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司 钛铝合金靶材及其制备方法
CN105695946A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 宁波江丰电子材料股份有限公司 透光基板的镀膜方法
CN108884551A (zh) * 2016-03-07 2018-11-23 森拉天时奥地利有限公司 在基底、硬材料层、加工工具和涂层源上产生硬材料层的方法
CN110168129A (zh) * 2017-01-12 2019-08-23 日立金属株式会社 铬合金靶材
CN112144024A (zh) * 2020-09-14 2020-12-29 浙江最成半导体科技有限公司 一种铬硅化物靶材及其制备方法
CN112853283A (zh) * 2020-12-29 2021-05-28 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铬镍合金溅射靶材及其制备方法与应用
CN113088900A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种磁记录用钛铬合金溅射靶材的制备方法
CN113088901A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法
CN113088909A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种镍铬合金溅射靶材及其热压制备方法
CN113755801A (zh) * 2021-09-17 2021-12-07 福州大学 一种具有均匀取向的高纯铝靶材的制备方法
WO2022095336A1 (zh) * 2020-11-04 2022-05-12 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铬硅合金溅射靶材的制备方法
CN115446313A (zh) * 2022-09-28 2022-12-09 新加坡先进薄膜材料私人有限公司 一种铬铂合金靶材的制作方法、装置、设备及其存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101405429A (zh) * 2006-03-31 2009-04-08 三菱麻铁里亚尔株式会社 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
CN101495667A (zh) * 2007-01-04 2009-07-29 三井金属矿业株式会社 CoCrPt系溅射靶及其制造方法
CN102534308A (zh) * 2010-12-09 2012-07-04 北京有色金属研究总院 垂直磁记录介质中间层用镍基合金靶材及其制造方法
CN102677005A (zh) * 2012-05-21 2012-09-19 烟台希尔德新材料有限公司 一种大型高致密铬靶的制造方法
CN102732845A (zh) * 2012-07-10 2012-10-17 福州大学 一种高纯度、高成分均匀性的镍铬合金靶材及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101405429A (zh) * 2006-03-31 2009-04-08 三菱麻铁里亚尔株式会社 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
CN101495667A (zh) * 2007-01-04 2009-07-29 三井金属矿业株式会社 CoCrPt系溅射靶及其制造方法
CN102534308A (zh) * 2010-12-09 2012-07-04 北京有色金属研究总院 垂直磁记录介质中间层用镍基合金靶材及其制造方法
CN102677005A (zh) * 2012-05-21 2012-09-19 烟台希尔德新材料有限公司 一种大型高致密铬靶的制造方法
CN102732845A (zh) * 2012-07-10 2012-10-17 福州大学 一种高纯度、高成分均匀性的镍铬合金靶材及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘永栓: "《钢的热处理》", 28 February 1981, article "结构钢热轧(锻)后的退火与正火", pages: 138 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104227000A (zh) * 2014-09-06 2014-12-24 中信锦州金属股份有限公司 一种铬靶材的生产方法
CN105695946A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 宁波江丰电子材料股份有限公司 透光基板的镀膜方法
CN104480444A (zh) * 2014-12-30 2015-04-01 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司 钛铝合金靶材及其制备方法
US10920325B2 (en) 2016-03-07 2021-02-16 Ceratizit Austria Gesellschaft M.B.H. Method for producing a hard material layer on a substrate, hard material layer, machining tool and coating source
CN108884551A (zh) * 2016-03-07 2018-11-23 森拉天时奥地利有限公司 在基底、硬材料层、加工工具和涂层源上产生硬材料层的方法
JP2019509399A (ja) * 2016-03-07 2019-04-04 セラティチット オーストリア ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基材上に硬質材料層を製造するための方法、硬質材料層、切削工具及び被膜源
JP7112330B2 (ja) 2016-03-07 2022-08-03 セラティチット オーストリア ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基材上に硬質材料層を製造するための方法、硬質材料層、切削工具及び被膜源
US11118248B2 (en) 2017-01-12 2021-09-14 Hitachi Metals, Ltd. Cr alloy target material
CN110168129A (zh) * 2017-01-12 2019-08-23 日立金属株式会社 铬合金靶材
CN112144024A (zh) * 2020-09-14 2020-12-29 浙江最成半导体科技有限公司 一种铬硅化物靶材及其制备方法
WO2022095336A1 (zh) * 2020-11-04 2022-05-12 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铬硅合金溅射靶材的制备方法
CN112853283A (zh) * 2020-12-29 2021-05-28 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铬镍合金溅射靶材及其制备方法与应用
CN113088900A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种磁记录用钛铬合金溅射靶材的制备方法
CN113088901A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法
CN113088909A (zh) * 2021-03-31 2021-07-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种镍铬合金溅射靶材及其热压制备方法
CN113755801A (zh) * 2021-09-17 2021-12-07 福州大学 一种具有均匀取向的高纯铝靶材的制备方法
CN115446313A (zh) * 2022-09-28 2022-12-09 新加坡先进薄膜材料私人有限公司 一种铬铂合金靶材的制作方法、装置、设备及其存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN102978576B (zh) 2014-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102978576B (zh) 一种高致密铬合金靶材的生产方法
CN102677005B (zh) 一种大型高致密铬靶的制造方法
CN103071793B (zh) 钼溅射靶材热等静压生产方法
CN102046836B (zh) Cu-Ga烧结体溅射靶及该靶的制造方法
JP6511056B2 (ja) W−Niスパッタリングターゲット
WO2021046927A1 (zh) 一种含微量稀土元素的镍铼合金旋转管状靶材及制备方法
CN111945089A (zh) 一种增材制造钛制件及其热处理工艺
CN112030120A (zh) 一种钽硅合金溅射靶材的制备方法
CN104550956A (zh) beta-gamma TiAl预合金粉放电等离子烧结制备构件的方法
CN114941127A (zh) 一种钽硅氧化物溅射靶材的制备方法
CN116332645A (zh) 一种氧化钼钽靶材及其制备方法与应用
CN112111714B (zh) 一种钽铝合金溅射靶材的制备方法
CN112111719B (zh) 一种钨钛硅合金溅射靶材及其制备方法
CN113061851B (zh) 一种太阳能钼靶坯及其制备方法和用途
CN111203531B (zh) 一种高致密Ti-Nb-Mo系合金的粉末冶金常压多步烧结方法
CN113430405A (zh) 一种高强韧性的面心立方高熵合金及其制备方法
CN115255367B (zh) 一种镍铝合金溅射靶材及其热压制备方法
CN101624663A (zh) 一种微波烧结制备W-Ni-Fe高密度合金的方法
CN115261806B (zh) 一种镍铝合金溅射靶材及其热等静压制备方法
CN114934202B (zh) 一种钽钼合金靶材及其制备方法与应用
CN113798488B (zh) 铝基粉末冶金材料及其制备方法
CN116162841A (zh) 超高屈服强度块体纳米晶中熵VCoNi合金及其制备方法
CN114318038B (zh) 一种硼化物改性Mo2FeB2基金属陶瓷的制备方法
CN113444949A (zh) 一种高密度W-Ta-Nb系难熔固溶体合金及其制备方法
Gao et al. Hot oscillatory pressure sintered W–Ni–Fe refractory alloy under different sintering pressures: Microstructures, densification behavior and properties

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171023

Address after: 264006 Yantai Shandong resource recycling processing demonstration area

Patentee after: Yantai Hilde Mstar Technology Ltd

Address before: 215600 overseas student Pioneer Park, No. 1, Cathay Pacific Road, Zhangjiagang, Jiangsu, Suzhou D-102

Patentee before: Suzhou JC Materials Technology LLC