CN102915911A - 一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳化硅表面的同时去除光刻胶；五、用余下的介质层作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅形成台面；六、进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质。优点：解决了金属掩膜形成碳化硅台面时出现的边缘毛刺问题、底部因金属微溅射出现的尖峰问题及高温时易发生的金属离子污染等问题，通过自对准方式保证碳化硅台面的注入保护及台面外区域的露出及刻蚀，保证台面底部区域表面平滑，便于后续工艺的操作。

Description

一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
技术领域
本发明涉及的是一种自对准台面形成平滑底部方法，具体涉及的是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。
背景技术
宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）具有宽禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性。SiC衬底上的SiC外延是制造高温、高频、大功率等器件最重要的半导体材料，具有超强的性能和广阔的应用前景。在SiC微波及电力电子器件中，台面结构是肖特基二极管、静态感应晶体管、结型场效应晶体管等常用的结构，所以如何制作平滑的没有波浪及鸟嘴问题的台面底部从而便于形成覆盖良好的栅金属是实现器件性能及可靠性的关键方法。
在SiC器件制作中，实现不同高度和具有陡峭坡度的台面的常用方法是：采用光刻方法形成台面图形，然后再采用大面积电子束垂直蒸发Ni、Al等金属掩膜层，通过湿法剥离工艺形成台面金属掩膜，采用反应离子刻蚀或者感应耦合等离子体刻蚀工艺，通过调节功率高低和气体流量、腔压等条件控制刻蚀得到不同高度和有一定陡峭度的台面。但是这种工艺会造成台面底部和边缘的毛刺现象、金属污染等问题。一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，解决了金属掩膜形成碳化硅台面时出现的边缘毛刺问题、底部因金属微溅射出现的尖峰问题及高温时易发生的金属离子污染等问题，并且通过自对准方式保证了碳化硅台面的注入保护及台面外区域的露出及刻蚀，保证了台面底部区域表面平滑，便于后续工艺的操作。
发明内容
本发明提出的是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其目的是通过刻蚀条件的优化，改善不同高度碳化硅台面的底部状态，提高表面平滑性和解决台面底部波浪问题、鸟嘴、边缘沟槽等问题。
本发明的技术解决方案：该方法包括以下步骤：
一、在碳化硅外延层上采用化学气相淀积方法形成一层介质膜；
二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；
三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；
四、过刻蚀介质膜到碳化硅表面的同时去除光刻胶；
五、用介质层作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅形成台面；
六、进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质。
本发明的有益效果：一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，解决了金属掩膜形成碳化硅台面时出现的边缘毛刺问题、底部因金属微溅射出现的尖峰问题及高温时易发生的金属离子污染等问题，并且通过自对准方式保证了碳化硅台面的注入保护及台面外区域的露出及刻蚀，保证了台面底部区域表面平滑，便于后续工艺的操作。
附图说明
附图1是碳化硅外延层上生长介质膜的示意图。
附图2介质膜上涂胶后的示意图。
附图3是经过光刻工艺后，台面图形转移的示意图。
附图4是光刻胶阻挡干法刻蚀介质膜的示意图。
附图5是干法过刻蚀自停止到碳化硅外延层，同时去除光刻胶的示意图。
附图6是介质膜阻挡干法刻蚀碳化硅外延层的示意图
附图7是刻蚀及相应工艺完成后，去除所有介质膜的示意图。
图中的1是碳化硅衬底、2是碳化硅外延层、3是介质膜、4是光刻胶。
具体实施方式
实施例1：
工艺步骤一，在碳化硅外延层2上采用化学气相淀积方法形成一层介质膜3，如图1所示；所述的碳化硅外延层2为碳化硅晶片，或碳化硅衬底1上生长了一层或者多层碳化硅薄膜的外延层。采用化学气相淀积方法为感应耦合等离子体增强化学气相淀积方法（ICP-PECVD）或者等离子体增强化学气相淀积方法（PECVD）。
工艺步骤二，在介质膜3上涂覆光刻胶4，如图2所示。
工艺步骤三，通过光刻工艺形成台面的图形转移，如图3所示。
工艺步骤四，光刻胶4作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜3，如图4所示。
所述的第一种条件干法刻蚀介质膜3工艺包括：
1)采用了三氟甲烷（CHF3）气体；
2)气体流量为10sccm；
3)反应时腔体压力为0.5Pa；
4)干法刻蚀时底板温度为室温；
5)干法刻蚀时上电极功率不加，下电极功率为200W；
6)刻蚀采用光刻胶4阻挡的二氧化硅或氮氧化硅介质膜3的速率在20nm/min；
7)刻蚀光刻胶4与介质膜3的刻蚀比在1：0.5。干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤五，第一种条件干法过刻蚀介质膜3到碳化硅外延层2表面的同时去除光刻胶4，如图5所示。
干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤六，用介质层3作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅外延层2形成台面。如图6所示。
所述的第二种条件干法刻蚀碳化硅工艺包括：
1)采用了六氟化硫（SF6）气体与氧气（O2）的混合气体或者六氟化硫（SF6）气体、氧气（O2）和氩气（Ar）的混合气体；
2)六氟化硫（SF6）气体与氧气（O2）的流量比例为1：1；六氟化硫（SF6）气体、氧气（O2）和氩气（Ar）的流量比例为1：1：2；              
3)反应时腔体压力为0.3Pa；
4)干法刻蚀时底板温度为室温到80℃；
5)干法刻蚀时上电极功率300W～800W，下电极功率为3W；
6)刻蚀采用二氧化硅或氮氧化硅阻挡层刻蚀碳化硅的速率在20nm/min；
7)刻蚀介质膜3与碳化硅外延层2的刻蚀比在1：0.5；干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤七，进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅外延层2表面所有介质膜3，如图7所示。湿法腐蚀酸性溶液采用的是：配方为HF：H2O=1：1,腐蚀温度室温；或者采用标准外购缓冲氢氟酸，采用40℃水浴条件下进行腐蚀。
实施例2：
工艺步骤一，在碳化硅外延层2上采用化学气相淀积方法形成一层介质膜3，如图1所示；所述的碳化硅外延层2为碳化硅晶片，或碳化硅衬底1上生长了一层或者多层碳化硅薄膜的外延层。采用化学气相淀积方法为感应耦合等离子体增强化学气相淀积方法（ICP-PECVD）或者等离子体增强化学气相淀积方法（PECVD）。
工艺步骤二，在介质膜3上涂覆光刻胶4，如图2所示。
工艺步骤三，通过光刻工艺形成台面的图形转移，如图3所示。
工艺步骤四，光刻胶4作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜3，如图4所示。
所述的第一种条件干法刻蚀介质膜3工艺包括：
1)采用了三氟甲烷（CHF3）气体；
2)气体流量为20sccm；
3)反应时腔体压力为1Pa；
4)干法刻蚀时底板温度为室温；
5)干法刻蚀时上电极功率不加，下电极功率为300W；
6)刻蚀采用光刻胶4阻挡的二氧化硅或氮氧化硅介质膜3的速率在50nm/min；
7)刻蚀光刻胶4与介质膜3的刻蚀比在1：3。干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤五，第一种条件干法过刻蚀介质膜3到碳化硅外延层2表面的同时去除光刻胶4，如图5所示。
干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤六，用介质层3作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅外延层2形成台面。如图6所示。
所述的第二种条件干法刻蚀碳化硅工艺包括：
1)采用了六氟化硫（SF6）气体与氧气（O2）的混合气体或者六氟化硫（SF6）气体、氧气（O2）和氩气（Ar）的混合气体；
2)六氟化硫（SF6）气体与氧气（O2）的流量比例为1：3；六氟化硫（SF6）气体、氧气（O2）和氩气（Ar）的流量比例为7：8：5；                 
3)反应时腔体压力为1Pa；
4)干法刻蚀时底板温度为室温到80℃；
5)干法刻蚀时上电极功率800W，下电极功率为30W；
6)刻蚀采用二氧化硅或氮氧化硅阻挡层刻蚀碳化硅的速率在300nm/min；
7)刻蚀介质膜3与碳化硅外延层2的刻蚀比在1：5;干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤七，进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅外延层2表面所有介质膜3，如图7所示。湿法腐蚀酸性溶液采用的是：配方为HF：H2O=1：10，腐蚀温度室温；或者采用标准外购缓冲氢氟酸，采用80℃水浴条件下进行腐蚀。
实施例3：
工艺步骤一，在碳化硅外延层2上采用化学气相淀积方法形成一层介质膜3，如图1所示；所述的碳化硅外延层2为碳化硅晶片，或碳化硅衬底1上生长了一层或者多层碳化硅薄膜的外延层。采用化学气相淀积方法为感应耦合等离子体增强化学气相淀积方法（ICP-PECVD）或者等离子体增强化学气相淀积方法（PECVD）。
工艺步骤二，在介质膜3上涂覆光刻胶4，如图2所示。
工艺步骤三，通过光刻工艺形成台面的图形转移，如图3所示。
工艺步骤四，光刻胶4作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜3，如图4所示。
所述的第一种条件干法刻蚀介质膜3工艺包括：
1)采用了三氟甲烷（CHF3）气体；
2)气体流量为15sccm；
3)反应时腔体压力为0.7Pa；
4)干法刻蚀时底板温度为室温；
5)干法刻蚀时上电极功率不加，下电极功率为250W；
6)刻蚀采用光刻胶4阻挡的二氧化硅或氮氧化硅介质膜3的速率在35nm/min；
7)刻蚀光刻胶4与介质膜3的刻蚀比在1：2。干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤五，第一种条件干法过刻蚀介质膜3到碳化硅外延层2表面的同时去除光刻胶4，如图5所示。
干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤六，用介质层3作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅外延层2形成台面。如图6所示。
所述的第二种条件干法刻蚀碳化硅工艺包括：
1)采用了六氟化硫（SF6）气体与氧气（O2）的混合气体或者六氟化硫（SF6）气体、氧气（O2）和氩气（Ar）的混合气体；
2)六氟化硫（SF6）气体与氧气（O2）的流量比例为1：2；六氟化硫（SF6）气体、氧气（O2）和氩气（Ar）的流量比例为3：5：4；                 
3)反应时腔体压力为0.6Pa，
4)干法刻蚀时底板温度为室温到80℃，
5)干法刻蚀时上电极功率600W，下电极功率为20W；
6)刻蚀采用二氧化硅或氮氧化硅阻挡层刻蚀碳化硅的速率在160nm/min；
7)刻蚀介质膜3与碳化硅外延层2的刻蚀比在1：3;干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀（ICP）。
工艺步骤七，进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅外延层2表面所有介质膜3，如图7所示。湿法腐蚀酸性溶液采用的是：配方为HF：H2O=1：6，腐蚀温度室温；或者采用标准外购缓冲氢氟酸，采用60℃水浴条件下进行腐蚀。

Claims (10)

1.一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
一、在碳化硅外延层上采用化学气相淀积方法形成一层介质膜；
二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；
三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；
四、过刻蚀介质膜到碳化硅表面的同时去除光刻胶；
五、用介质层作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅形成台面；
六、进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质。
2.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是工艺步骤一中的碳化硅外延层为碳化硅衬底上生长了一层或者多层碳化硅薄膜的外延层。
3.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是工艺步骤一中的一层介质膜为二氧化硅或者氮氧化硅，采用化学气相淀积方法为感应耦合等离子体增强化学气相淀积方法或者等离子体增强化学气相淀积方法；一层介质膜的厚度为2um～4um。
4.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤二，在整个碳化硅外延层表面上淀积的一层介质膜上，涂覆一层HMDS粘附剂，采用蒸汽喷涂法涂覆，然后，再涂覆一层光刻胶，光刻胶为正性光刻胶或者负性光刻胶，光刻胶厚度在0.9um～8um。
5.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤二，光刻工艺包括前烘、涂胶、曝光、显影、坚膜工艺，采用的方法为手动式光刻或步进式光刻。
6.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤三,采用第一种条件干法刻蚀介质膜的工艺包括：
1）采用了三氟甲烷CHF3气体；
2）气体流量为10sccm～20sccm；
3）反应时腔体压力为0.5Pa～1Pa；
4）干法刻蚀时底板温度为室温；
5）干法刻蚀时上电极功率不加，下电极功率为200W～300W；
6）刻蚀采用光刻胶阻挡的二氧化硅或氮氧化硅介质膜的速率在20nm～50nm/min；
7）刻蚀光刻胶与介质膜的刻蚀比在1：0.5～1：3。
7.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤四，过刻蚀介质膜自动停止于碳化硅表面，同时光刻胶也采用干法去除干净。
8.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤五，第二种条件干法刻蚀碳化硅的工艺包括：
1)采用了六氟化硫SF6气体与氧气O2的混合气体或者六氟化硫SF6气体、氧气O2和氩气Ar的混合气体；
2)六氟化硫SF6气体与氧气O2的流量比例为1：1～1：3；六氟化硫SF6气体、氧气O2和氩气Ar的流量比例为1：1：2～7：8：5；
3)反应时腔体压力为0.3Pa～1Pa；
4)干法刻蚀时底板温度为室温到80℃；
5)干法刻蚀时上电极功率300W～800W，下电极功率为3W～30W；
6)刻蚀采用二氧化硅或氮氧化硅阻挡层刻蚀碳化硅的速率在20nm～300nm/min；
7)刻蚀介质膜3与碳化硅外延层2的刻蚀比在1：0.5～1：5。
9.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤三、四、五采用的干法刻蚀方法为感应耦合等离子体刻蚀。
10.根据权利要求1所述的一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征是所述的工艺步骤六进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质,其湿法腐蚀酸性溶液采用的是：针对介质膜，配方为HF：H2O=1：1～1：10，腐蚀温度室温；或者采用标准外购缓冲氢氟酸，采用40℃～80℃水浴条件下进行腐蚀。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103560078A (zh) * 2013-11-13 2014-02-05 中国科学院微电子研究所 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
CN103646876A (zh) * 2013-12-30 2014-03-19 国家电网公司 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法
CN104810273A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 国家电网公司 一种碳化硅刻蚀方法
CN107516633A (zh) * 2017-04-17 2017-12-26 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种氮化镓刻蚀方法
CN110957214A (zh) * 2018-09-26 2020-04-03 株洲中车时代电气股份有限公司 一种沟槽及其蚀刻方法
CN111825055A (zh) * 2019-04-16 2020-10-27 上海新微技术研发中心有限公司 金的刻蚀方法
CN113410136A (zh) * 2021-06-15 2021-09-17 西安微电子技术研究所 一种碳化硅沟槽刻蚀方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1522465A (zh) * 2001-03-30 2004-08-18 兰姆研究公司 碳化硅的等离子体刻蚀
US20050001276A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 The Regents Of The University Of California Selective etching of silicon carbide films
CN101051610A (zh) * 2006-04-03 2007-10-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件的制造方法
CN101144971A (zh) * 2006-09-15 2008-03-19 应用材料股份有限公司 相移光掩模及其制造方法
CN101192574A (zh) * 2006-11-28 2008-06-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos器件应力膜的形成方法和cmos器件
CN101393887A (zh) * 2007-09-20 2009-03-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双镶嵌结构形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1522465A (zh) * 2001-03-30 2004-08-18 兰姆研究公司 碳化硅的等离子体刻蚀
US20050001276A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 The Regents Of The University Of California Selective etching of silicon carbide films
CN101051610A (zh) * 2006-04-03 2007-10-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件的制造方法
CN101144971A (zh) * 2006-09-15 2008-03-19 应用材料股份有限公司 相移光掩模及其制造方法
CN101192574A (zh) * 2006-11-28 2008-06-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos器件应力膜的形成方法和cmos器件
CN101393887A (zh) * 2007-09-20 2009-03-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双镶嵌结构形成方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103560078A (zh) * 2013-11-13 2014-02-05 中国科学院微电子研究所 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
CN103646876A (zh) * 2013-12-30 2014-03-19 国家电网公司 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法
CN103646876B (zh) * 2013-12-30 2016-08-31 国家电网公司 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法
CN104810273A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 国家电网公司 一种碳化硅刻蚀方法
CN107516633A (zh) * 2017-04-17 2017-12-26 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种氮化镓刻蚀方法
CN107516633B (zh) * 2017-04-17 2020-08-28 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种氮化镓刻蚀方法
CN110957214A (zh) * 2018-09-26 2020-04-03 株洲中车时代电气股份有限公司 一种沟槽及其蚀刻方法
CN111825055A (zh) * 2019-04-16 2020-10-27 上海新微技术研发中心有限公司 金的刻蚀方法
CN113410136A (zh) * 2021-06-15 2021-09-17 西安微电子技术研究所 一种碳化硅沟槽刻蚀方法

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