CN103646876A - 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 - Google Patents
一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103646876A CN103646876A CN201310743899.1A CN201310743899A CN103646876A CN 103646876 A CN103646876 A CN 103646876A CN 201310743899 A CN201310743899 A CN 201310743899A CN 103646876 A CN103646876 A CN 103646876A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask layer
- sic
- minutes
- etching
- side wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 31
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 8
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。本发明提供的方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
Description
技术领域
本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。
背景技术
半导体刻蚀既是半导体表面加工的一种方法，也是半导体器件制备工艺中很重要的图形化手段。
在SiC材料的刻蚀中，SiC材料的高硬度和化学稳定性使其只能在高温下(约1200摄氏度)进行腐蚀，这种高温加工工艺既不能满足人们在器件制造中所要求的刻蚀精度，也为刻蚀掩膜材料的选择造成极大的困难，为此现今广泛采用干法刻蚀工艺对SiC材料进行刻蚀。SiC材料的干法刻蚀工艺一般为：SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料，从而在SiC材料上形成一刻蚀台阶形貌。采用该方法获得的台阶一般较陡直，但是侧壁一般较粗糙。在SiC高压器件中，粗糙的侧壁形貌会极大的影响器件的性能，如击穿电压降低、反向电流增加等。因此陡直光滑的SiC刻蚀侧壁形貌是器件制备成功的基本保证。
为了控制SiC刻蚀台阶的陡直度和侧壁粗糙度，目前主要通过同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺来优化工艺，由于两步刻蚀工艺涉及的工艺参量很多，一方面费财费时，另一方面最终获得的工艺窗口很窄，对器件制备的工艺稳定性和器件的可靠性带来严重的影响。有时就根本无法同时实现陡直和光滑的刻蚀侧壁形貌。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，该方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
本发明的目的是采用下述技术方案实现的：
本发明提供一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，所述方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其改进之处在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。
进一步地，所述SiC材料清洗包括如下清洗步骤：
（1）采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°，时间5分；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵=1:20，常温，时间30秒；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用；或
（2）采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°，时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵=1:20，常温，时间30秒；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵=1:20，常温，时间30秒；异丙醇超声5分；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用。
进一步地，所述掩膜层包括氧化硅和氮化硅硬掩膜层；沉积掩膜层包括离子体增强化学气相沉积方法PECVD、等离子体化学气相淀积ICPCVD和物理气相沉积方法PVD。
进一步地，所述光刻包括涂胶、前烘、曝光、后烘、显影和坚膜工艺步骤。
进一步地，所述干法刻蚀掩膜层包括反应离子刻蚀掩膜层和感应耦合等离子体刻蚀掩膜层。
进一步地，所述湿法腐蚀光滑掩膜层包括采用BOE清腐蚀液对干法刻蚀形成的掩膜层进行腐蚀，以使掩膜层光滑。
进一步地，所述去胶包括丙酮浸泡、去胶剂去除、氧等离子体去胶和曝光后显影液去胶。
进一步地，所述干法刻蚀SiC材料包括反应离子刻蚀SiC材料和感应耦合等离子体刻蚀SiC材料。
与现有技术比，本发明达到的有益效果是：
本发明改变了以往通过同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺来实现控制SiC刻蚀台阶的陡直度和侧壁粗糙度的方法，突破传统方法工艺窗口狭窄的技术障碍，该方法工艺窗口很宽，且经济易行。
附图说明
图1是本发明提供的沉积掩膜层后SiC材料的结构示意图；
图2是本发明提供的光刻后SiC材料的结构示意图；
图3是本发明提供的干法刻蚀掩膜层后SiC材料的结构示意图；
图4是本发明提供的湿法腐蚀光滑掩膜层光滑侧壁形貌的结构示意图；
图5是本发明提供的去胶后的光滑侧壁形貌的结构示意图；
图6是本发明提供的干法刻蚀SiC材料后的陡直光滑侧壁形貌的结构示意图；
其中，1-待刻蚀的SiC材料；2-掩膜层；3-光刻胶；
图7是本发明提供的制备陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
本发明需要解决的技术问题是提供一种制备陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
为解决上述问题，本发明采取的技术方案的流程图如图7所示，包括SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、湿法腐蚀光滑掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料，关键的工艺改进是增加了湿法腐蚀光滑掩膜层，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，从而获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。
沉积掩膜层为氧化硅、氮化硅等硬掩膜，可以获得比较高的选择比；掩膜层沉积方法为离子体增强化学气相沉积方法PECVD、等离子体化学气相淀积ICPCVD和物理气相沉积方法PVD，获得的掩膜层品质较高，同时厚度精确可控；掩膜层干法刻蚀方法为RIE、ICP等刻蚀方法，获得的掩膜层刻蚀侧壁陡直；掩膜层湿法腐蚀光滑侧壁方法为BOE、HF等腐蚀方法，可以实现对粗糙的掩膜侧壁进行光滑化处理；去胶方法为有丙酮浸泡、专用去胶剂去除、氧等离子体去胶、曝光后显影液去胶或几种方法的组合等去胶方法，可以彻底去除光刻胶，避免光刻胶沾污造成的微掩膜效应；SiC材料干法刻蚀方法为RIE、ICP等刻蚀方法，可以快速实现对掩膜形貌在SiC材料上的复制，从而获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。
实施例一：
1）清洗SiC材料：
对待刻蚀的SiC材料1依次进行如下清洗步骤：
1#清洗液（氨水：双氧水：纯水=1:1:5），温度70°时间5分；2#清洗液（盐酸：双氧水：纯水=1:1:5），温度70°时间5分；BOE清洗液（氢氟酸：氟化铵=1:20），常温，时间30秒；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用。
2）沉积掩膜层：
采用PECVD，即等离子体增强化学气相沉积方法，沉积掩膜层2，其化学成分为SiO2,见图1。根据待刻蚀的SiC材料1需刻蚀的厚度2um和刻蚀选择比5，确定需沉积的掩膜层2的厚度不小于0.4um，考虑工艺偏差，本例中掩膜层2厚度为0.6um,见图1。
3）光刻：
工艺流程如下：
气相涂增粘剂；旋涂光刻胶3，胶型为5214，厚度1.6um；前烘95摄氏度90秒；SUSSMA6光刻机接触曝光7秒；3038显影液显影45s；110°，60s坚膜，见图2。
4）干法刻蚀掩膜层：
Tegal903e-RIE刻蚀机刻蚀掩膜层2，刻蚀参数如下：
CHF3流量40sccm，SF6流量3sccm，刻蚀气压1260mTorr，RF功率300W,刻蚀时间3分，见图3。
5）湿法腐蚀光滑掩膜层：
湿法腐蚀掩膜层2，达到光滑化掩膜侧壁的目的，具体工艺如下：
BOE清腐蚀液（氢氟酸：氟化铵=1:20）常温腐蚀10秒，见图4。
6）去胶：
去除光刻胶3，具体工艺如下：
丙酮70摄氏度超声5分；异丙醇常温超声5分；DI水冲洗5分，烘干，见图5。
7）干法刻蚀SiC材料：
STS HRM-ICP刻蚀机台刻蚀待刻蚀的SiC材料1，具体工艺参数如下：
SF6流量24sccm，O2流量6sccm，RF功率250W，ICP功率800W，刻蚀气压5mTorr，刻蚀时间7分。刻蚀形貌陡直光滑，见图6。
实施例二：
1）清洗SiC材料：
对待刻蚀的SiC材料1依次进行如下清洗步骤：
1#清洗液（氨水：双氧水：纯水=1:1:5），温度70°时间5分；BOE清洗液（氢氟酸：氟化铵=1:20），常温，时间30秒；2#清洗液（盐酸：双氧水：纯水=1:1:5），温度70°时间5分；BOE清洗液（氢氟酸：氟化铵=1:20），常温，时间30秒；异丙醇超声5分；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用。
2）沉积掩膜层：
采用ICPCVD，即等离子体增强化学气相沉积方法，沉积掩膜层2，其化学成分为SiN,见图1。根据待刻蚀的SiC材料1需刻蚀的厚度2um和刻蚀选择比4，确定需沉积的掩膜层2的厚度不小于0.5um，考虑工艺偏差，本例中掩膜层2厚度为0.6um。
3）光刻：
工艺流程如下：
气相涂增粘剂；旋涂光刻胶3，胶型为5214，厚度1.6um；前烘95摄氏度90秒，见图1；SUSS MA6光刻机接触曝光7秒；3038显影液显影45s；110°，60s坚膜，见图2。
4）干法刻蚀掩膜层：
Tegal903e-RIE刻蚀机刻蚀掩膜层2，刻蚀参数如下：
SF6流量15sccm，刻蚀气压600mTorr，RF功率300W,刻蚀时间1.5分，见图3。
5）湿法腐蚀光滑掩膜层：
湿法腐蚀掩膜层2，达到光滑化掩膜侧壁的目的，具体工艺如下：
BOE清腐蚀液（氢氟酸：氟化铵=1:5）常温腐蚀30秒，见图4.
6）去胶：
去除光刻胶3，具体工艺如下：
氧等离子体去胶机200W去胶60秒；丙酮70摄氏度超声5分；异丙醇常温超声5分；DI水冲洗5分，烘干，见图5。
7）干法刻蚀SiC材料：
STS HRM-ICP刻蚀机台刻蚀待刻蚀的SiC材料1，具体工艺参数如下：
SF6流量22sccm，O2流量2sccm，RF功率300W，ICP功率1000W，刻蚀气压5mTorr，刻蚀时间5分。刻蚀形貌陡直光滑，见图6。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (8)
1.一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，所述方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。
2.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述SiC材料清洗包括如下清洗步骤：
（1）采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°，时间5分；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵=1:20，常温，时间30秒；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用；或
（2）采用1#清洗液：氨水：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°，时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵=1:20，常温，时间30秒；2#清洗液：盐酸：双氧水：纯水=1:1:5，温度70°时间5分；BOE清洗液：氢氟酸：氟化铵=1:20，常温，时间30秒；异丙醇超声5分；丙酮超声5分；异丙醇超声5分；DI水冲洗5分，烘干，待用。
3.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层包括氧化硅和氮化硅硬掩膜层；沉积掩膜层包括离子体增强化学气相沉积方法PECVD、等离子体化学气相淀积ICPCVD和物理气相沉积方法PVD。
4.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述光刻包括涂胶、前烘、曝光、后烘、显影和坚膜工艺步骤。
5.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀掩膜层包括反应离子刻蚀掩膜层和感应耦合等离子体刻蚀掩膜层。
6.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述湿法腐蚀光滑掩膜层包括采用BOE清腐蚀液对干法刻蚀形成的掩膜层进行腐蚀，以使掩膜层光滑。
7.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述去胶包括丙酮浸泡、去胶剂去除、氧等离子体去胶和曝光后显影液去胶。
8.如权利要求1所述的SiC刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀SiC材料包括反应离子刻蚀SiC材料和感应耦合等离子体刻蚀SiC材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310743899.1A CN103646876B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310743899.1A CN103646876B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103646876A true CN103646876A (zh) | 2014-03-19 |
| CN103646876B CN103646876B (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=50252074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310743899.1A Active CN103646876B (zh) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103646876B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851782A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-08-19 | 电子科技大学 | 一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法 |
| CN106128942A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-16 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法 |
| CN109461648A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-12 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 | 一种碳化硅器件制造方法 |
| CN109841505A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法 |
| CN114924341A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-19 | 上海交通大学 | 提高fib刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统 |
| WO2023159837A1 (zh) * | 2022-02-25 | 2023-08-31 | 上海积塔半导体有限公司 | 碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050183740A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Fulton John L. | Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates |
| CN101556919A (zh) * | 2009-05-21 | 2009-10-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法 |
| CN102543843A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 互连结构的制造方法 |
| CN102915911A (zh) * | 2012-09-24 | 2013-02-06 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法 |
-
2013
- 2013-12-30 CN CN201310743899.1A patent/CN103646876B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050183740A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-08-25 | Fulton John L. | Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates |
| CN101556919A (zh) * | 2009-05-21 | 2009-10-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法 |
| CN102543843A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 互连结构的制造方法 |
| CN102915911A (zh) * | 2012-09-24 | 2013-02-06 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851782A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-08-19 | 电子科技大学 | 一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法 |
| CN104851782B (zh) * | 2015-04-09 | 2018-01-19 | 电子科技大学 | 一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法 |
| CN106128942A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-16 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法 |
| CN109841505A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法 |
| CN109461648A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-12 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 | 一种碳化硅器件制造方法 |
| WO2023159837A1 (zh) * | 2022-02-25 | 2023-08-31 | 上海积塔半导体有限公司 | 碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 |
| CN114924341A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-19 | 上海交通大学 | 提高fib刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统 |
| CN114924341B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-06-06 | 上海交通大学 | 提高fib刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103646876B (zh) | 2016-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103646876A (zh) | 一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 | |
| CN103715065B (zh) | 一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法 | |
| CN101556919B (zh) | 控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法 | |
| WO2011102140A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN109119330A (zh) | 一种半导体器件的形成方法 | |
| CN108389796A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN106158595B (zh) | 半导体器件的形成方法 | |
| US9054045B2 (en) | Method for isotropic etching | |
| CN105668546B (zh) | 一种制备纳米尺度的石墨烯结构的方法 | |
| CN104465369B (zh) | 锗的刻蚀方法 | |
| TWI400752B (zh) | 在基板中形成深溝槽之方法 | |
| CN102478763A (zh) | 光刻方法 | |
| CN102331593A (zh) | 高占空比自支撑纳米透射光栅及其制作方法 | |
| CN104810245B (zh) | 改善沟槽形貌方法 | |
| CN103050438B (zh) | 接触孔的刻蚀方法 | |
| CN106328513B (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| TW201604993A (zh) | 高深寬比結構的蝕刻方法及mems裝置的製作方法 | |
| CN103681306B (zh) | 一种平缓光滑侧壁形貌的氮氧硅刻蚀方法 | |
| CN108063087B (zh) | 一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法 | |
| CN101964307B (zh) | 刻蚀图形的形成方法 | |
| CN103832968B (zh) | Mems器件的制造方法 | |
| CN110060919A (zh) | 半导体器件及其形成方法 | |
| CN109326519A (zh) | 一种倾角硅槽刻蚀工艺 | |
| CN105543802B (zh) | 等离子体织构化刀具及其制备方法 | |
| CN114121639A (zh) | 一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |