CN102881812A - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构，包括一电极部，该电极部包括彼此分离的第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极之间形成有一收容槽，该收容槽包括相对的两端，该发光二极管封装结构还包括一基板及设置于该基板上的发光二极管芯片，该基板包括彼此分离用于与该发光二极管芯片电连接的第一连接电极和第二连接电极，该基板能够自该收容槽的一端插入进而收容至该收容槽中，从而使该第一连接电极与该第一电极电连接，该第二连接电极与该第二电极电连接。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构，还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术
相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。
通常情况下，需要对发光二极管芯片进行封装，以使发光二极管芯片具有较高的发光效率及较长的使用寿命。发光二极管封装结构通常使用基板作为封装衬底，两个电极间隔设置于该基板上，且该发光二极管芯片与该电极打线连接，如此使得该发光二极管封装结构的组装较为复杂，另外，两个电极往往通过电镀后再蚀刻的方式形成在基板上，亦导致整个发光二极管封装结构的制程较为复杂。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提供一种组装方便的发光二极管封装结构及其制造方法。
一种发光二极管封装结构，包括一电极部，该电极部包括彼此分离的第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极之间形成有一收容槽，该收容槽包括相对的两端，该发光二极管封装结构还包括一基板及设置于该基板上的发光二极管芯片，该基板包括彼此分离用于与该发光二极管芯片电连接的第一连接电极和第二连接电极，该基板能够自该收容槽的一端插入进而收容至该收容槽中，从而使该第一连接电极与该第一电极电连接，该第二连接电极与该第二电极电连接。
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板包括底板，自该底板中部向上延伸的支撑部，以及自该支撑部顶端延伸至该底板的第一连接电极和第二连接电极，该第一连接电极和第二连接电极彼此分离设置，该底板和支撑部由绝缘且高热传导性的材料制成；在该基板的支撑部上设置发光二极管芯片，该发光二极管芯片与该第一连接电极和第二连接电极分别形成电连接；提供一封装体，该封装体包括电极部和形成于该电极部上的反射层，该电极部包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极之间具有一收容槽，该反射层形成于该电极部的上端且具有一与收容槽连通的凹杯；将该基板收容于该封装体的收容槽中，从而使该第一连接电极与该第一电极形成电连接，该第二连接电极与该第二电极形成电连接，该发光二极管芯片位于凹杯的底部；以及在该凹杯内形成封装层用以密封该发光二极管芯片。
本发明通过提供一基板和一电极部，基板具有相互绝缘的第一连接电极和第二连接电极，电极部具有相互分离且绝缘的第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极之间具有一收容槽，通过将基板收容至电极部的收容槽内，从而使基板的第一连接电极和第二连接电极分别与电极部的第一电极和第二电极形成接触电连接，如此，可使制程简单，组装方便。
附图说明
图1为本发明的发光二极管封装结构的俯视示意图。
图2为图1沿水平中线的剖面示意图。
图3为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤一所提供的基板的剖面示意图。
图4为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤一所提供的基板的俯视示意图。
图5为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤二所得到的封装结构的剖面示意图。
图6为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤二所得到的封装结构在发光二极管芯片上设置萤光粉层后的剖面示意图。
图7为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤三所提供的封装体的剖面示意图。
图8为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤三所提供的封装体的俯视示意图。
图9为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤四的组装示意图。
图10为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤四所得到的封装结构的剖面示意图。
图11为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤五所得到的封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 1
基板 10
底板 11
支撑部 12
第一连接电极 13
第二连接电极 14
发光二极管芯片 20
萤光粉层 30
电极部 40
第一电极 41
第二电极 42
收容槽 43
反射层 50
凹杯 51
封装层 60
封装体 70
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1和图2所示，本发明第一实施例提供的发光二极管封装结构1，其包括：一基板10；设置于基板10上方且与基板10电性连接的发光二极管芯片20；一与基板10电性连接的电极部40；设置于电极部40上方且围绕发光二极管芯片20设置的反射层50；以及封装层60。
基板10包括底板11，自底板11中部向上延伸的支撑部12，以及自支撑部12顶端延伸至底板11的第一连接电极13和第二连接电极14。第一连接电极13和第二连接电极14彼此分离设置，也就是相互绝缘。本实施例中，底板11为矩形的平板，支撑部12大致呈椭圆形柱体并自底板11的上表面中部向上垂直延伸，第一连接电极13和第二连接电极14均自支撑部12的上表面沿其侧边延伸至底板11的上表面，且第一连接电极13和第二连接电极14的厚度较薄。
发光二极管芯片20设置于基板10的支撑部12上且分别与第一连接电极13和第二连接电极14形成电连接。本实施例中，该发光二极管芯片20是通过覆晶的方式与第一连接电极13和第二连接电极14形成电连接的，如此，制程简单且无需经过打导线的步骤，且发光二极管芯片20直接固定于第一连接电极13和第二连接电极14上，可使发光二极管芯片20在工作过程中产生的大量的热量可快速传导至第一连接电极13和第二连接电极14，再传导至基板10上，有利于其热量地散发，提高发光二极管芯片20的寿命。具体地，该发光二极管芯片20是通过其底部的锡球分别与第一连接电极13和第二连接电极14固定并形成电连接的，并且，该发光二极管芯片20上可选择性地设置一萤光粉层30，以获得想要的出光颜色。
电极部40包括彼此分离的第一电极41和第二电极42，第一电极41和第二电极42分别与其对应的第一连接电极13和第二连接电极14电连接。第一电极41和第二电极42之间具有一收容槽43，收容槽43将基板10收容于其中，且第一电极41的顶端与第一连接电极13的顶端平齐，第二电极42的顶端与第二连接电极14的顶端平齐。
反射层50形成于电极部40上，反射层50具有环绕发光二极管芯片20的一倒置截顶锥状凹杯51。
封装层60覆盖整个凹杯51，封装层60可采用点胶工艺完成。封装层60的上端与反射层50的上端平齐。于本实施例中，可在准备封装胶时再次混合荧光粉，以获得想要的出光颜色。
以下，将结合其他附图对本发明第二实施例提供的发光二极管封装结构1的制造方法进行详细说明。
请参考图3和图4，为本发明发光二极管封装结构的制造方法步骤一，即提供一个基板10。基板10包括底板11，自底板11中部向上延伸的支撑部12，以及自支撑部12顶端延伸至底板11的第一连接电极13和第二连接电极14。第一连接电极13和第二连接电极14彼此分离设置，也就是相互绝缘。底板11和支撑部12由绝缘且高热传导性的材料制成，如陶瓷或是硅等。本实施例中，底板11为矩形的平板，支撑部12大致呈椭圆形柱体并自底板11的上表面中部向上垂直延伸。第一连接电极13和第二连接电极14均自支撑部12的上表面沿其测边延伸至底板11的上表面，且第一连接电极13和第二连接电极14的厚度较薄。
请参阅图5，接着在基板10的支撑部12上设置发光二极管芯片20，发光二极管芯片20与第一连接电极13和第二连接电极14分别形成电连接。本实施例中，发光二极管芯片20是通过覆晶的方式分别与第一连接电极13和第二连接电极14形成电连接的，具体地，发光二极管芯片20是通过其底部的锡球分别与第一连接电极13和第二连接电极14固定并形成电连接。
请参阅图6，发光二极管芯片20上可选择性地设置一萤光粉层30，以获得想要的出光颜色。
请参阅图7和图8，提供一封装体70，该封装体70包括电极部40和形成于电极部40上的反射层50。电极部40包括彼此分离的第一电极41和第二电极42，且第一电极41和第二电极42之间具有一收容槽43，收容槽43具有相对的上下两端。收容槽43用于收容基板10于其内。反射层50具有与收容槽43连通的一倒置截顶锥状的凹杯51。当然，凹杯51也可呈其它的形状。
请参阅图9与图10，将基板10从封装体70的下方插入到收容槽43中，从而使第一连接电极13与第一电极41电连接，第二连接电极14与第二电极42电连接。此时，第一连接电极13和第二连接电极14的顶端与其对应的第一电极41和第二电极42的顶端位于同一平面上，如此可减小整个封装结构的厚度，并且减少光被遮蔽的机率。此时，发光二极管芯片20位于反射层50的凹杯51的底部。
请参阅图11，在反射层50的凹杯51内形成封装层60，封装层60覆盖整个凹杯51，并且密封发光二极管芯片20。封装层60是采用点胶工艺完成，封装层60的上端与反射层50的上端平齐。于本实施例中，可在准备封装胶时再次混合荧光粉，以获得想要的出光颜色。
可以理解地，本发明第二实施例提供的发光二极管封装结构1的制造方法还可以先将基板10插入至封装体70的电极部40的收容槽43中，从而使第一连接电极13和第二连接电极14分别与第一电极41和第二电极42电性连接；再在基板10的支撑部12上装设发光二极管芯片20；最后在封装体70的反射层50的凹杯51内形成封装层60。另外，由于电极部40的第一电极41和第二电极42是彼此分离的，因此也可将基板10固定，第一电极41和第二电极42靠近基板10，进而将基板10夹设于第一电极41和第二电极42之间，从而使基板10上的第一连接电极13和第二连接电极14分别与电极部40的第一电极41和第二电极42形成电连接。
本发明通过提供一基板10和一电极部40，基板10具有相互绝缘的第一连接电极13和第二连接电极14，电极部40具有相互分离且绝缘的第一电极41和第二电极42，且第一电极41和第二电极42之间具有一收容槽43，通过将基板10收容至电极部40的收容槽43内，从而使基板10的第一连接电极13和第二连接电极14分别与电极部40的第一电极41和第二电极42形成接触电连接，如此，可使制程简单，组装方便。
本发明的技术内容及技术特点已揭露如上，然而本领域技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作出种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为所附的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种发光二极管封装结构，包括一电极部，该电极部包括彼此分离的第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极之间形成有一收容槽，该收容槽包括相对的两端，其特征在于：该发光二极管封装结构还包括一基板及设置于该基板上的发光二极管芯片，该基板包括彼此分离用于与该发光二极管芯片电连接的第一连接电极和第二连接电极，该基板能够自该收容槽的一端插入进而收容至该收容槽中，从而使该第一连接电极与该第一电极电连接，该第二连接电极与该第二电极电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该基板包括一底板，自该底板中部向上延伸的支撑部，以及围绕该支撑部的连接部，该第一连接电极和第二连接电极分别自该支撑部顶端的两侧延伸至连接部。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管封装结构还包括设置于该第一电极和第二电极上且围设发光二极管芯片的反射层。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管封装结构还包括设置在该反射层中以密封发光二极管芯片的封装层。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片利用覆晶的方式与该第一连接电极和第二连接电极分别形成电连接。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该第一电极的顶端与该第一连接电极的顶端平齐，该第二电极的顶端与该第二连接电极的顶端平齐。
7.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供一基板，该基板包括底板，自该底板中部向上延伸的支撑部，以及自该支撑部顶端延伸至该底板的第一连接电极和第二连接电极，该第一连接电极和第二连接电极彼此分离设置，该底板和支撑部由绝缘且高热传导性的材料制成；
在该基板的支撑部上设置发光二极管芯片，该发光二极管芯片与该第一连接电极和第二连接电极分别形成电连接；
提供一封装体，该封装体包括电极部和形成于该电极部上的反射层，该电极部包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极之间具有一收容槽，该反射层形成于该电极部的上端且具有一与收容槽连通的凹杯；
将该基板收容于该封装体的收容槽中，从而使该第一连接电极与该第一电极形成电连接，该第二连接电极与该第二电极形成电连接，该发光二极管芯片位于凹杯的底部；以及
在该凹杯内形成封装层用以密封该发光二极管芯片。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该发光二极管芯片利用覆晶的方式与该第一连接电极和第二连接电极分别形成电连接。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该发光二极管芯片上设置一萤光粉层。
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