CN102867793A - 热界面材料及半导体封装结构 - Google Patents
热界面材料及半导体封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102867793A CN102867793A CN2012102886516A CN201210288651A CN102867793A CN 102867793 A CN102867793 A CN 102867793A CN 2012102886516 A CN2012102886516 A CN 2012102886516A CN 201210288651 A CN201210288651 A CN 201210288651A CN 102867793 A CN102867793 A CN 102867793A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- thermal interfacial
- interfacial material
- melting
- point metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种热界面材料及半导体封装结构，所述半导体封装结构包含一基板、一芯片及一散热片。所述芯片设于所述基板上，所述散热片设于所述芯片上。所述芯片与所述散热板之间包含所述热界面材料，所述热界面材料包含一石墨烯层及二低熔点金属层，所述二低熔点金属层以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。本发明通过高导热系数的石墨烯材料，使所述芯片与所述散热片之间的平面性热传导效率能提高，且成本相对于使用纯铟作为热界面材料能更为降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种热界面材料及半导体封装结构，特别是涉及一种以石墨烯与低熔点金属组成的热界面材料及具有所述热界面材料的半导体封装结构。
背景技术
现有高阶半导体芯片(如逻辑运算芯片)或堆栈式的半导体芯片在运作时容易产生高温，因此其表面需要另外接合一散热片(heat sink)以提高整体散热效率。常见的固定散热片于芯片的方法是使用导热胶，然而其接合时导热胶厚度均一性控制不易，及内含的金属导热颗粒的导热性也较纯金属材质差。
为符合高散热需求的半导体封装，近年来开始使用金属导热材料，例如铟(Indium)片，因为铟具有良好的热物性(Thermophysical property)，以及绝佳的导热性及延展性，可大幅提升导热效果，因此在具有高阶半导体芯片或堆栈式的半导体芯片的半导体组装构造上，已普遍开始使用纯铟作为热接合材料。
铟片在使用上必须与具有镀金层的介质在经过特定温度使铟片表面熔融后，才能与镀金层形成金属键结，达到有效接合效果。然而，铟片在高温接合过程中，会因熔融态而具有流动性，而该铟片的流动意味着其无法有效黏合于该散热片，导热效果将大幅降低。此外，四处流动的铟片亦可能造成半导体封装的内部芯片电性短路。再者，铟片的材料成本较高。
故，有必要提供一种热界面材料及其封装结构，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种热界面材料，其包含一石墨烯(Graphene)层及二低熔点金属层以组成一迭层形式的热界面材料结构，其具有高的平面性导热系数，有利于均匀导热或侧向导热，且能应用于半导体封装的散热领域。
为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种热界面材料，其包含一石墨烯层及二低熔点金属层，所述二低熔点金属层以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。
本发明的另一目的在于提供一种半导体封装结构，芯片与散热板之间包含一热界面材料。所述热界面材料包含一石墨烯层及二低熔点金属层，通过高导热系数的石墨烯，使所述芯片与所述散热片之间的平面性热传导效率能提高，且成本相对于使用纯铟(Indium)作为热界面材料能更为降低。
为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种具有热界面材料的半导体封装结构，所述半导体封装结构包含一基板、一芯片及一散热片。所述一芯片设于所述基板上，所述散热片设于所述芯片上。所述芯片与所述散热片之间包含一热界面材料，所述热界面材料包含一石墨烯层及二低熔点金属层，所述二低熔点金属层以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。
附图说明
图1是本发明一实施例的热界面材料的侧剖视图。
图2是本发明另一实施例的热界面材料的侧剖视图。
图3是本发明一实施例的具有热界面材料的半导体封装结构的侧剖视图。
图4是本发明另一实施例的具有热界面材料的半导体封装结构的侧剖视图。
具体实施方式
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
请参照图1所示，图1是本发明一实施例的热界面材料的侧剖视图。所述热界面材料60包含一石墨烯层61及二低熔点金属层62，所述低熔点金属层62以上下配置方式包覆着所述石墨烯层61。
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一个碳原子厚度的二维材料。值得注意的是，石墨烯的二维xy平面方向的导热系数可高达5300W/mK，但其垂直于xy平面的z方向的导热系数则约为15W/mK，因此在二维xy平面方向上具有较佳的热传导性。
然而，由于石墨烯的厚度极薄，单层的石墨烯仅有0.35纳米(nm)，因此若要应用于半导体作为热界面使用，还需要搭配其它材质。在本实施例中即是以一层石墨烯层61与二层低熔点金属层62来组成一迭层形式的热界面结构。
优选地，所述石墨烯层的厚度介于45微米(μm)至100微米，例如45、50、60、70、80、90或100微米等；及所述低熔点金属层的厚度介于50微米至250微米，例如50、60、70或250微米等。
再者，本实施例中的低熔点金属层62优选是一金属合金层，例如使用菲尔德合金(Field’s alloy)，其熔点介于150℃至230℃。菲尔德合金，其组成可为铟-锡-镓合金、铟-锡-铋合金、铟-铋合金、铟-锡合金或铟-银合金，例如为21.5In-16Sn-62.5Ga、51In-16.5Sn-32.5Bi、66In-34Bi、52In-48Sn或97In-3Ag等(数字部分表示重量百分比例)，上述合金可以再加入部份过渡金属，以调整熔点温度与热膨胀系数，所述过渡金属例如为锌(Zn)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、锆(Zr)或铝(Al)等。值得注意的是，菲尔德合金在垂直于xy平面的z方向上具有较佳的热传导性。
另外，在本发明中并不限定所述石墨烯层61与所述低熔点金属层62组成热界面材料60的具体数量，一石墨烯层61与二低熔点金属层62是基本的。然而，使用者可依实际需求来制作石墨烯层61与低熔点金属层62的迭层数量。
如图2所示，图2是本发明另一实施例的热界面材料的侧剖视图。所述热界面材料60包含二个石墨烯层61，及三个低熔点金属层62，所述低熔点金属层62设于最上层、最下层及中间层以包覆所述二石墨烯层61，形成一迭层构造。
请参照图3所示，图3是本发明一实施例的具有热界面材料的半导体封装结构的侧剖视图。一种半导体封装结构包含一基板10、一芯片20及一散热片30。所述芯片20设于所述基板10上；及所述散热片30设于所述芯片20上。
另外，如图3所示，所述基板10上另设有一散热环40，所述芯片20位于所述散热环40之内部空间中，并且所述散热环40通过导热胶50的黏着固定于所述基板10及所述散热片30之间。再者，所述芯片20与所述散热片30之间包含一热界面材料60。
综上所述，石墨烯是一种良好的特殊热导体，其二维xy平面方向的导热系数远高于z方向的导热系数，因此运用石墨烯与低熔点金属组成热界面材料60，可使所述芯片20与所述散热片30之间的平面性及侧向热传导效率提高，有利于均匀导热或侧向导热，且成本相对于使用纯铟(Indium)作为热界面材料能更为降低。
另外，为了避免因热造成的翘曲(Warpage)现象及能有效降低芯片接合点温度，故使用石墨烯与硬度较软的菲尔德合金的热界面材料，也能有效提高热传导效率。
再者，图3实施例揭示的是一种具有散热环的半导体封装结媾，然而本发明并不限于此，本发明中的热界面材料60也能应用于其它的具有散热片的封装构造，例如不具有散热环的散热片、具有散热鳍片的散热片或具有散热片的堆栈式半导体封装构造等。
请参照图4所示，图4是本发明另一实施例的具有热界面材料的半导体封装结构的侧剖视图。本实施例揭示的是一种堆栈式的半导体封装构造，所述封装构造包括一基板10a、一间隔板(interposer)10b、一第一芯片20a、一第二芯片20b，一散热片30a、一散热环40以及散热胶50。
如图4所示，所述基板10a的下表面具有多个焊球11a做为对外电性连接结构。所述间隔板10b设于所述基板10a上，其下表面具有多个凸块11b以与所述基板10a的上表面电性连接。
再者，所述第一芯片20a可为逻辑芯片(Logical Die)，其以倒装芯片的方式设于所述间隔板10b上；所述第二芯片20b可为记忆体芯片(Memory Die)，其以倒装芯片的方式设于所述间隔板10b上。
所述散热环40设于所述基板10a上，其包围所述所述间隔板10b、所述第一芯片20a及所述第二芯片20b。所述散热环40通过所述散热胶50连接其下方的所述基板10a。
所述封装构造另包含一热界面材料60a，所述热界面材料60a是由一石墨烯层及二低熔点金属层组成的一迭层构造。所述热界面材料60a夹设于所述第一芯片20a及所述第二芯片20b与所述散热片30a之间。另外，所述热界面材料60a更向各侧方向延伸至所述散热环40与所述散热片30a之间以直接地接触所述散热环40。
由于石墨烯的热传导具有异向性：其z方向的热传导为15W/mK，其X-Y平面的热传导可高达5300W/mK，因此，当使用具有热传导异向性的石墨烯层61做为X-Y平面热传导时，可迅速的将所述所述第一芯片20a及所述第二芯片20b(特别是运作时产生高温的所述第一芯片20a)所产生的热量沿所述热界面材料60a的水平方向朝向各侧边以直接地导出至所述散热环40，并且再经由所述散热环40及散热片30a散出热量至外部大气。
因此，相较于现有的半导体封装结构中的芯片四周可能因封装存在空气而形成热阻(Thermal Resistance)，本实施例通过具有异向导热特性的所述热界面材料60a，将芯片20a,20b所产生的热由侧方向导出，提高芯片的热导出效能，同时也提高整体的散热效能，且成本相对于使用纯铟作为热接合材料能更为降低。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反的，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种热界面材料，其特征在于：所述热界面材料包含：
一石墨烯层；及
二低熔点金属层，以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。
2.如权利要求1所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的材料为菲尔德合金。
3.如权利要求1所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的熔点介于150℃至230℃。
4.如权利要求1所述的热界面材料，其特征在于：所述石墨烯层的厚度介于45微米至100微米，所述低熔点金属层的厚度介于50微米至250微米。
5.一种具有热界面材料的半导体封装结构，所述半导体封装结构包含一基板、设于所述基板上的一芯片以及设于所述芯片上的一散热片，所述半导体封装结构的特征在于：所述芯片与所述散热片之间包含一热界面材料，所述热界面材料包含：
一石墨烯层；及
二低熔点金属层，以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于：所述基板上另包含一散热环，所述散热环包围所述芯片，并设于所述基板及所述散热片之间。
7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于：所述热界面材料侧向延伸至所述散热环与所述散热片之间。
8.如权利要求5所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的材料为菲尔德合金。
9.如权利要求5所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的熔点介于150℃至230℃。
10.如权利要求5所述的热界面材料，其特征在于：所述石墨烯层的厚度介于45微米至100微米，所述低熔点金属层的厚度介于50微米至250微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012102886516A CN102867793A (zh) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | 热界面材料及半导体封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012102886516A CN102867793A (zh) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | 热界面材料及半导体封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102867793A true CN102867793A (zh) | 2013-01-09 |
Family
ID=47446561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012102886516A Pending CN102867793A (zh) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | 热界面材料及半导体封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102867793A (zh) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104070715A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-10-01 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种石墨烯导热均热膜 |
| CN104505347A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种在塑封过程中贴装石墨烯散热薄膜的方法 |
| CN104900611A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-09 | 中国科学院微电子研究所 | 基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法 |
| CN105264612A (zh) * | 2013-04-12 | 2016-01-20 | 西部数据技术公司 | 固态驱动器的热管理 |
| CN105355610A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-02-24 | 华为技术有限公司 | 一种电路装置及制造方法 |
| CN105870092A (zh) * | 2015-02-10 | 2016-08-17 | 台达电子国际（新加坡）私人有限公司 | 封装结构 |
| CN106833367A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-06-13 | 昆山市中迪新材料技术有限公司 | 一种绝缘型界面导热衬垫材料及其制备方法 |
| CN106910725A (zh) * | 2016-05-09 | 2017-06-30 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体芯片的封装结构 |
| CN107564869A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-09 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种扇出封装结构及其制造方法 |
| CN107579050A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 慧隆科技股份有限公司 | 晶片封装体及其制造方法 |
| WO2018233672A1 (zh) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | 华为技术有限公司 | 一种芯片封装结构 |
| CN109637983A (zh) * | 2017-10-06 | 2019-04-16 | 财团法人工业技术研究院 | 芯片封装 |
| CN110214371A (zh) * | 2017-01-23 | 2019-09-06 | Abb瑞士股份有限公司 | 包括石墨烯的半导体功率模块 |
| TWI689055B (zh) * | 2018-03-05 | 2020-03-21 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 半導體封裝 |
| CN111356329A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 惠州昌钲新材料有限公司 | 一种薄型低界面热阻的高导散热复合材料 |
| CN112164680A (zh) * | 2020-08-24 | 2021-01-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种裸芯封装结构及其封装方法 |
| CN112164682A (zh) * | 2020-08-24 | 2021-01-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构 |
| US11227821B2 (en) | 2020-04-21 | 2022-01-18 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Chip-on-chip power card with embedded thermal conductor |
| TWI797697B (zh) * | 2020-09-30 | 2023-04-01 | 日商鎧俠股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| TWI838966B (zh) | 2022-11-17 | 2024-04-11 | 遠東科技大學 | 具有銦鉍合金之散熱裝置 |
| JP7482274B2 (ja) | 2015-05-06 | 2024-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池及び外装体 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1641865A (zh) * | 2004-01-09 | 2005-07-20 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 覆晶封装体 |
| CN101449374A (zh) * | 2006-06-08 | 2009-06-03 | 国际商业机器公司 | 高热传导性柔软片 |
| CN101465330A (zh) * | 2007-12-20 | 2009-06-24 | 财团法人工业技术研究院 | 金属热界面材料及含有该材料的散热模块与封装微电子 |
| US20100128439A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | General Electric Company | Thermal management system with graphene-based thermal interface material |
| CN102324409A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-01-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有散热结构的半导体封装及其制造方法 |
| US20120070612A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene-polymer layered composite and process for preparing the same |
| CN102437279A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 三星电机株式会社 | 辐射基板和用于制造其的方法以及具有其的发光元件封装 |
| CN102463722A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 三星电机株式会社 | 覆金属层压材料及其制造方法以及热辐射基材 |
-
2012
- 2012-08-14 CN CN2012102886516A patent/CN102867793A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1641865A (zh) * | 2004-01-09 | 2005-07-20 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 覆晶封装体 |
| CN101449374A (zh) * | 2006-06-08 | 2009-06-03 | 国际商业机器公司 | 高热传导性柔软片 |
| CN101465330A (zh) * | 2007-12-20 | 2009-06-24 | 财团法人工业技术研究院 | 金属热界面材料及含有该材料的散热模块与封装微电子 |
| US20100128439A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | General Electric Company | Thermal management system with graphene-based thermal interface material |
| US20120070612A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene-polymer layered composite and process for preparing the same |
| CN102437279A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 三星电机株式会社 | 辐射基板和用于制造其的方法以及具有其的发光元件封装 |
| CN102463722A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 三星电机株式会社 | 覆金属层压材料及其制造方法以及热辐射基材 |
| CN102324409A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-01-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有散热结构的半导体封装及其制造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| GONG 等: "《Metal-Graphene-Metal Sandwich Contacts for Enhanced Interface Bonding and Work Function Control》", 《ACS NANO》, vol. 6, no. 6, 28 April 2012 (2012-04-28), pages 5381 - 5387 * |
| K. JAGANNADHAM: "《Thermal Conductivity of Indium–Graphene and Indium-Gallium–Graphene Composites》", 《JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS》, vol. 40, no. 1, 9 October 2010 (2010-10-09), pages 25 - 34 * |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105264612A (zh) * | 2013-04-12 | 2016-01-20 | 西部数据技术公司 | 固态驱动器的热管理 |
| CN105264612B (zh) * | 2013-04-12 | 2017-12-22 | 西部数据技术公司 | 固态驱动器的热管理 |
| CN104070715A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-10-01 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种石墨烯导热均热膜 |
| CN104505347A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种在塑封过程中贴装石墨烯散热薄膜的方法 |
| CN104505347B (zh) * | 2014-12-04 | 2017-05-24 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种在塑封过程中贴装石墨烯散热薄膜的方法 |
| CN105870092A (zh) * | 2015-02-10 | 2016-08-17 | 台达电子国际（新加坡）私人有限公司 | 封装结构 |
| JP7482274B2 (ja) | 2015-05-06 | 2024-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池及び外装体 |
| CN104900611A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-09 | 中国科学院微电子研究所 | 基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法 |
| CN104900611B (zh) * | 2015-06-09 | 2017-09-08 | 中国科学院微电子研究所 | 基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法 |
| CN105355610A (zh) * | 2015-08-27 | 2016-02-24 | 华为技术有限公司 | 一种电路装置及制造方法 |
| CN105355610B (zh) * | 2015-08-27 | 2019-01-18 | 华为技术有限公司 | 一种电路装置及制造方法 |
| US10784181B2 (en) | 2015-08-27 | 2020-09-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Apparatus and manufacturing method |
| CN106910725A (zh) * | 2016-05-09 | 2017-06-30 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体芯片的封装结构 |
| CN106910725B (zh) * | 2016-05-09 | 2019-11-05 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体芯片的封装结构 |
| CN107579050B (zh) * | 2016-07-05 | 2019-11-15 | 慧隆科技股份有限公司 | 晶片封装体的制造方法 |
| CN107579050A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 慧隆科技股份有限公司 | 晶片封装体及其制造方法 |
| CN110214371A (zh) * | 2017-01-23 | 2019-09-06 | Abb瑞士股份有限公司 | 包括石墨烯的半导体功率模块 |
| CN106833367B (zh) * | 2017-02-08 | 2018-04-20 | 昆山市中迪新材料技术有限公司 | 一种绝缘型界面导热衬垫材料及其制备方法 |
| CN106833367A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-06-13 | 昆山市中迪新材料技术有限公司 | 一种绝缘型界面导热衬垫材料及其制备方法 |
| CN109103154A (zh) * | 2017-06-21 | 2018-12-28 | 华为技术有限公司 | 一种芯片封装结构 |
| WO2018233672A1 (zh) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | 华为技术有限公司 | 一种芯片封装结构 |
| CN107564869A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-09 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种扇出封装结构及其制造方法 |
| CN107564869B (zh) * | 2017-08-28 | 2019-12-24 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种扇出封装结构及其制造方法 |
| CN109637983B (zh) * | 2017-10-06 | 2021-10-08 | 财团法人工业技术研究院 | 芯片封装 |
| US10622274B2 (en) | 2017-10-06 | 2020-04-14 | Industrial Technology Research Institute | Chip package |
| CN109637983A (zh) * | 2017-10-06 | 2019-04-16 | 财团法人工业技术研究院 | 芯片封装 |
| US10886192B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
| US10607914B2 (en) | 2018-03-05 | 2020-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
| TWI689055B (zh) * | 2018-03-05 | 2020-03-21 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 半導體封裝 |
| CN111356329A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 惠州昌钲新材料有限公司 | 一种薄型低界面热阻的高导散热复合材料 |
| US11227821B2 (en) | 2020-04-21 | 2022-01-18 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Chip-on-chip power card with embedded thermal conductor |
| CN112164680A (zh) * | 2020-08-24 | 2021-01-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种裸芯封装结构及其封装方法 |
| CN112164682A (zh) * | 2020-08-24 | 2021-01-01 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构 |
| TWI797697B (zh) * | 2020-09-30 | 2023-04-01 | 日商鎧俠股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US11791234B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-10-17 | Kioxia Corporation | Semiconductor device having controller with graphite sheet |
| TWI838966B (zh) | 2022-11-17 | 2024-04-11 | 遠東科技大學 | 具有銦鉍合金之散熱裝置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102867793A (zh) | 热界面材料及半导体封装结构 | |
| Calata et al. | Three-dimensional packaging for power semiconductor devices and modules | |
| CN100495690C (zh) | 高性能可再加工散热器和封装结构及其制造方法 | |
| CN103219299B (zh) | 集成电路封装组件及其形成方法 | |
| CN106129025B (zh) | 电子装置及其制法 | |
| CN205082059U (zh) | 散热电路板 | |
| CN102683302A (zh) | 一种用于单芯片封装和系统级封装的散热结构 | |
| CN105355610B (zh) | 一种电路装置及制造方法 | |
| CN102891240B (zh) | 倒装结构的发光二极管及其制备方法 | |
| US9589864B2 (en) | Substrate with embedded sintered heat spreader and process for making the same | |
| TWI650816B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| CN102368532A (zh) | 一种带金属散热片的led封装结构 | |
| CN104681512A (zh) | 一种倒装芯片封装散热结构及其制备方法 | |
| CN101170152A (zh) | Led大功率管晶片散热方法 | |
| CN101882606B (zh) | 散热型半导体封装构造及其制造方法 | |
| CN100395887C (zh) | 集成电路封装结构及其制造方法 | |
| CN103057202A (zh) | 层叠结构热沉材料及制备方法 | |
| Yannou et al. | Analysis of innovation trends in packaging for power modules | |
| TW200905821A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| TWI484604B (zh) | 金屬熱界面材料以及含該材料的構裝半導體 | |
| CN212587507U (zh) | 采用多芯片堆叠结构的功率分立器件 | |
| CN109786345B (zh) | 石墨烯基ipm模块的先进封装结构及加工工艺 | |
| CN200976345Y (zh) | 芯片封装结构 | |
| CN103050454A (zh) | 堆迭封装构造 | |
| CN202957296U (zh) | 倒装结构的发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130109 |