CN101170152A - Led大功率管晶片散热方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体晶片的封装技术,具体是一种在LED晶片封装过程中使用的LED大功率管晶片散热方法。该方法是:在将LED晶片与晶片基座结合的过程中,首先将铜锡合金焊料均匀涂布在晶片基座上,然后将底部镀锡的LED晶片放置在焊料上,对晶片加压并加热至铜锡焊料的熔点温度,使焊料熔化并与晶片底部的锡熔接,降温后焊料和锡凝固,将晶片粘接在基座上。本发明的方法使晶片与晶片基座的连接可获得良好的导电、导热性能,因而可有效地提高晶片使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片的封装技术,具体是一种在LED晶片封装过程中使用的LED大功率管晶片散热方法。
背景技术
LED大功率管工作电流均在350mA或以上,而晶片的面积约1mm2,电流密度达到传统小功率LED的2倍以上,工作时,热量非常高,LED晶片的PN结温约在120℃左右,超过此温度,晶片性能急剧下降,散热的瓶颈严重制约了LED大功率管的发展。传统散热一般采用在铝基板上使用银浆固定晶片,一方面由于铝不易加工,且导热率受限制(铝基导热率约在150m.w/k左右),热膨胀系数较大,易使晶片和铝基发生剥离;另一方面,由于银胶的主要成份是银和环氧树脂,固化后其热阻高、导热率差(一般在3~17m.w/k左右),晶片工作时,产生的大量热量无法快速导出,致使器件在高温下,性能恶化非常严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种用于LED大功率管晶片封装,能够改善其散热效果的LED大功率管晶片散热方法。
本发明的方法是:在将LED晶片与晶片基座结合的过程中,首先将铜锡合金焊料均匀涂布在晶片基座上,然后将底部镀锡的LED晶片放置在焊料上,对晶片加压并加热至铜锡焊料的熔点温度,使焊料熔化并与晶片底部的锡熔接,降温后焊料和锡凝固,将晶片粘接在基座上。
所述的铜锡合金焊料可选用Au80Sn20或Ag3.5Sn96.5,相应地对晶片加热的温度为200~280℃。
所述的晶片基座可采用纯铜金属镀银,以进一步提高散热效果。
本发明的方法使晶片通过合金焊料粘结在基座上,避免了传统银浆粘接时造成的高热阻,可获得良好的导电、导热性能,使晶片工作时,产生的大量热量快速导出至基座,经实际测试,其导热率高达60m.w/k以上,因而可有效地提高晶片使用寿命。对于晶片散热基座采用更优于铝基的纯铜金属镀银作为热沉,在提高散热能力的同时,也提高了光线的折射效率,使晶片、焊接合金、基座三者之间的导热通道畅通无阻,大大提高了LED大功率晶片承受电流的能力,其功率可达5W以上。
具体实施方式
实施例:在将LED晶片与晶片基座结合的过程中,首先将Au80Sn20焊料均匀涂布在纯铜金属镀银的晶片基座上,然后将底部镀锡的LED晶片放置在焊料上,对晶片加压并加热至280℃,使焊料熔化并与晶片底部的锡熔接,降温后焊料和锡凝固,即将晶片粘接在基座上。
Claims (4)
1.一种LED大功率管晶片散热方法,其特征是:在将LED晶片与晶片基座结合的过程中,首先将铜锡合金焊料均匀涂布在晶片基座上,然后将底部镀锡的LED晶片放置在焊料上,对晶片加压并加热至铜锡焊料的熔点温度,使焊料熔化并与晶片底部的锡熔接,降温后焊料和锡凝固,将晶片粘接在基座上。
2.根据权利要求1所述的LED大功率管晶片散热方法,其特征是:所述的铜锡合金焊料采用Au80Sn20焊料或Ag3.5Sn96.5焊料中的一种。
3.根据权利要求2所述的LED大功率管晶片散热方法,其特征是:对晶片加热的温度为200~280℃。
4.根据权利要求1~3之一LED大功率管晶片散热方法,其特征是:所述的晶片基座采用纯铜金属镀银。
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Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2006
- 2006-10-26 CN CNA2006100972507A patent/CN101170152A/zh active Pending
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