CN114874758A - 一种新型铟基高效导热垫片 - Google Patents

一种新型铟基高效导热垫片 Download PDF

Info

Publication number
CN114874758A
CN114874758A CN202210608615.7A CN202210608615A CN114874758A CN 114874758 A CN114874758 A CN 114874758A CN 202210608615 A CN202210608615 A CN 202210608615A CN 114874758 A CN114874758 A CN 114874758A
Authority
CN
China
Prior art keywords
indium
sheet
liquid metal
heat
bismuth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210608615.7A
Other languages
English (en)
Inventor
楚盛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Guangti Technology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Guangti Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Guangti Technology Co ltd filed Critical Dongguan Guangti Technology Co ltd
Priority to CN202210608615.7A priority Critical patent/CN114874758A/zh
Publication of CN114874758A publication Critical patent/CN114874758A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/14Solid materials, e.g. powdery or granular
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C28/00Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C30/00Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)

Abstract

本发明提出了一种新型铟基高效导热垫片,采用铟金属和铟铋锡合金作为导热垫片的材料,将铟金属和铟铋锡合金压延成方形的金属片,通过裁切和叠加加压制作成上下两表面具有铟铋锡合金的“坝型”的导热垫片,通过降低导热垫片自身、与芯片和散热器之间的缝隙空隙,降低接触热阻,满足更高功率散热要求。

Description

一种新型铟基高效导热垫片
技术领域
本发明属于C22C28/00技术领域,具体涉及一种新型铟基高效导热垫片。
背景技术
铟片是电子领域常用来作为芯片和散热器之间的导热垫片的金属垫片。但是在实际使用过程中,由于互相接触的芯片、铟片、散热器等固体表面上实际均存在凸凹状的接触点,因此铟片与散热器和芯片之间会有大量空隙存在,空隙中的空气会导致接触热阻处于极高状态,降低芯片热量的散发效果。
中国专利CN105400497A公开了一种金属导热膏,将多种金属复配,做成常温下位半固态,熔点为45℃且具有良好的黏度和流动性的导热膏,降低了热界面材料表面间存在的空隙,但是该导热膏与热界面材料的润湿性较差。中国专利CN112898929A中公开了一种液态金属复合热界面材料,为了防止液态金属在使用过程中发生泄漏,加入了固化剂、偶联剂等助剂,但是助剂的加入等于在液态金属中引入了杂质,降低了液态金属的热传导效果。中国专利CN204369797U公开了一种金属导热垫片,以铜网作为固定铟铋锡合金的金属网,降低导热垫片在使用过程中铟铋锡合金溢流的现象,但是并没有解决导热垫片与芯片和散热器表面存在空隙的问题。
基于此,为了避免空隙的存在,也为了提高导热效率,本发明提出了一种新型铟基高效导热垫片,适用于沉浸式服务器,可以提高沉浸式服务器发热源芯片的散热效果。
发明内容
本发明第一个方面提出了一种新型铟基高效导热垫片,制备原料包括铟金属、液态金属。
在一种优选的实施方式中,所述液态金属的组成金属元素包括:铟、铋、锡、镓、锌、铝、金、银、铯中的至少两种。
在一种优选的实施方式中,所述液态金属的组成金属元素为铟、铋、锡、镓中的至少三种。
在一种优选的实施方式中,所述液态金属的组成金属元素为铟、铋、锡。
在一种优选的实施方式中,所述铟、铋、锡的质量比为(24-26):(7-9):(16-18)。
在一种优选的实施方式中,所述液态金属的熔化温度为55-65℃。
在一种优选的实施方式中,所述液态金属的熔化温度为60℃。
在本申请中,液态金属为铟铋锡合金,购买于东莞市光钛科技有限公司。在本申请中,液态金属片为铟铋锡合金片。
本发明第二个方面提出了一种新型铟基高效导热垫片的制备方法,包括如下步骤:
(1)铟金属压延至厚度为0.01-0.50mm的第一铟片和厚度为0.01-0.50mm的第二铟片;
(2)液态金属压延至厚度为0.01-0.50mm的液态金属片;
(3)将第一铟片、第二铟片、液态金属片重叠,用热压机压制,得到所述导热垫片。
在一种优选的实施方式中,所述步骤(1)中第一铟片的厚度为0.01-0.05mm,第二铟片的厚度为0.05-0.10mm。
在一种优选的实施方式中,所述步骤(1)中第一铟片和第二铟片为方形铟片
在一种优选的实施方式中,所述步骤(1)中第一铟片为具有中心空腔的铟片,所述步骤(1)中第二铟片为实心的铟片。
在一种优选的实施方式中,所述步骤(1)中第一铟片和第二铟片的厚度为1:(2-4)。
在一种优选的实施方式中,所述步骤(1)中第一铟片和第二铟片的厚度比为1:3。
在一种优选的实施方式中,所述步骤(2)中的液态金属片和步骤(1)中的第一铟片的厚度相同。
在一种优选的实施方式中,所述液态金属片和第一铟片的厚度为0.03mm。
在一种优选的实施方式中,所述第一铟片的中心空腔的面积与液态金属片的面积相同。
在一种优选的实施方式中,所述第一铟片的结构的俯视图呈现“回型”。
在一种优选的实施方式中,所述步骤(3)中的重叠方式从下到上,依次是液态金属片、第一铟片、第二铟片、第一铟片、液态金属片。
液态金属的熔化温度与液态金属的接触热阻存在正相关性,液态金属的熔化温度越低,接触热阻越小。在本申请中,申请人选用熔化温度为60℃的液态金属,减小了导热垫片的接触热阻,但是熔点温度较低的液态金属更易转变成液态状态,更易与空气接触发生氧化反应,氧化后的液态金属热阻升高,会直接影响导热垫片的散热效果。
申请人在实验过程中发现,把导热垫片制备成本申请中所述的形状,即导热垫片的上下表面为内部填充液态金属的“回型”第一铟片,两片第一铟片的中间设置有实心的第二铟片,这样的结构,在液态金属熔化后,液态金属可以填充在铟片之间的缝隙中,驱赶铟片缝隙中的空气,保持真空状态,延缓液态金属的氧化,并且本申请的导热垫片是直接与发热源芯片和散热器接触,导热垫片上下表面中心的液态金属在熔化状态下可以直接与芯片和散热器紧密接触,还可以填充铟片与芯片和散热器之间的缝隙,减少空气的存在,确保热量从一个表面的第一铟片垂直传递到另一个表面的第一铟片的过程中,或者热量从芯片经过导热垫片垂直传递到散热器的过程中,以更低的热阻和更高的导热效率进行散热。
与现有技术相比,本发明具有的有益效果:
1.本发明所述的导热垫片,以具有中心空腔的铟片和实心的铟片通过热压形成上下表面均具有空腔的“坝型”结构,空腔中填充液态金属片。这样的结构可以阻止液态金属在液体状态下的渗溢和流出。
2.本发明采用特定熔化温度的液态金属,常温下保持固体状态,在工作温度下,通过相变转变,固体状态转变成液体状态,填充了导热垫片与芯片和散热器固体表面的空隙,也填充了铟片之间的空隙,提高导热垫片中各层结构之间的接触紧密程度,也提高了导热垫片和芯片和散热器固体表面的紧密接触程度,降低至少50%的接触热阻,满足更高功率散热要求。
附图说明
图1为本申请高效导热垫片的垂直剖面结构图。
图2为本申请高效导热垫片俯视图。
图3为本申请制备高效导热垫片的数据测试结果图。
其中,1、第一铟片;2、第二铟片;3、铟铋锡合金片。
具体实施方式
实施例1
本实施例提出了一种新型铟基高效导热垫片,高效导热垫片的制备原料包括铟金属、铟铋锡合金。所述铟铋锡合金的熔点温度为60℃,购买于东莞市光钛科技有限公司。
高效导热垫片的制备步骤如下:
(1)铟金属用压延机进行压延,压延成厚度为0.03mm的第一铟片1和厚度为0.09mm的方形第二铟片2;
(2)将固态的铟铋锡合金用压延机进行压延,压延成厚度为0.03mm的铟铋锡合金片3;
(3)取第一铟片1进行裁切,去除中心部分,形成“回型”的具有中心空腔的铟片;
(4)将铟铋锡合金片3裁切成方形,大小与第一铟片1中心空腔的大小相同;
(5)将铟铋锡合金片3、第一铟片1、第二铟片2、第一铟片1、铟铋锡合金片3按照从下到上的顺序叠加在一起,叠加完成后,用热压机压制,得到所述导热垫片。
实施例2
本实施例提出了一种新型铟基高效导热垫片,高效导热垫片的制备原料包括铟金属、铟铋锡合金。所述铟铋锡合金的熔点温度为60℃,购买于东莞市光钛科技有限公司。
高效导热垫片的制备步骤如下:
(1)铟金属用压延机进行压延,压延成厚度为0.03mm的第一铟片1和厚度为0.09mm的方形第二铟片2;
(2)将固态的铟铋锡合金用压延机进行压延,压延成厚度为0.03mm的铟铋锡合金片3;
(3)取第一铟片1进行裁切,去除中心部分,形成“回型”的具有中心空腔的铟片;
(4)将铟铋锡合金片3裁切成方形,大小与第一铟片1中心空腔的大小相同;
(5)将铟铋锡合金片3、第一铟片1、第二铟片2按照从下到上的顺序叠加在一起,叠加完成后,用热压机压制,得到所述导热垫片。
对比例1
本对比例为传统纯铟片导热垫片、
性能测试
将实施例制备得到的导热垫片进行热阻测试,分别测试其在10,20,30,40,50,60,70,80,90,100PSI条件下的导热垫片热阻,将40PSI下的热阻值记入表1。
表1
实施例 热阻(cm<sup>2</sup>K/W)
实施例1 0.14
实施例2 0.10
对比例1 0.31

Claims (10)

1.一种新型铟基高效导热垫片,其特征在于,高效导热垫片的制备原料包括铟金属、液态金属。
2.根据权利要求1所述的导热垫片,其特征在于,所述液态金属的组成金属元素包括:铟、铋、锡、镓、锌、铝、金、银、铯中的至少两种,优选的,所述液态金属的组成金属元素为铟、铋、锡。
3.根据权利要求2所述的导热垫片,其特征在于,所述液态金属的熔化温度为55-65℃。
4.根据权利要求2所述的导热垫片,其特征在于,所述铟、铋、锡的质量比为(24-26):(7-9):(16-18)。
5.一种根据权利要求1-4任一项所述的导热垫片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)铟金属压延至厚度为0.01-0.50mm的第一铟片和厚度为0.01-0.50mm的第二铟片;
(2)液态金属压延至厚度为0.01-0.50mm的液态金属片;
(3)将第一铟片、第二铟片、液态金属片重叠,用热压机压制,得到所述导热垫片。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中第一铟片的厚度为0.01-0.05mm,第二铟片的厚度为0.05-0.10mm。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中第一铟片为具有中心空腔的铟片,所述步骤(1)中第二铟片为实心的铟片。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中的液态金属片和步骤(1)中的第一铟片的厚度相同。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述中空第一铟片的中心空腔的面积与液态金属片的面积相同。
10.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中的重叠方式从下到上,依次是液态金属片、第一铟片、第二铟片、第一铟片、液态金属片。
CN202210608615.7A 2022-05-31 2022-05-31 一种新型铟基高效导热垫片 Pending CN114874758A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210608615.7A CN114874758A (zh) 2022-05-31 2022-05-31 一种新型铟基高效导热垫片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210608615.7A CN114874758A (zh) 2022-05-31 2022-05-31 一种新型铟基高效导热垫片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114874758A true CN114874758A (zh) 2022-08-09

Family

ID=82680604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210608615.7A Pending CN114874758A (zh) 2022-05-31 2022-05-31 一种新型铟基高效导热垫片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114874758A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4372805A1 (en) * 2022-11-16 2024-05-22 Micro-Star Int'l Co., Limited Electronic assembly, method for manufacturing electronic assembly and composite thermally conductive sheet

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1742370A (zh) * 2003-02-24 2006-03-01 富士通株式会社 电子部件和散热构件以及制造使用该部件和构件的半导体器件的方法
CN104218010A (zh) * 2014-09-10 2014-12-17 北京依米康科技发展有限公司 一种金属热界面材料
US20200137876A1 (en) * 2018-10-29 2020-04-30 L3 Technologies, Inc. Indium-Based Interface Structures, Apparatus, And Methods For Forming The Same
CN112201634A (zh) * 2020-10-16 2021-01-08 北京市九州风神科技股份有限公司 一种带有防溢安全结构的导热界面装置
CN216054668U (zh) * 2021-09-03 2022-03-15 云南中宣液态金属科技有限公司 一种防泄漏的散热装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1742370A (zh) * 2003-02-24 2006-03-01 富士通株式会社 电子部件和散热构件以及制造使用该部件和构件的半导体器件的方法
CN104218010A (zh) * 2014-09-10 2014-12-17 北京依米康科技发展有限公司 一种金属热界面材料
US20200137876A1 (en) * 2018-10-29 2020-04-30 L3 Technologies, Inc. Indium-Based Interface Structures, Apparatus, And Methods For Forming The Same
CN112201634A (zh) * 2020-10-16 2021-01-08 北京市九州风神科技股份有限公司 一种带有防溢安全结构的导热界面装置
CN216054668U (zh) * 2021-09-03 2022-03-15 云南中宣液态金属科技有限公司 一种防泄漏的散热装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4372805A1 (en) * 2022-11-16 2024-05-22 Micro-Star Int'l Co., Limited Electronic assembly, method for manufacturing electronic assembly and composite thermally conductive sheet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7369670B2 (ja) パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法
KR20130125321A (ko) 냉각기의 제조 방법
CN114874758A (zh) 一种新型铟基高效导热垫片
CN107546200B (zh) 一种散热元件及其制备方法和igbt模组
JP2001358266A (ja) 半導体搭載用放熱基板材料、その製造方法、及びそれを用いたセラミックパッケージ
CN114349471B (zh) 一种用于igbt封装的陶瓷覆铝板及其制备方法
CN101170152A (zh) Led大功率管晶片散热方法
CN106856180A (zh) 一种焊接igbt模块的方法
CN114369750A (zh) 一种金属基复合材料及其制备方法和应用
CN110756979B (zh) 液冷散热冷板的夹紧工装及方法
TW201637153A (zh) 散熱基板
CN116817648A (zh) 陶瓷均温板及其制作方法
CN109590633A (zh) 用于集成电路封装的引线焊接钎料及其制备方法和应用
JP2017174853A (ja) 保持装置の製造方法
JP2002314013A (ja) 放熱材およびその製造方法
CN115915888A (zh) 一种半导体制冷片、模组的制备方法
CN214797383U (zh) 双面水冷式功率模块
CN110394521B (zh) 金刚石膜高效散热材料及其制备方法
JP2006229247A (ja) 回路基板及びその製造方法
CN110323188B (zh) 一种铝碳化硅的igbt模块
CN216391523U (zh) 散热基板
JP5203896B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN218679761U (zh) 一种导热高的金刚石膜散热片
JP2503778B2 (ja) 半導体装置用基板
CN118571850A (zh) 一种具备金刚石/铜垫片的双面水冷功率模块及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Country or region after: China

Address after: 523000 room 1005, building 1, 310 Songbai Road, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province

Applicant after: Guangdong Guangti Leading New Materials Co.,Ltd.

Address before: 523000 room 1005, building 1, 310 Songbai Road, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province

Applicant before: Dongguan guangti Technology Co.,Ltd.

Country or region before: China

CB02 Change of applicant information