CN112164682A - 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构 - Google Patents

一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN112164682A
CN112164682A CN202010855910.3A CN202010855910A CN112164682A CN 112164682 A CN112164682 A CN 112164682A CN 202010855910 A CN202010855910 A CN 202010855910A CN 112164682 A CN112164682 A CN 112164682A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
graphene
heat
chip
chip body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010855910.3A
Other languages
English (en)
Inventor
王琇如
唐和明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd
Original Assignee
Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd filed Critical Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd
Priority to CN202010855910.3A priority Critical patent/CN112164682A/zh
Publication of CN112164682A publication Critical patent/CN112164682A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，属于半导体的技术领域，该背面设有石墨烯层的裸芯封装结构包括封装基板，封装基板一侧表面形成有导电层；芯片本体，芯片本体相对的两侧表面分别形成连接面以及散热面，连接面朝向并固定于导电层；连接面上具有至少两个电极，电极均与导电层电连接；散热面上形成有石墨烯导热层。使芯片本体的封装过程相比传统封装方式能够节省多个制程，从而提高芯片产能；有效的降低芯片的热点值，从而让芯片更稳定的工作，提高芯片本体的散热性能，相比传统通过在芯片散热效果更好，产品整体厚度尺寸也可以做得更薄，更有利于晶片领域的发展。

Description

一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构
技术领域
本发明涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构。
背景技术
半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料，半导体元件根据半导体材料的特性，属于固态元件，其体积可以缩小到很小的尺寸，因此耗电量少，集成度高，在电子技术领域获得了广泛的应用。
常见的高功率密度芯片，如氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)和砷化镓高电子迁移率晶体管(GaAs HEMT)，如果不能进行有效的热量设计和管理就很容易导致芯片或使用芯片的系统由于温度过高而不能正常工作。
高功率密度芯片如GaN HEMT，在工作时容易产生高温，尤其在栅极附近容易形成温度特别高的热点，如果不能把热点的热量及时有效地散开，就会严重影响芯片的使用寿命。为了疏散此类芯片工作时散发的热量，需要提高封装的散热效率，采用传统的散热手段，芯片运行时所产生的热并无法有效地逸散至外界而不断地累积，使得芯片可能会因为过热而导致效能衰减或使用寿命缩短，甚至是损毁，进而影响芯片封装结构的可靠度。因此，如何提升芯片封装结构的散热效率，已成目前亟待解决的课题。
发明内容
本发明实施例的目的在于：提供一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，将电极统一设置在芯片本体的一面上，并将石墨烯导热层设置于另一面上，节省了多个制程并提高其散热效果，从而解决现有技术中存在的上述问题。
为达上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，包括封装基板，所述封装基板一侧表面形成有导电层；芯片本体，所述芯片本体相对的两侧表面分别形成连接面以及散热面，所述连接面朝向并固定于所述导电层；所述连接面上具有至少两个电极，所述电极均与所述导电层电连接；所述散热面上形成有石墨烯导热层。
进一步地，所述电极具有三个，三个所述电极分别为源极、栅极以及漏极。
进一步地，所述基板还包括散热层，用于形成所述基板的主体结构和散热；绝缘层，所述绝缘层设置于所述散热层的表面；所述导电层设置于所述绝缘层远离所述散热层的一侧表面上；所述导电层分隔形成有多个彼此隔断的连接区域，所述连接区域形成连接电路并分别对应连接相应的所述电极。
进一步地，所述石墨烯导热层的外缘沿着所述散热面向外延伸至所述芯片本体的外围区域。
进一步地，所述背面设有石墨烯层的裸芯封装结构还包括热扩散层，所述热扩散层置于所述石墨烯导热层背离所述芯片本体的一侧，用于与所述石墨烯导热层进行热交换；在所述芯片本体的垂直投影方向上，所述热扩散层与所述芯片本体相重合。
进一步地，所述石墨烯导热层的外缘包覆于所述热扩散层的外侧面。
进一步地，所述热扩散层包括金属结合层以及低熔点金属层；所述金属结合层位于所述石墨烯导热层和所述低熔点金属层之间。
进一步地，所述金属结合层为铜、铝、铜钼或铜钨。
进一步地，所述石墨烯导热层的厚度介于40微米至90微米，所述低熔点金属层的厚度介于45微米至245微米。
进一步地，所述金属结合层内设置有若干条导热引线，所述导热引线贯穿于所述金属结合层的相对两侧，且所述导热引线的相对两端分别与所述石墨烯导热层和所述低熔点金属层相连接。
本发明的有益效果为：通过将电极统一设置在芯片本体的连接面上，使芯片本体的封装过程相比传统封装方式能够节省多个制程，从而提高芯片产能；
在芯片本体的散热面上形成有石墨烯导热层，芯片封装结构中加入了散热功能极好的石墨烯层，使得芯片工作过程中能及时将热量散出，特别是部分芯片热量过高的区域，可以有效的降低芯片的热点值，从而让芯片更稳定的工作，提芯片本体的散热性能，相比传统通过在芯片本体上设置引线框架，或在引线框架与晶片本体之间增加散热层的方式其散热效果更好，产品整体厚度尺寸也可以做得更薄，更有利于晶片领域的发展；
在此结构基础上无需在封装结构中填充胶材，可避免胶材自身所存在的厚度导致产品在高温高湿条件下产生短路等问题，提高产品可靠性。
附图说明
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明实施例一所述背面设有石墨烯层的裸芯封装结构剖面结构示意图；
图2为本发明实施例二所述背面设有石墨烯层的裸芯封装结构剖面结构示意图；
图3为本发明实施例三所述背面设有石墨烯层的裸芯封装结构剖面结构示意图。
图中：10、封装基板；11、导电层；12、绝缘层；13、散热层；20、芯片本体；21、连接面；22、散热面；23、电极；24、石墨烯导热层；25、热扩散层；251、金属结合层；252、低熔点金属层；253、导热引线。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例一：
如图1所示，为了提高半导体芯片的产能、提高其散热性能以及可靠性，本实施例提供一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，该结构用于与芯片配合，以提高芯片的散热性能以及工作过程的稳定性，该背面设有石墨烯层的裸芯封装结构包括作为本结构支撑主体的封装基板10，封装基板10一侧表面形成有导电层11，在实际封装过程中，导电层11可设置相应的引脚，便于与封装基板10导电层11连接的芯片本体20与外部形成连接。
芯片本体20，为了便于全面理解方案，芯片本体20相对的两侧表面分别形成连接面21以及散热面22，在芯片本体20固定于封装基板10的状态下，连接面21朝向并固定于导电层11，与导电层11连接；具体的，连接面21上具有至少两个电极23，电极23均与导电层11电连接，将电极23统一设置在芯片本体20的同一侧连接面21上，在芯片本体20的制造以及后期封装过程中能够省略多个制程步骤，从而提高芯片本体20以及封装过程的生产、制作效率，大大提高该领域的产能，节省了制程也能够让芯片本体20结构相对传统的两侧均具有电极23的结构更加简单，从而降低了芯片本体20的加工难度。
为了实现本方案所要达到的技术效果，散热面22上形成有石墨烯导热层24，石墨烯导热层24设置在背离封装基板10的一侧面上，即芯片本体20的背面上，能够提高芯片本体20的散热性能，相比单纯依靠裸芯散热或如传统封装结构，在芯片上设置引线框架，并在引线框架上，或在引线框架与芯片之间设置散热层13的方式其散热效果更好，芯片本体20上所产生的热量会传递到石墨烯导热层24上，并均匀传递于石墨烯导热层24的整体，从而通过石墨烯导热层24与外部环境进行换热，达到散热效果。
石墨烯导热层24由石墨烯制成。石墨烯是一种由碳原子组成的材料，厚度可控至仅有一个碳原子厚度。石墨烯具有优异的的平面导热性能，室温下石墨烯的二维xy平面方向导热系数高达5300瓦/米·开尔文(W/m·K))。单片石墨烯的二维xy平面方向热导率超过4000W/m·K，石墨烯热导率超越了碳纳米管(导热系数800-2000W/m·K)、金刚石(导热系数700-2000W/m·K)和高定向石墨，并远远高于导热性能最好的金属铜(导热系数397W/m·K)，但石墨烯在垂直于二维xy平面的z方向的导热系数仅为15W/m·K。此外，石墨烯导电性也很好，是目前世界上电阻率最小的材料，电子可在石墨烯二维xy平面上自由迁移。
由于石墨烯热传导的异向性，由石墨烯制成的石墨烯导热层24的厚度不能太厚。较佳地，石墨烯导热层24的厚度介于40微米至90微米。
本实施例中，石墨烯导热层24的形成可以采用转移法，即先制备出石墨烯或氧化石墨烯，再将石墨烯或氧化石墨烯转移至需要形成石墨烯的地方；也可以采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)生长的方法制备石墨烯，此方法可与现有GaN HEMT芯片的制备设备、工艺及气源无缝兼容，从而更有利于提高了产业可行性。
上述结构由于简化了封装结构，还可有效缩减封装产品的总厚度，让产品尺寸变小、变薄，让该封装结构能够在更多领域上得到更充分的应用，更有利于本领域的发展。
具体的，电极23具有三个，三个电极23分别为源极、栅极以及漏极。
基板还包括散热层13，用于形成基板的主体结构和散热；绝缘层12，绝缘层12设置于散热层13的表面；导电层11设置于绝缘层12远离散热层13的一侧表面上；导电层11分隔形成有多个彼此隔断的连接区域，连接区域形成连接电路并分别对应连接相应的电极23，避免连接电路彼此之间和与散热层13之间短路。导电层11可以由金属箔粘贴在绝缘层12上，加热固化形成，制造简单方便，易于操作。
实施例二：
如图2所示，在实施例一的基础上，石墨烯导热层24的外缘沿着散热面22向外延伸至芯片本体20的外围区域，充分增加石墨烯导热层24与外部环境的接触面积，在石墨烯导热层24与芯片本体20的散热面22进行热交换后，热量可传递到石墨烯散热层13的外缘区域，由于石墨烯散热层13的外缘呈悬空状态，因此其上下表面均可进行散热，进一步提芯片本体20的散热性能。
实施例三：
如图3所示，在实施例二的基础上，背面设有石墨烯层的裸芯封装结构还包括热扩散层25，热扩散层25置于石墨烯导热层24背离芯片本体20的一侧，用于与石墨烯导热层24进行热交换；在芯片本体20的垂直投影方向上，热扩散层25与芯片本体20相重合。
热扩散层25能够与石墨烯导热层24之间进行热交换，辅助石墨烯导热层24进行散热，进一步提高本方案的散热效能。
由于石墨烯的热传导具有异向性，将由石墨烯制成的石墨烯导热层24设置在热扩散层25的下方，石墨烯导热层24的热传导的异向性可以将热量扩散至热扩散层25的整个二维xy平面并通过热扩散层25辅助进行热交换，从而增大了热交换的面积，有助于热量的均匀传导解决了由于芯片本体20热源导致的散热不均匀的问题，减小了芯片本体20与石墨烯导热层24间的热阻，提高了芯片本体20的热导出效能。
进一步，石墨烯导热层24的外缘包覆于热扩散层25的外侧面。
热扩散层25包括金属结合层251以及低熔点金属层252，金属结合层251位于石墨烯导热层24和低熔点金属层252之间。
本实施例中的低熔点金属层252优选是一金属合金层，例如使用菲尔德合金(Field’s alloy)，其熔点介于150℃至230℃。菲尔德合金，其组成可为铟锡镓合金、铟锡铋合金、铟铋合金、铟锡合金或铟银合金，例如为21.5In-16Sn-62.5Ga、51In-16.5Sn-32.5Bi、66In-34Bi、52In-48Sn或97In-3Ag等(数字部分表示重量百分比例)，上述合金可以再加入部份过渡金属，以调整熔点温度与热膨胀系数，所述过渡金属例如为锌(Zn)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、锆(Zr)或铝(Al)等。值得注意的是，菲尔德合金在垂直于xy平面的z方向上具有较佳的热传导性。
另外，在本方案中并不限定所述石墨烯导热层24与所述低熔点金属层252的具体数量。
金属结合层251为铜、铝、铜钼或铜钨。
低熔点金属层252的厚度介于45微米至245微米。
为了提高石墨烯导热层24与低熔点金属层252之间的导热性能，金属结合层251内设置有若干条导热引线253，导热引线253贯穿于金属结合层251的相对两侧，且导热引线253的相对两端分别与石墨烯导热层24和低熔点金属层252相连接。
于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、等方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，包括：
封装基板(10)，所述封装基板(10)一侧表面形成有导电层(11)；
芯片本体(20)，所述芯片本体(20)相对的两侧表面分别形成连接面(21)以及散热面(22)，所述连接面(21)朝向并固定于所述导电层(11)；
所述连接面(21)上具有至少两个电极(23)，所述电极(23)均与所述导电层(11)电连接；
所述散热面(22)上形成有石墨烯导热层(24)。
2.根据权利要求1所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述电极(23)具有三个，三个所述电极(23)分别为源极、栅极以及漏极。
3.根据权利要求1所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述基板还包括散热层(13)，用于形成所述基板的主体结构和散热；绝缘层(12)，所述绝缘层(12)设置于所述散热层(13)的表面；所述导电层(11)设置于所述绝缘层(12)远离所述散热层(13)的一侧表面上；所述导电层(11)分隔形成有多个彼此隔断的连接区域，所述连接区域形成连接电路并分别对应连接相应的所述电极(23)。
4.根据权利要求1所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述石墨烯导热层(24)的外缘沿着所述散热面(22)向外延伸至所述芯片本体(20)的外围区域。
5.根据权利要求4所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述背面设有石墨烯层的裸芯封装结构还包括热扩散层(25)，所述热扩散层(25)置于所述石墨烯导热层(24)背离所述芯片本体(20)的一侧，用于与所述石墨烯导热层(24)进行热交换；在所述芯片本体(20)的垂直投影方向上，所述热扩散层(25)与所述芯片本体(20)相重合。
6.根据权利要求5所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述石墨烯导热层(24)的外缘包覆于所述热扩散层(25)的外侧面。
7.根据权利要求5所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述热扩散层(25)包括金属结合层(251)以及低熔点金属层(252)；
所述金属结合层(251)位于所述石墨烯导热层(24)和所述低熔点金属层(252)之间。
8.根据权利要求7所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述金属结合层(251)为铜、铝、铜钼或铜钨。
9.根据权利要求7所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述石墨烯导热层(24)的厚度介于40微米至90微米，所述低熔点金属层(252)的厚度介于45微米至245微米。
10.根据权利要求7所述的背面设有石墨烯层的裸芯封装结构，其特征在于，所述金属结合层(251)内设置有若干条导热引线(253)，所述导热引线(253)贯穿于所述金属结合层(251)的相对两侧，且所述导热引线(253)的相对两端分别与所述石墨烯导热层(24)和所述低熔点金属层(252)相连接。
CN202010855910.3A 2020-08-24 2020-08-24 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构 Pending CN112164682A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010855910.3A CN112164682A (zh) 2020-08-24 2020-08-24 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010855910.3A CN112164682A (zh) 2020-08-24 2020-08-24 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112164682A true CN112164682A (zh) 2021-01-01

Family

ID=73859755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010855910.3A Pending CN112164682A (zh) 2020-08-24 2020-08-24 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112164682A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867793A (zh) * 2012-08-14 2013-01-09 日月光半导体制造股份有限公司 热界面材料及半导体封装结构
CN106299071A (zh) * 2016-05-09 2017-01-04 苏州能讯高能半导体有限公司 氮化镓芯片及其制备方法
CN106910725A (zh) * 2016-05-09 2017-06-30 苏州能讯高能半导体有限公司 一种半导体芯片的封装结构
CN108682663A (zh) * 2018-05-22 2018-10-19 中国科学院微电子研究所 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法
WO2019170894A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Graphitene Limited Heat-sink formulation and method of manufacture thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867793A (zh) * 2012-08-14 2013-01-09 日月光半导体制造股份有限公司 热界面材料及半导体封装结构
CN106299071A (zh) * 2016-05-09 2017-01-04 苏州能讯高能半导体有限公司 氮化镓芯片及其制备方法
CN106910725A (zh) * 2016-05-09 2017-06-30 苏州能讯高能半导体有限公司 一种半导体芯片的封装结构
WO2019170894A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Graphitene Limited Heat-sink formulation and method of manufacture thereof
CN108682663A (zh) * 2018-05-22 2018-10-19 中国科学院微电子研究所 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11139278B2 (en) Low parasitic inductance power module and double-faced heat-dissipation low parasitic inductance power module
US8889458B2 (en) Method of converting power using a power semiconductor module
CN109887909B (zh) 基于石墨烯的ipm混合模块封装结构及加工工艺
CN113130455B (zh) 一种高热可靠性的多单元功率集成模块及其加工工艺
CN110729629A (zh) 基于石墨烯膜的半导体激光器封装结构及其制备方法
CN108428682B (zh) 一种功率模组及其制备方法
JP4146888B2 (ja) 半導体モジュールと半導体モジュールの製造方法
CN110707057B (zh) 一种SiC功率器件的封装结构
CN104241372B (zh) 宽禁带半导体器件及其制备方法
CN113097155A (zh) 一种芯片导热模块及其制备方法
CN112164680A (zh) 一种裸芯封装结构及其封装方法
TWM595383U (zh) 散熱型電子裝置
CN112164682A (zh) 一种背面设有石墨烯层的裸芯封装结构
CN113838821A (zh) 一种用于SiC平面封装结构的散热件及其制备方法
CN217822755U (zh) 采用石墨铜垫块的双面散热模块的封装结构和电动汽车
CN208368501U (zh) Igbt模块封装结构及冷却系统
CN113782504B (zh) 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法
JP5724415B2 (ja) 半導体モジュール
CN201796886U (zh) 金属化平面整流器
JP6508182B2 (ja) 半導体モジュールとその製造方法
CN213242534U (zh) 用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板
CN210129509U (zh) 芯片封装、智能功率模块及空调器
CN211428144U (zh) 一种封装体散热结构及功率半导体器件
CN213716885U (zh) 氮化镓半导体器件封装件
CN202616229U (zh) 一种液冷的igbt变流装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210101

RJ01 Rejection of invention patent application after publication