CN102845133A - 发光装置的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 231
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 79
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 32
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 297
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 42
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- -1 ethoxybenzene aromatic ether Chemical class 0.000 description 16
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 10
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical class COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 7
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- DSNHSQKRULAAEI-UHFFFAOYSA-N 1,4-Diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(CC)C=C1 DSNHSQKRULAAEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000425573 Talanes Species 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- ZAJNGDIORYACQU-UHFFFAOYSA-N decan-2-one Chemical compound CCCCCCCCC(C)=O ZAJNGDIORYACQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical class ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical class CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxyethane Chemical compound COC(C)OC SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical class ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1 ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCC KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Natural products CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUEHGMOYGWZQIS-UHFFFAOYSA-N C.C.C(#N)C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O Chemical compound C.C.C(#N)C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O RUEHGMOYGWZQIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical compound C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical compound C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000002322 Egg Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010000912 Egg Proteins Proteins 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NNYFJLBBSVZHQY-UHFFFAOYSA-N [Eu].N1=CC=CC2=CC=CC=C12 Chemical compound [Eu].N1=CC=CC2=CC=CC=C12 NNYFJLBBSVZHQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid phenyl ester Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1 IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000008431 aliphatic amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- HAQFCILFQVZOJC-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dione;methane Chemical compound C.C.C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 HAQFCILFQVZOJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- KGWSYAVREROUNX-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline phenol Chemical compound C1(=CC=CC=C1)O.N1=CC=CC2=CC=C3C(=C12)C=CC=C3 KGWSYAVREROUNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBUXRMKDJWEXRL-ROUUACIJSA-N cis-body Chemical compound O=C([C@H]1N(C2=O)[C@H](C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C1)CC)N2C1=CC=C(F)C=C1 SBUXRMKDJWEXRL-ROUUACIJSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- RXKJFZQQPQGTFL-UHFFFAOYSA-N dihydroxyacetone Chemical compound OCC(=O)CO RXKJFZQQPQGTFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N diisononyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCC(C)C HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- HJUFTIJOISQSKQ-UHFFFAOYSA-N fenoxycarb Chemical compound C1=CC(OCCNC(=O)OCC)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 HJUFTIJOISQSKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N nonan-2-one Chemical compound CCCCCCCC(C)=O VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 210000004681 ovum Anatomy 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diol Chemical class CCC(O)O ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N sec-butylbenzene Chemical compound CCC(C)C1=CC=CC=C1 ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- SBUXRMKDJWEXRL-ZWKOTPCHSA-N trans-body Chemical compound O=C([C@@H]1N(C2=O)[C@H](C3=C(C4=CC=CC=C4N3)C1)CC)N2C1=CC=C(F)C=C1 SBUXRMKDJWEXRL-ZWKOTPCHSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
本发明提供一种形成有期望形状的有机EL层的发光装置的制造方法。该发光装置(21)具有:支撑基板;设置于所述支撑基板上且区隔设定于所述支撑基板上的凹部(18)的间隔壁(17);设置于所述凹部且含有第一电极(12)、第二电极、及设置于第一电极及第二电极间的有机EL层的多个有机EL元件(22)。该制造方法包括:准备设置有所述第一电极和所述间隔壁的所述支撑基板的工序;将含有形成有机电致发光层的材料的墨液,以所述凹部的容积的90%以上120%以下的体积,供给于所述凹部的工序;固化所供给的墨液,形成所述有机电致发光层的工序;以及形成所述第二电极的工序。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法。
背景技术
显示装置有各种组成或原理不同的装置。目前就其中一种而言,将有机电致发光(称为有机EL)元件(Electroluminescent element)使用于像素光源的显示装置正在被实用化。
该显示装置在支撑基板上配置排列了多个有机EL元件。于支撑基板上设定用于设置有机EL元件的区隔;通常,在支撑基板设置有间隔壁,该间隔壁用于区隔设置有机EL元件的区隔所对应的凹部。即,多个有机EL元件分别排列于间隔壁所区隔开的凹部。
有机EL元件由一对电极与设置于一对电极间的有机EL层构成,并通过依序层叠各构成要件来制作。
构成有机EL元件的有机EL层可通过涂布法形成。通过涂布法形成有机EL层时的状态如图4A及图4B所示。图4A及图4B表示通过涂布法形成有机EL层时的状态。
如图4A所示,首先将含有作为有机EL层的材料的墨液供给于支撑基板11上的由相邻间隔壁1所区隔开的区域即凹部2。所供给的墨液在进行干燥的同时发生收缩。
如图4B所示,其结果,于凹部2形成有机EL层3(例如参照专利文献1)。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1:日本特开2002-75640号公报。
发明内容
(发明所要解决的问题)
根据现有技术,确实可通过涂布法于凹部形成有机EL层。然而,难以通过涂布法形成具有所期望的形状的有机EL层,也存在形成有缺陷的有机EL层的情形。
参照图5及图6,说明通过涂布法所形成的有机EL层的形状。图5及图6为示意性地表示形成与所期望的形状不同的有机EL层的显示装置。
有机EL层3的膜厚优选为均匀地遍及该有机EL层3的全部的厚度。然而,例如如图5所示,有时会形成在间隔壁1与EL层3间的边界附近的膜厚极薄的有机EL层3。若形成这种有机EL层3,将造成有机EL层3的膜厚极薄的部分的电阻(Electrical resistance)极低而产生泄漏电流的问题。
此外,如图6所示,供给于由间隔壁1所区隔的凹部2的墨液沿着间隔壁1的表面濡湿扩展同时发生干燥,有时连间隔壁1的侧面上也形成了有机EL层3,有些情况下,也有墨液溢出而越过凹部2到达相邻凹部2,与原应供给至相邻凹部2的墨液混杂,而发生混色问题。
本发明的目的在于提供可形成所期望形状的有机EL层的发光装置的制造方法。
(解决问题的手段)
本发明提供下述[1]至[10]。
[1]一种发光装置的制造方法,所述发光装置具有:支撑基板;设置于所述支撑基板上且区隔设定于所述支撑基板上的凹部的间隔壁;以及设置于所述凹部且含有第一电极、第二电极及设置于第一电极与第二电极之间的有机电致发光层的多个有机电致发光元件,
所述制造方法包括:
准备设置有所述第一电极和所述间隔壁的所述支撑基板的工序;
将含有形成有机电致发光层的材料的墨液,以所述凹部的容积的90%以上120%以下的体积,供给于所述凹部的工序;
固化所供给的墨液,形成所述有机电致发光层的工序;以及形成所述第二电极的工序。
[2]如[1]所述的发光装置的制造方法,其中,所述间隔壁由在所述支撑基板上向规定行方向各自延伸的多条间隔壁部件构成,多条间隔壁部件,在与所述行方向不同方向的列方向上隔开规定的间隔配置。
[3]如[1]或[2]所述的发光装置的制造方法,其中,所述墨液的粘度为15cP以上30cP以下。
[4]如[1]至[3]中任一项所述的发光装置的制造方法,其中,所述墨液的浓度为10mg/mL以上30mg/mL以下。
[5]如[1]至[4]中任一项所述的发光装置的制造方法,其中,所述间隔壁与所述墨液的接触角为5度以上50度以下。
[6]如[5]所述的发光装置的制造方法,其中,在准备所述支撑基板的工序之后,且在所述供给墨液的工序之前,实施氧等离子体处理。
[7]如[1]至[6]中任一项所述的发光装置的制造方法,其中,所述墨液的表面张力为30mN/m以上72mN/m以下。
[8]如[1]至[7]中任一项所述的发光装置的制造方法,其中,所述墨液含有沸点为190℃以上260℃以下的溶剂。
[9]如[1]至[8]中任一项所述的发光装置的制造方法,其中,所述供给墨液的工序中,以液柱状流下墨液。
[10]如[1]至[9]中任一项所述的发光装置的制造方法,其中,在供给所述墨液的工序中,通过喷嘴印刷法供给墨液。
(发明的效果)
根据本发明,可防止不希望的空穴的形成或不希望的混色,可制造形成有预期形状的有机EL层的发光装置。结果,可制造抑制元件不良的发生的发光装置。
附图说明
图1为示意性地表示本实施方式的发光装置的俯视图。
图2为示意性地表示发光装置的剖面图。
图3为显示成膜状态的评价结果的图。
图4A为表示通过涂布法形成有机EL层时的状态的图。
图4B为表示通过涂布法形成有机EL层时的状态的图。
图5为示意性地表示形成与所期望的形状不同的有机EL层的显示装置的图。
图6为示意性地表示形成与所期望的形状不同的有机EL层的显示装置的图。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的一实施方式。予以说明,以下的说明中,各图仅以能理解发明的程度的方式概略地显示构成元件形状、尺寸及配置,本发明并不以此为限。再者,于各图中,关于同样的构成要素标以同一符号表示,并有省略其重复说明的情形。
本发明涉及发光装置的制造方法,所述发光装置具有:支撑基板;设置于所述支撑基板上且区隔设定于所述支撑基板上的凹部的间隔壁;以及设置于所述凹部且含有第一电极、第二电极及设置于第一电极与第二电极之间的有机电致发光层的多个有机电致发光元件,所述制造方法包括:准备设置有所述第一电极和所述间隔壁的所述支撑基板的工序;将含有形成有机电致发光层的材料的墨液,以所述凹部的容积的90%以上120%以下的体积,供给于所述凹部的工序;固化所供给的墨液,形成所述有机电致发光层的工序;以及形成所述第二电极的工序。
发光装置例如被用作显示装置。显示装置主要有主动矩阵驱动型装置与被动矩阵驱动型装置。本发明为能适用于这两者的驱动型显示装置。本实施方式中以主动矩阵驱动型显示装置所适用的发光装置为例进行说明。
<发光装置的构成>
首先参照图1及图2,说明发光装置的构成。图1为示意性地表示本实施方式的发光装置的俯视图。图2为示意性地表示发光装置的剖面图。
发光装置21主要具有:支撑基板11;设置于支撑基板11且区隔设定于支撑基板11上的区间即凹部18的间隔壁17;以及于凹部18设置的多个有机EL元件22(22R、22G、22B),所述有机EL元件22含有:第一电极12、第二电极16、及设置于第一电极12及第二电极16间的属于有机EL层的空穴注入层13以及发光层14(14R、14G、14B)。
多个有机EL元件22分别排列于支撑基板11上所设定的规定的凹部18。间隔壁17用于区隔支撑基板11上所设定的规定凹部18而配置,构成间隔壁17的间隔壁部件20的形状对应支撑基板11上设定的凹部18的形状而决定。例如,于支撑基板11上设定矩阵状的凹部18的情形下,于支撑基板11上配置区隔矩阵状凹部18的格子状的间隔壁17。再者,于支撑基板11上设定条纹状的凹部18的情形下,于支撑基板11上配置区隔所述条纹状凹部18的条纹状的间隔壁17。
本实施方式中,说明于支撑基板11上配置条纹状的间隔壁17的状态的发光装置。也即,本实施方式中,间隔壁17由在支撑基板11上向规定行方向X各自大致平行地延伸的多条间隔壁部件20构成。多条间隔壁部件20在与行方向X为不同方向的列方向Y上隔开规定的间隔配置。另外,本实施方式的行方向X及列方向Y为互相正交的方向,且行方向X及列方向Y与支撑基板11的厚度方向Z的方向正交。在支撑基板11上设定对应于多条间隔部件20之间的间隙的多条凹部18。
另外,本实施方式中,于支撑基板11与间隔壁17之间还设置绝缘膜15。该绝缘膜15是为了确保例如于行方向X或列方向Y上的相邻有机元件22彼此间的电绝缘而配置的。本实施方式中的绝缘膜15形成为格子状。格子状的绝缘膜15由在行方向X上延伸的多条带状的部分与在列方向Y上延伸的多条带状的部分一体性地形成。换言之,绝缘膜15具有在显现电绝缘性的薄膜中矩阵状地形成多个开口15a的形状。
从支撑基板的厚度方向的一方来看(以下有称为“俯视”的情形),绝缘膜15的开口15a形成于与有机EL元件22重叠的位置。以俯视观察,绝缘膜15的开口15a与后述第一电极12几乎一致地形成,例如形成为近似矩形、卵型、近似圆型、近似椭圆形等。以俯视来看,格子状的绝缘膜15以使第一电极12的一部分露出的方式形成;绝缘膜15的一部分以覆盖第一电极12的周边缘的方式形成。再者,所述多条间隔壁部件20配置于绝缘膜15的多条带状的部分上。
有机EL元件22配置于由间隔壁17所区隔的凹部18。本实施方式中,多个有机EL元件22配置于在列方向Y上相邻的间隔壁部件20之间(也即凹部18),而于间隔壁部件20之间,在行方向X上隔开规定的间隔而配置。也即,本实施方式中,有机EL元件22于支撑基板11上被排列成矩阵状,各自在行方向X上隔开规定的间隔的同时,也在列方向Y上隔开规定的间隔排列。另外,各有机EL元件22无物理性分离的需要,只需能以各自驱动的方式互相电绝缘即可。为此,构成有机EL元件22一部分的层(第一电极12、第二电极16、有机EL层)也可与其他有机EL元件22物理性地连接。
有机EL元件22以第一电极12靠近支撑基板11的方式依序配置:第一电极12、有机EL层(空穴注入层13以及发光层14)以及第二电极16。
第一电极12及第二电极16,构成由阳极与阴极所成的一对电极。也即第一电极12及第二电极16中的一方配置为阳极,另一方配置为阴极。再者,以使第一电极12以及第二电极16中的第一电极12靠近支撑基板11的方式配置,以使第二电极16比第一电极12更远离支撑基板11的方式配置。
有机EL元件22具有1层以上的有机EL层。另外,有机EL层被第一电极12与第二电极16挟持,意味着包含有机材料的全部的层。有机EL元件具有至少一层以上的发光层14作为有机EL层。再者,于第一电极12与第二电极16之间可根据需要设置规定的层,而不限于发光层14。例如于阳极与发光层14之间,设置空穴注入层、空穴传输层、以及电子阻挡层等作为有机EL层;于发光层14与阴极之间,设置空穴阻挡层、电子传输层、以及电子注入层等作为有机EL层。
本实施方式的有机EL元件22中,于第一电极12与发光层14之间,具备作为有机EL层的空穴注入层13。
以下,对作为一实施方式的、以使第一电极12靠近支撑基板11的方式依序层叠作为阳极发挥功能的第一电极12、空穴注入层13、发光层14、与作为阴极发挥功能的第二电极16的有机EL元件22进行说明。
因为本实施方式的发光装置21为主动矩阵驱动型装置,故各个第一电极12分别设置于每个有机EL元件22。也即有机EL元件22的数量与同数量的第一电极12设置于支撑基板11上。例如第一电极12为薄膜状,形成为俯视时近似矩形状。第一电极12于支撑基板11上,对应各有机EL元件22所配置的位置而设置为矩阵状。多个第一电极12于行方向X上隔开规定的间隔且在列方向Y上隔开规定的间隔而配置。另外,以俯视时,第一电极12配置于在列方向Y上相邻的间隔壁部件20之间,而于间隔壁部件20之间,各自于行方向X上隔开规定的间隔排列。
如上所述,格子状的绝缘膜15以使俯视时第一电极12的一部分露出的方式形成,以绝缘膜15的一部分覆盖第一电极12的周边缘的方式形成。也即,在绝缘膜15以使第一电极12的一部分露出的方式形成开口15a。
空穴注入层13以在行方向X上延伸的延伸的方式配置于挟在相邻间隔壁部件20之间的凹部18。也即,空穴注入层13以带状形成于由在列方向Y上相邻的间隔壁部件20所区隔的凹部18,并跨越在行方向X上相邻的有机EL元件22连续地形成。
发光层14以在行方向X上延伸的方式配置于挟在相邻间隔壁部件20之间的凹部18。也即,发光层14以带状形成于由在列方向Y上相邻的间隔壁部件20所区隔的凹部18,并跨越在行方向X相邻的多个有机EL元件22而连续地形成。带状的发光层14层叠于带状的空穴注入层13上。
本发明的实施方式的有机EL元件也能适用于单色显示装置。然而,本实施方式中,以彩色显示装置为例进行说明。在彩色显示装置的情况下,于支撑基板11上配置发出红色、绿色、以及蓝色中任一种光的3种类的有机EL元件。彩色装置例如通过将下述的(I)、(II)、(III)的行依次在列方向Y上重复排列来实现。
(I):发红色光的多个有机EL元件22R在行方向X上隔开规定的间隔而配置的列。
(II):发绿色光的多个有机EL元件22G在行方向X上隔开规定的间隔而配置的列。
(III):发蓝色光的多个有机EL元件22B在行方向X上隔开规定的间隔而配置的列。
如上述那样形成发光色不同的3种类的有机EL元件的情况下,通常依元件的种类配置发光色不同的发光层。本实施方式中,将下述的(i)、(ii)、(iii)的列依其顺序在列方向Y上重复排列。
(i):配置发红色光的发光层14R的列。
(ii):配置发绿色光的发光层14G的列。
(iii):配置发蓝色光的发光层14B的列。
此时,在行方向X上延伸的带状的三种类的发光层14(14R、14G、14B)各自在列方向Y上隔开两列间隔依序层叠于空穴注入孔13上。
第二电极16配置于发光层14上。另外,本实施方式中,第二电极16遍及以矩阵状排列的多个有机EL元件22而连续地形成,以共通的电极的形式设置于多个有机元件22。第二电极16不只形成于发光层14上,也形成于间隔壁17上,而以发光层14上的电极与间隔壁17的电极连续的方式全面地形成。
<发光装置的制造方法>
以下说明发光装置的制造方法。
(准备支撑基板的工序)
本工序中,准备在其上设置有第一电极12和间隔壁17的支撑基板11。在主动矩阵驱动型的显示装置的情况下,可使用预先形成有为了各自驱动多个有机EL元件22的电路的基板作为支撑基板11。例如可使用预先形成有TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)及电容器等的基板作为支撑基板11。予以说明,可通过本工序以下述的方式形成第一电极12和间隔壁17,来准备配置第一电极12和间隔壁17的基板作为支撑基板11。再者,也可准备通过由市场购得的预先配置第一电极12和间隔壁17的基板作为支撑基板11。
接着,于支撑基板11上以矩阵状形成多个第一电极12。第一电极12例如通过下述方式形成:于支撑基板11上的一面形成导电性薄膜,通过光刻法(在下述说明中,“光刻法”包括在掩模图案的形成工序后继续进行的蚀刻工序等的图案化工序)以矩阵状将导电性薄膜图案化。再者,也可例如将于规定部位形成有开口的掩模配置于支撑基板11上,隔着该掩模,仅于支撑基板11上的规定部位选择性地沉积导电性材料,从而图案化地形成第一电极12。第一电极12的材料如后所述。
接着于支撑基板11上形成间隔壁17。本实施方式中,形成由多条间隔壁部件20构成的间隔壁17。间隔壁17通过有机物或无机物构成。构成间隔壁17的有机物可例举出丙烯酸树脂、酚醛树脂、以及聚酰亚胺树脂等树脂。再者,构成间隔壁17的无机物可例举出氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。间隔壁宜为通过有机物构成者。为了将被供给于由间隔壁17所区隔(所围起)的凹部18的墨液保持于凹部18内,间隔壁17宜为显现疏液性者。因一般而言有机物比无机物对于墨液显现较高的疏液性,故通过有机物构成间隔壁17,则提高将墨液保持于凹部18的能力。
在形成由有机物构成间隔壁17的情况下,例如首先于支撑基板11上涂布正型或负型的感光性树脂,并使规定的部位曝光、显影。再通过使该感光性树脂固化,形成多条间隔壁部件20、即间隔壁17。另外,可使用光致抗蚀剂作为感光性树脂。并且,在形成由无机物构成的间隔壁17的情况下,通过等离子体CVD法、溅镀法等于支撑基板11上形成由无机物构成的薄膜,接着通过除去规定部位而形成多条间隔壁部件20。例如通过光刻法进行规定的部位的除去。
另外,在制作具备格子状的绝缘膜15的发光装置21时,于形成间隔壁17的工序前形成绝缘膜15。绝缘膜15例如可使用例示的材料作为间隔壁17的材料,与形成间隔壁17的方法同样地形成格子状。
本实施方式中,有以格子状的绝缘膜15与间隔壁17作为一体构成进行说明的情形。在下述说明中,“由间隔壁17所区隔的凹部18”有时表示由绝缘膜15及间隔壁17,以及支撑基板11或相邻间隔壁17之间的露出面(底面)所区隔(所围起)的区域。
在形成间隔壁17之外又形成绝缘膜15的情况下,绝缘膜15优选由比有机物更显现亲液性的无机物构成。其理由为,绝缘膜15显现疏液性时,有时供给于由间隔壁17所区隔的凹部18的墨液被绝缘膜15弹开并干燥,绝缘膜15的存在影响了有机EL层的平坦性,结果恐有得不到平坦的有机EL层的可能性。
间隔壁17的形状及其配置根据像素及分辨率等的显示装置的规格、制造的容易程度等适宜设定。例如间隔壁部件20的列方向Y的宽L1为5μm至50μm左右。间隔壁部件20的高度L2为0.5μm至5μm左右。在列方向Y上相邻的间隔壁部件20之间的间隔L3,也即凹部18的列方向Y上的宽L3为10μm至200μm左右。再者第一电极12的行方向X及列方向Y的宽分别为10μm至400μm左右。
(形成有机EL层的工序)
本工序中首先将含有作为有机EL层的材料的墨液,供给于由间隔壁17所区隔的凹部18。本实施方式中,将含有作为相当于有机EL层的空穴注入层13的材料的墨液,供给于由间隔壁17所区隔的凹部18。
作为供给墨液的方法,只要是能选择性地供给于相邻的间隔壁部件20之间的涂布法,任一种方法皆可。作为此方法,有断续性地滴下墨液的方法、液柱状流下墨液的方法、以及印刷已附着于印刷版上的墨液的方法等。断续性地滴下墨液的方法中,于墨液的附着点附着的液滴之间有空出间隙的情形,此间隔有致使膜厚的均匀性降低的情形。再者,使用印刷版的方法中,必须高精确度地将印刷版与被印刷物的位置对合,难以大面积地依所期望供给墨液。然而,连续性地流下墨液的方法中,因本质性上不会产生这样的问题,故宜以液柱状流下墨液的方法作为上述供给墨液的方法。作为以液柱状流下墨液而供给墨液的方法,宜为由喷嘴以液柱状流下墨液的喷嘴印刷法。另外,作为断续性地滴下墨液的方法,可列举喷墨印刷法;作为印刷已附着于印刷版上的墨液的方法,可列举凸版印刷法及凹版印刷法等。
于喷嘴印刷法中,以一次性完成的方式供给墨液于各列(各凹部18)。也即,在维持从配置于支撑基板11上方的喷嘴吐出液柱状的墨液的状态下,在行方向X上往复移动喷嘴,在喷嘴的往复移动中进行折返时,在列方向Y上使支撑基板11移动规定的距离,由此向各凹部18供给墨液。例如,于喷嘴的往复移动的折返时,通过在列方向Y上使支撑基板11移动一列,可向整个列供给墨液。
更具体而言,在维持由喷嘴吐出液柱状的墨液的状态下,依序反复进行(1)至(4)的工序,由此可于全部相邻的间隔壁部件20之间(凹部18)供给墨液。
(1)将喷嘴从行方向X的一端移动至另一端的工序。
(2)将支撑基板11沿着列方向Y的一方移动一列的工序。
(3)将喷嘴从行方向X的另一端移动至一端的工序。
(4)将支撑基板再沿着列方向Y的一方移动一列的工序。
本工序中,供给由所述间隔壁17所区隔的区域的凹部18的容积的90%以上120%以下的体积的墨液。所谓“凹部18的容积”,是指由相邻间隔壁部件20的列方向Y的剖面中的相当于最大高度的顶面或棱线之间的所区隔的面、相互对置的间隔壁部件20的侧面(及绝缘膜15的露出面)、在间隔壁部件20的长方向上的两个端部相互对置的间隔壁部件17的端部之间相连的面、互相对置的间隔壁部件20的侧面所挟的露出面所区隔的区域的容积(有时称为由间隔壁17所区隔的容积)。另外,图2中虽然以梯形作为间隔壁部件20的列方向Y的剖面形状,但通常,间隔壁部件20的剖面形状为由曲线构成的半圆型。在具有所述半圆型的剖面形状的间隔壁部件20中,凹部18的容积相当于以相邻的间隔壁部件20的棱线彼此相连的平面作为上表面的、凹部18的容积。
墨液供给量如果相当于所述凹部18的容积的90%以上118%以下的体积的量则更加适宜。
相对于由间隔壁17所区隔的凹部18的容积,墨液量供给太少时,供给的墨液于凹部18的底面有时无法完全濡湿扩展,结果有时在有机EL层形成空穴。另一方面,相对于由间隔壁17所区隔的凹部18的容积,墨液量供给太多时,有时供给于规定的凹部的墨液越过间隔壁部件20,溢出至相邻的凹部18。对此,于供给凹部18的容积的90%以上120%以下的体积的墨液时,墨液于凹部18底面濡湿扩展,可形成无空穴的有机EL层(本实施方式中为空穴注入层13),同时,可防止墨液溢出至相邻的凹部18,从而可仅于墨液所供给的凹部18形成有机EL层。
相当于有机EL层的空穴注入层13,通过供给于位于相邻间隔壁部件20之间的凹部18的墨液固化而形成。墨液的固化,例如可通过去除溶剂而施行。溶剂的去除可通过自然干燥、加热干燥、及真空干燥等施行。再者,使用的墨液含有通过施加光、热等能量而能够聚合的材料时,也可供给墨液后通过施加光、热等能量使空穴注入层13固化。
(形成发光层的工序)
接着形成发光层14。如上述所述制作彩色显示装置时,有必要制作3种有机EL元件22。为此有必要在每列涂上发光层材料。例如在每列形成3种发光层14(14R、14G、14B)时,有必要将含有发红色光的材料的红墨液、含有发绿色光的材料的绿墨液、含有发蓝色光的材料的蓝墨液各自在列方向Y上隔开两列间隔而涂布。通过依序涂布这些红墨液、绿墨液、蓝墨液于规定列,可将3种发光层14涂布成膜。作为依序涂布红墨液、绿墨液、蓝墨液于规定列的方法,只要是能选择性地供给墨液于间隔壁部件20之间的凹部18的涂布法,任一种方法均可。作为此类方法,虽有断续性地滴下墨液的方法、以液柱状流下墨液的方法、以及印刷已附着于印刷版上的墨液的方法等,但如上述所述,在本实施方式中,以液柱状流下墨液的方法更为适宜。例如通过属于以液柱状流下墨液的方法之一的喷嘴印刷法,即可与所述形成空穴注入层的方法同样地涂布墨液。
更具体而言,在保持由喷嘴吐出液柱状的红色墨液的状态下,通过依序反复(1)至(4)的工序,可在列方向Y上隔开两行的间隔向间隔壁部件20之间(凹部18)供给红色墨液。
(1)将喷嘴从凹部18的一端跨越至另一端在行方向X上移动的工序。
(2)将支撑基板11在列方向Y上的一方移动三列份的工序。
(3)将喷嘴从凹部18的一端跨越到另一端在行方向X上移动的工序。
(4)将支撑基板11在列方向Y的一方移动三列份的工序。
通过与所述红色墨液同样地分别供给绿色墨液、蓝色墨液,可分别在列方向Y上隔开2行间隔而供给绿色墨液、蓝色墨液于间隔壁部件20之间(凹部18)。
在本工序中,供给由所述间隔壁17所区隔的凹部18的容积的90%以上120%以下的体积的墨液。另外,本工序中的墨液相当于红色墨液、绿色墨液、蓝色墨液。如此,通过调整所供给的墨液的量,可使墨液于凹部18底面濡湿扩展,形成无空穴的有机EL层(本实施方式中为发光层14),同时,可防止墨液溢出至相邻的凹部18,从而可仅于墨液所供给的凹部18形成有机EL层。
另外,如上所述,形成空穴注入层13的工序中,由于将一种墨液供给于各行,也即供给全部凹部18,因此万一例如墨液越过间隔壁17溢出至相邻的凹部18,也只是同种类墨液混杂。另一方面,如果红色墨液、绿色墨液、蓝色墨液不同种类的墨液分别涂布于不同的多个凹部18时,若墨液越过间隔壁17溢出至相邻的凹部18,致使不同种类的墨液混杂一起,则有使发光色、发光效率等光特性受到大影响的情形。然而,本实施方式中,通过调整所供给的墨液的量,可防止不同种类的墨液在凹部18混杂在一起,结果,可防止发光特性的降低。
发光层通过使供给于间隔壁部件20之间的墨液固化而形成。墨液的固化,例如可通过去除溶剂而施行。溶剂的去除可通过自然干燥、加热干燥、及真空干燥等而施行。再者,使用的墨液含有通过施加光、热等能量而聚合的材料时,也可通过供给墨液后施加光、热等能量使发光层固化。
形成发光层14之后,根据需要也可通过规定的方法形成有机层、无机层等。而这些根据需要设定的层可使用规定的涂布法(如印刷法、喷墨印刷、喷嘴印刷法等)以及使用规定的干式法形成。
(形成第二电极的工序)
接着形成第二电极16。如上所述,在本实施方式中,于支撑基板11的整面形成第二电极16。由此,可于支撑基板11上形成多个有机EL元件22。
上述的形成有机EL层(本实施方式中为空穴注入层13及发光层14)的工序中使用的墨液,其粘度宜为15cP以上30cP以下。例如若墨液的粘度太低,则有供给于凹部18的墨液越过间隔壁部件20,而溢出至相邻的凹部18的可能性。另一方面,若墨液的粘度太高,则有发生墨液从喷嘴吐出不良的情形。通过使用粘度为15cP以上30cP以下的墨液,可防止供给于凹部18的墨液越过间隔壁17而溢出至相邻凹部18的情形,同时可防止墨液吐出不良的情形。
再者,所述的形成有机EL层(空穴注入层13及发光层14)的工序中使用的墨液,其浓度宜为10mg/mL以上30mg/mL以下。这是因为,若墨液的浓度太高,则会有墨液凝胶化,或墨液的固态成分产生沉淀的情形。
另外,有机EL层的膜厚主要由墨液的浓度和供给量而决定。通常,因有机EL层的膜厚的最适值为预先决定的,因此墨液的浓度与墨液的供给量由有机EL层的膜厚的最适值逆算而决定。本实施方式中,为了供给属于由间隔壁17所区隔的区域的凹部18的容积的90%以上120%以下的体积的墨液,墨液的供给量主要由间隔壁17的高度(最大高度)而决定。因此,如将墨液的浓度设为10mg/mL以上30mg/mL以下时,间隔壁17的高度由规定的范围的高度决定。
墨液浓度低时,为得到规定的膜厚的有机EL层而必须增加墨液的供应量,有必要将间隔壁17的高度加高。因此,供给由间隔壁17所区隔的凹部18的容积的90%以上120%以下的体积的墨液时,间隔壁17的表面与墨液接触的面积会变大。墨液的溶剂通过气化而收缩同时薄膜化,而此时,会传达至间隔壁17同时使间隔壁17收缩,因此,当墨液与间隔壁17的接触面积大时,间隔壁17的表面的性状会大受影响,结果有无法得到均匀膜厚的有机EL层的情况。对此,于使用浓度为10mg/mL以上30mg/mL以下墨液时,可使用有适当高度的间隔壁17。因此,可使墨液与间隔壁17的接触面积较小,在薄膜化时,对间隔壁17的表面的性状的影响较小,结果,可得到具有均匀膜厚的有机EL层。
再者,间隔壁17与供给的墨液的接触角宜为5度以上50度以下。这是因为,间隔壁17与墨液的接触角太小时,墨液会沿着间隔壁17的表面濡湿扩展,供给于凹部18的墨液会越过间隔壁部件20,而有恐溢出到相邻凹部18的可能性。相反,为了保持供给于凹部18的墨液于规定的凹部18内,间隔壁17优选显现疏液性。然而,通常为了加大间隔壁17与墨液的接触角,必须对间隔壁17进行疏液处理,导致增加了工序数。例如为了加大间隔壁17与所供给的墨液的接触角,必须于四氟化碳(CF4)气体中施行等离子体处理。再者,也有于施行疏液处理时混入了非期望的杂质于有机EL元件,因而导致有机EL元件的特性降低的可能性。因此,通过墨液的浓度、墨液的溶剂的选择、间隔壁的材料的选择,使间隔壁17与墨液的接触角为5度以上50度以下,由此可防止墨液溢出,同时抑制工序数的增加及元件特性的降低。
再者,所述的形成有机EL层(空穴注入层13及发光层14)的工序中使用的墨液,其表面张力宜为30mN/m以上72mN/m以下者。墨液表面张力太低时,供给于凹部18的墨液会有越过间隔壁部件20而溢出到相邻凹部18的可能性,而通过使用高表面张力的墨液,可防止墨液越过间隔壁部件20而溢出到相邻凹部18的情形。另外,墨液的表面张力优选高,不特别规定其上限值。通常墨液的表面张力为72mN/m以下。
再者,所述的形成有机EL层(空穴注入层13及发光层14)的工序中使用的墨液,宜含有沸点为190℃以上260℃以下的溶剂。高沸点溶剂难以蒸发,通过使用显现如此特性的高沸点的溶剂,可延迟供给于凹部18的墨液的干燥速度。结果,可加长墨液固化为止的时间。如此,通过加长墨液的液状状态的保持,可使凹部18内的墨液的浓度及液面的高度均匀化。结果,可得到膜厚均匀的有机EL层。于墨液中,沸点为190℃以上260℃以下的溶剂的比例,宜为10重量%以上、70重量%以下,更宜为40重量%以上、60重量%以下。
上述的墨液的表面张力及粘度可通过调整作为有机EL层的材料的浓度(固态成分浓度)及溶剂的种类来调整。另外,墨液的组成及特性在墨液薄膜化时随时间变化。所述墨液的组成及其特性就是指流下墨液时的墨液的组成及其特性。作为墨液的溶剂,可单独使用显现规定的沸点的一种溶剂,也可并用多种溶剂。
墨液的溶剂可列举例如:三氯甲烷(沸点61℃)、二氯甲烷(沸点40℃)、1,1-二氯乙烷(沸点57℃)、1,2-二氯乙烷(沸点83℃)、1,1,1-三氯乙烷(沸点74℃)、1,1,2-三氯乙烷(沸点113℃)等脂肪族氯溶剂;氯苯(沸点132℃)、邻二氯苯(沸点180℃)、间二氯苯(沸点173℃)、对二氯苯(沸点174℃)等芳香族氯溶剂;四氢呋喃(沸点66℃)、1,4-二噁烷(沸点101℃)等脂肪族醚溶剂;苯甲醚(沸点154℃)、乙氧基苯(沸点170℃)等芳香族醚溶剂;甲苯(沸点111℃)、邻二甲苯(沸点144℃)、间二甲苯(沸点139℃)、对二甲苯(沸点138℃)、乙基苯(沸点136℃)、对二乙苯(沸点184℃)、1,3,5-三甲苯(沸点211℃)、正丙苯(沸点159℃)、异丙苯(沸点152℃)、正丁基苯(沸点183℃)、异丁苯(沸点173℃)、仲丁基苯(沸点173℃)、四氢萘(沸点208℃)、环己苯(沸点235℃:以737mmHg测定)等芳香族烃化合物溶剂;环己烷(沸点81℃)、甲基环己烷(沸点101℃)、正戊烷(沸点36℃)、正己烷(沸点69℃)、正庚烷(沸点98℃)、正辛烷(沸点126℃)、正壬烷(沸点151℃)、正癸烷(沸点174℃)、十氢萘(顺式体为沸点196℃;反式体为沸点187℃)、联环己烷(沸点217℃至233℃)等脂肪族烃溶剂;丙酮(沸点56℃)、甲基乙基酮(沸点80℃)、甲基异丁基酮(沸点117℃)、环己酮(沸点156℃)、2-庚酮(沸点150℃)、3-庚酮(沸点147℃:以765mmHg测定)、4-庚酮(沸点144℃)、2-辛酮(沸点174℃)、2-壬酮(沸点195℃)、2-癸酮(沸点209℃)等脂肪族酮溶剂;苯乙酮(沸点202℃)等芳香族酮溶剂;乙酸乙酯(沸点77℃)、乙酸丁酯(沸点120℃至125℃)等脂族酯溶剂;苯甲酸甲酯(沸点200℃)、苯甲酸丁酯(沸点213℃)、醋酸苯酯(沸点196℃)等芳香族酯溶剂;乙二醇(沸点198℃)、乙二醇一丁基醚(沸点171℃)、乙二醇一乙基醚(沸点135℃)、乙二醇一甲基醚(沸点125℃)、1,2-二甲氧基乙烷(沸点85℃)、丙二醇(沸点188℃)、1,2-二乙氧基甲烷(沸点124℃)、三乙二醇二乙醚(沸点222℃)、2,5-己二醇(沸点218℃)等脂肪族多元醇溶剂及由脂肪族多元醇的衍生物所构成的溶剂;甲醇(沸点65℃)、乙醇(沸点78℃)、丙醇(沸点97℃)、异丙醇(沸点82℃)、环己醇(沸点161℃)等脂族醇溶剂;二甲基亚砜(沸点37℃)等脂肪族亚砜溶剂;N-甲基吡咯烷酮(沸点202℃)、N,N-二甲基甲酰胺(沸点153℃)等脂肪族酰胺溶剂。
另外,于准备支撑基板11的工序之后,且于供给所述墨液的工序之前,优选对由间隔壁17所区隔的凹部18施行亲液化处理。如此,由于通过施行该亲液化处理,使供给于凹部18的墨液,容易濡湿扩展于凹部18的底面,故可防止在有机EL层形成空穴的情形。亲液化处理可通过UV处理、氧等离子体处理而施行。其中,以氧等离子体处理为宜。因为,氧等离子体处理在有机EL元件中混入非期望的杂质的可能性较小。
另外,如上所述,以液柱状流下墨液而供给墨液的方法,适合作为在设定成条纹状的凹部18无缺陷且简单地供给墨液的方法。进而,特别是适于供给满足上述的浓度、表面张力、与间隔壁17的接触角、粘度的墨液的方法。也即,由于在喷墨印刷中,满足上述浓度、表面张力、粘度的墨液容易产生阻塞喷嘴的可能性,故大多使用低浓度的墨液;因此,使用低的表面张力及粘度的墨液。此时,如上所述,供给于凹部18的墨液会有越过间隔壁部件20而溢出到相邻凹部18的可能性。因此,在使用低浓度的墨液时,在增加墨液的供应量的同时,为了防止墨液越过间隔壁17而溢出的情形,大多于间隔壁17施行疏液处理。然而,对间隔壁17施行疏液处理时,如上所述,会在施行疏液处理时混入非期望的杂质,以及导致工序数的增加。相对地,以液柱状流下墨液而供墨液于凹部18的方法,因喷嘴产生堵塞的疑虑较少,可供给满足上述活浓度、表面张力、粘度的墨液,进而使墨液与间隔壁17的接触角也处于上述范围内,例如通过使用满足上述浓度、表面张力、粘度的墨液,可防止供给至凹部18的墨液越过间隔壁部件20而溢出到相邻凹部18的情形,从而可形成所期望形状的有机EL层。
<有机EL元件的构成>
如上所述,能以各种的层构成来形成有机EL元件22,以下,对有机EL元件22的层构造、各层的构造、及各层的形成方法进行详细说明。
如上所述,有机EL元件22含有由阳极与阴极构成的一对电极(第一电极12及第二电极16)、及在一对电极间设置的1层以上的有机EL层,1层以上的有机EL层具有最少1层的发光层14。另外,有机EL元件22也可包含:含有无机物与有机物的层、以及无机层等。作为构成有机层的有机物,可为低分子化合物,也可为高分子化合物,再者,也可为低分子化合物与高分子化合物的混合物。有机层宜为含高分子化合物,宜含经聚苯乙烯换算的数平均分子量为103至108的高分子化合物。
配置于阴极与发光层14之间的有机EL层可例举电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。于阴极与发光层14之间配置电子注入层与电子传输层这两方的层时,靠近阴极的层称为电子注入层,靠近发光层的层称为电子传输层。配置于阳极与发光层14之间的有机EL层可例举空穴注入层、空穴传输层、以及电子阻挡层。配置空穴注入层与空穴传输层两方的层时,靠近阳极的层称为空穴注入层,靠近发光层14的层称为空穴传输层。
以下表示本实施方式的有机EL元件22的可能层构成的例。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴注入层/发光层/阴极
c)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极
d)阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴极
e)阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
f)阳极/空穴传输层/发光层/阴极
g)阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极
h)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
i)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
j)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极
k)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极
l)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
m)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
n)阳极/发光层/电子注入层/阴极
o)阳极/发光层/电子传输层/阴极
p)阳极/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
在此,记号“/”者,表示夹持“/”记号的各层邻接而层叠。下述也同。
本实施方式的有机EL元件22可具有2层以上的发光层14。于上述a)至p)的层构成中的任一者中,将于阳极与阴极所挟持的层叠体视为“构造单位A”时,作为具有2层发光层的有机EL元件的构成,可例举于下述q)所表示的层构成。另外,两个(构造单位A)的层构成可互相相同,也可为不相同。
q)阳极/(构造单位A)/电荷发生层/(构造单位A)/阴极
再者,将“(构造单位A)/电荷发生层”视为“构造单位B”时,作为具有3层以上的发光层的有机EL元件的构成,可例举于下述r)所表示的层构成。
r)阳极/(构造单位B)×/(构造单位A)/阴极
另记号“×”表示2以上的整数,(构造单位B)×表示构造单位B为×段层叠的层叠体。另外,多个(构造单位B)的层构成可为相同者,也可为不相同者。
在此,所谓电荷发生层通过施加电场而产生空穴与电子的层。电荷发生层可例举如由氧化钒、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,简称ITO)、氧化钼等形成的薄膜。
在有机EL元件22中,由阳极与阴极所成的一对电极中的阳极可配置成比阴极还靠近支撑基板11,而配置于支撑基板11;再者,也可将阴极配置成比阳极还靠近支撑基板11,而配置于支撑基板11。例如于所述a)至r)中,由右侧依顺序于支撑基板11上层叠各层而构成有机EL元件22也可;再者,由左侧依顺序于支撑基板11上层叠各层而构成有机EL元件22也可。关于所层叠的各层的顺序、层数、及各层的厚度,可根据发光效率、元件寿命而适宜设定。
接着,具体说明构成有机EL元件22的各层的材料及形成方法。
<阳极>
在采用从发光层所发出的光通过阳极而射出至有机EL元件外的构成时,可在阳极使用显现光穿透性的电极。作为显现光穿透性的电极,可使用金属氧化物、金属硫化物、及金属等的薄膜。显现光穿透性的电极可适宜使用电传导度高与光穿透率高者。显现光穿透性的电极具体而言可使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、铟锌氧化物(Indium ZincOxide,简称IZO)、金、铂、银、及铜等所形成的薄膜。其中,以使用由ITO、IZO或者氧化锡而形成的薄膜为宜。
作为阳极的制作方法的例,可例举真空蒸镀法、溅镀法、离子电镀法、镀覆法等。再者,作为阳极者,可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机透明导电膜。
阳极的膜厚考虑所要求的特性、成膜工序的简易程度而适宜设定。阳极的膜厚例如为10nm至10μm,宜为20nm至1μm,更宜为50nm至500nm。
<阴极>
阴极的材料宜为工作函数小,电子容易注入发光层的高导电性的材料。再者,于由阳极侧引出光而构成的有机EL元件中,为了使由阳极所发的光于阴极向阳极侧反射,阴极材料宜为对可视光反射率高的材料者。于阴极,可使用例如碱金属、碱土金属、过渡金属及周期表的13族金属等。阴极材料例如可使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属、所述金属中2种以上的合金、所述金属中1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中1种以上的合金、或石墨或者是石墨层间化合物等。作为合金的例,可例举镁与银的合金、镁与铟的合金、镁与铝的合金、铟与银的合金、锂与铝的合金、铝与镁的合金、锂与铟的合金、钙与铝的合金等。再者,阴极可由导电性金属氧化物及导电性有机物等形成的透明导电性电极。具体而言,导电性金属氧化物可例举氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、以及IZO;导电性有机物可例举聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。另外,阴极也可以层叠两层以上的层叠体所构成。另外,也有使用电子注入层作为阴极者。
阴极的膜厚根据所要求的特性、成膜工序的简易程度而适宜设定。阳极的膜厚例如为10nm至10μm,宜为20nm至1μm,更宜为50nm至500nm。
作为阴极的制作方法的例,可例举真空蒸镀法、溅镀法、热压接合金属膜的层压法等。
<空穴注入层>
作为构成空穴注入层的空穴注入材料的例,可例举氧化钒、氧化钼、氧化钌及氧化铝等氧化物,苯胺化合物、星爆状体型胺化合物、酞花青化合物、非晶形碳、聚苯胺、及聚噻吩衍生物等。
空穴注入层的膜厚考虑所要求的特性及成膜工序的简易程度而适宜设定。空穴注入层的膜厚例如为1nm至1μm,宜为2nm至500nm,更宜为5nm至200nm。
<空穴传输层>
作为构成空穴传输层的空穴传输材料的例,可例举聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或者主链上具有芳香族胺化物的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚对苯乙烯或其衍生物,或者聚(2,5-噻吩乙烯)或其衍生物。
空穴传输层的膜厚考虑所要求的特性及成膜工序的简易程度而设定。空穴传输层的膜厚例如为1nm至1μm,宜为2nm至500nm,更宜为5nm至200nm。
<发光层>
发光层通常由主要发出荧光及/或磷光的有机物形成,或者由该有机物与补助该有机物的掺杂物形成。掺杂物例如为了发光效率的提高、变化发光波长而加入者。另外,构成发光层的有机物可为低分子化合物,也可为高分子化合物,于通过涂布法形成发光层时,发光层宜含高分子化合物。构成发光层的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数平均分子量例如为103至108左右。构成发光层的发光材料可例举例如下述的色素系材料、金属络合物材料、高分子系材料、掺杂物材料。
(色素材料)
色素材料可例举例如,环喷他明衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯苯衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、芘酮衍生物、苝衍生物、寡聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖酮衍生物、香豆素衍生物等。
(金属络合物材料)
金属络合物材料可例举例如在中心金属有Tb、Eu、Dy等稀土金属,或者Al、Zn、Be、Ir、Pt等,且在配位体上具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉构造等的金属络合物。作为金属络合物的材料,可例举例如具有由三重激发态发光的铟络合物、铂络合物等金属络合物;喹啉酚铝络合物、苯并喹啉酚铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、啡啉铕络合物等。
(高分子材料)
作为高分子材料的例,可列举如:聚(对苯乙烯)衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物,将上述色素材料、金属络合物材料高分子化后的材料等。
发光层的厚度,通常为2nm至200nm。
<电子传输层>
构成电子传输层的电子传输材料可使用公知者。作为电子传输材料的例,可例举噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喏啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
电子传输层的膜厚考虑所要求的特性或成膜工序的简易程度而适宜设定。电子传输层的膜厚例如为1nm至1μm,宜为2nm至500nm,还更宜为5nm至200nm。
(电子注入层)
构成电子注入层的材料对应发光层的种类而适宜选择最适当的材料。作为电子注入层的材料的例,可例举碱金属、碱土金属、含有碱金属及碱土金属中的一种以上的合金、碱金属或者是碱土金属的氧化物、卤化物、碳酸盐、或上述各种物质的混合物等。作为碱金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、及碱金属的碳酸盐的例,可例举锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。再者,作为碱土金属、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、碱土金属的碳酸盐的例,可例举镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。电子注入层可为层叠2层以上的层叠体。电子注入层可例举例如LiF膜与Ca膜的层叠体等。
电子注入层的厚度宜为1nm至1μm左右。
在有机EL层里可通过涂布法形成的有机EL层为多层时,虽宜使用涂布方法形成全部有机EL层,但也可例如使用涂布法形成可通过涂布法形成的多层有机EL层中的最少一层,并通过与涂布法不同的方法形成其他有机EL层。再者,即使在以涂布法形成多层有机EL层的情况下,也可通过涂布法的具体方法不同的涂布法,形成多个有机EL层。例如于本实施方式中,说明通过喷嘴涂布法形成空穴注入层13及发光层14的例。然而,也可以旋转涂布法形成空穴注入层13、通过喷嘴涂布法形成发光层14。此外,作为与涂布法不同的方法者,可通过真空蒸镀法、溅镀法、层压法、及喷涂法形成有机EL层。
(实施例)
制作与于图1及图2示意性地表示的发光装置几乎为同样构成的发光装置。另外,以本实施例制作的有机EL元件,在空穴注入层与发光层之间还具备有中间层。
首先准备在其上已形成有阳极及绝缘膜的支撑基板。支撑基板由玻璃板构成,阳极由ITO薄膜构成,绝缘膜由二氧化硅膜构成。阳极及绝缘膜的膜厚为200nm。于绝缘膜形成矩状形的开口,以使ITO薄膜的一部分露出,关于开口的尺寸,行方向X为200μm,列方向Y为70μm。
接着,形成条纹状的间隔壁部件。首先,通过旋转涂布法将正型感光性材料OFPR-800(东京应化公司制),全面地涂布成膜于已形成有阳极及绝缘膜的支撑基板上,而形成膜厚2μm的薄膜。接着,使用以间隔壁部件的列方向Y的宽度成为20μm、间隔壁部件与间隔壁部件的间隔(周期)成为100μm的方式设计的光掩模进行曝光,进而通过碱性显影液(NMD-3:东京应化公司制)施行显影。接着,施行以230℃、30分钟的加热固化处理,而使其完全地不溶化而形成间隔壁部件。由间隔壁部件所区隔的凹部的容积,于每行方向X的单位长为1.63×10-10m3。
接着,涂布墨液前,对已形成有阳极、绝缘膜及间隔壁的支撑基板实施氧等离子体处理。使用SAMCO公司制RIE-200L,通入氧气,以5Pa、40SCCM、30W的条件施行30秒钟的氧等离子体处理。
接着,形成作为空穴注入层的PEDOT层。首先,将H.C.Starck公司制的CLEVIOS P VP CH8000与纯水以体积比例为40∶60进行混合,由此调制墨液。墨液的表面张力为70mN/m、粘度为6.3cP。再者,墨液对间隔壁的接触角为40度。使用喷嘴印刷装置(大日本SCREEN制造股份有限公司所制NP-300G)将已准备好的墨液,以流量为78μL/min、喷嘴扫瞄速度为2.5m/s的条件涂布于各凹部。然后,使用洁净烘箱(YAMATO化学股份有限公司制,DT610),于大气环境下以200℃加热20分钟而形成空穴注入层。
接着,形成中间层。首先,于将和光纯药工业股份有限公司制造的特级苯甲醚与特级苯基环己烷以1∶1(体积比)混合而成的溶剂中,以10mg/mL的浓度添加作为中间层的高分子材料,以50℃加热搅拌10小时,而调制中间层形成用的墨液。墨液的表面张力为34mN/m、墨液的粘度为4.5cP。再者,墨液对间隔壁的接触角为15度。使用喷嘴印刷装置(大日本SCREEN制造股份有限公司所制的NP-300G)将准备好的墨液,以流量为26μL/min、喷嘴扫瞄速度为3.0m/s的条件涂布于各凹部。而后,使用热板加热器(ASONE股份有限公司制,HP-1LA),在氮环境下以180℃加热60分钟而形成中间层。
接着,形成发光层。首先,于将和光纯药工业股份有限公司制造的特级苯甲醚与特级苯基环己烷以1∶1(体积比)混合而成的溶剂中,以20mg/mL的浓度分别添加高分子蓝色发光材料、高分子绿色发光材料、高分子红色发光材料,以50℃加热搅拌10小时,而调制发光层形成用的墨液。蓝墨液、绿墨液、红墨液的表面张力任一者皆为34mN/m;蓝墨液粘度为26cP、绿墨液粘度为20cP、红墨液粘度为24cP。再者,蓝墨液、绿墨液、红墨液的各自对间隔壁的接触角任一者皆为15度。
将所述调制后的蓝墨液、绿墨液、红墨液各自供给于每隔2列的凹部。对于墨液的供给,使用喷嘴印刷装置(大日本SCREEN制造股份有限公司所制的NP-300G),以蓝墨液、绿墨液、红墨液的顺序涂布。蓝墨液的涂布条件为流量26μL/min、喷嘴扫瞄速度2.6m/s。绿墨液的涂布条件为流量30μL/min、喷嘴扫瞄速度2.6m/s。红墨液的涂布条件为流量36μL/min、喷嘴扫瞄速度3.0m/s。而后,使用热板加热器(ASONE股份有限公司制,HP-1LA),在氮环境下以130℃加热15分钟而形成发光层。
接着,以Ba的膜厚成为5nm的方式进行蒸镀,进而以A1的膜成为100nm的方式进行蒸镀,而形成阴极。
改变红墨液、绿墨液、蓝墨液各自的供给量,而制作多个所述的发光装置。另外,墨液的供给量通过控制每一单位时间的墨液的吐出量以及/或者喷嘴的扫瞄速度而调整。
改变供给于凹部的墨液的量而供给墨液,并固化该墨液而得到多个样品后,使用荧光显微镜(NiKon股份有限公司制,ECLIPSE E800)观察这些多个样品的表面,评价成膜状态。
图3为显示评价结果的图。横坐标为墨液的供给量,表示所供给的墨液的体积相对于凹部的容积的比例。纵坐标表示评价结果。评价结果表示为,评价越高的样品标示于越高的位置、同程度的评价结果的样品标示于同程度的高度位置。图3中,形成有期望的有机EL层的样品以“○”记号表示;墨液于凹部底面无法完全地濡湿扩展,于有机EL层部分地形成空穴的样品以“□”记号表示;墨液虽不至于溢出至相邻凹部,但有机EL层形成至间隔壁上为止的样品以“△”记号表示;墨液跨于间隔壁而溢出至相邻凹部的样品以“×”记号表示。
符号说明
1间隔壁
2凹部
3有机EL层
11支撑基板
12第一电极(阳极)
13空穴注入层
14发光层
15绝缘膜
15a开口
16第二电极(阴极)
17间隔壁
18凹部
20间隔壁部件
21发光装置
22有机EL元件
Claims (10)
1.一种发光装置的制造方法,所述发光装置具有:
支撑基板;
设置于所述支撑基板上且区隔设定于所述支撑基板上的凹部的间隔壁;以及
设置于所述凹部且含有第一电极、第二电极及设置于第一电极与第二电极之间的有机电致发光层的多个有机电致发光元件,
所述制造方法包括:
准备设置有所述第一电极和所述间隔壁的所述支撑基板的工序;
将含有形成有机电致发光层的材料的墨液,以所述凹部的容积的90%以上120%以下的体积,供给于所述凹部的工序;
固化所供给的墨液,形成所述有机电致发光层的工序;以及
形成所述第二电极的工序。
2.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述间隔壁由在所述支撑基板上向规定行方向各自延伸的多条间隔壁部件构成,
多条间隔壁部件,在与所述行方向不同方向的列方向上隔开规定的间隔配置。
3.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述墨液的粘度为15cP以上30cP以下。
4.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述墨液的浓度为10mg/mL以上30mg/mL以下。
5.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述间隔壁与所述墨液的接触角为5度以上50度以下。
6.如权利要求5所述的发光装置的制造方法,其中,
在准备所述支撑基板的工序之后,且在所述供给墨液的工序之前,实施氧等离子体处理。
7.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述墨液的表面张力为30mN/m以上72mN/m以下。
8.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述墨液含有沸点为190℃以上260℃以下的溶剂。
9.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
所述供给墨液的工序中,以液柱状流下墨液。
10.如权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,
在所述供给墨液的工序中,通过喷嘴印刷法供给墨液。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010-071816 | 2010-03-26 | ||
JP2010071816A JP2011204524A (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 発光装置の製造方法 |
PCT/JP2011/057033 WO2011118654A1 (ja) | 2010-03-26 | 2011-03-23 | 発光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102845133A true CN102845133A (zh) | 2012-12-26 |
Family
ID=44673203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011800154818A Pending CN102845133A (zh) | 2010-03-26 | 2011-03-23 | 发光装置的制造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130059405A1 (zh) |
EP (1) | EP2555591A1 (zh) |
JP (1) | JP2011204524A (zh) |
KR (1) | KR20130018249A (zh) |
CN (1) | CN102845133A (zh) |
TW (1) | TW201214835A (zh) |
WO (1) | WO2011118654A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4788828B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-10-05 | 住友化学株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR101941178B1 (ko) | 2012-09-28 | 2019-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010071816A patent/JP2011204524A/ja active Pending
-
2011
- 2011-03-23 EP EP11759459A patent/EP2555591A1/en not_active Withdrawn
- 2011-03-23 US US13/636,929 patent/US20130059405A1/en not_active Abandoned
- 2011-03-23 WO PCT/JP2011/057033 patent/WO2011118654A1/ja active Application Filing
- 2011-03-23 KR KR1020127025039A patent/KR20130018249A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-23 CN CN2011800154818A patent/CN102845133A/zh active Pending
- 2011-03-25 TW TW100110276A patent/TW201214835A/zh unknown
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Also Published As
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TW201214835A (en) | 2012-04-01 |
KR20130018249A (ko) | 2013-02-20 |
EP2555591A1 (en) | 2013-02-06 |
US20130059405A1 (en) | 2013-03-07 |
JP2011204524A (ja) | 2011-10-13 |
WO2011118654A1 (ja) | 2011-09-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121226 |