CN102844680B - 放射线检测器模块 - Google Patents

放射线检测器模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102844680B
CN102844680B CN201180019086.7A CN201180019086A CN102844680B CN 102844680 B CN102844680 B CN 102844680B CN 201180019086 A CN201180019086 A CN 201180019086A CN 102844680 B CN102844680 B CN 102844680B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radioactive ray
screened film
integrated circuit
connection substrate
radiation detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180019086.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102844680A (zh
Inventor
十仓史行
杉谷光俊
铃木滋
富部隆志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN102844680A publication Critical patent/CN102844680A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102844680B publication Critical patent/CN102844680B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20183Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/2019Shielding against direct hits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14661X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

放射线检测器模块(10A)包括:闪烁器,其将自规定方向入射的放射线转换成光;二维PD阵列(12),其接收来自闪烁器的光;连接基板(13),其层叠电介质层(130a~130f)而成,且在一个板面上搭载二维PD阵列(12);及集成电路器件(14),其搭载于连接基板(13)的另一个板面上,读取自二维PD阵列(12)输出的电信号。集成电路器件(14)具有相互隔开的多个单位电路区域(14b)。连接基板(13)包含多个贯通导体(20)、及与多个贯通导体(20)分别一体地形成并且相互隔开的多个放射线屏蔽膜(21a~23a)。由此,能够以简易的构成保护集成电路器件的读取电路以防放射线。

Description

放射线检测器模块
技术领域
本发明涉及一种放射线检测器模块。
背景技术
专利文献1中记载有一种具有用以保护设置于X射线检测器的信号处理电路以防X射线曝射的构成的X射线CT装置。该X射线CT装置中,在表面安装有检测元件的配线基板的背面侧,配置有安装有信号处理电路的电路基板。在配线基板,以覆盖信号处理电路的上方的方式设置有X射线屏蔽部。配线基板及电路基板通过设置于X射线屏蔽部的周边的连接构件而相互电连接。
专利文献2中记载有使用X射线的医疗诊断摄像装置及X射线放射检测器。该X射线放射检测器具备支撑基板。支撑基板在表面侧支撑光感应元件,提供向背面侧的电性通道。在支撑基板与信号处理电路之间,配置有X射线放射屏蔽部。自X射线入射方向观察的X射线放射屏蔽部的面积大于包含于ASIC读取芯片中的信号处理电路。
专利文献
专利文献1:日本特开2009-189384号公报
专利文献2:日本特表2004-536313号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来,作为用于X射线检查装置等的放射线检测器,包括具有排列成二维状的多个光电转换区域的光电二极管阵列等光电转换器件、及配置于光电转换器件上的闪烁器的装置正在实用化。这样的放射线检测器与现有的使用X射线感光膜的检测器相比,无需进行显影,另外,可实时地确认图像等,方便性较高,在数据的保存性或操作的容易性方面也优异。
这样的放射线检测器中,在较多的情况下,光电转换器件安装于基板上。而且,需要放大自光电转换器件输出的微小信号,因此使用内置对应于多个光电转换区域的多个积分电路等多个读取电路的集成电路器件。再者,多个读取电路例如由积分电路构成。为了装置的小型化,该集成电路器件优选安装于基板的背面侧。
然而,在基板的一个板面上安装光电转换器件,在另一个板面上安装集成电路器件的情况下,会产生如下问题。即,在入射至闪烁器的放射线的一部分未被闪烁器吸收而透过的情况下,会有该放射线透过基板而到达集成电路器件的担忧。集成电路器件的读取电路中,包含例如运算放大器或电容器、或者开关用的MOS晶体管等容易受到放射线的影响的电路要素。故而,存在到达集成电路器件的放射线使这些电路要素产生异常的担忧。因此,期待通过一些方法保护读取电路以防放射线。
再者,专利文献1、2所记载的装置中,在基板内设置有覆盖集成电路器件整体那样的大小的放射线屏蔽材。然而,这样的构成中,必需以绕过放射线屏蔽材的方式配置用以连接光电转换器件与集成电路器件的配线。因此,在例如将光电转换器件或集成电路器件倒装芯片安装于基板上那样的情况下,基板的配线变得复杂。
本发明的目的在于提供一种能够以简易的构成保护集成电路器件的读取电路以防放射线的放射线检测器模块。
解决问题的技术手段
本发明的一个实施方式所涉及的放射线检测器模块包括:(a1)闪烁器,其将自规定方向入射的放射线转换成光;(b)光电转换器件,其具有排列成二维状的多个光电转换区域,在光电转换区域接收来自闪烁器的光;(c)连接基板,其层叠有多个电介质层而成,将光电转换器件搭载于一个板面上;及(d)集成电路器件,其搭载于连接基板的另一个板面上,且个别地读取分别自光电转换器件的多个光电转换区域输出的电信号。集成电路器件具有多个单位电路区域。多个单位电路区域排列成二维状且相互隔开。多个单位电路区域分别包含对应于多个光电转换区域的多个读取电路。连接基板包含金属制的多个贯通导体。多个贯通导体贯通多个电介质层中相互邻接的至少三个电介质层而设置。多个贯通导体成为电信号的路径的一部分。该放射线检测器模块中,金属制的多个放射线屏蔽膜设置于至少三个电介质层中的两个以上的层间部分。多个放射线屏蔽膜与多个贯通导体分别一体地形成,且相互隔开。将多个放射线屏蔽膜投影于与规定方向垂直的假想平面的多个第一区域的各个包含将多个单位电路区域投影于假想平面的多个第二区域的各个。
另外,本发明的其它的实施方式所涉及的放射线检测器模块包括:(a2)闪烁器,其将放射线转换成光;(b)光电转换器件,其具有排列成二维状的多个光电转换区域,在光电转换区域接收来自闪烁器的光;(c)连接基板,其层叠有多个电介质层而成,将光电转换器件搭载于一个板面上;及(d)集成电路器件,其搭载于连接基板的另一个板面上,且个别地读取分别自光电转换器件的多个光电转换区域输出的电信号。集成电路器件具有多个单位电路区域。多个单位电路区域排列成二维状且相互隔开。多个单位电路区域分别包含对应于多个光电转换区域的多个读取电路。连接基板具有金属制的多个贯通导体。多个贯通导体贯通多个电介质层中相互邻接的至少三个电介质层而设置。多个贯通导体成为电信号的路径的一部分。该放射线检测器模块中,金属制的多个放射线屏蔽膜设置于至少三个电介质层中的两个以上的层间部分。多个放射线屏蔽膜与多个贯通导体分别一体地形成,且相互隔开。将多个放射线屏蔽膜投影于与一个板面平行的假想平面的多个第一区域的各个包含将多个单位电路区域投影于假想平面的多个第二区域的各个。
这些放射线检测器模块中,搭载于连接基板的另一个板面上的集成电路器件具有分别包含多个读取电路的多个单位电路区域。而且,这些多个单位电路区域排列成二维状且相互隔开。因此,关于这些单位电路区域的间隙,因为不存在读取电路,故而因放射线带来的影响变得轻微。
另一方面,在连接基板,设置有贯通至少三个电介质层的多个贯通导体、及与多个贯通导体的各个一体地形成的金属制的多个放射线屏蔽膜。如此,与贯通导体一体地形成的放射线屏蔽膜不妨碍贯通导体的配置,因此无需如例如专利文献1所记载的装置那样,形成绕过放射线屏蔽材那样的复杂的配线。因此,可缩短光电转换器件与集成电路器件之间的电流路径即配线长,从而可进一步降低重叠于光电流的噪声。
而且,这些多个放射线屏蔽膜相互隔开且设置于至少三个电介质层中的两个以上的层间部分。进而,将多个放射线屏蔽膜投影于假想平面的多个第一区域的各个包含将多个单位电路区域投影于假想平面的多个第二区域的各个。此处,所谓假想平面,是与规定方向即放射线入射方向垂直的面。或者,在放射线入射方向与连接基板的板面垂直的情况下,所谓假想平面,是与连接基板的一个板面平行的面。通过这样的构成,形成于连接基板的内部的多个放射线屏蔽膜分别保护对应的各单位电路区域以防放射线。另外,通过了多个放射线屏蔽膜的间隙的放射线可到达集成电路器件,但其到达部位为多个单位电路区域的间隙,因此不存在问题。
如以上所说明的那样,根据上述放射线检测器模块,能够以简易的构成保护集成电路器件的读取电路以防放射线。
另外,在上述放射线检测器模块中,集成电路器件的多个单位电路区域相互隔开。因此,可降低由多个单位电路区域间的电串扰而产生的噪声。
另外,在上述放射线检测器模块中,关于在一个层间部分与一个贯通导体一体地形成的放射线屏蔽膜的第一区域,与关于在其它的层间部分与其它的贯通导体一体地形成的放射线屏蔽膜的第一区域,可不相互重叠。由此,与一个贯通导体及其它的贯通导体分别一体地形成的各放射线屏蔽膜相互不相对,因此可降低产生于一个贯通导体与其它的贯通导体之间的寄生电容。因此,可降低重叠于自光电转换器件的多个光电转换区域输出的光电流的噪声。
另外,在上述放射线检测器模块中,将多个贯通导体投影于假想平面的多个第三区域的各个包含于多个第二区域的各个,各放射线屏蔽膜也可在对应的贯通导体的周围延伸。
另外,在上述放射线检测器模块中,读取电路也可包含运算放大器、电容器及MOS晶体管。
发明的效果
根据本发明的放射线检测器模块,能够以简易的构成保护集成电路器件的读取电路以防放射线。
附图说明
图1是表示放射线检测器模块的一个实施方式的剖面图。
图2是表示连接基板及集成电路器件的内部构成的剖面图。
图3表示自放射线的入射方向观察的集成电路的各构成要素的配置。
图4是表示读取电路的构成例的等价电路图。
图5是表示将放射线屏蔽膜及单位电路区域投影于假想平面的情况的图。
图6是表示放射线检测器模块的一个变形例的剖面图。
图7是表示将一个变形例中的放射线屏蔽膜及单位电路区域投影于假想平面的情况的图。
符号的说明
10A、10B…放射线检测器模块、11…闪烁器、12…二维光电二极管阵列、12a…凸块电极、12b…光电二极管、13…连接基板、13a、13b…板面、14…集成电路器件、14a…凸块电极、14b…单位电路区域、14c…电路区域、14d…A/D转换器、14e…输入垫、14f…输入输出垫、15…可挠性印刷基板、16…散热器、20…贯通导体、21、22、23…放射线屏蔽膜组、21a、21b、22a、22b、23a…放射线屏蔽膜、24…层间配线、130…基材、130a~130f…电介质层、140…读取电路、141…运算放大器、142…电容器、143…重置开关。
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对本发明的放射线检测器模块的实施方式进行详细的说明。再者,在附图的说明中,对同一要素赋予同一符号,省略重复的说明。
图1是表示放射线检测器模块的一个实施方式的构成的剖面图。图1所示的放射线检测器模块10A包括闪烁器11、光电二极管阵列12、连接基板13及集成电路器件14。
闪烁器11是用以将自规定方向入射的放射线R转换成光的板状的构件。放射线R例如为X射线。闪烁器11分割为排列成M行N列的多个像素,并配置于二维光电二极管阵列12的光入射面上。再者,N、M均为2以上的整数。闪烁器11根据入射的放射线R而产生闪烁光并将放射线像转换为光学像,且将该光学像输出至二维光电二极管阵列12。闪烁器11例如由CsI构成。闪烁器11能够以覆盖二维光电二极管阵列12的方式设置,或者可通过蒸镀而设置于二维光电二极管阵列12上。
二维光电二极管阵列12为本实施方式中的光电转换器件。二维光电二极管阵列12具有作为排列成如M行N列的二维状的多个光电转换区域的多个光电二极管,在多个光电二极管接收来自闪烁器11的光。二维光电二极管阵列12,在光入射面的相反侧的背面上具有作为用于所谓倒装芯片安装的导电性接合材的多个凸块电极12a,这些多个凸块电极12a在二维光电二极管阵列12的背面上排列成如M行N列的二维状。二维光电二极管阵列12的平面尺寸例如为20mm×35mm。
连接基板13,将二维光电二极管阵列12搭载于一个板面13a上,将后述的集成电路器件14搭载于另一个板面13b上。连接基板13层叠有多个电介质层而成,且具有用以将二维光电二极管阵列12与集成电路器件14电连接的内部配线。另外,在连接基板13的一个板面13a上,用以安装二维光电二极管阵列12的多个焊盘(land)状配线排列成如M行N列的二维状,在另一个板面13b上,用以安装集成电路器件14的多个焊盘状配线排列成二维状。
集成电路器件14通过个别地检测分别自二维光电二极管阵列12的多个光电二极管输出的光电流等电信号而读取这些电信号。集成电路器件14具有将二维光电二极管阵列12的多个光电二极管所对应的多个读取电路一并封入于一个芯片中的构造。另外,作为成为向这些多个读取电路的输入端子的导电性接合材的多个凸块电极14a,在与连接基板13相对的集成电路器件14的面上排列成二维状。
另外,放射线检测器模块10A还包括用以将自集成电路器件14输出的电信号向外部输出的可挠性印刷基板15。可挠性印刷基板15的一端电连接于连接基板13的另一个板面13b上。
另外,放射线检测器模块10A还包括用以冷却集成电路器件14的散热器16。散热器16接触于集成电路器件14的与连接基板13相对的面的相反侧的面,且具有多个翼片朝向外侧突出的形状。
图2是表示连接基板13及集成电路器件14的内部构成的剖面图。再者,该图中图示有二维光电二极管阵列12,但对闪烁器11及散热器16省略图示。
如图2所示,集成电路器件14包含多个单位电路区域14b及多个电路区域14c。在多个单位电路区域14b分别包含多个前段放大器作为多个读取电路。这些多个读取电路分别对应于二维光电二极管阵列12的多个光电二极管,自分别对应的光电二极管接收光电流之类的电信号。再者,在电路区域14c,设置有后段放大器作为用以将自单位电路区域14b的读取电路输出的信号进一步放大的放大电路。
此处,图3的(a)是表示集成电路器件14的构成例的图。图3的(a)表示自放射线R的入射方向观察的集成电路器件14的各构成要素的配置。另外,图3的(b)是将集成电路器件14所具有的一个单位电路区域14b放大而表示的图。该集成电路器件14例如具有如9mm×11mm的大小。
如图3的(a)所示,单位电路区域14b在集成电路器件14的内部排列成J行K列的二维状。再者,J及K为2以上的整数。如图3的(b)所示,在各单位电路区域14b设置有输入垫14e。在该输入垫14e上设置有如图1所示的凸块电极14a。另外,这些单位电路区域14b相互隔开,在一个单位电路区域14b与其它单位电路区域14b之间,不存在晶体管或电容器等电路要素的区域在行方向及列方向上延伸。但是,在该区域,也可存在用以将电路要素相互连接的金属配线。一个单位电路区域14b的尺寸例如为行方向0.5mm、列方向0.5mm,相邻的单位电路区域14b彼此的间隙的间隔例如为0.16mm。
电路区域14c对应于单位电路区域14b的各列而配置有K个。这些电路区域14c在行方向上排列配置,各输入端与分别对应的列的单位电路区域14b电连接。
在作为单位电路区域14b中所包含的读取电路的前段放大器、及作为电路区域14c中所包含的放大电路的后段放大器,分别设置有开关。而且,可通过使用单位电路区域14b的读取电路的开关来进行所读取行的指定,并可通过使用电路区域14c的放大电路的开关来进行所读取列的指定。
K个电路区域14c的输出端与A/D转换器14d电连接。A/D转换器14d将自各电路区域14c输出的模拟信号转换成数字信号。自A/D转换器14d输出的数字信号经由沿着集成电路器件14的边缘排列的多个输入输出垫14f中的一个而向集成电路器件14的外部输出。再者,其它输入输出垫14f用于电源电压输入、接地电位等基准电位的输入、时钟输入等。
图4是表示各单位电路区域14b中所包含的读取电路的构成例的等价电路。在该等价电路中,读取电路140由积分电路构成,且包含运算放大器141、作为反馈电容的电容器142及重置开关143。运算放大器141的非反相输入端子连接于基准电压Vref,运算放大器141的反相输入端子连接于图1所示的二维光电二极管阵列12所具有的一个光电二极管12b的阳极。再者,光电二极管12b的阴极连接于基准电压Vref,对光电二极管12b施加逆向偏压。
电容器142连接于运算放大器141的反相输入端子与输出端子之间。在电容器142中储存有由自光电二极管12b输出的光电流得到的电荷。重置开关143相对于电容器142并联连接,并将储存于电容器142中的电荷重置。重置开关143通过例如MOS晶体管而适当地实现。
再次参照图2,对连接基板13进行详细的说明。本实施方式的连接基板13具有层叠有多个电介质层130a~130f而成的基材130。图2中表示6层的电介质层130a~130f。基材130的电介质层130a~130f例如由以氧化铝等陶瓷材料为主原料的陶瓷基板构成。各电介质层130a~130f的厚度例如为100μm以上且200μm以下。
另外,连接基板13具有多个贯通导体20。贯通导体20贯通电介质层130a~130f中相互邻接的至少三个电质层130c~130f而设置。在一个例子中,贯通导体20贯通四个电介质层130c~130f而设置。多个贯通导体20的各个与二维光电二极管阵列12的多个光电二极管的各个一对一地对应,成为自光电二极管输出的光电流的路径的一部分。贯通导体20例如由钨等金属材料构成,通过在形成于电介质层130c~130f的贯通孔中埋入金属材料而形成。再者,本实施方式中,相邻的贯通导体20彼此的间距(pitch)与集成电路器件14的单位电路区域14b间的间距相等,各贯通导体20位于对应的单位电路区域14b的正上方。相邻的贯通导体20彼此的间距例如为500μm。另外,贯通导体20的直径例如为100μm。
另外,连接基板13具有设置于至少三层的电介质层130c~130f中的两个以上的层间部分的多个放射线屏蔽膜组21~23。图2中,多个放射线屏蔽膜组21~23设置于4层的电介质层130c~130f中的三处的层间部分。具体而言,放射线屏蔽膜组21设置于电介质层130c及130d的层间部分,放射线屏蔽膜组22设置于电介质层130d及130e的层间部分,放射线屏蔽膜组23设置于电介质层130e及130f的层间部分。
放射线屏蔽膜组21~23的各个包含对应于贯通导体20的根数的金属制的多个放射线屏蔽膜。即,放射线屏蔽膜组21包含与贯通导体20相同数目的放射线屏蔽膜21a,放射线屏蔽膜组22包含与贯通导体20相同数目的放射线屏蔽膜22a,放射线屏蔽膜组23包含与贯通导体20相同数目的放射线屏蔽膜23a。这些放射线屏蔽膜21a~23a与对应的贯通导体20一体地形成,并在该贯通导体20的周围延伸。
各放射线屏蔽膜组21~23中,放射线屏蔽膜彼此相互隔开。即,多个放射线屏蔽膜21a在一个层间部分相互隔开间隔而设置,多个放射线屏蔽膜22a在其它的层间部分相互隔开间隔而设置,多个放射线屏蔽膜23a在另外其它的层间部分相互隔开间隔而设置。由此,实现了贯通导体20相互的电性分离。
放射线屏蔽膜21a的平面形状例如为400μm见方的正方形。另外,相邻的放射线屏蔽膜21a彼此的间隔例如为100μm,放射线屏蔽膜21a的厚度例如为10μm。这些形状尺寸对放射线屏蔽膜22a、23a也相同。作为放射线屏蔽膜21a~23a的构成材料,例如优选为钨。放射线屏蔽膜21a~23a可通过与形成所谓贯通焊盘(via land)的方法相同的方法而容易地形成于电介质层130c~130f的层间部分。
另外,连接基板13还包含多个层间配线24。层间配线24为二维光电二极管阵列12的电极间距与多个贯通导体20的间距的差异所引起的配线。层间配线24设置于多个电介质层130a~130f中的层间部分中相对于设置有放射线屏蔽膜21a~23a的电介质层130c~130f而位于一个板面13a侧的一个或两个以上的层间部分。图2中,层间配线24设置于电介质层130a与电介质层130b的层间部分及电介质层130b与电介质层130c的层间部分。
此处,对连接基板13的放射线屏蔽膜21a、22a及23a与集成电路器件14的多个单位电路区域14b的相对位置关系进行说明。为了进行该说明,导入用以投影放射线屏蔽膜及单位电路区域的假想平面的概念。假想平面定义为相对于作为图1所示的放射线R的入射方向的规定方向垂直的面。或者,在该入射方向与连接基板13的板面13a、13b大致垂直的情况下,假想平面也可定义为与板面13a或13b平行的面。
图5是表示将连接基板13的多个放射线屏蔽膜21a~23a与集成电路器件14的多个单位电路区域14b投影于假想平面VP的情况的图。图5中,PR1表示通过将多个放射线屏蔽膜21a、22a及23a投影于假想平面VP而获得的第一区域。另外,PR2表示通过将多个单位电路区域14b投影于假想平面VP而获得的第二区域。另外,PR3表示通过将多个贯通导体20投影于假想平面VP而获得的第三区域。
如图5所示,通过将多个放射线屏蔽膜21a~23a投影于假想平面VP而获得的多个第一区域PR1的各个包含通过将多个单位电路区域14b投影于假想平面VP而获得的多个第二区域PR2的各个。换言之,自放射线R的入射方向或与板面13a垂直的方向观察时,多个单位电路区域14b被多个放射线屏蔽膜21a完全覆盖。关于多个放射线屏蔽膜22a、及多个放射线屏蔽膜23a也相同。
即,本实施方式的放射线检测器模块10A中,形成于连接基板13的内部的多个放射线屏蔽膜21a~23a分别保护对应的各单位电路区域14b以防放射线。另外,通过了多个放射线屏蔽膜21a~23a的间隙的放射线R可到达集成电路器件14,但在其到达部位不存在单位电路区域14b,因而因放射线R带来的影响变得轻微。
另外,多个放射线屏蔽膜21a分别与对应的贯通导体20一体地形成。对于多个放射线屏蔽膜22a及23a也相同。如此,与贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21a~23a不妨碍贯通导体20的配置,因此无需如例如专利文献1所记载的装置那样形成绕过放射线屏蔽材那样的复杂的配线。因此,可缩短二维光电二极管阵列12与集成电路器件14之间的电流路径及配线长,从而可进一步降低重叠于光电流等电信号的噪声。
如此,根据本实施方式的放射线检测器模块10A,能够以简易的构成保护集成电路器件14的读取电路以防放射线。
另外,在放射线检测器模块10A中,因为集成电路器件14的多个单位电路区域14b相互隔开,故而也可减少由多个单位电路区域14b间的电串扰所产生的噪声。
另外,在放射线检测器模块10A中,关于在一个层间部分与一个贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21a、21b或21c的第一区域PR1、与关于在其它层间部分与其它贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21b、21c或21a的第一区域PR1也可不相互重叠。图5所示的假想平面VP中,多个第一区域PR1不相互重叠,另外,关于放射线屏蔽膜21a~23a的投影区域全部为第一区域PR1且相互一致,因此放射线屏蔽膜21a、22a及23a只要对应的贯通导体20不同就不相互重叠。由此,与一个贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21a~23a、以及与其它贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21a~23a不相互相对,因此可降低产生于多个贯通导体20之间的寄生电容。因此,可降低重叠于自二维光电二极管阵列12的多个光电二极管输出的光电流之类的电信号的噪声。
再者,在本实施方式中,如图5所示,将多个贯通导体20投影于假想平面VP的多个第三区域PR3的各个包含于多个第二区域PR2的各个。这样的构成中,放射线屏蔽膜21a~23a在对应的贯通导体20的周围延伸,因此放射线屏蔽膜21a~23a分别可适当地保护对应的各单位电路区域14b以防放射线。
作为上述实施方式的一个变形例,图6是表示放射线检测器模块10B的构成的图。图6中,与图2同样地,表示有二维光电二极管阵列12、连接基板13及集成电路器件14。其中,关于二维光电二极管阵列12及集成电路器件14的构成,与上述实施方式相同。
本变形例中,连接基板13的内部构成与上述实施方式不同。即,连接基板13的放射线屏蔽膜组21及22包含放射线屏蔽膜21b及22b来代替上述实施方式的放射线屏蔽膜21a及22a。这些放射线屏蔽膜21b及22b的位置及大小与上述实施方式的放射线屏蔽膜21a及22a的位置及大小不同。
图7是表示将本变形例中的多个放射线屏蔽膜21b及22b与集成电路器件14的多个单位电路区域14b投影于假想平面VP的情况的图。图7中,PR4表示通过将放射线屏蔽膜21b投影于假想平面VP而获得的区域。另外,PR5表示通过将放射线屏蔽膜22b投影于假想平面VP而获得的区域。再者,关于PR2及PR3,与上述实施方式相同。
如图7所示,本变形例中,关于在一个层间部分与某贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21b的区域PR4、与关于在其它层间部分与其它贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜22b的区域PR5相互重叠。在这样的情况下,如图6所示,与一个贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21b、及与其它贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜22b相互相对。然而,即使在这样的方式中,多个放射线屏蔽膜21b、22b及23a也分别保护对应的各单位电路区域14b以防放射线。另外,与贯通导体20一体地形成的放射线屏蔽膜21b、22b及23a不妨碍贯通导体20的配置,因此无需形成绕过放射线屏蔽材那样的复杂的配线。因此,本变形例的放射线检测器模块10B中,也能够以简易的构成保护集成电路器件14的读取电路以防放射线。
本发明的放射线检测器模块并不限定于上述实施方式,也可进行其它各种变形。例如,上述实施方式中,放射线屏蔽膜21a~23a设置于四个电介质层130c~130f中的三个层间部分,但通过将放射线屏蔽膜设置于至少三个电介质层中的两个以上的层间部分,可发挥与上述实施方式相同的效果。另外,例如,上述实施方式中,作为读取电路的一个例子,例示了包含运算放大器、电容器及MOS晶体管的积分电路,但即使是与该例示不同的构成的读取电路,也可适当地获得与上述实施方式相同的效果。
产业上的可利用性
本发明可用作能够以简易的构成保护集成电路器件的读取电路以防放射线的放射线检测器模块。

Claims (5)

1.一种放射线检测器模块,其特征在于,
包括:
闪烁器,其将自规定方向入射的放射线转换成光;
光电转换器件,其具有排列成二维状的多个光电转换区域,在所述光电转换区域接收来自所述闪烁器的光;
连接基板,其层叠多个电介质层而成,且在一个板面上搭载所述光电转换器件;及
集成电路器件,其搭载于所述连接基板的另一个板面上,且分别读取自所述光电转换器件的所述多个光电转换区域分别输出的电信号,
所述集成电路器件具有排列成二维状且相互隔开的多个单位电路区域,该多个单位电路区域分别包含对应于所述多个光电转换区域的多个读取电路,
所述连接基板包含金属制的多个贯通导体,该多个贯通导体贯通所述多个电介质层中相互邻接的至少三个所述电介质层而设置,且成为所述电信号的路径的一部分,
与所述多个贯通导体分别一体地形成且相互隔开的金属制的多个放射线屏蔽膜,设置于所述至少三个电介质层中的两个以上的层间部分,
将所述多个放射线屏蔽膜投影于与所述规定方向垂直的假想平面的多个第一区域的各个包含将所述多个单位电路区域投影于所述假想平面的多个第二区域的各个。
2.一种放射线检测器模块,其特征在于,
包括:
闪烁器,其将放射线转换成光;
光电转换器件,其具有排列成二维状的多个光电转换区域,在所述光电转换区域接收来自所述闪烁器的光;
连接基板,其层叠有多个电介质层而成,且在一个板面上搭载所述光电转换器件;及
集成电路器件,其搭载于所述连接基板的另一个板面上,且分别读取自所述光电转换器件的所述多个光电转换区域分别输出的电信号,
所述集成电路器件具有排列成二维状且相互隔开的多个单位电路区域,该多个单位电路区域分别包含对应于所述多个光电转换区域的多个读取电路,
所述连接基板包含金属制的多个贯通导体,该多个贯通导体贯通所述多个电介质层中相互邻接的至少三个所述电介质层而设置,且成为所述电信号的路径的一部分,
与所述多个贯通导体分别一体地形成且相互隔开的金属制的多个放射线屏蔽膜,设置于所述至少三个电介质层中的两个以上的层间部分,
将所述多个放射线屏蔽膜投影于与所述一个板面平行的假想平面的多个第一区域的各个包含将所述多个单位电路区域投影于所述假想平面的多个第二区域的各个。
3.如权利要求1或2所述的放射线检测器模块,其特征在于,
关于在一个所述层间部分与一个所述贯通导体一体地形成的所述放射线屏蔽膜的所述第一区域,与关于在其它的所述层间部分与其它的所述贯通导体一体地形成的所述放射线屏蔽膜的所述第一区域,不相互重叠。
4.如权利要求1或2所述的放射线检测器模块,其特征在于,
将所述多个贯通导体投影于所述假想平面的多个第三区域的各个包含于所述多个第二区域的各个,
各放射线屏蔽膜在对应的各贯通导体的周围延伸。
5.如权利要求1或2所述的放射线检测器模块,其特征在于,
所述读取电路包含运算放大器、电容器及MOS晶体管。
CN201180019086.7A 2010-04-15 2011-01-27 放射线检测器模块 Active CN102844680B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-094230 2010-04-15
JP2010094230A JP5358509B2 (ja) 2010-04-15 2010-04-15 放射線検出器モジュール
PCT/JP2011/051605 WO2011129132A1 (ja) 2010-04-15 2011-01-27 放射線検出器モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102844680A CN102844680A (zh) 2012-12-26
CN102844680B true CN102844680B (zh) 2014-11-19

Family

ID=44798513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180019086.7A Active CN102844680B (zh) 2010-04-15 2011-01-27 放射线检测器模块

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8859975B2 (zh)
EP (1) EP2560026B1 (zh)
JP (1) JP5358509B2 (zh)
CN (1) CN102844680B (zh)
IL (1) IL222082A (zh)
TW (1) TWI507710B (zh)
WO (1) WO2011129132A1 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296036B (zh) * 2012-02-29 2016-05-18 中国科学院微电子研究所 X射线探测器及其制造方法
EP2852851A1 (en) * 2012-05-22 2015-04-01 Analogic Corporation Detection system and detector array interconnect assemblies
US9116022B2 (en) 2012-12-07 2015-08-25 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
US9689996B2 (en) 2013-04-05 2017-06-27 General Electric Company Integrated diode DAS detector
JP6226579B2 (ja) 2013-06-13 2017-11-08 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
US9526468B2 (en) 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers
US9459355B1 (en) * 2015-06-30 2016-10-04 General Electric Company Radiation detector with stacked barrier layers and method of forming the same
CN107923987B (zh) * 2015-09-08 2020-05-15 深圳帧观德芯科技有限公司 用于制作x射线检测器的方法
ES2895277T3 (es) * 2016-03-18 2022-02-18 Univ Texas Detector de radiación para detectar simultáneamente una pluralidad de radiaciones
JP6513608B2 (ja) * 2016-07-12 2019-05-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
EP3485514B1 (en) * 2016-07-14 2020-09-09 Koninklijke Philips N.V. Detector module, detector, imaging apparatus and method of manufacturing a detector module
CN109477901B (zh) * 2016-07-29 2023-06-06 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于电气通道的密封件
CN106847936B (zh) * 2016-12-07 2019-01-01 清华大学 基于金属键合的光电器件封装结构及其制造方法
WO2019019039A1 (en) 2017-07-26 2019-01-31 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-RAY DETECTOR
JP2022510692A (ja) 2018-12-06 2022-01-27 アナログ ディヴァイスィズ インク パッシブデバイスアセンブリを備えた集積デバイスパッケージ
CN113395936A (zh) 2018-12-06 2021-09-14 美国亚德诺半导体公司 屏蔽的集成器件封装
JP6567792B1 (ja) * 2019-04-04 2019-08-28 キヤノン電子管デバイス株式会社 放射線検出器
CN111665268B (zh) * 2020-06-12 2023-04-28 上海天马微电子有限公司 光信号检测电路、方法及x光探测器
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier
CN112885855B (zh) * 2021-01-15 2022-05-17 核芯光电科技(山东)有限公司 一种集成前置放大电路的深硅探测器模块
WO2023122921A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Image sensors with small and thin integrated circuit chips

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308980A (en) * 1991-02-20 1994-05-03 Amber Engineering, Inc. Thermal mismatch accommodated infrared detector hybrid array
CN1723565A (zh) * 2003-01-08 2006-01-18 浜松光子学株式会社 配线基板以及使用该配线基板的放射线检测器
CN100409447C (zh) * 2003-04-11 2008-08-06 浜松光子学株式会社 放射线检测器
CN101248371A (zh) * 2006-03-13 2008-08-20 日立金属株式会社 辐射探测器及其制造方法
US7663110B2 (en) * 2007-02-26 2010-02-16 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel and flat-panel radiation detector

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001249180A (ja) * 2000-03-03 2001-09-14 Shimadzu Corp 2次元アレイ型放射線検出器の製造方法
JP2003014862A (ja) * 2001-07-02 2003-01-15 Canon Inc 放射線画像検出装置及び放射線遮蔽方法
US6510195B1 (en) * 2001-07-18 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same
JP2004071638A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Canon Inc 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム
US7112799B2 (en) * 2002-09-18 2006-09-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray detector with a plurality of detector units
WO2005065097A2 (en) * 2003-12-22 2005-07-21 X2Y Attenuators, Llc Internally shielded energy conditioner
US7075091B2 (en) * 2004-01-29 2006-07-11 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Apparatus for detecting ionizing radiation
JP4669768B2 (ja) * 2005-09-30 2011-04-13 富士フイルム株式会社 解像度可変型x線撮像装置及びx線ct装置
JP2008190929A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線用シンチレータプレートの製造方法及び放射線画像撮影装置
JP4722103B2 (ja) * 2007-09-21 2011-07-13 京セラ株式会社 X線検出素子搭載用配線基板およびx線検出装置
JP2009189384A (ja) 2008-02-12 2009-08-27 Hitachi Medical Corp X線ct装置
JP5155696B2 (ja) * 2008-03-05 2013-03-06 富士フイルム株式会社 撮像素子
JP5281484B2 (ja) * 2009-05-28 2013-09-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出ユニット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308980A (en) * 1991-02-20 1994-05-03 Amber Engineering, Inc. Thermal mismatch accommodated infrared detector hybrid array
CN1723565A (zh) * 2003-01-08 2006-01-18 浜松光子学株式会社 配线基板以及使用该配线基板的放射线检测器
CN100409447C (zh) * 2003-04-11 2008-08-06 浜松光子学株式会社 放射线检测器
CN101248371A (zh) * 2006-03-13 2008-08-20 日立金属株式会社 辐射探测器及其制造方法
US7663110B2 (en) * 2007-02-26 2010-02-16 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel and flat-panel radiation detector

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2001-249180A 2001.09.14 *
JP特开2003-14862A 2003.01.15 *
JP特开2004-71638A 2004.03.04 *
JP特开2008-190929A 2008.08.21 *
JP特开2009-74964A 2009.04.09 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP2560026B1 (en) 2014-11-26
JP2011226816A (ja) 2011-11-10
EP2560026A4 (en) 2013-11-20
US20130026376A1 (en) 2013-01-31
CN102844680A (zh) 2012-12-26
WO2011129132A1 (ja) 2011-10-20
IL222082A (en) 2015-05-31
US8859975B2 (en) 2014-10-14
TWI507710B (zh) 2015-11-11
TW201140124A (en) 2011-11-16
JP5358509B2 (ja) 2013-12-04
EP2560026A1 (en) 2013-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102844680B (zh) 放射线检测器模块
CN102870006B (zh) 连接基板
JP4541299B2 (ja) 光検出装置
CN100385673C (zh) 检测器
EP3361507A1 (en) Radiation detector array
KR20090087278A (ko) 엑스레이 검출기 및 이의 제조방법
WO2004047180A1 (ja) 光検出装置
JP2007155564A (ja) 放射線検出器および放射線画像検出装置
JP5070637B2 (ja) 放射線画像検出モジュール
CN107949912B (zh) 具有优化电容的不透光焊盘结构的x射线检测器
KR20200144118A (ko) 센서 유닛, 방사선 검출기 및 센서 유닛 제조 방법
JP7213951B2 (ja) イメージセンサ、イメージセンサ装置、及び、これらを含むコンピュータ断層撮影装置
US8124938B1 (en) Linear X-ray detector with monolithic detector chip including both photodiode array and peripheral circuits spaced apart
JP2009147212A (ja) 光検出器および光検出器を用いた光検出装置
JP2015141037A (ja) 放射線検出器
US20230378229A1 (en) Radiographic device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant