CN102804916A - 光导出结构体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光导出结构体，其是在有机电致发光元件发射的光的导出侧设置的有机电致发光元件用的光导出结构体，在光导出侧的表面具有如下的凹凸结构，即，在将射入该结构体并从光导出侧的表面射出的光的强度与从光导出侧的表面为平面状的假想结构体的光的导出侧的表面射出的光的强度比较时，正面强度及积分强度都是1.3倍以上。

Description

光导出结构体
技术领域
本发明涉及设于有机电致发光元件(以下有时称作有机EL元件。)发射的光的导出侧的有机电致发光元件用的光导出结构体、使用该光导出结构体的发光装置、以及照明装置。
背景技术
有机EL元件是作为发光材料使用了有机物的发光元件，包含一对电极(阳极及阴极)、和设于该电极间的发光层而构成。如果对该有机EL元件施加电压，则会从阳极注入空穴，并且从阴极注入电子，这些空穴和电子在发光层中结合，从而发光。
在有机EL元件内部产生的光穿过电极向外射出，该光被作为显示装置或照明装置的光源利用。但是，在元件内部产生的光并非全部向外射出，其大部分因反射等而被关入元件内部，无法有效地利用。
由于作为光源要求规定的亮度，因此提出过如下的发光装置，即，通过将具备抑制反射等的结构的棱镜片配置于有机EL元件的光导出侧，来提高沿法线方向射出的光的比例，法线方向的亮度被提高了的发光装置(例如参照日本特开2007-5277号公报)。
虽然有机EL元件被作为规定的装置的光源利用，然而作为其特性所要求的内容随着搭载它的装置而多种多样。由此，所述的提高了法线方向的亮度的以往的有机EL元件虽然对于要求法线方向的亮度的特定的装置来说有用，然而对于其他种类的装置未必能说有用。
发明内容
本发明的目的在于，提供实现可以用在除法线方向的亮度外还要求其他特性的装置中的有机EL元件的光导出结构体、及使用了该光导出结构体的发光装置、以及照明装置。
本发明涉及下述光导出结构体、发光装置及照明装置。
[1]一种光导出结构体，其是在有机电致发光元件发射的光的导出侧设置的有机电致发光元件用的光导出结构体，
在光导出侧的表面具有如下的凹凸结构，即，在将射入该结构体并从光导出侧的表面射出的光的强度与从光导出侧的表面为平面状的假想结构体的光的导出侧的表面射出的光的强度比较时，正面强度及积分强度都是1.3倍以上。
[1]的结构体更具体来说，是在有机电致发光元件发射的光的导出侧设置的有机电致发光元件用的光导出结构体，
该结构体在该结构体的光导出侧的表面具有凹凸结构，
该凹凸结构是如下的凹凸结构，即，
有机电致发光元件发射的光射入该结构体的光入射侧的表面时从该结构体的光导出侧的表面射出的光的正面强度及积分强度，相对于上述光射入光导出侧的表面为平面状的假想结构体的入射侧的表面时从光导出侧的表面射出的光的正面强度及积分强度
分别是1.3倍以上。
[2]根据[1]所述的结构体，其中，在从平行地配置的面状光源向该结构体照射光时，如果在与所述光导出侧的表面的法线方向形成角度θ°的方向，将从所述光导出侧的表面射出的光的强度设为I(θ°)，则满足下式(1)
I(35°)/I(70°)＞5    式(1)
雾值为60％以上，并且总光线透过率为60％以上。
[2]的结构体更具体来说，是满足以下的(A)、(B)及(C)的条件的[1]所述的光导出结构体。
在从与该结构体的光入射侧的表面平行配置的面状光源向该结构体照射光时，
(A)如果在与该结构体的光导出侧的表面的法线方向形成角度θ°的方向，将从光导出侧的表面射出的光的强度设为I(θ°)，则满足下式(1)
I(35°)/I(70°)＞5    式(1)。
(B)该结构体的雾值为60％以上。
(C)该结构体的总光线透过率为60％以上。
[3]根据[1]或[2]所述的光导出结构体，其中，还满足下式(2)：
I(0)/I(35)＞1.5    式(2)。
[4]根据[1]或[2]所述的光导出结构体，其中，所述凹凸结构是将多个粒状结构物分散地配置于表面上而构成的。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的光导出结构体，其是支承基板、粘接层以及具有所述光导出侧的表面的膜依次被层叠而成，
所述膜的折射率nf、支承基板的折射率ns以及粘接层的折射率na当中的最大值与最小值之差的绝对值小于0.2。
支承基板通常来说是有机电致发光元件的支承基板。
[6]一种发光装置，其具备使用了[1]～[5]中任一项所述的光导出结构体的有机电致发光元件。
光导出结构体通常来说设于有机电致发光元件发出的光的导出侧。
[7]一种照明装置，其具备[6]所述的发光装置。
另外，本发明还涉及[1]～[4]中任一项所述的光导出结构体的作为有机电致发光元件用的光导出结构体的使用。
另外，本发明还涉及将[1]～[4]中任一项所述的光导出结构体设于有机电致发光元件的光的导出侧的、作为有机电致发光元件用的光导出结构体的使用方法。
附图说明
图1是示意性地表示光导出结构体1的图。
图2是示意性地表示与光导出结构体1比较的假想结构体11的图。
图3是用于说明I(θ°)的图。
图4是表示层叠结构的光导出结构体31的图。
图5是示意性地表示发光装置41的图。
图6是表示具备顶发射型的有机EL元件51和光导出结构体1的发光装置52的图。
图7是表示UTE12的剖面的显微镜照片的图。
图8是表示UTE12的表面的显微镜照片的图。
图9是用于说明I(θ°)的测定方法的图。
图10是表示UTE21的表面的显微镜照片的图。
图11是表示WF80的表面的显微镜照片的图。
其中，1光导出结构体，2光导出侧的表面，11假想结构体，21面状光源，31层叠结构的光导出结构体，32支承基板，33粘接层，34膜，35光导出侧的表面，41发光装置，42有机EL元件，43、44一对电极，45发光层，51有机EL元件，52发光装置，53支承基板
具体实施方式
1)光导出结构体
图1是示意性地表示本发明的一个实施方式的光导出结构体1的图。图1(1)是侧视图，图1(2)是俯视图。光导出结构体1是设于有机EL元件发射的光的导出侧的有机EL元件用的光导出结构体。
光导出结构体1在有机EL元件或者搭载该元件的发光装置中，设于最外侧。由于光导出结构体1设于有机EL元件发射的光的导出侧，因此从有机EL元件中发射的光穿过光导出结构体1向发光装置外射出。发光装置有时还被装入其他装置或壳体中。
有机EL元件根据发射的光的朝向大致上分为所谓的底发射型的元件和顶发射型的元件。底发射型的有机EL元件朝向搭载该元件的支承基板发射光。由此，有时在有机EL元件或者搭载该元件的发光装置中将光导出结构体1例如作为支承基板设置。顶发射型的有机EL元件向与支承基板相反的一侧发射光。由此，有时在发光装置中将光导出结构体1例如作为将有机EL元件气密性地密封的密封构件设置。
光导出结构体1在光导出侧的表面2具有凹凸结构。光导出侧的表面2在光导出结构体1的一对相面对的表面中，相当于与有机EL元件侧的表面(光入射侧的表面)不同的一方的表面。所以，该光导出侧的表面2在发光装置中形成气氛和界面。
在光导出侧的表面2中所构成的凹凸结构是如下的结构，即，在将射入该光导出结构体1并从光导出侧的表面射出的光的强度与从光导出侧的表面2为平面状的假想结构体的光的导出侧的表面射出的光的强度比较时，正面强度及积分强度都是1.3倍以上。
图2中示意性地表示与本发明的光导出结构体1比较的假想结构体11。图2(1)是侧视图，图2(2)是俯视图。如图2所示，假想结构体11的一对相面对的表面双方为平面状。即，假想结构体11不具有凹凸结构。假想结构体11除了表面的形状不同以外，是与光导出结构体1相同的构成。
在向具有凹凸结构的光导出结构体1、和不具有凹凸结构的假想结构体11射入相同的光时，从具有凹凸结构的光导出结构体1中射出的光的正面强度是从不具有凹凸结构的假想结构体11中射出的光的正面强度的1.3倍以上。在向具有凹凸结构的光导出结构体1、和不具有凹凸结构的假想结构体11射入相同的光时，从具有凹凸结构的光导出结构体1中射出的光的积分强度是从不具有凹凸结构的假想结构体11中射出的光的积分强度的1.3倍以上。正面强度及积分强度只要是1.3倍以上即可，其上限没有特别限定，然而如果仅正面强度过强，则也会有不恰当的情况，正面强度的倍率例如为5倍以下，积分强度的倍率例如为5倍以下。
出射光的正面强度表示光导出结构体1的厚度方向的光的强度。虽然光导出侧的表面2具有凹凸结构，然而由于在将该凹凸结构假定为宏观上平均化了的平面时，该平面的法线方向与光导出结构体1的厚度方向一致，因此出射光的正面强度表示光导出结构体1的所述光导出侧的表面的法线方向的光强度。
与之不同，出射光的积分强度对于与配置入射光的光源的一侧相反一侧射出的光而言，是并非仅对相对于光导出侧的表面2的法线方向、而是对沿光导出侧的表面2的所有方向射出的光的强度加以积分而得的值。
虽然有机EL元件被作为各种的装置的光源利用，然而作为其特性所要求的内容随着所被搭载的装置而多种多样。既有像背景技术中说明的那样的要求法线方向的亮度高的装置，然而也有要求沿所有方向均匀地发射光的装置。即，仅法线方向突出而亮度高的装置也有不适当的装置。例如，在像普通照明那样要求均匀发光的光源中，要求扩散性高的光导出结构体。由此，以往分别进行过目的在于即使牺牲法线方向以外的方向(所谓的倾斜方向)的光强度也要提高正面强度的研究开发、目的在于牺牲正面强度而实现所有方向的均匀的发光的研究开发。此种状况下，本发明人等发现，如果将正面强度及积分强度都是1.3倍以上的光导出结构体1应用于有机EL元件中，则作为发光装置来说十分有用。例如，在将有机EL元件作为照明装置的光源利用的情况下，优选出射光的正面强度高并且可以没有阴影地照射室内等的照明装置，而通过将正面强度及积分强度都是1.3倍以上的光导出结构体1应用于有机EL元件中，就可以实现此种照明装置。它利用的是可以将元件自身作为面状的光源(二维)这样的有机EL元件所特有的性质。
例如无机LED或荧光灯等是点状(零维)或线状(一维)的光源，因此在将其作为照明装置利用时，与正面强度相比扩散性更为重要。由此研究过使积分强度提高的光导出结构体的应用。但是，有机EL元件由于可以将元件自身作为面状的光源(二维)，因此通过应用正面强度和积分强度双方都提高的光导出结构体1，就可以提高作为照明装置的性能。
光导出结构体1在从平行地配置的面状光源向该光导出结构体照射光时，如果在与法线方向形成角度θ°的方向，将从所述光导出侧的表面射出的光的强度设为I(θ°)，则优选满足下述式(1)，雾值为60％以上，并且总光线透过率为60％以上。以下有时将I(θ°)的比称作扩散参数。
I(35)/I(70)＞5     式(1)
如果雾值小于60％，则会有无法获得足够的光散射效果的情况，如果总光线透过率小于60％，则会有无法导出足够的光的情况，因此在搭载有机EL元件的发光装置中使用了此种光导出结构体1的情况下，有可能无法实现足够的光导出效率，然而通过使用雾值为60％以上、并且总光线透过率为60％以上的光导出结构体1，就可以实现显示出高导出效率的发光装置。
雾值由以下的式子表示。雾值可以用JIS K 7136“塑料-透明材料的雾值的求法”中记载的方法来测定。
雾值(浊度值)＝(扩散透过率(％)/总光线透过率(％))×100(％)
总光线透过率可以用JIS K 7361-1“塑料-透明材料的总光线透过率的试验方法”中记载的方法来测定。
图3是用于说明I(θ°)的图。将沿法线方向射出的光的强度定义为I(0)。面状光源21被以使光导出侧的表面2与发光面平行的方式与光导出结构体1平行地配置。如前所述由于有机EL元件自身成为面状光源，因此该面状光源21是模拟有机EL元件的光源。I(θ)的测定方法在实施例的项目中进行说明。
I(35)表示从法线方向倾斜35°的方向的光的强度，I(70)表示从法线方向倾斜70°的方向的光的强度。I(35)/I(70)越高，则越是沿正面方向射出光，因此在高到超过5的情况下，就可以将该光导出结构体1适应于例如照明装置中。如果I(35)/I(70)过高，则仅正面方向的光强度变得过高，因此为了照射宽广的范围，优选为30以下。
光导出结构体1优选还满足下述式(2)。
I(0)/I(35)＞1.5    式(2)
I(0)/I(35)越高，则越是沿正面方向射出光，因此在高到超过1.5的情况下，就可以将该光导出结构体1适应于例如照明装置中。
如果I(0)/I(35)过高，则仅正面方向的光强度变高，因此为了照射宽广的范围，优选为10以下。
光导出结构体1的光导出侧的表面2的凹凸结构优选通过将多个粒状结构物分散地配置于表面上而构成。粒状结构物既可以一体化地形成于光导出侧的表面部，也可以附着于表面上。粒状结构物既可以周期性地配置，也可以非周期性地配置。在非周期性地配置粒状结构物的情况下，可以抑制由粒状结构物引起的光的干涉，因此可以防止莫尔条纹等的产生。对于将多个粒状结构物分散地配置于表面上的光导出结构体的例子表示于图7、8、10中。
如果凸面或凹面的各形状的、与光导出结构体1表面平行的方向的大小(即宽度)过大，则会有光导出结构体1表面的亮度变得不均匀的趋势，如果过小，则会有光导出结构体1的制作成本升高的趋势，因此优选为0.5μm～100μm，更优选为1μm～50μm。凸面或凹面的各形状的、光导出结构体1表面的法线方向的高度通常来说由凸面或凹面的各形状的宽度、设置凹凸结构的周期决定，通常来说优选为凹面或凸面的各形状的宽度以下、或者形成凹凸结构的周期以下，为0.25μm～70μm，优选为0.5μm～50μm。
凸面或凹面的形状没有特别限制，然而优选具有曲面，例如优选半球形状。如果将凹面或凸面非周期性地配置，则可以与前述相同地防止莫尔条纹等，因此优选。在从光导出结构体1的表面的法线方向的一方观看时，光导出结构体1的光导出侧的表面2当中，形成凹面或凸面的区域的面积优选为光导出结构体1的表面的面积的60％以上，其上限是将凹面和凸面在表面上铺满的状态的值。
构成光导出结构体1的材料只要是透明材料即可，也可以使用玻璃等无机物、有机物(低分子化合物或高分子化合物)。作为光导出结构体1中所用的高分子化合物，可以举出聚芳酯、聚碳酸酯、聚环烯烃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯磺酸、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯等。光导出结构体1的厚度没有特别限制，然而如果过薄则处置就会变难，如果过厚就会有总光线透过率降低的趋势，因此优选为50μm～2mm，更优选为80μm～1.5mm。
由玻璃等无机材料构成的光导出结构体可以通过蚀刻由无机材料构成的平板状的基台来获得。例如可以通过在平板状的基台表面中，选择性地蚀刻形成凹凸形状的部位来获得。具体来说，可以通过在由无机材料构成的基台表面图案形成保护膜，实施液相蚀刻或气相蚀刻等来形成凹凸结构。保护膜例如可以使用光刻胶来图案形成。
对于由有机材料构成的光导出结构体，例如可以利用以下的(1)～(5)的方法在表面形成凹凸结构。(1)通过将表面为凹凸状的金属板向加热了的膜上推压而转印金属板的凹凸形状的方法；(2)使用表面为凹凸状的辊子，压延高分子片或膜的方法；(3)将含有有机材料的溶液或分散液向表面为凹凸形状的基台上滴加而成膜的方法；(4)在形成由可以聚合的单体构成的膜后，将该膜的一部分选择性地光聚合，除去未聚合部分的方法；(5)在高湿度条件下将高分子溶液向基台上浇注，向表面转印水滴结构的方法。
光导出结构体既可以构成单层结构，也可以构成层叠结构。图4中表示层叠结构的光导出结构体31。层叠结构的光导出结构体31是将支承基板32、粘接层33、以及具有所述光导出侧的表面35的膜34依次层叠而构成的。
如图4所示，膜34将与具有凹凸结构的光导出侧的表面35相反一侧的表面与支承基板32相面对地贴合到支承基板32上。在粘接层33中，可以使用热固化性树脂、光固化性树脂、粘接剂及粘合材料等。例如在借助热固化性树脂将膜34贴合到支承基板32后，通过在规定的温度下加热热固化性树脂，就可以将膜34粘接在支承基板32上，另外，在借助光固化性树脂将膜34贴合到支承基板32上后，例如通过对光固化性树脂照射紫外线，就可以将膜34粘结在支承基板32上。
在支承基板32上直接形成膜34的情况下，也可以不使用所述粘接层，另外在通过加工支承基板32的表面而形成凹凸结构的情况下，也不需要使用粘接层。
膜34的光导出侧的表面的形状是与所述的光导出结构体1的光导出侧的表面相同的构成。
当在膜34与支承基板32之间形成空气的层时，就会在该空气的层的界面中产生光的反射，因此会有光导出效率降低的趋势。为此，优选将膜34和支承基板32以使其间不形成空气的层的方式夹隔着粘接层33贴合。
膜34的折射率nf、粘接层33的折射率na、以及支承基板32的折射率ns当中的最大值与最小值的差的绝对值优选小于0.2。即，光导出结构体31优选满足下式(3)。
|nf-ns|＜0.2
|nf-na|＜0.2        式(3)
|ns-na|＜0.2
通过像这样使膜34、粘接层33、以及支承基板32的折射率的最大值与最小值的差的绝对值小于0.2，就可以抑制在光导出结构体31内部产生的反射，可以提高光导出效率。
构成层叠结构的光导出结构体31的膜34和支承基板32与前述的光导出结构体1相同，只要由透明材料构成即可，例如可以使用作为光导出结构体1的材料例示的材料来形成。
膜34及支承基板32的厚度没有特别限定，然而夹隔着粘接层33将膜34与支承基板32贴合的层叠结构的光导出结构体31的厚度优选为50μm～2mm，更优选为80μm～1.5mm。
2)发光装置
发光装置具备有机EL元件，其具备使用了在有机电致发光元件发射的光的导出侧设置得的前述的光导出结构体的有机电致发光元件。有机EL元件通常来说具备支承基板。如前所述在底发射型的有机EL元件中，既可以将夹隔着粘接层将膜贴合到支承基板上的层叠结构的光导出结构体用于有机EL元件中，另外也可以作为支承基板使用光导出结构体。
图5是示意性地表示本实施方式的发光装置41的图。图5中作为一个实施例，表示出具备使用了构成层叠结构的光导出结构体31的有机EL元件42的发光装置41。有机EL元件42是朝向支承基板侧发射光的底发射型的元件。光导出结构体31并不限于层叠结构，也可以是单层结构的，例如也可以将在表面具有凹凸结构的支承基板作为光导出结构体使用。
本实施方式中光导出结构体31作为光导出结构体发挥作用，并且还作为搭载有机EL元件42的支承基板发挥作用。图5中表示出将有机EL元件42的电极与支承基板32接触地配置的发光装置41，然而也可以在电极与支承基板32之间夹设规定的构件。将光导出结构体31以使光导出侧的表面35位于发光装置41的最外侧的表面的方式配置。
由于光导出结构体31具有如前所述的光学特性，因此在该光导出结构体31中搭载了有机EL元件42的发光装置41的出射光的正面强度及积分强度提高。由此，发光装置41例如可以作为适于照明装置的光源利用。
有机EL元件具备一对电极43、44和配置于该电极间的发光层45。一对电极43、44中的一方的电极作为阳极发挥作用，另一方的电极作为阴极发挥作用。在一对电极43、44之间，考虑到工序的简易性及特性等，并不限于一层的发光层，有时设置多个发光层或规定的层。
本实施方式中由于将底发射型的有机EL元件设于光导出结构体31中，因此一对电极43、44中的靠近光导出结构体31配置的一方的电极43由显示出光透过性的电极构成。即，从发光层中发射的光穿过显示出光透过性的一方的电极43、光导出结构体31向外射出。
由于本发明的光导出结构体可以适应于面状的光源中，因此应用光导出结构体的有机EL元件的大小优选为体现出作为面状光源的特性的程度以上，例如俯视时优选为10mm见方以上。对于有机EL元件的构成的详细情况在后面叙述。
如前所述，本发明的光导出结构体还可以用于向与搭载有机EL元件的支承基板相反一侧发射光的所谓顶发射型的有机EL元件中。图6表示具备顶发射型的有机EL元件51、和光导出结构体1的发光装置52。光导出结构体1并不限于单层结构的，也可以是层叠结构的。
本实施方式的发光装置52具备搭载有机EL元件51的支承基板53。
由于有机EL元件51向与支承基板53相反的一侧发射光，因此在有机EL元件发射的光的导出侧设置的光导出结构体1以有机EL元件51为基准设于与支承基板53相反的一侧。即，有机EL元件51由光导出结构体1和支承基板53夹持。也可以在光导出结构体1与有机EL元件51之间夹设规定的构件。
由于有机EL元件向与支承基板53相反的一侧(光导出结构体1侧)发射光，因此一对电极中的靠近光导出结构体1配置的电极由显示出光透过性的电极构成。即，从发光层中发射的光穿过显示出光透过性的电极、光导出结构体1向外射出。
此种光导出结构体1例如也作为密封构件发挥作用。
(有机EL元件)
下面对有机EL元件的构成进行更详细的说明。
如前所述，在一对电极间，除了发光层以外，有时还设置规定的层，另外，发光层并不限于1层，有时设置多层。作为设于阴极与发光层之间的层，可以举出电子注入层、电子输送层、空穴阻挡层等。在阴极与发光层之间设置电子注入层和电子输送层双方的层的情况下，将与阴极接触的层称作电子注入层，将除去该电子注入层以外的层称作电子输送层。
电子注入层具有改善来自阴极的电子注入效率的作用。电子输送层具有改善来自与阴极侧的表面接触的层的电子注入的作用。空穴阻挡层具有阻塞空穴的输送的作用。在电子注入层和/或电子输送层具有阻塞空穴的输送的作用的情况下，这些层有时兼作空穴阻挡层。
对于空穴阻挡层具有阻塞空穴的输送的作用的情况，例如可以制作仅流过空穴电流的元件，由其电流值的减少来确认阻塞的效果。
作为设于阳极与发光层之间的层，可以举出空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层等。在阳极与发光层之间设置空穴注入层和空穴输送层双方的层的情况下，将与阳极接触的层称作空穴注入层，将除去该空穴注入层以外的层称作空穴输送层。
空穴注入层具有改善来自阳极的空穴注入效率的作用。空穴输送层具有改善来自与阳极侧的表面接触的层的空穴注入的作用。电子阻挡层具有阻塞电子的输送的作用。在空穴注入层和/或空穴输送层具有阻塞电子的输送的作用的情况下，这些层有时兼作电子阻挡层。
对于电子阻挡层具有阻塞电子的输送的作用的情况，例如可以制作仅流过电子电流的元件，由其电流值的减少来确认阻塞的效果。
有时将电子注入层及空穴注入层总称为电荷注入层，有时将电子输送层及空穴输送层总称为电荷输送层。
将本实施方式的有机EL元件能够采用的层构成的一例表示如下。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴注入层/发光层/阴极
c)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极
d)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/阴极
e)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
f)阳极/空穴输送层/发光层/阴极
g)阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极
h)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
i)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
j)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/阴极
k)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极
l)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
m)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
n)阳极/发光层/电子注入层/阴极
o)阳极/发光层/电子输送层/阴极
p)阳极/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
这里，记号“/”表示将夹隔着记号“/”的各层相邻地层叠。以下相同。
本实施方式的有机EL元件也可以具有2层以上的发光层。在上述a)～p)的层构成中的任意一个中，如果将由阳极和阴极夹持的层叠体设为“结构单元A”，则作为具有2层的发光层的有机EL元件的构成，可以举出下述q)中所示的层构成。具有2个的(结构单元A)的层构成彼此既可以相同，也可以不同。
q)阳极/(结构单元A)/电荷产生层/(结构单元A)/阴极
如果将“(结构单元A)/电荷产生层”设为“结构单元B”，则作为具有3层以上的发光层的有机EL元件的构成，可以举出下述r)中所示的层构成。
r)阳极/(结构单元B)x/(结构单元A)/阴极
记号“x”表示2以上的整数，(结构单元B)x表示将结构单元B层叠x级而成的层叠体。具有多个的(结构单元B)的层构成既可以相同，也可以不同。
这里，所谓电荷产生层是通过施加电场而产生空穴和电子的层。作为电荷产生层，例如可以举出由氧化钒、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide：简称ITO)、氧化钼等构成的薄膜。
对于层叠的层的顺序、层数以及各层的厚度，可以考虑发光效率、元件寿命而适当地设定。
下面，对构成有机EL元件的各层的材料及形成方法进行更具体的说明。
<基板>
基板优选使用在制造有机EL元件的工序中不会变化的基板，例如可以使用玻璃、塑料、高分子膜、及硅板、以及将它们层叠而成的基板等。作为所述基板，可以使用市售的基板，另外可以利用公知的方法制造。
<阳极>
在从发光层中发射的光穿过阳极向外射出的构成的有机EL元件的情况下，在阳极中使用显示出光透过性的电极。作为显示出光透过性的电极，可以使用金属氧化物、金属硫化物及金属等的薄膜，优选使用电导率及光透过率高的材料。具体来说，可以使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide：简称IZO)、金、铂、银、及铜构成的薄膜，它们当中，优选使用由ITO、IZO、或氧化锡构成的薄膜。作为阳极的制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法等。作为该阳极，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机的透明导电膜。
阳极的膜厚可以考虑所要求的特性及工序的简易性等适当地设定，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
<空穴注入层>
作为构成空穴注入层的空穴注入材料，可以举出氧化钒、氧化钼、氧化钌、以及氧化铝等氧化物，苯基胺系、星爆型(スタ一バ一スト型)胺系、酞菁系、无定形碳、聚苯胺、以及聚噻吩衍生物等。
作为空穴注入层的成膜方法，例如可以举出从含有空穴注入材料的溶液开始的成膜。例如可以通过将含有空穴注入材料的溶液利用规定的涂布法涂布成膜，继而将其固化来形成空穴注入层。
作为从溶液开始的成膜中所用的溶剂，只要是溶解空穴注入材料的溶剂，就没有特别限制，可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙酮、甲乙酮等酮系溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂，以及水。
作为涂布法可以举出旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、拉丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨打印法等。
空穴注入层的膜厚可以考虑所要求的特性及工序的简易性等适当地设定，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。
<空穴输送层>
作为构成空穴输送层的空穴输送材料，可以举出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚对苯乙炔或其衍生物、或者聚(2，5-噻吩乙炔)或其衍生物等。
它们当中，作为空穴输送材料，优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚对苯乙炔或其衍生物、或者聚(2，5-噻吩乙炔)或其衍生物等高分子空穴输送材料，更优选为聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子的空穴输送材料的情况下，优选分散于高分子粘合剂中使用。
作为空穴输送层的成膜方法，没有特别限制，如果是低分子的空穴输送材料，则可以举出从含有高分子粘合剂和空穴输送材料的混合液开始的成膜，如果是高分子的空穴输送材料，则可以举出从含有空穴输送材料的溶液开始的成膜。
作为从溶液开始的成膜中所用的溶剂，只要是溶解空穴输送材料的溶剂，就没有特别限制，可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙酮、甲乙酮等酮系溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂等。
作为从溶液开始的成膜方法，可以举出与所述的空穴注入层的成膜法相同的涂布法。
作为所混合的高分子粘合剂，优选不会极度阻碍电荷输送的材料，另外，优选使用对可见光的吸收弱的材料，例如可以举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
作为空穴输送层的膜厚，最佳值根据所用的材料而不同，以使驱动电压和发光效率成为适度的值的方式适当地设定，至少需要不产生针孔的厚度，如果太厚，则元件的驱动电压升高，因此不够理想。所以，该空穴输送层的膜厚例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。
<发光层>
发光层通常来说主要由发出荧光和/或磷光的有机物、或者由该有机物和辅助它的掺杂剂形成。掺杂剂例如是为了提高发光效率、改变发光波长而添加的。发光层中所含的有机物无论是低分子化合物还是高分子化合物都可以。一般来说与低分子相比向溶剂中的溶解性高的高分子化合物适应于涂布法，因此发光层优选含有高分子化合物，作为高分子化合物优选含有聚苯乙烯换算的数均分子量为103～108的化合物。作为构成发光层的发光材料，例如可以举出以下的色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料、掺杂剂材料。
(色素系材料)
作为色素系材料，例如可以举出环戊胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳烯衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。
(金属络合物系材料)
作为金属络合物系材料，例如可以举出在中心金属中具有Tb、Eu、Dy等稀土类金属或者Al、Zn、Be、Ir、Pt等、在配体中具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物，例如可以举出铱络合物、铂络合物等具有来自三重线激发态的发光的金属络合物、铝羟基喹啉络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、菲咯啉铕络合物等。
(高分子系材料)
作为高分子系材料，可以举出聚对苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、将上述色素系材料或金属络合物系发光材料高分子化了的材料等。
上述发光性材料当中，作为发出蓝色光的材料，可以举出二苯乙烯基芳撑衍生物、噁二唑衍生物、以及它们的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚对亚苯衍生物、聚芴衍生物等。其中，尤其优选高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚对亚苯衍生物或聚芴衍生物等。
作为发出绿色光的材料，可以举出喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、以及它们的聚合物、聚对苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚对苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等。
作为发出红色光的材料，可以举出香豆素衍生物、噻吩环化合物、以及它们的聚合物、聚对苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚对苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。
作为发出白色光的材料，也可以将以下物质作为该材料使用，即，混合上述的发出蓝色、绿色、红色各种颜色的光的材料而得的材料，或以成为发出各色光的材料的成分作为单体而将其聚合的聚合物。也可以将分别使用发出各色光的材料形成的发光层层叠，实现作为整体发出白色光的元件。
(掺杂剂材料)
作为掺杂剂材料，例如可以举出苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方鎓衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、丁省衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁嗪酮等。此种发光层的厚度通常来说约为2nm～200nm。
<发光层的成膜方法>
作为发光层的成膜方法，可以使用涂布含有发光材料的溶液的方法、真空蒸镀法、转印法等。作为从溶液开始的成膜中所用的溶剂，可以举出与所述的从溶液开始形成空穴注入层时所用的溶剂相同的溶剂。
作为涂布含有发光材料的溶液的方法，可以举出旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、拉丝棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法及喷嘴涂布法等涂布法，以及凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、反转印刷法、喷墨打印法等涂布法。从容易进行图案形成或容易进行多色区别涂布，优选凹版印刷法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、反转印刷法、喷墨打印法等印刷法。在显示出升华性的低分子化合物的情况下，可以使用真空蒸镀法。此外，也可以使用利用借助激光的转印或热转印仅在所需的地方形成发光层的方法。
<电子输送层>
作为构成电子输送层的电子输送材料，可以使用公知的材料，可以举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴衍生物、二苯基二氨基乙烯或其衍生物、联对苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
它们当中，作为电子输送材料，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜法，没有特别限制，然而对于低分子的电子输送材料，可以举出从粉末开始的真空蒸镀法、或者从溶液或熔融状态开始的成膜，对于高分子的电子输送材料，可以举出从溶液或熔融状态开始的成膜。在从溶液或熔融状态开始的成膜的情况下，也可以并用高分子粘合剂。作为从溶液开始形成电子输送层的方法，可以举出与所述的从溶液开始形成空穴注入层的方法相同的成膜法。
电子输送层的膜厚的最佳值根据所用的材料而不同，以使驱动电压和发光效率成为适度的值的方式适当地设定，至少需要不产生针孔的厚度，如果太厚，则元件的驱动电压升高，因此不够理想。所以，该电子输送层的膜厚例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。
<电子注入层>
作为构成电子注入层的材料，可以根据发光层的种类适当地选择最佳的材料，可以举出碱金属、碱土类金属、包含碱金属及碱土类金属中的1种以上的合金、碱金属或碱土类金属的氧化物、卤化物、碳酸化物、或这些物质的混合物等。作为碱金属、碱金属的氧化物、卤化物、以及碳酸化物的例子，可以举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。作为碱土类金属、碱土类金属的氧化物、卤化物、碳酸化物的例子，可以举出镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。电子注入层也可以由层叠2层以上的层叠体构成，例如可以举出LiF/Ca等。电子注入层可以利用蒸镀法、溅射法、印刷法等形成。作为电子注入层的膜厚，优选1nm～1μm左右。
<阴极>
作为阴极的材料，优选功函数小、向发光层中的电子注入容易、电导率高的材料。在从阳极侧导出光的构成的有机EL元件中，为了将从发光层中发射的光在阴极中向阳极侧反射，作为阴极的材料，优选可见光反射率高的材料。在阴极中，例如可以使用碱金属、碱土类金属、过渡金属及周期表的13族金属等。作为阴极的材料，例如可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，所述金属中的2种以上的合金，所述金属中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金，或者石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。作为阴极可以使用由导电性金属氧化物及导电性有机物等构成的透明导电性电极。具体来说，作为导电性金属氧化物可以举出氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、以及IZO，作为导电性有机物可以举出聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。阴极也可以由层叠2层以上的层叠体构成。有时也将电子注入层作为阴极使用。
阴极的膜厚可以考虑所要求的特性及工序的简易性等适当地设计，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
作为阴极的制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、或者将金属薄膜热压接的层压法等。
<绝缘层>
作为绝缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设有膜厚2nm以下的绝缘层的有机EL元件，可以举出与阴极相邻地设有膜厚2nm以下的绝缘层的元件、与阳极相邻地设有膜厚2nm以下的绝缘层的元件。
根据具备使用了以上说明的光导出结构体的有机EL元件的发光装置，在有机EL元件的光的导出方向的表面部配置光导出结构体。该光导出结构体由于与有机EL元件侧相反一侧的表面具有凹凸结构，因此发光装置的表面的至少一部分以凹凸状形成。从有机EL元件中发射的光的一部分射入光导出结构体，在以凹凸状形成的表面折射、扩散，向发光装置的外侧射出。设于发光装置中的光导出结构体由于具有正面强度及积分强度与平坦的表面的假想结构体相比都是1.3倍以上的凹凸结构，因此不是仅正面方向的亮度提高，而是整体的亮度提高。
由于有机EL元件能够以面状形成，因此如前所述具备此种光导出结构体的发光装置可以适于作为照明装置使用。
实施例
下面，给出本发明的实施例，然而本发明并不限定于它们。
各实施例及比较例中在有机EL元件中流过0.15mA的电流，进行此时的法线方向(正面方向)的发光强度的测定、和使用了积分球的积分强度的测定。以在表面平坦的玻璃基板上制作有机EL元件的发光装置作为基准的发光装置，比较该基准的发光装置、和各实施例及比较例的发光装置的特性。具体来说，算出将各实施例及比较例的发光装置的正面方向的发光强度·积分强度用基准的发光装置的正面方向的发光强度·积分强度分别除而得的值。在基准的发光装置中，表面平坦的玻璃基板相当于光导出侧的表面为平坦状的假想结构体。
(实施例1)
准备形成有由规定的图案形状的ITO薄膜构成的阳极的基板，对该基板进行20分钟的UV/O3清洗。然后，在聚(3，4-乙烯二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(Starck Vitec公司制、商品名：BaytronP CH8000)的悬浊液中，进行2阶段的过滤。在第一阶段的过滤中使用0.45μm直径的过滤器，在第二阶段的过滤中，使用0.2μm直径的过滤器。通过利用旋涂法将过滤了的溶液涂布于阳极上，再在大气气氛下在加热平板上进行200℃、15分钟热处理，而形成厚65nm的空穴注入层。
然后，制备Lumation WP1330(SUMATION制)的浓度为1.2质量％的二甲苯溶液。通过利用旋涂法将该溶液涂布于空穴注入层上，再在氮气气氛下在加热平板上进行130℃、60分钟热处理，而形成厚65nm的发光层。
然后，将形成有发光层的基板导入真空蒸镀机，分别以5nm、80nm的厚度依次蒸镀Ba、Al，形成阴极。金属的蒸镀是在真空度达到1×10-4Pa以下后开始的。
然后在密封玻璃的周边利用分配器涂布光固化性密封剂，通过将形成有有机EL元件的基板与密封玻璃在氮气气氛下贴合，再利用紫外线将光固化性密封剂固化而进行密封。
然后，使用无基材(ノンキヤリア)粘接剂(折射率1.5)，将具有在表面上分散地配置多个粒状结构物而构成的凹凸结构的MNteck公司制膜UTE12(折射率1.5、厚188μm)贴合在玻璃基板上。此时，以将凹凸结构配置于最表面的方式贴合到膜。本实施例1中，玻璃基板相当于支承基板，MNteck公司制膜UTE12相当于膜，无基材粘接剂相当于粘接层，将玻璃基板、无基材粘接剂及MNteck制膜UTE12依次层叠了的层叠体相当于光导出结构体。
图7中表示UTE12的剖面的显微镜照片，图8中表示表面的显微镜照片。如图7、图8所示，UTE12具有多个粒状的凹凸结构。
UTE12的总光线透过率为68.4％，雾值为82.6％，扩散参数I(35)/I(70)为7.2，I(0)/I(35)为1.7。如果将本实施例的发光装置与没有在玻璃基板上贴合UTE12的基准的发光装置相比较，则正面亮度为1.43倍，积分强度为1.34倍。
<I(θ°)的测定方法>
I (θ°)的定义如上所述，对在实施例中实际测定的I (θ°)的测定方法参照图9进行说明。如图9所示，向光导出结构体射入将入射角设为φ°的光线，在±80°的范围中每隔5°测定从光导出侧的表面射出的光当中与法线所成的角度为θ°的光强度。在光源中使用了中央精机制的卤素灯SPH-100N。在作为光源使用面状光源的情况下，不是将特定的入射角的光射入光导出结构体，而是将-90°＜φ°＜90°的光同时射入。为了将其模拟性地再现，在-80°≤φ°≤80°的范围中每次5°地改变入射光的入射角φ°，通过将在各入射角下测定的θ°方向的出射光的强度积分，而算出I(θ°)。
(实施例2)
与实施例1相同地在玻璃基板上形成有机EL元件，使用无基材粘接剂(折射率1.5)，将具有在表面上分散地配置多个粒状结构物而构成的凹凸结构的MNteck公司制膜UTE21(折射率1.5、厚188μm)贴合在玻璃基板上。此时，以将膜的凹凸结构配置于最表面的方式贴合于膜。
图10中表示UTE21的表面的显微镜照片。如图10所示，UTE21具有多个粒状的凹凸结构。
UTE21的总光线透过率为63.4％，雾值为78.7％，扩散参数I(35)/I(70)为8.4，I(0)/I(35)为2.0。如果将本实施例的发光装置与没有在玻璃基板上贴合UTE21的基准的发光装置相比较，则正面亮度为1.45倍，积分强度为1.34倍。
(实施例3)
与实施例1相同地在玻璃基板上形成有机EL元件，使用无基材粘接剂(折射率1.5)，将具有在表面上分散地配置多个粒状结构物而构成的凹凸结构的WaveFront公司制膜WF80(折射率1.5、厚80μm)贴合在基板上。此时，以将膜的凹凸结构配置于最表面的方式贴合于膜。
图11中表示WF80的表面的显微镜照片。如图11所示，WF80具有多个粒状的凹凸结构。
WF80的总光线透过率为75.1％，雾值为89.3％，扩散参数I(35)/I(70)为6.5，I(0)/I(35)为1.1。如果将本实施例的发光装置与没有在玻璃基板上贴合WF80的基准的发光装置相比较，则正面亮度为1.42倍，积分强度为1.31倍。
(比较例1)
与实施例1相同地在玻璃基板上形成有机EL元件，使用无基材粘接剂(折射率1.5)，将作为棱镜膜的3M公司制膜BEF100(折射率1.5、厚150μm)贴合在玻璃基板上。此时，以将膜的凹凸结构配置于最表面的方式贴合于膜。
如果将本实施例的发光装置与没有在玻璃基板上贴合BEF100的基准的发光装置相比较，则正面亮度为1.26倍，积分强度为1.25倍。
(比较例2)
与实施例1相同地在玻璃基板上形成有机EL元件，使用无基材粘接剂(折射率1.5)，将具有在表面上分散地配置多个粒状结构物而构成的凹凸结构的惠和商工公司制膜Opalus PCM1(折射率1.5、厚120μm)贴合在玻璃基板上。此时，以将膜的凹凸结构配置于最表面的方式贴合于膜。
PCM1的总光线透过率为92.7％，雾值为86.0％，扩散参数I(35)/I(70)为2.0，I(0)/I(35)为1.3。如果将本实施例的发光装置与没有在玻璃基板上贴合PCM1的基准的发光装置相比较，则正面亮度为1.24倍，积分强度为1.26倍。
如果对以上加以总结，则实施例1、2、3与比较例1、2相比光导出效率高，正面亮度、积分强度双方与基准的发光装置相比都是1.3倍以上。
表1
Figure BPA00001481038500231
工业上的可利用性
根据本发明，可以提供实现能够用于除法线方向的亮度以外还要求其他特性的装置中的有机EL元件的光导出结构体、及使用该光导出结构体的发光装置、以及照明装置。

Claims (7)

1.一种光导出结构体，其是在有机电致发光元件发射的光的导出侧设置的有机电致发光元件用的光导出结构体，其特征在于，
所述结构体在所述结构体的光导出侧的表面具有凹凸结构，
所述凹凸结构是如下的凹凸结构：
有机电致发光元件发射的光射入所述结构体的光入射侧的表面时从所述结构体的光导出侧的表面射出的光的正面强度及积分强度，相对于所述光射入光导出侧的表面为平面状的假想结构体的入射侧的表面时从光的导出侧的表面射出的光的正面强度及积分强度分别为1.3倍以上。
2.根据权利要求1所述的光导出结构体，其满足以下的(A)、(B)及(C)的条件：
在从与所述结构体的光入射侧的表面平行配置的面状光源向所述结构体照射光时，
(A)如果在与所述结构体的光导出侧的表面的法线方向形成角度θ°的方向，将从光导出侧的表面射出的光的强度设为I(θ°)，则满足下式(1)
I(35°)/I(70°)＞5     式(1)；
(B)所述结构体的雾值为60％以上；
(C)所述结构体的总光线透过率为60％以上。
3.根据权利要求2所述的光导出结构体，其还满足下式(2)：
I(0)/I(35)＞1.5     式(2)。
4.根据权利要求1或2所述的光导出结构体，其中，所述凹凸结构是将多个粒状结构物分散地配置于表面上而构成的。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光导出结构体，其是支承基板、粘接层以及具有所述光导出侧的表面的膜依次被层叠而成，
所述膜的折射率nf、支承基板的折射率ns以及粘接层的折射率na当中的最大值与最小值之差的绝对值小于0.2。
6.一种发光装置，其特征在于，具备使用了权利要求1～5中任一项所述的光导出结构体的有机电致发光元件。
7.一种照明装置，其特征在于，具备权利要求6所述的发光装置。
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