CN102791391A - 处理基片的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本申请描述用于处理基片的至少部分区域的数种方法和装置。在所述方法中，将至少一种液体施加到基片至少一个部分区域，并向此液体引入电磁辐射，以根据各方法达到所需效果。在一种方法中，在施加液体前通过UV辐射在液体中产生自由基，其中在产生自由基之后立即将液体施加到基片。在一种方法中，将电磁辐射引入所述液体，使得至少一部分辐射到达基片表面。在另一种方法中，将预定范围波长的UV辐射引导通过所述液体，到所述基片表面的至少该部分区域上。方法可在共同装置中以任何所需次序连续和/或并行进行。

Description

处理基片的方法和装置
本发明涉及处理基片的方法和装置，其中将液体供给到至少部分基片区域，并向液体中引入辐射。
在半导体领域，已知在制造期间和用于该领域期间，必须使例如光掩模暴露于不同的处理步骤，特别是清洗步骤。特别已知使掩模暴露于湿清洗过程。对于此类湿清洗过程，为了能够更好地由施加的工艺介质润湿待清洗表面，待清洗表面具有亲水表面性质是有利的。然而，由于不同现象，光掩模的表面在清洗前经常为疏水性，这一方面是由吸收的水分子的取向导致，另一方面由薄有机层导致。
因此，在本领域已知在湿清洗前用UV辐射照射掩模，同时使掩模处于气体气氛，如氮或氧气氛。在此过程中，通常使用具有约172nm波长的UV辐射。
气体气氛中的此类UV辐射可引发数种不同过程，如在表面的烃由原子氧氧化、在基片表面的金属由原子氧氧化、由光子去除亲水分子湿层和由UV能量活化吸附的离子。具体地讲，可使疏水表面区域变成亲水表面区域。然而，UV辐射的光子通常以高能量不受阻碍地碰撞在基片的表面上。这可在基片中产生应力和/或弛豫过程，特别是在基片上的精细结构中。因此，这可导致结构位移，这可负面影响基片的适用性。
另外，已知在此类表面制备后提供湿处理，其中液体膜至少在基片上局部形成，并且将UV辐射引入液体膜中。在此过程中，液体和UV辐射匹配，使得为了在其中产生自由基，在液体膜中吸收大部分UV辐射。具体地讲，已知在例如稀释的过氧化氢水或臭氧水O3-H2O中产生羟自由基。这类羟自由基导致从基片表面选择性溶解有机物质，而不伤害基片表面上的金属材料，如果它们存在。
这种方法例如公开于US 2006/0207629 A1。特别地讲，施加由例如臭氧水、过氧化氢水、氨水、过氧化氢溶液、硫酸、有机酸及其混合物制成的液体膜。然后，为了产生自由基，通过窗将UV辐射引入液体膜，窗对UV辐射透明，并与液体膜接触。再次使UV辐射源和液体膜匹配，使得在液体膜中产生UV辐射的高吸收率，如果可能，完全吸收。
在上述去除污染物特别是有机污染物后，还从基片表面去除残余离子可能是有用的。用于此目的的已知方法通常使用加热的液体，特别是去离子水(DI水)，以冲洗表面。在此，可能出现这样的问题：为了完全去除残余离子，需要较长的液体施加时间或高温液体。高温可能是个问题，因为对液体的加热过程可能在其中导致污染物。在温度升高接近相应液体的沸点时，特别如此。在处理温度敏感基片或基片层中，还可能离子的溶解度低于所需值。考虑到效率因素，为补偿温度降低而延长施加时间不合乎需要。
从已知处理方法出发，本发明的目的是提供处理基片的改进装置和改进方法。根据本发明的一个方面，应改善亲水基片表面的产生。根据另一方面，应改善基片表面的清洗。根据本发明的再一个方面，应改善从基片表面去除离子。
根据本发明，通过权利要求1的方法、权利要求14的方法、权利要求27的方法、权利要求32的方法、权利要求37的方法或权利要求42的装置，可解决一个或多个这些方面。本发明的其它实施方案在各自的从属权利要求中要求保护。
特别地讲，本发明提供一种清洗基片的方法，其中将液体施加到所述基片的至少部分区域，其中在液体施加到基片之前，通过UV辐射产生自由基，和其中产生所述自由基之后立即将液体施加到基片，使得至少部分自由基到达基片。同时，通过在液体施加到基片前预处理液体，可保证在液体到达基片表面之前破坏或实质上减少不需要的反应性组分，如臭氧。
通过在产生自由基之后立即将液体施加到基片，这可由其中具有活化自由基的介质的靶向方向流动保证，这些自由基中的至少部分到达基片，因此可实现基片表面的改进清洗。为了保持自由基活化和/或产生进一步的自由基，也可优选将UV辐射引入到由活化液体在基片上形成的液体膜，所述活化液体施加到基片，并且含有自由基或自由基的前体。这样做时，可延长自由基在液体中的有效持续时间，导致基片表面的改进清洗。
在液体施加到基片前引入液体中和引入所述基片上的液体膜中的UV辐射可至少部分由相同辐射源发射，由此使方法简化。为了局部清洗基片的表面区域，可使含有自由基的液体限制于待清洗基片的经选择表面区域。
为了产生自由基，可使用具有例如140nm至280nm波长的UV辐射，取决于液体而在140nm至200nm范围内，这样的UV辐射在大多数液体中具有高吸收率。在所述波长范围的UV辐射应优选匹配液体，使得在液体中吸收此UV辐射的至少50％，特别为80％。
在一个实施方案中，在液体施加到基片前将UV辐射引入液体，同时使液体沿着UV辐射源流动，其中一方面，选择UV辐射，使其引起液体分子结构的破坏，以促进随后立即产生由UV辐射可能的自由基。因此，为了有效产生自由基而制备液体，并在施加液体前减少或破坏液体中不需要的反应性组分。因此，这些组分不接触基片表面，或者只以较弱形式接触基片表面。例如，通过在液体运动的同时产生适合的前体和中间产物来进行，因为此动力学促进和均化相应的破坏或分解。选择液体的流动方向，使得液体朝向基片流动，并使得在产生自由基之后立即将液体施加到基片。通过选择适合的UV辐射，可一方面完成液体预处理，另一方面完成自由基产生。
可用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水、NH4OH、乙酸、柠檬酸、TMAH、HNO3、HCl、H3PO4或其混合物。另外，在本领域已知可使用过氧化氢溶液、硫酸或其它有机酸，其中在介质分解之后立即产生自由基可使化学品的使用过剩，这些化学品需要特殊处理。基片可以为例如下列之一：用于制造半导体的光掩模；半导体，特别是Si-晶片、Ge-晶片、GaAs-晶片或InP-晶片；平板基片；和多层陶瓷基片，或要清洗的可例如用于制造半导体的任何其它基片。这类基片可具有不同形状和大小。在清洗期间，通过自由基帮助从基片至少部分去除至少一种以下物质：碳；烃；有机污染物；和有机官能层，如正性抗蚀剂、负性抗蚀剂和离子植入抗蚀剂；压花和压印物质；应力缓冲剂和底层填料；漆；染料；生物材料；和细菌。
根据本发明的其它方面，提供从基片表面和所述基片的近表面层去除离子的方法，其中为了在所述基片至少部分区域上形成液体膜，将加热高于环境温度的液体施加到所述基片上，其中将电磁辐射引入所述液体膜，使得至少一部分所述辐射到达所述基片的表面。因此，在撞击基片表面上的残余离子时，电磁辐射导致离子迁移率增加。另外，在被吸收时，电磁辐射可增加液体的温度和/或可在其中产生自由基，两者均可促进去除离子。
在一个实施方案中，刚好在液体施加到基片上之前和/或期间，通过电磁辐射至少部分加热液体，从而在如此加热的液体到达基片之前几乎不发生能量损失。或者或另外，在施加电磁辐射之前，可将液体预热地递送到使用点。可例如将液体加热到环境温度和液体沸点之间的温度。也可在增压下进行此方法，并因此在达到沸点之前将液体加热到较高温度。
可例如用下列之一作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水或其混合物。
在一个实施方案中，向液体引入UV辐射，特别是具有高于190nm波长的UV辐射，其至少50％(特别其至少80％)到达基片表面和液体膜之间的界面。或者或另外，可向液体膜引入IR辐射，IR辐射可例如用于液体膜的原位加热。在此情况下，至少50％IR辐射应到达基片表面和液体膜之间的界面。UV辐射和IR辐射可通过相同辐射源引入。至少一部分辐射可在液体膜中产生自由基。
另一方面，本发明提供改变具有至少部分疏水基片表面的基片的表面性质的方法，其中至少部分所述疏水基片表面得到亲水表面性质。为了达到这一目的，将液体施加到其表面性质要改变的基片表面至少该部分区域，并引导预定范围波长的UV辐射通过所述液体，到达其表面性质要改变的所述基片表面的至少该部分区域上。由于在液体中特别吸收高能短波辐射，可实质减小或完全克服与基片表面区域中应力相关的问题。与干燥条件比较，液体也促进在低辐射能量下去除疏水表面层，因此也能够进一步减小在基片表面的应力。
为了良好地透射通过液体，UV辐射的预定范围波长高于190nm，其中至少80％在所述预定波长范围内的UV辐射应到达基片表面。可用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、CO2-水或其混合物。也可使用其它液体。具体地讲，也可使用DI水。
上述不同方法可有利地合并成完整方法，其中这些方法中的单个方法依次和/或并行地在相同液体中或也改变的液体中进行。具体地讲，可在单一装置中进行这些方法，而不需要在这些单独的方法之间处理基片。
另一方面，本发明提供处理基片的装置，所述装置包含用于接收基片的基片支架；限定具有入口和出口的流室的壳；第一辐射源；和用于在所述基片支架和所述壳之间产生相对移动的部件。第一辐射源布置成发射辐射进入所述流室，还能够进一步发射UV辐射。用于产生相对移动的部件能够相对于所述基片支架布置所述壳，使得出口指向基片支架，以便离开出口的液体直接流到基片支架上的基片上。
此类装置能够通过第一辐射源将辐射(特别是UV辐射)引入施加到基片的液体中。如以上方法中所述，这可例如用于产生用于产生自由基的前体和中间产物，或直接用于在液体中产生自由基。然而，也可在液体施加到基片期间加热液体。
可布置第一辐射源，以便其也发射辐射通过所述出口到壳之外。这不仅可在液体施加到基片上之前，也可在之后将辐射引入液体，以保持自由基活化或产生进一步的自由基。并且，可实现进一步加热液体或使液体保持在某一温度。另外，用于在液体施加到基片上之前将辐射引入液体的相同辐射源也可以简单方式使用，以实现使疏水表面变成亲水表面，或用于从基片表面去除离子。
在一个实施方案中，第一辐射源至少部分布置在所述流室中。壳可例如具有出口开口，其中第一辐射源可至少部分布置在出口开口中，特别是基本布置在其中央。为了在壳相对于基片单次扫描移动期间完全清洗基片，出口开口和第一辐射源可在长度上延伸，此延伸大于或至少等于要清洗的基片的宽度上的延伸。在一个实施方案中，第一辐射源包含发射UV范围辐射的第一灯，其中第一灯可另外发射IR范围辐射。第一辐射源可另外包含至少第二灯，其发射主要地不同于第一灯的波长范围的辐射。例如，在第一灯不发射IR辐射的情况下，第二灯可发射IR辐射，或者可例如发射不同波长范围的UV辐射。因此，通过分别控制第一灯和第二灯，可使辐射源匹配加工需要。第一辐射源也可具有其它灯。
根据一个实施方案，在壳中的第一和/或第二灯与流室之间提供罩，其中该至少一个罩基本对至少UV辐射透明。此类罩使得能够在没有污染物引入流室的危险下更换各灯。在此方面，罩在至少一个平面完全围绕第一和/或第二灯。罩的材料可例如为石英。
第一和/或第二灯可以为纵向灯或棒灯，其可延伸穿过流室，并且可遍布整个流室提供均匀辐射。第一灯可尤其发射140nm和280nm之间波长范围的UV辐射，可取决于液体在140nm至200nm之间，在一个实施方案中主要在此波长范围内，即，大于50％UV辐射在此波长范围内。第二灯可例如发射高于180nm波长范围的辐射和/或IR辐射。因此，可取得不同加工结果。为了随后通过140nm和280nm之间范围的辐射(取决于液体在140nm至200nm之间)促进在流室中产生自由基，高于180nm的辐射可例如主要引起在流室中某些液体的分解。
另外，可在壳的流室外面提供至少一个第二辐射源，以便其发射辐射到邻近壳出口的区域中。此中辐射源不主要使辐射发射到流室中，而是，如果适用，发射到由离开流室的液体在基片上形成的膜中。第二辐射源可主要发射不同于第一辐射源的不同波长范围辐射，即使也预期其发射基本相同辐射。具体地讲，第二辐射源可发射高于180nm波长范围的UV辐射和/或IR辐射。
可提供控制部件，其能够单独和独立控制第一和第二辐射源及其可能各灯。根据相应加工需要，这使得能够匹配施加到基片的液体中辐射的引入。
以下参照附图更详细地说明本发明，在附图中：
图1显示根据本发明的处理装置的示意俯视图；
图2显示沿着线i-i的图1的装置的示意截面图；
图3显示根据本发明的供选实施方案的类似于图2的示意截面图；
图4显示根据本发明的另一个供选实施方案的类似于图2的示意截面图；
图5显示根据本发明的再一个实施方案的类似于图2的示意截面图。
在以下描述中使用的任何方向参照(例如，上、下、左或右)是指附图，不应解释为限制本申请，即使其可能为优选的布置。
图1显示用于处理基片2的装置1的示意俯视图，图2显示沿着线I-I的装置1的示意截面图。
装置1基本由用于基片的接收器组成，将接收器称为用于施加部件6的基片支架。基片支架4和施加部件6可布置于压力室(未显示)中，其中可通过适合装置产生正压或负压。
可在附图中看到，基片支架4为用于接收同样长方形的基片2的平长方形板。基片支架4可具有其它形状，其可匹配要处理的基片2形状。基片支架4具有用于液体的排水设备(未显示)，液体可通过施加部件6施加到基片2上。
施加部件6由主要部分8和支撑部分10组成，支撑部分10以可移动方式支撑主要部分8，如双头箭头A和B所示。具体地讲，支撑部分10具有支撑臂12，支撑臂12在一端连接到主要部分8，另一端连接到驱动(未显示)。如双头箭头A和B所示，驱动可例如提供支撑臂10和由此主要部分8的枢轴运动和/或线性运动。以此方式，主要部分8可跨在所述基片支架4上接收的基片2移动，以使得能够处理所述基片的部分区域或整个表面。另外，为了调节主要部分8和在基片支架4上接收的基片2的表面之间的距离，支撑臂10也可进行提升运动。
或者或另外，为了提供基片2和主要部分8之间的相对移动，也可提供用于基片支架的移动机构。
主要部分8基本上由壳14、流体口16和辐射源18组成。壳14具有细长的长方体形体20，长方体形体20在其纵向延伸限定流室22，流室22基本上跨体20的整个长度延伸。为了能够跨基片的整个宽度施加液体到基片，流室22具有大于基片2的宽度延伸的长度延伸，如本文以下更详细解释。流室也可具有较小尺寸。流室22的内表面设计成特别是对于UV辐射具有高反射率，而IR辐射可基本上被吸收。
流室20具有基本圆形的横截面形状。流室22朝向体20的底侧敞开，使得该体限定指向要处理的基片2的出口开口。在流室22的上部，在体20中提供管道24，管道24基本上平行于流室22延伸。为了通过管道24将流体导入流室22，管道24在多个位置流体连接到流室22。在此方面，应注意到，管道24能够基本在其整个长度内将流体导入流室22。管道24也连接到流体口16。
流体口16连接到管道(未显示)，通过该管道，可将一种或多种流体引导到流体口16。可通过此管道将多种流体同时或依次引导到流体口。也可提供多个管道，例如，通过管道可将不同流体引导到流体口。可考虑例如液体作为流体，但也可将气体引导到流体口，例如，在气体与液体引导到流室22之前，气体例如可与液体在流体口16和管道24中混合。在图2中显示箭头，箭头指示流体从流体口16经管道24流入流室22，并流出壳14。
辐射源18具有纵向延伸形状，并且基本在流室中央沿着整个流室22延伸。辐射源18具有棒灯30，棒灯30由罩32包围，罩32基本对灯30的辐射透明。棒灯为在预定波长范围发射至少UV辐射的类型。棒灯30也可跨波长宽谱发射辐射，特别是发射UV辐射和IR辐射。
罩32，可由例如石英玻璃组成，在流室22内完全包围棒灯30，并且将棒灯相对于流室22中的流体隔开。罩可例如通过流室22的端壁延伸出体20。这使得能够为了更换或维修目的而访问棒灯30，而不必访问流室22。由于布置在流室22中，罩32与流室22的内壁一起形成流路，用于通过管道24将流体导入流室22。此类流体围绕罩32流动，因此总体上围绕辐射源18。棒灯30发射的辐射因此引入沿着流路流动的任何流体。另外，罩32延伸超出体20的底表面，因此部分延伸进入体20的出口开口。因此，从棒灯发射的辐射也可离开流室22朝向基片支架4或到达支架上面的基片2上。具体地讲，辐射可引入基片2上的液体膜，液体膜例如通过液体形成，该液体通过流室22流到基片上。
图3显示用于处理基片2的装置1的供选实施方案的类似于图2的示意侧视图。在描述此实施方案时，由于提供相同或类似元件，如前使用相同参考标记。
装置1也基本由用于接收基片的基片支架4和施加部件6组成。基片支架可以前面关于图1和2所述相同的方式设计。
施加部件6同样由主要部分8和支撑部分组成，支撑部分在图3中未显示，然而可具有与前面关于图1和2所述相同的设计。主要部分8同样基本由壳14、流体口16和辐射源18组成，其中壳14和流体口可具有与前面关于图1和2所述相同的设计。
辐射源18也具有细长形状，并且基本在中央延伸通过流室22。在此实施方案中，辐射源18具有棒灯30，30′，棒灯30，30′由罩32包围，罩32基本对棒灯30，30′的辐射透明。图3中显示棒灯30，30′中的一个在另一个上方，但它们也可以不同方式布置于罩32内。棒灯可以为相同或不同类型，其中至少之一发射预定波长范围的UV辐射。具体地讲，棒灯30，30′两者可发射不同波长范围的UV辐射。上棒灯30′可例如至少部分或主要发射高于180nm波长范围的UV辐射，而下棒灯30至少部分或主要发射140至280nm波长范围的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间。棒灯30，30′之一或两者也可发射一定量的IR辐射或其它辐射。
罩32将棒灯30，30′完全围绕在流室22内，并且将棒灯相对于所述流室22中的流体隔开。在此方面，罩32可具有与前面关于图1和2所述罩相同的设计。另外，在罩32内也可接收其它棒灯，这些棒灯可各自发射不同辐射或也发射相同辐射。通过布置和选择棒灯30，30′，可在流室22内和超出流室22通过体20的出口开口产生所需的辐射分布(对于发射波长及其空间分布)。
图4显示用于处理基片2的装置1的另一个供选实施方案的类似于图2的示意横截面视图。在描述此实施方案时，由于提供相同或类似元件，如前使用相同参考标记。
装置1也基本由用于接收基片的基片支架4和施加部件6组成。基片支架4可以前面关于图1和2所述相同的方式设计。
施加部件6同样由主要部分8和支撑部分组成，支撑部分在图4中未显示，但可具有与前面关于图1和2所述相同的设计。
主要部分8也基本由壳14、流体口16和辐射源18组成。另外提供两个其它辐射源40。壳14可具有与前面关于图1和2所述具细长长方体20的壳类似的设计。体20中的流室22和管道24具有与前面关于图1和2所述相同的设计。对于流体口16也是如此。
在体20的底侧提供凹槽42，凹槽42在出口开口两侧上沿着体的长度延伸。凹槽为一定尺寸，以至少部分接收其它辐射源40。凹槽42的表面可具有用于辐射源40辐射的反射表面。
辐射源18可具有与前面关于图1和2所述设计相同的设计，或者也可具有关于图3所述的设计。
辐射源40各自包含在体20的长度内延伸的棒灯，棒灯在体20的相应凹槽42中接收。即使在图4中未显示，辐射源40也可各自包含对棒灯的辐射基本透明的罩，所述罩使棒灯相对于环境隔开，特别是相对于离开流室的任何液体。辐射源40的棒灯可以为相同或不同类型，并且也可以为不同于辐射源18的棒灯30，30′的类型。也可提供仅一个辐射源40代替提供图4所示的两个辐射源40。
图5显示用于处理基片2的装置1的再一个实施方案的类似于图2的示意横截面视图。在此实施方案描述中，由于提供相同或类似元件，同样如前使用相同参考标记。
装置1也基本由用于接收基片的基片支架4和施加部件6组成。基片支架4可以前面关于图1和2所述相同的方式设计。
施加部件6也由主要部分8和支撑部分(在图5中未显示)组成。由于主要部分8(以下将描述)能够完全覆盖基片，因此，可无需支撑部分的可动性。可只需要调节距离，和为了使基片置于主要部分下的可动性。
主要部分8基本上由壳14、多个流体口16和多个辐射源18组成。壳由匹配要处理的基片形状的体20组成。在体20中形成流室22，流室22对体的底侧是开放的，其中开口基本上相当于要处理的基片尺寸。流室22的内壁为反射性。流室22的上侧通过多个管道24连接到多个流体口16(在此显示6个)。
在流室22内提供多个辐射源18(在此显示6个)，这些辐射源以纵向或横向延伸通过流室22。因此，在流室22的壁和辐射源18之间和在单个辐射源之间形成不同的流路。辐射源18可具有与前面关于图1和2或关于图3所述相同的设计。
另外提供两个其它辐射源40。壳14具有与前面关于图1和2所述具细长长方体形体20的壳类似的设计，体20中的流室22和管道24具有与前面关于图1和2所述相同的设计。对于流体口16也是如此。
上述棒灯各自连接到控制部件，控制部件能够单独和独立于其它棒灯控制或驱动棒灯。也可不使用棒灯，而是使用其它灯/辐射器，然而这些应能够跨流室的长度提供基本均匀的辐射分布。
以下关于附图更详细描述装置1的操作。
为了处理基片2的表面，在基片支架4上的基片2上移动施加部件6的主要部分8。如果处理基片的整个表面，可在下文所述处理期间跨基片移动主要部分8，除非使用根据图5的可完全覆盖基片的实施方案。
然后，将流体(特别是液体)通过流体口16、管道24和流室22施加到至少要处理的基片表面。将辐射通过第一辐射源18和/或辐射源40引入所述流体。为了进行所需处理，选择辐射，以便它直接作用于基片以处理基片，和/或作用于流体以改变其性质。在这样做时，给予基片表面的不同处理可能性，这可局部限制或可在基片的整个表面上进行。
以下更详细解释一些处理可能性，而不限于这些实施例。光掩模处理作为一个实施例给出。
首先描述将具有至少部分疏水基片表面的基片2的表面性质改变成亲水基片表面。为了达到这一目的，通过流室22将液体(如DI水)作为流体施加到要处理的基片表面上，以在基片2上形成液体膜。通过辐射源18或40将UV辐射引入此液体膜，其中液体和UV辐射的波长范围相互匹配，使得显著部分UV辐射到达液体和基片表面之间的界面。UV辐射现在作用，使以前疏水基片表面改变成亲水表面。
为了得到UV辐射通过液体膜的良好透射，在此使用的UV辐射的波长范围例如高于190nm。为了提供此波长范围，可控制或驱动在此波长范围发射的相应棒灯，而可能不控制或驱动其它灯。在使用设定的波长范围时，可用下列之一作为液体：臭氧水、氢水、DI水或其混合物。也可使用其它液体。
下一步描述清洗基片表面，所述基片表面例如经处理以具有上述亲水表面，和具有污染物，这些污染物可更好地通过与自由基相互作用去除。
在此，再次通过流室22将液体施加到要清洗的基片2的表面。在液体围绕辐射源18流动的同时，UV辐射通过辐射源18发射进入液体。此辐射尤其导致在液体中产生自由基。在此产生发生之后立即将液体施加到基片，使得至少一部分如此产生的具有很短衰减时间的自由基接触基片2。由于辐射源18的辐射不限于流室22，因此，它也引入液体在基片2上形成的液体膜，并因此产生进一步的自由基和/或部分保持已产生的自由基的活化。
通过相应移动施加部件6，也可选择性清洗基片的部分区域或整个表面。
为了达到所需效果，液体和其中引入的辐射同样相互匹配。为了产生自由基，具体地讲，适合使用140至280nm波长范围的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间。在所述波长范围的UV辐射可特别匹配所用液体，以便吸收至少50％UV辐射，特别为80％。
取决于所用液体，通过UV诱导液体分解——这可在液体围绕辐射源18流动的同时发生，也可促进自由基产生。为此目的，一方面应选择UV辐射，以便引起液体的分子结构破坏，以便也通过UV辐射促进随后立即产生自由基。具有高于180nm波长的UV辐射特别适用于此种分解。因此，在图3所示辐射源18的实施方案中，如下情况可能是有利的：上棒灯为促进分解的灯，即，发射具有高于180nm波长的UV光，而下棒灯为促进自由基产生的灯，即，发射具有140和280nm之间波长的UV光，取决于液体在140nm至200nm之间。以DI水作为实例，140nm至200nm之间的波长范围可能适用于产生自由基，而对于其它液体，140nm至280nm之间的较高波长范围可能适合。
这些波长范围明显没有约束，并且可取决于液体变化，但可适用于清洗光掩模通常使用的很多液体，例如臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水、NH4OH、有机酸、TMAH、HNO3、HCl、H2SO4或其混合物。
最后描述处理，其中要使离子从基片2的表面或近表面层去除，该基片2例如经上述处理。
对于此处理，通过流室22将加热到高于环境温度的液体施加到基片上，以在基片2的至少部分区域上形成液体膜。通过辐射源18，40中至少之一将辐射引入此液体膜，其中辐射和液体相互匹配，使得至少部分辐射到达基片表面。在撞击基片表面上的残余离子时，电磁辐射导致离子迁移率增加。另外，只要在液体中吸收，辐射也可导致温度增加和/或产生自由基，两者均可促进去除离子。具体地讲，可直接在液体施加期间加热液体，例如通过具有高IR部分的辐射源。由于增加的液体温度也增加离子在液体中的溶解度，因此，可将液体加热到其沸点。
可例如用以下液体之一作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水或其混合物。DI水特别适用于较高温度。作为辐射，特别适合使用高于190nm波长范围的UV辐射，此辐射不太强地吸收，并且促进离子移动和去除的所需效果。IR辐射也非常适合，因为它可提供原位液体加热。
以上处理可根据需要组合，并且可如上所述依次进行，或部分同时或完全同时地进行。
本发明在上面关于数个实施方案描述，但不限于这些精确实施方案。

Claims (62)

1.用于清洗基片的至少部分区域的方法，所述方法包括以下步骤：
将液体施加到所述基片的至少部分区域；
在液体施加到基片前，通过UV辐射在所述液体中产生自由基，其中在产生所述自由基之后立即将液体施加到基片，使得至少一部分自由基到达基片。
2.权利要求1的方法，其中施加到基片的液体在基片上形成液体膜，向液体膜中引入UV辐射，以保持自由基在所述液体膜中活化和/或产生进一步的自由基。
3.权利要求2的方法，其中，在液体施加到基片前引入液体中和引入所述基片上液体膜中的所述UV辐射至少部分通过相同辐射源发射。
4.前述权利要求中任一项的方法，其中包含自由基的液体限于基片经选择的表面区域。
5.前述权利要求中任一项的方法，其中为了产生自由基，使用基本具有140nm至280nm范围波长的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间，其中至少50％该UV辐射吸收在液体中用于产生自由基。
6.权利要求5的方法，其中吸收至少80％具有140至280nm范围波长的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间。
7.权利要求5或6的方法，其中通过将所用液体匹配在以上所述范围的所用波长达到吸收。
8.前述权利要求中任一项的方法，其中在施加液体前，在液体沿着UV辐射源流动的同时，将UV辐射引入液体中。
9.权利要求8的方法，其中选择UV辐射以便破坏液体的分子结构，以避免与基片表面的不期望反应，和/或还能够通过UV辐射随后立即产生自由基。
10.前述权利要求中任一项的方法，其中用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水、NH4OH、乙酸、柠檬酸、TMAH、HNO3、HCl、H2SO4、H3PO4或其混合物。
11.前述权利要求中任一项的方法，其中所述基片为下列之一：掩模，特别是用于制造半导体的光掩模；半导体，特别是Si-晶片、Ge-晶片、GaAs-晶片或InP-晶片；平板基片；多层陶瓷基片。
12.前述权利要求中任一项的方法，其中借助于自由基从基片至少部分去除至少一种以下物质：有机污染物；和有机官能层，如正性抗蚀剂、负性抗蚀剂和离子植入抗蚀剂；碳；烃；压花和压印物质；应力缓冲剂和底层填料；漆；染料；生物材料；和细菌。
13.前述权利要求中任一项的方法，其中液体施加到基片的局部待清洗区域。
14.用于从基片表面的至少部分区域和所述基片的近表面层去除离子的方法，所述方法包括以下步骤：
将加热高于环境温度的液体施加到所述基片上，以在所述基片的至少部分区域上形成液体膜；和
将电磁辐射引入所述液体膜，使得至少一部分所述辐射到达所述基片的表面。
15.权利要求14的方法，其中在液体施加到基片期间通过电磁辐射加热液体。
16.权利要求14或15的方法，其中在液体暴露于电磁辐射之前预热液体。
17.权利要求14至16中任一项的方法，其中将液体加热到环境温度和液体沸点之间范围的温度。
18.权利要求14至17中任一项的方法，其中方法在增压下进行。
19.权利要求14至18中任一项的方法，其中用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水或其混合物。
20.权利要求14至19中任一项的方法，其中UV辐射引入液体膜。
21.权利要求20的方法，其中至少将具有高于190nm波长的UV辐射引入液体，并且其中至少50％所述UV辐射到达基片表面和液体膜之间的界面。
22.权利要求21的方法，其中至少80％的具有高于190nm波长的UV辐射到达所述界面。
23.权利要求14至22中任一项的方法，其中将IR辐射引入液体膜。
24.权利要求23的方法，其中至少50％的IR辐射到达基片表面和液体膜之间的界面。
25.权利要求20和23的方法，其中UV辐射和IR辐射通过相同辐射源引入。
26.权利要求14至25中任一项的方法，其中至少一部分辐射在液体膜中产生自由基。
27.用于改变具有至少部分疏水基片表面的基片的表面性质的方法，所述方法使得至少部分所述疏水表面得到亲水表面性质，其中所述方法包含以下步骤：
将液体施加到其表面性质要改变的表面至少该部分区域；并且
引导预定范围波长的UV辐射通过所述液体，到达其表面性质要改变的所述基片表面的至少该部分区域上。
28.权利要求27的方法，其中预定波长范围包含具有高于190nm波长的UV辐射。
29.权利要求28的方法，其中所述预定波长范围内的至少80％UV辐射到达基片表面。
30.权利要求27至29中的一项的方法，其中用至少一种下列物质作为液体：臭氧水、氢水、DI水、H2O2、CO2-H2O、其中具有溶解O2气的DI水、NH4OH、有机酸、TMAH、HNO3、HCl、H2SO4或其混合物。
31.权利要求30的方法，其中液体为DI水。
32.用于处理基片的方法，其中依次进行至少两种以下方法：权利要求27至31中的一项的方法、权利要求1至13中的一项的方法和权利要求14至26中的一项的方法。
33.权利要求32的方法，其中以上述次序依次进行至少两种所述方法。
34.权利要求32或33的方法，其中并行进行两种所述方法。
35.权利要求32至34中任一项的方法，其中所述方法在相同装置中进行。
36.权利要求35的方法，其中基片在进行所述方法之间在所述装置中保持。
37.一种处理基片的方法，其中并行进行至少两种以下方法：权利要求27至31中任一项的方法、权利要求1至13中任一项的方法和权利要求14至26中任一项的方法。
38.权利要求37的方法，其中并行进行所有方法。
39.权利要求37的方法，其中以上述次序依次进行两种所述方法。
40.权利要求39的方法，其中方法在相同装置中进行。
41.权利要求40的方法，其中基片在进行所述方法之间保留在装置中。
42.用于处理基片的装置，所述装置包含：
用于接收基片的基片支架；
限定具有入口和出口的流室的壳；
第一辐射源，其布置成发射辐射进入所述流室，其中所述第一辐射源能够发射UV辐射；和
用于在所述基片支架和所述壳之间产生相对移动的部件，所述部件能够相对于所述基片支架布置所述壳，使得出口指向基片支架，以便离开出口的液体直接流到基片支架上的基片上。
43.权利要求42的装置，其中布置第一辐射源，使得它也发射辐射通过所述出口到壳之外。
44.权利要求42或43的装置，其中第一辐射源至少部分布置在所述流室中。
45.权利要求42至44中任一项的装置，其中所述壳包含出口开口，并且所述第一辐射源至少部分布置在所述出口开口中。
46.权利要求45的装置，其中第一辐射源基本布置在所述出口开口的中央。
47.权利要求45或46的装置，其中出口开口和第一辐射源具有长度延伸，此长度延伸大于或至少等于要清洗的基片的宽度延伸。
48.权利要求42至47中任一项的装置，其中第一辐射源包含发射UV范围辐射的第一灯。
49.权利要求48的装置，其中第一灯发射IR范围辐射。
50.权利要求48或49的装置，其中第一辐射源包含至少第二灯，其发射主要地不同于第一灯的波长范围的辐射。
51.权利要求48至50的装置，其中在第一和/或第二灯与流室之间提供至少一个罩，其中该至少一个罩基本对UV辐射透明。
52.权利要求51的装置，其中该至少一个罩在一个平面上完全围绕第一和/或第二灯。
53.权利要求48至52中任一项的装置，其中第一和/或第二灯为棒灯。
54.权利要求48至53中任一项的装置，其中第一灯尤其发射140nm和280nm之间波长范围的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间。
55.权利要求48的装置，其中第一灯主要发射140nm和280nm之间波长范围的UV辐射，取决于液体在140nm至200nm之间。
56.权利要求48至55中任一项的装置，其中第二灯发射高于180nm波长范围的UV辐射。
57.权利要求50至56中任一项的装置，其中第二灯发射IR辐射。
58.权利要求42至57中任一项的装置，其中在壳的流室外面提供至少一个第二辐射源，以便它将辐射发射到邻近壳出口的区域。
59.权利要求58的装置，其中第二辐射源主要在不同于第一辐射源的波长范围发射。
60.权利要求58或59的装置，其中第二辐射源发射高于180nm波长范围的UV辐射。
61.权利要求58至60中任一项的装置，其中第二辐射源发射IR辐射。
62.权利要求58至61中任一项的装置，其中提供控制部件，所述控制部件能够单独和独立控制第一和第二辐射源。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103691714A (zh) * 2013-12-19 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种清洗装置和清洗方法
CN107203094A (zh) * 2017-07-03 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版清理装置及方法
CN108290185A (zh) * 2015-08-27 2018-07-17 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108292100A (zh) * 2015-09-24 2018-07-17 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于利用暴露于uv-辐射的含水液体介质处理衬底的方法
CN108352340A (zh) * 2015-08-27 2018-07-31 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108348964A (zh) * 2015-08-27 2018-07-31 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108380569A (zh) * 2018-03-02 2018-08-10 常州瑞择微电子科技有限公司 高浓度oh自由基发生装置
CN110112084A (zh) * 2019-05-22 2019-08-09 长江存储科技有限责任公司 半导体器件清洗装置
CN110402170A (zh) * 2017-03-01 2019-11-01 休斯微科光罩仪器股份有限公司 用于涂布被紫外线照射的液体介质至基板上的装置
CN111906093A (zh) * 2020-07-15 2020-11-10 常州瑞择微电子科技有限公司 一种大面积光子发生喷头

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013045961A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄液および基板処理装置
DE102012008220A1 (de) * 2012-04-25 2013-10-31 Süss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Reinigen von Fotomasken unter Verwendung von Megaschall
US9339853B2 (en) 2012-12-04 2016-05-17 The Boeing Company Surface materials for decontamination with decontaminants
US8764905B1 (en) * 2013-03-14 2014-07-01 Intel Corporation Cleaning organic residues from EUV optics and masks
US9857680B2 (en) 2014-01-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning module, cleaning apparatus and method of cleaning photomask
JP6357319B2 (ja) * 2014-02-17 2018-07-11 株式会社プレテック 被洗浄基板の洗浄方法及び洗浄装置
CN104007610B (zh) * 2014-06-12 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 掩模版的清洗方法及装置
KR102296739B1 (ko) * 2014-10-27 2021-09-01 삼성전자 주식회사 포토마스크용 세정 조성물을 이용한 집적회로 소자 제조 방법
US9966266B2 (en) 2016-04-25 2018-05-08 United Microelectronics Corp. Apparatus for semiconductor wafer treatment and semiconductor wafer treatment
KR101961326B1 (ko) 2016-10-19 2019-07-18 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치의 부품 세정 방법 및 장치
US10416575B2 (en) * 2016-11-16 2019-09-17 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate
JP2018163980A (ja) 2017-03-24 2018-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2017113753A (ja) * 2017-03-30 2017-06-29 株式会社トクヤマ 洗浄方法および洗浄装置
CN108816870B (zh) * 2018-04-08 2021-05-25 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶元制造薄膜制程的WxZ工艺的陶瓷环状零部件再生方法
US10896824B2 (en) * 2018-12-14 2021-01-19 Tokyo Electron Limited Roughness reduction methods for materials using illuminated etch solutions
CN112435938A (zh) * 2020-11-11 2021-03-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板清洗设备及基板清洗方法
US11798799B2 (en) * 2021-08-09 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Ultraviolet and ozone clean system

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5236602A (en) * 1989-04-03 1993-08-17 Hughes Aircraft Company Dense fluid photochemical process for liquid substrate treatment
US5814156A (en) * 1993-09-08 1998-09-29 Uvtech Systems Inc. Photoreactive surface cleaning
US6028316A (en) * 1996-08-28 2000-02-22 New Star Lasers, Inc. Method and apparatus for removal of material utilizing near-blackbody radiator means
CN1344590A (zh) * 2000-06-29 2002-04-17 株式会社D.M.S 多功能清洗模块及应用该模块的清洗设备
US20020083961A1 (en) * 2000-10-04 2002-07-04 Toshihito Tsuga Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
US6869487B1 (en) * 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
CN1653596A (zh) * 2002-04-16 2005-08-10 禧沛股份有限公司 光刻胶除去装置和光刻胶除去方法
US20060207629A1 (en) * 2004-12-16 2006-09-21 Sematech, Inc. Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool
CN1958177A (zh) * 2005-10-24 2007-05-09 史考特公司 用于衬底、尤其是掩膜和掩膜基底的无酸清洗工艺
CN101131228A (zh) * 2006-08-21 2008-02-27 优志旺电机株式会社 准分子灯装置
JP2008108997A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Shibuya Kogyo Co Ltd 洗浄装置
US20080113518A1 (en) * 2003-03-25 2008-05-15 Renesas Technology Corp. Wet etching method using ultraviolet light and method of manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2623497B2 (ja) * 1988-03-07 1997-06-25 ウシオ電機株式会社 オゾン水活性化装置
JPH04277748A (ja) 1991-03-06 1992-10-02 Mitsubishi Paper Mills Ltd 平版印刷版
JPH11121417A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の処理システムおよび処理方法
NL1012389C1 (nl) * 1999-06-18 2000-12-19 Remmen Uv Techniek Van Ultraviolette lamp en douchekop voorzien van een lamp.
JP5140916B2 (ja) * 2005-10-07 2013-02-13 富士通株式会社 光化学処理装置及び光化学処理方法
JP2007149972A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス洗浄装置および電子デバイス洗浄方法
NL1030589C2 (nl) * 2005-12-05 2007-06-06 Houston R & D Consultancy B V Werkwijze en systeem voor het reinigen van een lichaam en/of een fluïdum.
JP4731622B2 (ja) * 2007-03-07 2011-07-27 富士通株式会社 洗浄装置および洗浄方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5236602A (en) * 1989-04-03 1993-08-17 Hughes Aircraft Company Dense fluid photochemical process for liquid substrate treatment
US5814156A (en) * 1993-09-08 1998-09-29 Uvtech Systems Inc. Photoreactive surface cleaning
US6028316A (en) * 1996-08-28 2000-02-22 New Star Lasers, Inc. Method and apparatus for removal of material utilizing near-blackbody radiator means
US6869487B1 (en) * 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
CN1344590A (zh) * 2000-06-29 2002-04-17 株式会社D.M.S 多功能清洗模块及应用该模块的清洗设备
US20020083961A1 (en) * 2000-10-04 2002-07-04 Toshihito Tsuga Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
CN1653596A (zh) * 2002-04-16 2005-08-10 禧沛股份有限公司 光刻胶除去装置和光刻胶除去方法
US20080113518A1 (en) * 2003-03-25 2008-05-15 Renesas Technology Corp. Wet etching method using ultraviolet light and method of manufacturing semiconductor device
US20060207629A1 (en) * 2004-12-16 2006-09-21 Sematech, Inc. Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool
CN1958177A (zh) * 2005-10-24 2007-05-09 史考特公司 用于衬底、尤其是掩膜和掩膜基底的无酸清洗工艺
CN101131228A (zh) * 2006-08-21 2008-02-27 优志旺电机株式会社 准分子灯装置
JP2008108997A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Shibuya Kogyo Co Ltd 洗浄装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103691714A (zh) * 2013-12-19 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种清洗装置和清洗方法
CN103691714B (zh) * 2013-12-19 2015-12-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种清洗装置和清洗方法
CN108348964A (zh) * 2015-08-27 2018-07-31 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108290185A (zh) * 2015-08-27 2018-07-17 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108352340A (zh) * 2015-08-27 2018-07-31 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108348964B (zh) * 2015-08-27 2021-07-27 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
CN108352340B (zh) * 2015-08-27 2022-03-29 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于将利用uv辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
TWI716437B (zh) * 2015-08-27 2021-01-21 德商休斯微科光罩儀器股份有限公司 用於將暴露於uv照射的液體介質施予在基板上的裝置
CN108292100A (zh) * 2015-09-24 2018-07-17 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于利用暴露于uv-辐射的含水液体介质处理衬底的方法
CN108292100B (zh) * 2015-09-24 2020-09-15 聚斯微技术光掩模设备两合公司 用于利用暴露于uv-辐射的含水液体介质处理衬底的方法
CN110402170A (zh) * 2017-03-01 2019-11-01 休斯微科光罩仪器股份有限公司 用于涂布被紫外线照射的液体介质至基板上的装置
CN107203094A (zh) * 2017-07-03 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版清理装置及方法
CN107203094B (zh) * 2017-07-03 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版清理装置及方法
CN108380569A (zh) * 2018-03-02 2018-08-10 常州瑞择微电子科技有限公司 高浓度oh自由基发生装置
CN110112084A (zh) * 2019-05-22 2019-08-09 长江存储科技有限责任公司 半导体器件清洗装置
CN111906093A (zh) * 2020-07-15 2020-11-10 常州瑞择微电子科技有限公司 一种大面积光子发生喷头

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