JP2003528444A - 熱的毛細管現象式乾燥装置 - Google Patents

熱的毛細管現象式乾燥装置

Info

Publication number
JP2003528444A
JP2003528444A JP2001522019A JP2001522019A JP2003528444A JP 2003528444 A JP2003528444 A JP 2003528444A JP 2001522019 A JP2001522019 A JP 2001522019A JP 2001522019 A JP2001522019 A JP 2001522019A JP 2003528444 A JP2003528444 A JP 2003528444A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
gas
liquid
drying
boundary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001522019A
Other languages
English (en)
Inventor
エリック・ジェイ・バーグマン
Original Assignee
セミトゥール・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セミトゥール・インコーポレイテッド filed Critical セミトゥール・インコーポレイテッド
Publication of JP2003528444A publication Critical patent/JP2003528444A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 半導体ウェハを乾燥する装置であって、洗浄液を満たした浸漬槽と、該浸漬槽内でウェハをほぼ垂直状態で保持する支持体と、前記ウェハを浸漬槽内の洗浄液から引上げると共に、引上げに伴って前記洗浄液の表面においてウェハ・液体境界を形成する昇降機と、前記少なくとも一つのウェハと洗浄液の液面の近傍に設けた少なくとも一つの加熱源と、前記境界においてウェハに対してガスを供給する開口を有するガス供給システムとからなる乾燥装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、湿式処理後の半導体ウェハないしそれと類似な品の乾燥に関する。
【０００２】 （背景技術） 半導体ウェハの湿式処理で最も重要な工程の一つにウェハの乾燥工程がある。
理想的な乾燥法としては、安全で迅速に、それも環境汚染や安全性の問題もなく
、ウェハ表面に汚染物質を絶対に残さないで乾燥することである。実地では、処
理液として消イオン水(ＤＩ水)がよく使われている。ＤＩ水の如くの液体は、ウ
ェハを液槽から引上げた後に表面張力が作用して、ウェハ表面にシート状または
液滴状にくっついている。換言すれば、固体の表面に付着している液分子の付着
力が液体分子の凝集力よりも大きい限り、その固体表面は液体で湿潤している。
【０００３】 処理液の相が気相(蒸気相)へ変化すると、表面張力による乾燥上の問題も減る
が、このような相変化には、液体の表面境界で引きずられている汚染物質がウェ
ハ表面に付着して密着する可能性が大きく、そのために最終電子製品に高率で欠
陥が出現すると認識されるようになっている。乾燥後のウェハ表面上における汚
染物質の量を減らすべく、この相変化を制御する種々の技法が開発されており、
下記の乾燥方法がこれまでに用いられている。
【０００４】 Ａ. 熱湯乾燥法(hot water dryer) ここで使われる乾燥装置は簡単に稼働する。つまり、ＤＩ水の入った熱湯槽に
ウェハを浸漬し、熱湯槽から引上げるに伴って、表面張力作用によりウェハ表面
に残留している水分を加熱シリコン表面から蒸発させる。しかしながら、この加
熱ＤＩ水はシリコン表面を侵すから、大抵の半導体デバイスの作製にはこの方法
は利用できない。
【０００５】 Ｂ. 遠心乾燥法(spin-rinse dryer) ここで使われる乾燥装置は二つの機構で稼働する。第１に、スピンを書けて遠
心力を発生させることでウェハ表面から大部分の水分を除去する。このように大
量の水分を除去した後では、基板と残留水分との間に作用している表面張力は、
水に作用させた遠心力のレベルよりも大きい。しかし、ここで次の機構、即ち、
蒸発作用を行わせる。この蒸発速度は、水分に作用している回転速度を比較的高
速に維持して対流作用を良好にすることで増加させることができる。一般に、こ
の蒸発による乾燥を更に促進するために処理室に加熱窒素ガス(Ｎ２)を注入して
いる。
【０００６】 しかしながら、この乾燥法には、 (１)微小水滴がウェハ表面で単離してしま
った除去しにくいし、かかる水滴に引きずられている汚染物質がウェハ表面に付
着することから、疎水性表面の乾燥には適していないこと、(２)乾燥を促進する
はずの高速回転により著しい乱流が発生して、汚染物質がウェハ表面に付着しや
すいこと、(３)高速回転から生ずる力の作用で著しい機械的応力が発生して、ウ
ェハが損傷をうけるか、汚染粒子が生ずるようになることなどの要因があるので
制約がある。
【０００７】 Ｃ. 溶剤乾燥法(Isopropyl Alcohol Vapor Dryer) この乾燥法は、ＤＩ水で湿潤しているウェハをＩＰＡ蒸気で飽和した加熱環境
に浸漬することにより行われている。液体ＩＰＡの表面張力は水よりも著しく小
さい。このＩＰＡがウェハ表面で凝縮し始めると、この表面に残留している水は
ＩＰＡにより退けられる(be displaced)が、このようにＩＰＡで水が退けられる
とウェハは冷気ゾーンに引き込まれ、アルコールの凝縮が終わると共にそれがウ
ェハ表面から流出する。
【０００８】 ところが、この乾燥法にも、(１)可燃性液体であるＩＰＡを利用し、これを引
火点を越える高温で沸騰させる必要があること、(２)比較的早い内にＩＰＡを消
費する必要があること、(３)有機蒸気を比較的大量放出してしまうことなどの要
因があって、制約を受けている。
【０００９】 Ｄ. マランゴニ乾燥法 この乾燥法では洗浄液(rinsing liquid)の表面にアルコール成分の富んだ界面
ができる。ウェハがこの界面を通ると、アルコールの作用で水が退けられ、水の
表面張力を減少させ、その水が大量水の凝集力の作用によりウェハから「避けら
れる(be pulled)」ようになっている。しかし、この乾燥法でも、アルコール成分
を利用する他の乾燥法と同様に有機蒸気の大量放出の問題がある。
【００１０】 Ｅ. 米国特許第5,556,479号には、処理タンクから洗浄液を緩やかに排出する乾
燥法が開示されており、そこでは、空気ないしその他のガスが処理液を退けるに
伴い、液体界面と接触しているウェハ表面の部分を加熱している。この方法では
、ウェハが液体界面において、処理液に対流を惹起するに充分な温度まで加熱さ
れている。水は１分あたり７ないし８センチを越えない速度で洗浄液から退けら
れるのが好ましい。従って、この乾燥法による製造スループットは期待されてい
るよりも低い。
【００１１】 （発明の開示） （発明が解決しようとする技術的課題） 従って、本発明は、半導体ＷＥはない離類似の製品を迅速、かつ、安全に乾燥
すると共に、粒状汚染物質ないし化学残留物質の量を最小限にし得る新規な乾燥
方法とその装置を提供するのを目的としている。 また、ウェハないし類似の製品を化学薬剤で乾燥する場合での有害物質の放出
を最小限にして前述の乾燥法が達成できるようにすることも、本発明の別目的で
ある。
【００１２】 （その解決方法） 前述の目的を達成するために、本発明の第１実施の形態による半導体ウェハの
乾燥装置は、洗浄液を含む浸漬槽と、ウェハを加熱する一つかそれ以上の加熱源
と、洗浄液に対してガス流が上方に移動するに伴ってウェハに対して当該ガス流
を指向させるガス供給システムとで構成されている。好ましくは、作動機構とウ
ェハ支持体とを設けて、制御した速度で洗浄液からウェハを上方に引上げるよう
にするのが望ましい。
【００１３】 別の面での本発明においては、ガス供給システムと加熱源とは、ウェハが洗浄
液に対して上方に移動し始めると共に同時に作動させられるようにしている。加
熱作用で、ウェハに付着する水に表面張力の勾配を同時に持たせる温度勾配がウ
ェハに生成されるようになっている。液体における凝集力は、重力の作用も相俟
って、むき出したウェハ表面から洗浄液へと洗浄液を流出させるようになる。こ
のプロセスにより、蒸発とは違って毛細管現象でウェハ表面が急速に乾燥させら
れ、それにより非常にクリーンなウェハが得られるのである。ガス供給システム
は、好ましくは窒素の如くのガスをウェハと液体との界面に対して下方に指向さ
せる。このガス供給システムにより、ウェハ表面に付着している水分を効果的に
除去すると共に、ウェハに付着している洗浄液を下方へ駆逐する。
【００１４】 また別の面での本発明においては、溶媒もしくはその他の表面張力減少用蒸気
がウェハと液体との界面を流れるようにして、液体がウェハにくっつく傾向を更
に減少させている。
【００１５】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明の乾燥方法を説明するに当っては、半導体ウェハの湿式処理に関連して
説明するが、例えば記憶素子や、光学ディスク、基板、パネルなどの他の製品に
も適用できる。従って、ここで用いる「ウェハ」なる用語はそれらの製品をも網羅
する物取り介すべきである。
【００１６】 図１において、ステップ１０で示したように、少なくとも一つのウェハを浸漬
槽に入れて、該容器に満たされている液体に浸漬する。ウェハにはこの容器、ま
たは、その他の容器において幾つかの湿式処理が施されているけれども、最終湿
式処理ステップでは、洗浄液にウェハを浸漬することが含まれているのが通常で
ある。洗浄サイクルは数回にわたって行われることがあるが、その最後の洗浄サ
イクルでは、消イオン水が使われるのが通常である。ウェハが垂直に配置されて
いない場合では、当該ウェハをほぼ垂直面に沿って配置することで、ステップ１
２における乾燥に備える必要がある。ここで「ほぼ垂直」というのは、重力作用が
乾燥作用に関与できるような状態を意味する。
【００１７】 乾燥法の次のステップでは三つの手順が行われるが、これらの手順は同時に行
うのが望ましい。ガス流をウェハと液体との界面に対して供給する。このガスに
より、ウェハ表面に付着している大量の水が除去されると共に、ウェハに付着し
続ける洗浄液の高さを抑制している。このガス流は、ウェハと液体の界面の上方
に位置決めしたノズルないし配管から前記ウェハ・液体界面に向かって供給する
のが望ましい。種々のガスが利用できるものの、ウェハや洗浄液、或いは含まれ
ている汚染物質との反応の可能性を最小限にするためにも比較的不活性なガスで
あるのが望ましい。その意味でアルゴンガスが利用できるものの、高くつく。費
用を最小限にする場合では濾過した空気が利用できるが、空気には酸素が含まれ
ていて他の素材と反応することがある。費用が低廉で済み、反応性も低いことか
ら、二酸化炭素や窒素を利用するのが有利である。
【００１８】 ２５枚からなる１バッチのウェハに対しては、ガス流量としては５０〜２００
slpmであるのが典型的である。このガス流はより大きい負荷寸法に対しては適当
に増やすことになる。しかし、非常に小さい流量にしていくことは困難であるか
ら、単一のウェハの場合では流量としては約２５〜５０slmp程度がいいところで
ある。ウェハを横切るガス流の供給はウェハ界面に残留するガスの慣性により左
右されるので、このガス流量は残留ガスの慣性に打ち勝って、供給点からウェハ
・液体界面まで流れができるのに適当なものでなければならない。
【００１９】 もう一つの同時に行うのが望ましい手順は、図１におけるステップ１４に示さ
れるように、洗浄液から水を制御された状態でウェハを上方に引き抜くことであ
る。ウェハがクリーンに乾燥できるようにするためには、引抜き速度(extractio
n rate)が必要である。この引抜き速度が速すぎれば、洗浄液が縞模様かスポッ
トを残してしまうことがある。逆に引抜き速度が遅ければ、製造効率が影響を受
けることになる。加熱灯とガス供給システムとを備えた乾燥装置を利用してウェ
ハの断片の乾燥を試してみたところ、ウェハの引抜き速度を８〜１５cm/minに制
限したら良好な結果が得られると判明した。しかしながら、用途に応じて引抜き
速度を８〜３０cm/minまで速めてもよい。この引抜き速度は、処理装置の構成に
依存するとことが大きく、適切に選択しないとウェハ表面温度や、ウェハ・液体
界面へのガス流の供給効率、ＩＰＡ蒸気の如くの添加物の利用、乾燥すべきデバ
イスの配置構成(凹凸の大きい密度配置構成では大量の水を捕捉しやすく、その
ために引抜き速度は低くなる)などに影響が及ぶ。言うまでもないことではある
が、引抜き速度は、装置のスループットを最大化するためにもできるだけ速いの
が望ましい。用途によっても変わるが、ＩＰＡ蒸気を利用して表面張力を減らす
一方、熱的毛細管現像(thermocapillary principle)を利用すれば、引抜き速度
を高速化できる。
【００２０】 更にもう一つの同時に行うのが望ましい手順は、図１におけるステップ１８に
示されるように、ウェハ・液体界面に沿ってウェハを照射すべく照射源を動作さ
せることである。この照射源は照射した部域においてウェハを加熱して、ウェハ
に温度勾配を醸し出すと共に、それと同時にウェハに付着している水に表面張力
勾配を持たせるのである。加熱源の照射は、フィラメントや固相ヒーター、セラ
ミックないし石英に設けた抵抗加熱素子などの如くの電気抵抗加熱素子によりそ
れを行うのが望ましい。ウェハが液槽から引き抜かれる、または、引き出される
につれて、ウェハないし母材の少なくとも側面ないし平坦面を境界において加熱
する。
【００２１】 液体は、凝集作用により低表面張力域(張力の低いところ)から高張力域(張力
の大きいところ)へ向かって移動する傾向がある。放射加熱により醸し出された
表面張力勾配は、液体における凝集力をして、液面からでてきたウェハ表面から
洗浄液を洗浄液容器へと引き寄せるようにするものである。ウェハは、蒸発加熱
が加速するのを最小限にするためにも比較的低加熱速度で加熱するのが望ましい
。何故なら、蒸発が行われると、洗浄液に引きずられている汚染物質がウェハ表
面に付着する傾向かあるからである。加熱速度は特定の加熱温度まではできるだ
け速くすべきである。純科学的な面からすれば、熱勾配が高ければ高いほど、表
面張力勾配も大きく、熱的毛細管現象式乾燥(thermocapillary dry)がより効率
的に行われる。しかしながら、実地では制約があるので、加熱速度も限られてい
る。ウェハ表面温度は、蒸発による乾燥を制御し、半導体デバイス構造体におけ
る移動性イオンの拡散を制御するためにも、２００℃以下にとどめるのが理想的
である。好ましくは、温度範囲は１００〜２５０℃、より好ましくは１２５〜２
２５℃または１５０〜２００℃である。
【００２２】 同時に行うのが望ましい、前述の上方への引抜き、ガス供給、照射ないし加熱
の三手順は、図１のステップ２０で示すように、ウェハの洗浄液からの上方への
引き抜きが完全に終わるまで続行するのが望ましい。完全に引上げると、ウェハ
は既に乾燥していて、汚染物質がほぼないものとなっている。
【００２３】 図２と図３とは、好ましい乾燥法を実施するウェハ乾燥装置３０を示しており
、この内の図３は図２における線Ａ−Ａに沿った横断面図であり、図２は図３に
おける線Ｂ−Ｂに沿った横断面図を示す。
【００２４】 ウェハ４０は、側壁３２、端壁３３、底壁３４からなる浸漬槽３６内に満たし
てある洗浄液３８に部分的に浸漬されているものとして図示している。洗浄液３
８は、必要に応じて供給弁４８のある供給管４６を介して浸漬槽３６に供給され
ると共に、排液弁４９にある排液管４７を介して浸漬槽３６から排液されるよう
になっていてもよい。ウェハ４０は、支持リンク４４から懸架されているウェハ
支持部材４２により支持されている。支持リンク４４は、ウェハ４０を制御され
た速度で浸漬槽３６へ沈めたり、浸漬槽３６から引上げたりするアクチュエータ
４５から懸架されている。別の方法では、このアクチュエータないしリンクは、
容器３６内またはその下方に設けてもよい。洗浄液が制御された速度で排出され
ると、ウェハにウェハ表面・液体界面が形成される。
【００２５】 ウェハ４０が洗浄液３８から緩やかにでてくるに従い、高強度灯光源５０をウ
ェハ・液体界面３９の直上で作動させる。これらの光源５０からは、赤外線域の
照射光が少なくとも部分的に照射されるのが望ましい。何故なら、ウェハに用い
られている半導体材料は赤外光をよく吸収するのが通常であるからである。しか
しながら、乾燥装置３０の操作保守に携わる操作者の安全上の対策として、光源
５０からの照射光には可視光域の光が少なくとも部分的に含まれているのが望ま
しい。光源５０による加熱では、ウェハ・液体界面３９の上方においてウェハ４
０に付着している洗浄液３８に温度勾配が醸し出されるようでなければならない
が、付着している洗浄液３８の蒸発を促すほどウェハ４０を加熱すべきではない
。ウェハ４０を均一に加熱すると共に、乾燥装置の全高を低く押えるためにも、
大型加熱灯をウェハ４０の片側に付き一基利用するよりも、小型加熱灯５０を幾
つか並べて利用するのが望ましい。また、小型加熱灯５０を利用すれば、ガス供
給管５６をウェハ・液体界面３９にできるだけ近づけて配置することができる。
【００２６】 浸漬槽３６からのウェハ４０の低速引上げと高強度光源５０の作動と同時に、
ガス弁５４を開いて、ウェハ・液体界面３９に沿ってウェハ４０に対して一つか
複数のガス流を噴射する。そのためには、ガス配管５２を介してガス弁５４に加
圧ガスを供給する。がすべん５４からは、ガス流がウェハ４０に対して噴射され
る前に、ガスの流れを導いて部分的に展開させるために、ガス管５６を利用して
もよい。このガス管５６を利用した場合では、ガス管５６はウェハ４０の幅をほ
ぼ横切る方向を張巡らすように展開して、ガス管５６の幅に対して高さが低くな
るようにするのが望ましい。このガス管構成と採ることにより、ウェハの幅方向
にわたって比較的高流量でガスを均一に配分することができる。
【００２７】 ガス流を特にウェハ・液体界面３９に対して、好ましくはウェハ４０に対して
鋭角にて噴射できるようにするために、羽板５８を利用してもよい。ウェハ４０
に対して鋭角でガスを供給すれば、ウェハ４０の表面に付着している洗浄液３８
を除去することができると共に、ウェハ４０に付着し続ける洗浄液３８の高さを
抑制することもできる。換言すれば、ウェハ４０が垂直に配置されているとして
、ウェハ４０に対して鋭角でこのウェハ４０に向けてガスを指向させれば、その
ガスの作用で、ウェハ４０に対する洗浄液３８の凝着作用(adhesion)に抗しなが
ら、洗浄液３８の凝集作用(cohesion)を助長することができる。
【００２８】 前述のアクチュエータ４５と光源５０とガス弁５４とは制御器６０に接続して
ある。この制御器６０には、ウェハ４０を乾燥して引上げた後での後処理に使う
別の装置類を接続しておいてもよい。
【００２９】 図４は乾燥装置１３０の別実施の形態を示す。同図においては、ウェハ１４０
は、側壁１３２と低壁１３４とからなる浸漬槽１３６に満たした洗浄液１３８か
らほとんど完全に引上げた状態にあるものとして図示してある。この乾燥装置１
３０も図２と図３を参照しながら説明したのと同様に稼働する。しかし、ウェハ
１４０は、アクチュエータ１４５により支持部材１４２と支持リンク１４４とを
介して上方に緩やかに引上げられるにつれて、加熱灯の代わりに加熱フィラメン
ト１５０で加熱されるようにしている。ウェハ・液体境界１３９に沿ってウェハ
１４０を加熱するに当り、その加熱を促進するために好ましくは湾曲した反射板
１５１を設けている。
【００３０】 好ましくはウェハの引き上げと加熱と同時に、ガス弁１５４を備えたガス配管
１５２とガス管１５６とを介してウェハ・液体境界１３９に沿ってガスをウェハ
１４０に対して吹きかける。ガス管１５６は装置の各側に付きその幅方向に沿っ
て複数本もうけているので、ウェハ１４０の幅方向に沿ってガスを均等に吹きか
けられるようになっている。このガス管１５６は好ましくは、ウェハ１４０の各
表面に対して鋭角で当該ウェハ１４０に指向されるようになっているのが望まし
い。ガス弁１５４としては、装置１３０全体のコストを抑えるには一つだけを用
いるとして、これをウェハ１４０から隔てたところに設置して、例えば分配管と
かの代替配管を用いてガス管１５６へ配分するようにしてもよい。前記制御器１
６０は、ウェハ１４０の引上げ、照射、ガス供給を同時に行うに当り、そのタイ
ミングを採るように設けられている。供給弁１４８、供給管１４６、排液管１４
７、排液弁１４９も同様に設けられていて、洗浄液を給排するようになっている
。アクチュエータ１６０とフィラメント１５０とガス弁１５４とは制御器１６０
に接続されていると共に、その制御器１６０で制御される。
【００３１】 図５は、また別の実施の形態による乾燥装置７０の部分破断斜視図を示す。こ
の装置も図３と図４とに示した装置３０と類似構成である。同図では、ウェハ９
０はウェハ支持部材９２により支持されていて、浸漬槽８６から部分的に引上げ
られた状態で図示されている。側壁８２の上部に築堤９０、９１を設け、その築
堤９０、９１に複数の高強力灯８０、８１を設置して、ウェハ９０が制御された
速度で容器８６から引き上がられるに伴って当該ウェハ９０の両面をそれぞれ照
射するようにしている。このウェハ９０の引き上げと照射と同時に、加圧ガスを
ガス管８８、８９を介して供給するのが望ましいが、これらのガス管８８、８９
は、前述の各実施の形態における如く側壁８２に沿って加熱灯８０の上方ではな
くて、浸漬槽８６の端壁８３に沿って配置している。このようにガス管８８、８
９を配置すれば、装置７０の全高を減らすことができる。好ましくは、各ガス管
８８、８９内に羽板を設けて、ガス流を下向きにすると共に、ウェハ９０の各側
に指向されるようにするのが望ましい。引上げ、照射、ガス供給は、ウェハ９０
が浸漬槽８６から完全に引上げられるまで行われる。
【００３２】 図６は、更にまた別の実施の形態による乾燥装置２３０を示す。この実施の形
態においては、ウェハ２４０と洗浄液２３８の相対移動が、半透明の側壁２３２
を有する浸漬槽２３６から洗浄液２３８を緩やかに排液することにより達成され
る。乾燥操作の観点からすれば、浸漬槽２３６から洗浄液２３８を緩やかに排液
することは、洗浄液２３８からウェハを緩やかに引上げるのと機能的には等価で
ある。ウェハ２４０は、後処理の備えて何れは浸漬槽２３６から引上げなければ
ならないものだから、ウェハの緩やかな引上げでウェハ・液体界面を相対的に変
位させる操作を、洗浄液を緩やかに排液することでそれを行うことが一般に望ま
しい。従って、この乾燥装置２３０でもウェハ２４０を支持するために、また、
乾燥処理が済んだ後にウェハを引上げるためにもウェハ支持部材２４２と支持リ
ンク２４４は必要である。
【００３３】 浸漬槽２３６は、洗浄液２３８が緩やかに排液されるに伴ってウェハ２４０を
照射するために、側壁２３２に沿って複数列に設けた幾つかの加熱灯２５０から
の放熱エネルギーが透過できるようでなければならない。従って、側壁２３２は
好ましくは赤外線の透過を許容し、浸漬槽２３６に含まれている洗浄液２３８と
は反応しない耐久材で構成するのが望ましい。この側壁２３２に適した前記種の
材料としては、透明石英やサファイアが挙げられる。浸漬槽２３６からの洗浄液
の排液は、制御器２６０に接続した排液弁２４９と排液管２４７を介して行われ
る。このように排液した後では、新鮮な洗浄液を、供給弁２４８のある給液管２
４６を介して浸漬槽２３６に給液する。ガスは、ガス配管２５５、ガス弁２５４
、ガスノズル２５６を介してウェハ・液体境界２３９に沿ってウェハ２４０に対
して吹き込むが、ガスノズル２５６は、浸漬槽２３６の側壁２３２に沿って複数
列に配置されている。コストと複雑さを減らすためには、適当な配管を利用でき
る限り、できるだけ少ないガス弁２５４(各列に付き一つでもよい)を利用してガ
ス供給を制御するようにしてもよい。好ましくは、ガスはウェハの各面に対して
鋭角でウェハ２４０の供給されるのが望ましい。照射、廃液、ガス供給などは同
時に行うのが望ましい。
【００３４】 浸漬槽２３６の側壁２３２に沿って加熱灯２５０とガスノズル２５６とをそれ
ぞれ複数列に配置すれば、洗浄液２３８の排液に伴ってウェハ・液体境界２３９
が下がるにつれて、当該境界２３９の近傍で照射とガス供給とを行うことができ
る。各列の加熱灯２５０とガスノズル２５６とは、最上列から始めて最下列の方
へと漸次、直列関係で作動させるのが望ましい。つまり、最上列の加熱灯２５０
とガスノズル２５６を作動させると、次はその直下の列の加熱灯２５０とガスノ
ズル２５６を作動させ、三番目、四番目の列を経て最下列の加熱灯２５０とガス
ノズル２５６を作動させるのである。この加熱灯２５０とガス弁２５４と排液弁
２４９の制御は、制御器２６０により行われる。この制御器２６０は、乾燥処理
が終わると次の一つかそれ以上のウェハを乾燥処理するに備えて、洗浄液２３８
を浸漬槽２３６に新たに給液するための供給弁を制御するようにもなっている。
【００３５】 図７は、更にまた別の実施の形態による、複数のウェハ３４２を同時に処理で
きるウェハ乾燥装置３３０を示している。側壁３３２と低壁３３４からなる大型
浸漬槽３３６には洗浄液３３８が満たされている。この浸漬槽３３６には、ウェ
ハ３４０間を仕切る中間壁３３５が所望に応じて備わっていてもよい。これら複
数のウェハ３４２は、対応するアクチュエータ３４５から懸下する支持リンク３
４４に連結したウェハ支持部材３４２にそれぞれ支持されている。同図に示した
ウェハ３４２は、洗浄液３３８からの引上げを開始する直前の状態にあるものと
図示してある。ウェハ３４０の引き上げは全てのウェハについて同期させてもよ
いし、同期させなくてもよい。そのウェハ３４０が引上げられるに伴い、加熱灯
３５０からの放熱エネルギーが照射される。この実施の形態では、各加熱灯３５
０は各ウェハ・液体界面３３９に沿って対応するウェハ３４０に対して僅かだけ
傾けているのが望ましい。
【００３６】 ウェハの引き上げと照射と同時に、ガス弁３５５４を備えたガス配管３５２、
そしてガスのずる３５６からガスをウェハ・液体境界３３９に沿って各ウェハ３
４０に対して吹き込むが。制御器３６０と接続したガス弁３５４は、ガス流量を
調節するものである。この制御器３６０は、アクチュエータ３４５と加熱灯３５
０をも制御するようになっている。コストと複雑さを低減するためにも、適当な
配管を利用できる限り、ガス弁３５４の数を減らすのが望ましい。この場合、ウ
ェハ３４０の引き上げを全てのウェハに対して同期して行うようにすれば、ガス
弁３５４を一基にすることも可能である。また、全てのウェハ３４０について引
き上げを同期させないのが望まれている場合では、各ウェハ３４０に付き少なく
とも一基のガス弁３５４を利用することができる。
【００３７】 図８は、もう一つの実施の形態による乾燥装置４３０を示しており、この装置
４３０には、イソプロピルアルコールの如くの溶媒蒸気を注入できるようにして
、ウェハ４４０の毛細管現象式乾燥を促進するようにしている。側壁４３２と低
壁４３４からなる浸漬槽４３６には、ＤＩ液の如くの洗浄液４３８が満たされて
いる。ウェハ４４０は、アクチュエータ４４５に連結した支持リンク４４４に担
持されているウェハ支持部材４４０により支持されている。図示のウェハ４４０
は、浸漬槽４３６から部分的に引上げられた状態にあるものとして図示してある
。側壁４３２の直上に高強度灯４５０を配置して、ウェハ４４０がアクチュエー
タ４４５により制御された速度で浸漬槽４３６から引上げられるにつれて当該ウ
ェハ４４０を照射するようになっている。溶媒蒸気は、ウェハ４４０に対する洗
浄液の凝着を更に減少させるためにウェハ・液体界面４３９に沿って(好ましくは
照射と同時に)ウェハ４４０に対して注入するようになっている。洗浄液４３８
に比べて、溶媒は揮発性があり、表面張力も低く、また、ウェハ４４０と化学反
応を起こすようなものではない。ここで、イソプロピルアルコールが望ましい溶
媒なのである。溶媒としては、液状のまま界面に注いで乾燥を支援するようにし
てもよい。
【００３８】 前記の溶媒は、溶媒供給は如何４７２を介して装置に供給され、その後、溶媒
を霧状に噴射する溶媒蒸気噴霧器４７４を用いてウェハに対して吹き付ける。溶
媒はウェハ４４０と接触すると、ウェハ４４０上に表面張力勾配を惹起し、これ
が高強度灯４５０により惹起された熱による表面張力勾配と相俟って、毛細管現
像によるウェハ４４０の乾燥が行われるのである。制御された速度でのウェハの
引き上げと照射と溶媒蒸気の供給と同時にガスを供給すれば毛細管現象式乾燥法
が捗るようになる。このガスはガス供給配管４５２、ガス弁４５４、ガスのずる
４５６を介してウェハ・液体界面４３９に沿って吹きかける。複数の加熱灯４５
０と蒸気噴霧器４７４とガスノズル４５６とは、ウェハ４４０の両面に沿ってそ
れぞれ列に配置するのが望ましく、それによりウェハの各面に沿って均一に照射
、蒸気噴霧、ガス供給を行うことができる。溶媒蒸気を供給するようにしたこと
から、浮遊物質の放出を伴うと言った問題があるものの、ウェハ４４０を高速に
して、クリーンに乾燥することができる利点がある。また、溶媒が発火するのを
避けるためにも、例えば断熱処理を採るか、積極的に冷却を行うとかして、加熱
灯４５０の表面温度を制限する必要がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の熱乾燥方法の処理ステップを示す概略図。
【図２】 本発明のウェハ乾燥装置の概略側断面図。
【図３】 図２に示したウェハ乾燥装置の概略前面断面図。
【図４】 本発明の別実施の形態によるウェハ乾燥装置の概略側断面図。
【図５】 本発明のまた別の実施の形態によるウェハ乾燥装置の部分破断斜
視図。
【図６】 本発明の更に別の実施の形態によるウェハ乾燥装置の側断面図。
【図７】 本発明のまた更に別の実施の形態によるウェハ乾燥装置の側断面
図。
【図８】 本発明のもう一つの実施の形態による乾燥装置の概略側断面図。
【符号の説明】
３０、７０、１３０、２３０、３３０、４３０…乾燥装置 ３２、８２、１３２、２３２、３３２、４３２…側壁 ３４、２３４、３３４、４３４…底壁 ３６、８６、１３６、２３６、３３６、４３６…浸漬槽 ３８、１３８、２３８、３３８、４３８…洗浄液 ３９、１３９…ウェハ・液体界面 ４０、９０、１４０、２４０、３４０、４４０…ウェハ ４２、９２、１４２、２４２、３４２、４４２…支持部材 ４４、１４４、２４４、３４４、４４４…支持リンク ４５、１４５、３４５、４４５…アクチュエータ ４６、１４６、２４６…供給管 ４７、１４７、２４７…排液管 ４８、１４８、２４８…供給弁 ４９、１４９、２４９…排液弁 ５０、８０、８１、１５０、２５０、３５０、４５０…加熱源 １５１…反射板 ５２、１５２、２５５、３５２、４５２…ガス配管 ５４、１５４、２５４、３５４、４５４…ガス弁 ５６、１５６、２５６、３５６、４５６…ガス管 ５８…羽板 ６０、１６０、２６０、３６０…制御器 ８８、８６…ガス管 ９１…築堤 ４７４…溶媒蒸気噴霧器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２６Ｂ 9/06 Ｆ２６Ｂ 9/06 Ａ

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェハを乾燥する方法であって、 液体が満たされている槽へ、ほぼ垂直状態でウェハを浸漬するステップと、 制御された速度で液体から前記ウェハを上方へ移動させる一方で、ウェハ上に
    ウェハ・液体界面を形成するステップと、 少なくとも単流のガスを前記境界へと供給するステップと、 ウェハの少なくとも片面を加熱するステップとからなる乾燥方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法であって、前記ガス流はウェハに対し
    て鋭角をなして前記境界へと下方に指向されることよりなる乾燥方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の方法であって、前記ガスは、空気、窒素、
    二酸化炭素、アルゴン、及びそれらの組合せからなる群から選ばれたものである
    ことよりなる乾燥方法。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の方法であって、前記加熱が前記境界で行わ
    れることよりなる乾燥方法。
  5. 【請求項５】 請求項１または４に記載の方法であって、高強度灯で照射す
    ることにより加熱するステップを更に設けてなる乾燥方法。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の方法であって、少なくとも一つの高強度灯
    が部分的には赤外域で稼働することよりなる乾燥方法。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の方法であって、少なくとも一つの電気抵抗
    加熱素子を利用して加熱するステップを更に設けてなる乾燥方法。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の方法であって、熱をウェハへと反射するス
    テップを設けてなる乾燥方法。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の方法であって、前記境界に沿って液状ない
    し蒸気状溶媒を仕向けるステップを更に設けてなる乾燥方法。
  10. 【請求項１０】 保母編丹那表面を二つ有し、最初に液体に浸漬されている
    半導体ウェハを乾燥する方法であって、 ウェハを垂直状態に配置するステップと、 制御された速度でウェハから液体を排出するステップと、 少なくとも単流のガスを前記平坦面の内の少なくとも一つに供給するステップ
    と、 前記少なくとも一つの平坦面を照射するステップとからなる乾燥方法。
  11. 【請求項１１】 汚染度が非常に小さくてなければならない半導体ウェハま
    たは類似の母材を乾燥する装置であって、 洗浄液が満たされる浸漬槽と、 該浸漬槽内にあって、ほぼ垂直状態でウェハを保持する支持体と、 前記支持体に対して移動自在で、前記ウェハを浸漬槽内の洗浄液から引上げる
    と共に、引上げに伴って前記洗浄液の表面においてウェハ・液体境界を形成する
    昇降機と、 前記少なくとも一つのウェハと洗浄液の液面の近傍に設けた少なくとも一つの
    加熱源と、 前記境界においてウェハに対してガスを供給する、開口を有するガス供給シス
    テムとからなる乾燥装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載のものであって、前記加熱源が一つかそ
    れ以上の高強度電気灯の列からなる乾燥装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載のものであって、前記ガス供給システム
    が、 加圧ガスの貯蔵槽と、 前記ウェハ・液体境界の上方にあって、少なくとも単流のガスを前記貯蔵槽か
    らウェハへと前記境界において供給すべく位置決めされた少なくとも一つのガス
    管と、 前記ガス管へとガスの流れを惹起する少なくとも一つのガス弁とからなる乾燥
    装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載のものであって、前記ガス管が、前記境
    界へとガスを仕向ける少なくとも一つのノズルを備えてなる乾燥装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載のものであって、前記少なくとも一つの
    ガス管が、ガス流をウェハ・液体快便へと指向させる少なくとも一つのルーバー
    を備えてなる乾燥装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１１に記載のものであって、ウェハ・液体海面付近
    においてウェハに対してアルコール蒸気を供給するアルコール蒸気供給システム
    を更に設けてなる乾燥装置。
  17. 【請求項１７】 少なくとも一つの半導体ウェハを乾燥する装置であって、 洗浄液が満たされる浸漬槽と、 該浸漬槽内にあって、ほぼ垂直状態でウェハを保持するウェハ保持器と、 浸漬槽から制御された速度で洗浄液を排出すると共に、それに伴って洗浄液の
    液面にウェハ・液体境界を形成する排液弁と、 前記ウェハ・液体境界に沿って前記ウェハを照射すべく位置決めした少なくと
    も一つの照射熱源と、 前記ウェハ・液体境界に対して少なくとも単流のガスを供給すべく位置決めし
    たガス出口を有するガス供給システムとからなる乾燥装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７に記載のものであって、 前記浸漬槽が、赤外域の照射熱の透過を許容する少なくとも一つの垂直壁から
    なり、 前記照射熱源が、前記垂直壁の背面に位置決めされて、浸漬槽へと熱を透過さ
    せる赤外灯からなり、 前記ガス供給システムが複数の配管からなる乾燥装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の方法であって、前記配管の内の少なく
    とも一つがノズルを備え、害のずるが浸漬槽内に位置決めされてなる乾燥装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１に記載のものであって、前記ガスが窒素と二酸化
    炭酸とアルゴンの混合器からなる乾燥方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１に記載の方法であって、溶媒蒸気からなる流れを
    前記境界に沿って仕向けるステップを更に設けてなる乾燥方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１に記載の方法であって、前記ガスが、浸漬槽から
    ウェハが引上げられるに伴って、ウェハ・液体境界に仕向けられることよりなる
    乾燥方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１に記載の方法であって、前記ガスが、浸漬槽から
    洗浄液が排出されるに伴って、液体・ウェハ界面に供給されることよりなる乾燥
    方法。
  24. 【請求項２４】 二つの平坦面を有する半導体ウェハを乾燥する方法であっ
    て、 液体が満たされる浸漬槽にウェハを浸漬すると共に、前記平坦面をほぼ垂直状
    態に配向するステップと、 制御された速度で前記ウェハを浸漬槽から上方に移動させる一方、ウェハ・液
    体境界をウェハ上に形成するステップと、 ウェハが浸漬槽から引上げられるに伴って前記境界で少なくとも一つの平坦面
    を加熱するステップとからなる乾燥方法。
JP2001522019A 1999-09-09 2000-08-29 熱的毛細管現象式乾燥装置 Pending JP2003528444A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/392,966 1999-09-09
US09/392,966 US6192600B1 (en) 1999-09-09 1999-09-09 Thermocapillary dryer
PCT/US2000/023686 WO2001018470A1 (en) 1999-09-09 2000-08-29 Thermocapillary dryer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003528444A true JP2003528444A (ja) 2003-09-24

Family

ID=23552742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001522019A Pending JP2003528444A (ja) 1999-09-09 2000-08-29 熱的毛細管現象式乾燥装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6192600B1 (ja)
EP (1) EP1214557A4 (ja)
JP (1) JP2003528444A (ja)
TW (1) TWI233480B (ja)
WO (1) WO2001018470A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149929A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Kazuo Tanabe ウエーハ枚葉引き上げ乾燥装置
JP2011071209A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Tokyo Electron Ltd 洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体
WO2021020136A1 (ja) * 2019-07-26 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2021145043A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 スピードファムクリーンシステム株式会社 基板乾燥装置

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6571806B2 (en) * 1998-09-04 2003-06-03 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6575177B1 (en) * 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
DE60140780D1 (de) * 2000-06-27 2010-01-28 Imec Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen eines Substrats
US6508014B2 (en) * 2001-02-16 2003-01-21 International Business Machines Corporation Method of drying substrates
US6748961B2 (en) * 2001-03-30 2004-06-15 Lam Research Corporation Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same
WO2002086174A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-31 Phifer Smith Corporation Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution ii
KR100939596B1 (ko) * 2001-11-02 2010-02-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 단일 웨이퍼 건조기 및 건조 방법
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US20070272657A1 (en) * 2001-12-07 2007-11-29 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US20090029560A1 (en) * 2001-12-07 2009-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20070079932A1 (en) * 2001-12-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Directed purge for contact free drying of wafers
US20080000495A1 (en) * 2001-12-07 2008-01-03 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US6726848B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US6598314B1 (en) * 2002-01-04 2003-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of drying wafers
JP3684356B2 (ja) * 2002-03-05 2005-08-17 株式会社カイジョー 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
KR100481858B1 (ko) * 2002-07-22 2005-04-11 삼성전자주식회사 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비및 상기 장비를 사용하는 건조방법
US20040016442A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Cawlfield B. Gene Megasonically energized liquid interface apparatus and method
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US7539136B2 (en) * 2002-11-21 2009-05-26 Ipr Licensing, Inc. Random early detection over wireless links
US20050020077A1 (en) * 2003-04-18 2005-01-27 Applied Materials, Inc. Formation of protection layer by dripping DI on wafer with high rotation to prevent stain formation from H2O2/H2SO4 chemical splash
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
US7520939B2 (en) * 2003-04-18 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Integrated bevel clean chamber
US20040222101A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Contact ring spin during idle time and deplate for defect reduction
US20070232072A1 (en) * 2003-04-18 2007-10-04 Bo Zheng Formation of protection layer on wafer to prevent stain formation
WO2004112093A2 (en) 2003-06-06 2004-12-23 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
US20050000549A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 Oikari James R. Wafer processing using gaseous antistatic agent during drying phase to control charge build-up
KR100636035B1 (ko) * 2003-11-08 2006-10-18 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US20050173253A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infilm defect reduction for electrochemical copper deposition
KR100666052B1 (ko) * 2004-02-12 2007-01-09 조극래 원적외선이용한 건조장치
US20050285313A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Ward Phillip D Gel/cure unit
US8070884B2 (en) * 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
US20080053486A1 (en) * 2006-08-10 2008-03-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate cleaning apparatus
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
US7775219B2 (en) * 2006-12-29 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Process chamber lid and controlled exhaust
US7980000B2 (en) 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US20080236615A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Mimken Victor B Method of processing wafers in a sequential fashion
WO2012167285A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Tel Nexx, Inc. Parallel single substrate processing system
US9728428B2 (en) * 2013-07-01 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Single use rinse in a linear Marangoni drier
TWI654703B (zh) * 2014-02-27 2019-03-21 日商斯克林集團公司 基板處理裝置
US10283396B2 (en) * 2016-06-27 2019-05-07 Asm Nexx, Inc. Workpiece holder for a wet processing system
DE102017111618B4 (de) * 2017-05-29 2021-03-11 CURO GmbH Vorrichtung, System und Verfahren zur Trocknung einer Halbleiterscheibe
CN108831849A (zh) * 2018-06-25 2018-11-16 清华大学 基于热马兰哥尼效应的晶圆干燥装置和干燥方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01130771A (ja) * 1987-10-05 1989-05-23 Nukem Gmbh 基板洗浄法及び基板洗浄装置
JPH10335300A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Komatsu Ltd 半導体ウエハの処理方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60223130A (ja) 1984-04-19 1985-11-07 Sharp Corp 基板の洗滌乾燥方法及びその装置
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4736758A (en) 1985-04-15 1988-04-12 Wacom Co., Ltd. Vapor drying apparatus
US4722752A (en) 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5371950A (en) 1990-02-23 1994-12-13 S & K Products International, Inc. Isopropyl alcohol vapor dryer system
JP2901098B2 (ja) 1991-04-02 1999-06-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5301701A (en) 1992-07-30 1994-04-12 Nafziger Charles P Single-chamber cleaning, rinsing and drying apparatus and method therefor
JP2902222B2 (ja) * 1992-08-24 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3341033B2 (ja) 1993-06-22 2002-11-05 忠弘 大見 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5556479A (en) 1994-07-15 1996-09-17 Verteq, Inc. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
US5958146A (en) * 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
TW301761B (ja) * 1994-11-29 1997-04-01 Sharp Kk
US5653045A (en) 1995-06-07 1997-08-05 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
JPH10321585A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01130771A (ja) * 1987-10-05 1989-05-23 Nukem Gmbh 基板洗浄法及び基板洗浄装置
JPH10335300A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Komatsu Ltd 半導体ウエハの処理方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149929A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Kazuo Tanabe ウエーハ枚葉引き上げ乾燥装置
JP2011071209A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Tokyo Electron Ltd 洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体
WO2021020136A1 (ja) * 2019-07-26 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2021145043A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 スピードファムクリーンシステム株式会社 基板乾燥装置
JP7423358B2 (ja) 2020-03-12 2024-01-29 スピードファムクリーンシステム株式会社 基板乾燥装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1214557A4 (en) 2009-05-13
TWI233480B (en) 2005-06-01
WO2001018470A1 (en) 2001-03-15
US6401732B2 (en) 2002-06-11
EP1214557A1 (en) 2002-06-19
US6192600B1 (en) 2001-02-27
US20010017146A1 (en) 2001-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003528444A (ja) 熱的毛細管現象式乾燥装置
US10573542B2 (en) Heater cleaning method
US6632751B2 (en) Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate
CN104064445B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP5043406B2 (ja) 基板乾燥方法および基板乾燥装置
JP2010153888A (ja) 基板洗浄乾燥装置
US9064908B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP6438649B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN107230652A (zh) 基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法
TW201508830A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20120116361A (ko) 기판 세정 장치, 기판 세정 방법, 및 기판 세정 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
TWI740095B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20140114298A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2017175166A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20180116827A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5234985B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6932017B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2020022103A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR102099889B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102278561B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JPH0669182A (ja) ベーパ乾燥方法および装置
JP2012222253A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070306

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090707

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100713