CN107203094B - 掩膜版清理装置及方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 198
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 170
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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Abstract
本发明公开了一种掩膜版清理装置,包括:加热机构,用于加热清理机构;清理机构,用于在被加热后接触掩膜版上的异物并清理所述异物。本发明还公开了一种掩膜版清理方法。本发明提供的掩膜版清理装置及方法,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种掩膜版清理装置及方法。
背景技术
掩膜版(mask)是显示技术领域中一种非常常见且重要的工具或部件。通常应用于阵列基板的构图工艺,或者,在有机发光二极管(OLED)显示基板的制作过程中,应用于蒸镀工艺中以辅助形成有机发光层。
因此,对于使用后的掩膜版,清理、检测和修复就成为了一项非常重要的工作。现有技术中,掩膜版主要的清理方法是使用激光(laser)直接照射异物的方式对异物进行清理。
但是,发明人在实现本发明的过程中,发现现有技术中的掩膜版清理方法至少存在以下问题:
现有技术中使用的激光装置是通过激光直接照射异物处,因为异物的种类有很多,这样的话去除异物所要使用的条件就会千变万化,而且,还存在损伤掩膜版的风险。并且,激光直接照射的工艺调试难度大,很多材料对光的吸收波段不同,造成异物无法完全清理干净或者是清理完异物后在掩膜版上留下印记。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种掩膜版清理装置及方法,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
基于上述目的本发明提供的掩膜版清理装置,包括:
加热机构,用于加热清理机构;
清理机构,用于在被加热后接触掩膜版上的异物并清理所述异物。
可选的,所述加热机构包括激光发射器,所述清理机构包括设置在所述激光发射器的出光方向上的去除部件。
可选的,所述去除部件为具有平整底面的第一柱体,能够沿平行于掩膜版表面的方向移动。
可选的,所述掩膜版清理装置,还包括:
测距机构,用于测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
所述去除部件,用于在清理所述异物时,根据所述掩膜版表面的位置和所述异物的位置,被所述激光发射器加热并从所述异物的一侧移动到另一侧,在此过程中推动并加热所述异物。
可选的,所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体,能够沿垂直于掩膜版表面的方向移动。
可选的,所述掩膜版清理装置,还包括:
测距机构,用于测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,测定掩膜版的透光区的分布位置,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
所述去除部件,用于在清理所述异物时,根据所述掩膜版表面的位置、所述异物的位置和掩膜版的透光区的分布位置,被所述激光发射器加热并从所述异物的上方穿过所述异物,在此过程中冲破并加热所述异物。
可选的,所述测距机构用于通过激光扫描的方式测定所述第一距离、第二距离和/或掩膜版的透光区的分布位置。
可选的,所述掩膜版清理装置用于清理高精度金属掩膜版。
本发明实施例的第二个方面,还提供了一种掩膜版清理方法,包括:
利用加热机构加热清理机构;
利用清理机构在被加热后接触掩膜版上的异物并清理所述异物。
可选的,所述加热机构包括激光发射器,所述清理机构包括设置在所述激光发射器的出光方向上的去除部件;
所述方法还包括:
利用测距机构测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
利用所述去除部件,根据所述掩膜版表面的位置和所述异物的位置,在被所述激光发射器加热后推动并清理所述异物;其中,所述去除部件为具有平整底面的第一柱体;
和/或,
所述方法还包括:
利用测距机构测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,测定掩膜版的透光区的分布位置,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
利用所述去除部件,根据所述掩膜版表面的位置、所述异物的位置和掩膜版的透光区的分布位置,在被所述激光发射器加热后冲破并清理所述异物;其中,所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体。
从上面所述可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理装置及方法,通过设置加热机构对清理机构进行加热,并在清理机构被加热后,通过让高温的清理机构接触异物的方式使异物因高温而蒸发,在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
附图说明
图1为本发明提供的掩膜版清理装置的第一个实施例的结构示意图;
图2为本发明提供的掩膜版清理装置及方法实施例中所清理的掩膜版的一个实施例的结构示意图;
图3为本发明提供的掩膜版清理装置及方法实施例中所清理的异物在掩膜版上的位置结构示意图;
图4为本发明提供的掩膜版清理装置的第二个实施例的结构示意图;
图5为本发明提供的掩膜版清理装置的第三个实施例的结构示意图;
图6为本发明提供的掩膜版清理装置的第四个实施例的结构示意图;
图7为本发明提供的掩膜版清理装置的第五个实施例的结构示意图;
图8为本发明提供的掩膜版清理方法的第一个实施例的流程示意图;
图9为本发明提供的掩膜版清理方法的第二个实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
需要说明的是,本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量,可见“第一”“第二”仅为了表述的方便,不应理解为对本发明实施例的限定,后续实施例对此不再一一说明。
基于上述目的,本发明实施例的第一个方面,提出了一种掩膜版清理装置,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图1所示,为本发明提供的掩膜版清理装置的第一个实施例的结构示意图。
所述掩膜版清理装置,包括:
加热机构10,用于加热清理机构20;
清理机构20,用于在被加热后接触掩膜版30(参考图2)上的异物40(参考图3)并清理所述异物40。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理装置,通过设置加热机构对清理机构进行加热,并在清理机构被加热后,通过让高温的清理机构接触异物的方式使异物因高温而蒸发,在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
本发明还提出了一种掩膜版清理装置的第二个实施例,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图4所示,为本发明提供的掩膜版清理装置的第二个实施例的结构示意图。
所述掩膜版清理装置,包括:
加热机构10,用于加热清理机构20;
清理机构20,用于在被加热后接触掩膜版30上的异物40并清理所述异物40;可选的,如图4所示,所述异物40为将掩膜版30的透光区31堵塞的异物40;
其中,所述加热机构10包括激光发射器11(所述激光发射器11可以是具有固定波长的激光发射装置,所用激光的波段需和去除部件对光的吸收波段相匹配),所述清理机构20包括设置在所述激光发射器11的出光方向上的去除部件;这样,通过控制激光发射器11发射激光的能量来控制去除部件被加热到的温度,能够较好地实现去除部件的温度控制,防止高温损坏掩膜版;所述去除部件为具有平整底面的第一柱体21(可选为圆柱、三棱柱、方形柱、多棱柱等,直径可以为约20μm,可选用耐高温、不易挥发的材料,可选为钛合金类或者特殊陶瓷类物质),能够沿平行于掩膜版30表面的方向移动,这样,去除部件在加热后除了可以通过接触异物40的方式来使其加热蒸发外,还可以推动并移除异物,在一些异物融化并粘附于去除部件时还可以通过带离所述去除部件的方式将粘附于去除部件的剩余异物带走。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理装置,通过设置加热机构对清理机构的去除部件进行加热,并将去除部件设置为具有平整底面的第一柱体,在去除部件被加热后,高温的去除部件对异物进行接触加热的同时能够推动异物,在实现对异物进行接触加热而蒸发的同时,能够将不能被蒸发或还未完全蒸发的异物推动移除;在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
可选的,上述掩膜版清理装置适宜于普通大小的异物的清理,使用起来更加方便快捷。
需要说明的是,虽然上述实施例以对掩膜版30的透光区31处的异物进行清理为例进行描述,但并不意味着该掩膜版清理装置的实施例仅仅能用于清理掩膜版30的透光区31处的异物,实际上,基于前述的掩膜版清理装置的清理原理,所述掩膜版清理装置也能用于对粘附在掩膜版30表面的非透光区的异物进行清理,因此不应将对异物的位置的限定用于限定本发明的保护范围。
本发明还提出了一种掩膜版清理装置的第三个实施例,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图5所示,为本发明提供的掩膜版清理装置的第三个实施例的结构示意图。
所述掩膜版清理装置,包括:
加热机构10,用于加热清理机构20;
清理机构20,用于在被加热后接触掩膜版30上的异物40并清理所述异物40;
其中,所述加热机构10包括激光发射器11,所述清理机构20包括设置在所述激光发射器11的出光方向上的去除部件;这样,通过控制激光发射器11发射激光的能量来控制去除部件被加热到的温度,能够较好地实现去除部件的温度控制;所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体22,能够沿垂直于掩膜版30表面的方向移动并能穿过掩膜版30上的透光区31;这样,去除部件在加热后除了可以通过接触异物40的方式来使其加热蒸发外,还可以冲破并捣碎异物,同样的,在一些异物融化并粘附于去除部件时还可以通过带离所述去除部件的方式将粘附于去除部件的剩余异物带走。可选的,所述第二柱体22的锥形底部可以采用圆锥、棱锥来实现,所述第二柱体22的主体部分可采用圆柱、三棱柱、方形柱、多棱柱等来实现,直径可以为约20μm,可选用耐高温、不易挥发的材料,可选为钛合金类或者特殊陶瓷类物质。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理装置,通过设置加热机构对清理机构的去除部件进行加热,并将去除部件设置为具有平整底面的第一柱体,在去除部件被加热后,高温的去除部件对异物进行接触加热的同时能够冲破异物,在实现对异物进行接触加热而蒸发的同时,能够将不易被蒸发或还未完全蒸发的异物冲破移除;在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
可选的,上述掩膜版清理装置适宜于面积较大且难以去除的异物的清理,这样能够先对其进行冲破处理,能够更好地实现异物清理,使用起来更加方便快捷。
可选的,在通过所述具有锥形底部的第二柱体22对异物进行冲破处理后,若还存在没有清理完全的残留异物,还可以将第二柱体22更换为第一柱体21,对残留异物进行第二次清理;这样搭配使用第二柱体22和第一柱体21,能够将掩膜版30基本完全清理干净。
本发明还提出了一种掩膜版清理装置的第四个实施例,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图6所示,为本发明提供的掩膜版清理装置的第四个实施例的结构示意图。
所述掩膜版清理装置,包括:
加热机构10,用于加热清理机构20;所述加热机构10包括激光发射器11;
清理机构20,用于在被加热后接触掩膜版30上的异物40并清理所述异物40;所述清理机构20包括设置在所述激光发射器11的出光方向上的去除部件;所述去除部件为具有平整底面的第一柱体21,能够沿平行于掩膜版30表面的方向移动;
测距机构50,用于测定掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离,以及,测定所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置;
可选的,如图6所示,所述测距机构50采用的测距方式可以是通过激光测距方式来实现,可使用激光探头对异物位置的高度进行确定;所述第一距离和第二距离的测定方式可以是:所述测距机构50与放置掩膜版30的测试台(未示出)的相对位置关系是确定的,这样,所述测距机构50的测试头通过在掩膜版30上方移动(如图6中所示,所述测距机构50从图中左侧移至中部的虚线位置)而测得自身分别与掩膜版30和异物40之间的距离;而根据测距机构50与清理机构20之间的相对位置关系,即可得到掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离(垂直于掩膜版的方向)和所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离(垂直于掩膜版的方向);同时,由于异物表面和掩膜版表面之间存在垂直落差,基于第一距离和第二距离,可以得到对应于第二距离的位置是异物40的所处位置,而对应于第一距离的水平面即为掩膜版表面;需要说明的是,所述第一距离和第二距离可以是指一个单独的距离值,也可以是通过测得的多个距离值所计算得到的平均值;
所述去除部件,用于在清理所述异物40时,根据所述掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置,被所述激光发射器11加热(加热的温度可以按照预估的异物特性进行设定)并移动到所述掩膜版30的表面(所述第一柱体21的底面基本贴近掩膜版30的表面),沿着所述掩膜版30的表面从所述异物40的一侧移动到另一侧,在此过程中推动并加热所述异物40,从而能够使去除部件精准定位,更好地实现异物清理。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理装置,通过设置加热机构对清理机构的去除部件进行加热,并将去除部件设置为具有平整底面的第一柱体,在去除部件被加热后,高温的去除部件对异物进行接触加热的同时能够推动异物,在实现对异物进行接触加热而蒸发的同时,能够将不能被蒸发或还未完全蒸发的异物推动移除;在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题;同时,根据测距机构测定的第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置,从而能够使去除部件实现精准定位,更好地完成异物清理,此外,由于大面积的掩膜版会发生下垂,因此通过测距机构能够精确地确定异物附近掩膜版表面的垂直高度。
可选的,上述掩膜版清理装置适宜于普通大小的异物的清理,使用起来更加方便快捷。
可选的,所述测距机构50用于通过激光扫描的方式测定所述第一距离和第二距离;通过激光扫描的方式测定所述第一距离和第二距离,能够较为方便地得到所需的距离信息,并能同时得到掩膜版表面的异物分布数据,进而更好地辅助完成异物清理。
需要说明的是,虽然上述实施例以对掩膜版30的透光区31处的异物进行清理为例进行描述,但并不意味着该掩膜版清理装置的实施例仅仅能用于清理掩膜版30的透光区31处的异物,实际上,基于前述的掩膜版清理装置的清理原理,所述掩膜版清理装置也能用于对粘附在掩膜版30表面的非透光区的异物进行清理,因此不应将对异物的位置的限定用于限定本发明的保护范围。
本发明还提出了一种掩膜版清理装置的第五个实施例,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图7所示,为本发明提供的掩膜版清理装置的第五个实施例的结构示意图。
所述掩膜版清理装置,包括:
加热机构10,用于加热清理机构20;所述加热机构10包括激光发射器11;
清理机构20,用于在被加热后接触掩膜版30上的异物40并清理所述异物40;所述清理机构20包括设置在所述激光发射器11的出光方向上的去除部件,所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体22,能够沿垂直于掩膜版30表面的方向移动;
测距机构50,用于测定掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离,测定掩膜版30的透光区31的分布位置,测定所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置;
可选的,如图7所示,所述测距机构50采用的测距方式可以是通过激光测距方式来实现;所述第一距离和第二距离的测定方式可以是:所述测距机构50与放置掩膜版30的测试台(未示出)的相对位置关系是确定的,这样,所述测距机构50的测试头通过在掩膜版30上方移动(如图7中所示,所述测距机构50从图中左侧移至中部的虚线位置)而测得自身分别与掩膜版30和异物40之间的距离;而根据测距机构50与清理机构20之间的相对位置关系,即可得到掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离(垂直于掩膜版的方向)和所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离(垂直于掩膜版的方向);同时,由于异物表面和掩膜版表面之间存在垂直落差,基于第一距离和第二距离,可以得到对应于第二距离的位置是异物40的所处位置,而对应于第一距离的水平面即为掩膜版表面;需要说明的是,所述第一距离和第二距离可以是指一个单独的距离值,也可以是通过测得的多个距离值所计算得到的平均值;
所述掩膜版30的透光区31的分布位置的测定方式可以是:所述测距机构50的测试头通过在掩膜版30上方移动(如图7中所示,所述测距机构50从图中左侧移至中部的虚线位置)并发射激光,在没有接收到反射回来的激光的位置,可确定为掩膜版30的未被异物40遮挡的透光区,从而能够得到掩膜版30未被异物40遮挡的透光区与清理机构20之间的相对位置关系;再根据掩膜版30本身的透光区的分布规律(可以是预先存储在装置中的),可以确定被异物40所遮挡的透光区31的具体位置(原本应当为透光区而由于异物遮挡而没有被测距机构测到),即所述掩膜版30的透光区31的分布位置;
所述去除部件,用于在清理所述异物40时,根据所述掩膜版30表面的位置、所述异物40的位置和掩膜版30的透光区31的分布位置,被所述激光发射器11加热(加热的温度可以按照预估的异物特性进行设定)并移动到与异物40和透光区31对应的位置(可参考图7中虚线框对应的位置),从所述异物40的上方穿过所述异物40,在此过程中冲破并加热所述异物40;从而能够使去除部件精准定位异物中心部位及其下方的透光区位置,更好地实现异物冲破和清理,同时避免因对位不准而对掩膜版造成的损坏。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理装置,通过设置加热机构对清理机构的去除部件进行加热,并将去除部件设置为具有平整底面的第一柱体,在去除部件被加热后,高温的去除部件对异物进行接触加热的同时能够冲破异物,在实现对异物进行接触加热而蒸发的同时,能够将不易被蒸发或还未完全蒸发的异物冲破移除;在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题;同时,根据测距机构测定的第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置,同时结合测距机构测定的掩膜版的透光区的分布位置,能够使去除部件精准定位异物中心部位及其下方的透光区位置,更好地实现异物冲破和清理。
可选的,上述掩膜版清理装置适宜于面积较大且难以去除的异物的清理,这样能够先对其进行冲破处理,能够更好地实现异物清理,使用起来更加方便快捷。
可选的,在通过所述具有锥形底部的第二柱体22对异物进行冲破处理后,若还存在没有清理完全的残留异物,还可以将第二柱体22更换为第一柱体21,对残留异物进行第二次清理;这样搭配使用第二柱体22和第一柱体21,能够将掩膜版30基本完全清理干净。
可选的,所述测距机构50用于通过激光扫描的方式测定所述第一距离、第二距离和掩膜版的透光区的分布位置;通过激光扫描的方式测定所述第一距离、第二距离和/或掩膜版的透光区的分布位置,能够较为方便地得到所需的距离和分布位置等信息;同时还能得到掩膜版表面的异物分布数据,进而更好地辅助完成异物清理。此外,还可通过激光扫描设备的扫描镜头确认异物的位置。
可选的,所述掩膜版清理装置的上述任意实施例,均可用于清理高精度金属掩膜版(FMM);因为FMM的精细度更高,所以更易堵塞、清理也更困难,采用本发明提供的掩膜版清理装置的上述任意实施例,均能很好地实现FMM的清理。特别地,所述高精度金属掩膜版用于OLED显示产品的蒸镀工艺中。
可选的,上述各实施例中所述加热机构10和清理机构20可以是通过连接机构连接在一起的,即当清理机构20移动时加热机构10也跟着移动(参考附图4-7),这样可以保证清理机构20的去除部件能够随时被加热机构10加热,从而保证去除部件的温度,以便达到更好的清理效果。
可选的,上述各实施例中所述加热机构10和清理机构20甚或是连同测距机构50,可以通过电连接至同一个控制装置并通过该控制装置进行统一控制,从而保证信号的同步性,提高所述掩膜版清理装置的整体协同性。当然,可以知道的是,加热机构10、清理机构20和测距机构50也可以分别连接各自的控制机构,从而分别完成控制,而加热机构10、清理机构20和测距机构50各自的信号可以通过在这些控制机构互传来实现共享。
基于上述目的,本发明实施例的第二个方面,提出了一种掩膜版清理方法,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图8所示,为本发明提供的掩膜版清理方法的第一个实施例的流程示意图。
结合附图1,所述掩膜版清理方法,包括以下步骤:
步骤601:利用加热机构10加热清理机构20;
步骤602:利用清理机构20在被加热后接触掩膜版上的异物并清理所述异物。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理方法,通过设置加热机构对清理机构进行加热,并在清理机构被加热后,通过让高温的清理机构接触异物的方式使异物因高温而蒸发,在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。
可选的,参考附图4,所述加热机构10包括激光发射器11,所述清理机构20包括设置在所述激光发射器11的出光方向上的去除部件;这样,通过控制激光发射器11发射激光的能量来控制去除部件被加热到的温度,能够较好地实现去除部件的温度控制。
可选的,参考附图6,所述掩膜版清理方法还可包括以下步骤:
利用测距机构50测定掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离,以及,测定所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离;以及,根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置;
利用所述去除部件,根据所述掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置,在被所述激光发射器11加热后推动并清理所述异物40;其中,所述去除部件为具有平整底面的第一柱体21。
通过上述实施例,在对异物进行接触加热的同时能够推动异物,从而能够同时实现将异物推动移除,并且,根据测距机构测定的第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置,从而能够使去除部件精准定位,更好地实现异物清理。
可选的,参考附图7,所述掩膜版清理方法还可包括以下步骤:
利用测距机构50测定掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离,测定掩膜版30的透光区31的分布位置,以及,测定所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置;
利用所述去除部件,根据所述掩膜版30表面的位置、所述异物40的位置和掩膜版30的透光区31的分布位置,在被所述激光发射器11加热后冲破并清理所述异物40;其中,所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体22。
通过上述实施例,将去除部件设置为具有锥形底部的第二柱体,在对异物进行接触加热的同时能够穿破异物,从而能够同时实现将异物冲破移除,以及,根据测距机构测定的第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置,同时结合测距机构测定的掩膜版的透光区的分布位置,能够使去除部件精准定位异物中心部位及其下方的透光区位置,更好地实现异物冲破和清理。
可选的,所述测距机构50用于通过激光扫描的方式测定所述第一距离、第二距离和/或掩膜版的透光区的分布位置;通过激光扫描的方式测定所述第一距离、第二距离和/或掩膜版的透光区的分布位置,能够较为方便地得到所需的距离和分布位置等信息。
可选的,所述掩膜版清理方法用于清理高精度金属掩膜版(FFM)。因为FMM的精细度更高,所以更易堵塞、清理也更困难,采用所述掩膜版清理方法则能很好地实现FMM的清理。
本发明还提出了一种掩膜版清理方法的第二个实施例,能够避免采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题。如图9所示,为本发明提供的掩膜版清理方法的第二个实施例的流程示意图。
结合附图6和附图7,所述掩膜版清理方法,包括以下步骤:
步骤701:利用测距机构50测定掩膜版30表面与清理机构20之间的第一距离,测定掩膜版30的透光区31的分布位置,以及,测定所述异物40的表面与清理机构20之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版30表面的位置和所述异物40的位置;
步骤702:利用加热机构10加热清理机构20;
步骤703:利用所述清理机构20的去除部件,根据所述掩膜版30表面的位置、所述异物40的位置和掩膜版30的透光区31的分布位置,在被所述激光发射器11加热后冲破并清理所述异物40;其中,所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体22;
步骤704:在存在残留异物时,更换所述去除部件为具有平整底面的第一柱体21;
步骤705:利用更换后的去除部件,根据所述掩膜版30表面的位置和所述异物的位置,在被所述激光发射器11加热后推动并清理残留异物。
从上述实施例可以看出,本发明实施例提供的掩膜版清理方法,通过设置加热机构对清理机构进行加热,并在清理机构被加热后,通过让高温的清理机构接触异物的方式使异物因高温而蒸发,在保证快速简洁地去除掩膜版上的异物的前提下,避免了采用激光进行直接照射加热异物的方式而造成的工艺难以控制和掩膜版损伤的问题;同时,结合测距机构的使用,能够对异物更好地定位;此外,结合两种去除部件来对掩膜版进行清理,能够将掩膜版上的各种异物完全清理干净。
可选的,所述掩膜版清理方法的上述任意实施例,均可用于清理高精度金属掩膜版(FMM);因为FMM的精细度更高,所以更易堵塞、清理也更困难,采用本发明提供的掩膜版清理方法的上述任意实施例,均能很好地实现FMM的清理。特别地,所述高精度金属掩膜版用于OLED显示产品的蒸镀工艺中。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种掩膜版清理装置,其特征在于,包括:
加热机构,用于加热清理机构;
清理机构,用于在被加热后接触掩膜版上的异物并清理所述异物;
所述加热机构包括激光发射器,所述清理机构包括设置在所述激光发射器的出光方向上的去除部件;所述去除部件包括以下结构中的至少其一:
所述去除部件为具有平整底面的第一柱体,能够沿平行于掩膜版表面的方向移动,用于在清理所述异物时被所述激光发射器加热并从所述异物的一侧移动到另一侧,在此过程中推动并加热所述异物;或者,
所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体,能够沿垂直于掩膜版表面的方向移动,用于在清理所述异物时被所述激光发射器加热并从所述异物的上方穿过所述异物,在此过程中冲破并加热所述异物。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
测距机构,用于测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
所述去除部件,用于在清理所述异物时,根据所述掩膜版表面的位置和所述异物的位置,被所述激光发射器加热并从所述异物的一侧移动到另一侧,在此过程中推动并加热所述异物。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
测距机构,用于测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,测定掩膜版的透光区的分布位置,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
所述去除部件,用于在清理所述异物时,根据所述掩膜版表面的位置、所述异物的位置和掩膜版的透光区的分布位置,被所述激光发射器加热并从所述异物的上方穿过所述异物,在此过程中冲破并加热所述异物。
4.根据权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述测距机构用于通过激光扫描的方式测定所述第一距离、第二距离和/或掩膜版的透光区的分布位置。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述掩膜版清理装置用于清理高精度金属掩膜版。
6.一种掩膜版清理方法,其特征在于,包括:
利用加热机构加热清理机构;
利用清理机构在被加热后接触掩膜版上的异物并清理所述异物;
所述加热机构包括激光发射器,所述清理机构包括设置在所述激光发射器的出光方向上的去除部件;所述去除部件包括以下结构中的至少其一:
所述去除部件为具有平整底面的第一柱体,能够沿平行于掩膜版表面的方向移动,用于在清理所述异物时被所述激光发射器加热并从所述异物的一侧移动到另一侧,在此过程中推动并加热所述异物;或者,
所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体,能够沿垂直于掩膜版表面的方向移动,用于在清理所述异物时被所述激光发射器加热并从所述异物的上方穿过所述异物,在此过程中冲破并加热所述异物。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述加热机构包括激光发射器,所述清理机构包括设置在所述激光发射器的出光方向上的去除部件;
所述方法还包括:
利用测距机构测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
利用所述去除部件,根据所述掩膜版表面的位置和所述异物的位置,在被所述激光发射器加热后推动并清理所述异物;其中,所述去除部件为具有平整底面的第一柱体;
和/或,
所述方法还包括:
利用测距机构测定掩膜版表面与清理机构之间的第一距离,测定掩膜版的透光区的分布位置,以及,测定所述异物的表面与清理机构之间的第二距离;以及,用于根据所述第一距离和第二距离,确定掩膜版表面的位置和所述异物的位置;
利用所述去除部件,根据所述掩膜版表面的位置、所述异物的位置和掩膜版的透光区的分布位置,在被所述激光发射器加热后冲破并清理所述异物;其中,所述去除部件为具有锥形底部的第二柱体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710533115.0A CN107203094B (zh) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 掩膜版清理装置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710533115.0A CN107203094B (zh) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 掩膜版清理装置及方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107203094A CN107203094A (zh) | 2017-09-26 |
CN107203094B true CN107203094B (zh) | 2020-07-24 |
Family
ID=59910801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710533115.0A Expired - Fee Related CN107203094B (zh) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 掩膜版清理装置及方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107203094B (zh) |
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CN107203094A (zh) | 2017-09-26 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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