CN101221355A - 有机电致发光元件制程中的光刻掩膜板的清洗方法及装置 - Google Patents

有机电致发光元件制程中的光刻掩膜板的清洗方法及装置 Download PDF

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本发明公开一种有机电致发光元件制程中光刻掩膜板的清洗方法及装置,涉及电子半导体元器件制造技术领域;所要解决的是清洗光刻掩膜板的降低成本,提高效果的技术问题;该装置由输入端至输出端依次包括中段投片口、清洗单元的第一段、清洗单元的第二段、二流体冲洗单元、淋式超声洗单元、温水洗单元、用于吹干、清洁的风刀单元、去静电单元,所述各单元由传送单元连接;其特征在于,所述清洗单元的第一段使用独立的第一循环纯水系统,所述清洗单元的第二段、二流体冲洗单元、淋式超声洗单元使用第二循环纯水系统,所述温水洗单元使用加热后淋洗并直接排放的纯水系统。本发明的清洗方法及装置具有降低成本,缩短时间,减少操作人员,提高清洗效果的特点。

Description

有机电致发光元件制程中的光刻掩膜板的清洗方法及装置
技术领域
本发明涉及电子半导体元器件制造技术,特别是涉及一种有机电致发光元件制程中所用的光刻掩膜板(MASK)的清洗方法和相关的清洗设备的技术。
背景技术
有机电致发光显示器件(OLED)作为平板显示器的一大分支,具有面板厚度薄(小于2mm),自发光,低操作电压(3-10V),可制作大尺寸面板及制程简单等特性,成为极具潜力的一项平面显示技术,而在OLED行业中其制造过程中需用到的大面积高精度铬版掩膜板已成为重要的光刻治具。由于在制造有机电致发光元件的过程中需要经过多次光刻用于制造ITO像素,金属电极,绝缘层和阴极隔离层,一旦所使用的光刻掩膜板受到污染,就会对光刻图形造成非常不利的影响。所以必须每天在每一道OLED器件的光刻过程前都需要对光刻掩膜板进行彻底的清洗,以保证良品率。但是由于反复的彻底清洗铬版MASK,对MASK上的图案边缘和膜质本身都产生了不可挽回的损伤,使得MASK的使用寿命大大缩短,导致制造成本显著增加。从而要求有一种可以尽量减少MASK损伤的专用清洗方法和相关的清洗设备。
一般来说,对于光刻掩膜板(MASK)的清洗多使用手工方法,操作人员用洁净布沾着有机溶剂或氢氧化钾擦去MASK上的沾污物后,再用大量纯水冲洗,最后用手持式气枪吹干。这种方法的整个过程MASK都由人手来清洁,很容易受到外界环境(手套,衣物)的影响,而且无法确保纯水的冲洗是否全面、彻底以及气枪的气流是否真正吹干了MASK(水迹残留),容易造成二次污染。这种手工操作的清洗光刻掩膜板的方法费时费力,而且不能达到理想的清洗效果。
目前,一些国外的设备厂商也设计了用旋转的(SPIN)的方式来清洗MASK的专用的的设备,但需要的清洗试剂量大且设备的使用和保养也很烦琐,最重要的是增加一台进口的专用设备就意味着制造成本的大大增加,洁净房净化环境的巨大改变。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种能降低成本,缩短清洗时间,减少操作人员,提高清洗效果的有机电致发光元件制程中光刻掩膜板的清洗方法及装置。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种有机电致发光元件制程中光刻掩膜板的清洗装置,由装置的输入端至输出端依次包括中段投片口、清洗单元的第一段、清洗单元的第二段、二流体冲洗单元、淋式超声洗单元、温水洗单元、用于吹干、清洁的风刀单元、去静电单元,所述各单元由传送单元连接;其特征在于,所述清洗单元的第一段使用第一(独立的)循环纯水系统,所述清洗单元的第二段、二流体冲洗单元、淋式超声洗单元使用第二循环纯水系统,所述二流体冲洗单元的二流体为纯水和气,所述温水洗单元使用加热后淋洗并直接排放的纯水系统。
进一步的,所述投片口设有能取放的保护罩。
进一步的,所述传送单元不设置压辊。
进一步的,所述第一和第二循环纯水系统之间设有阀门。
进一步的,所述光刻掩膜板的清洗装置为经过改造的OLED基板清洗设备的后段流水线设备。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种有机电致发光元件制程中光刻掩膜板的清洗方法,其特征在于,方法的步骤包括:
1)光刻掩膜板送入投片口;
2)用水清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板传送到设有独立循环纯水系统的清洗单元的第一段进行清洗;
3)再次清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板进入清洗单元的第二段、二流体冲洗单元和淋式超声洗单元进行清洗,经过这三单元的清洗光刻掩膜板的正反两面的附着的污染物已基本洗净;
4)温水(去除油脂)清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板经使用温纯水的温水洗单元清洗;完全去除油脂的附着;
5)吹干光刻掩膜板,光刻掩膜板传送至风刀单元进行吹干;
6)光刻掩膜板去除静电。
进一步的,所述步骤1)之前将光刻掩膜板放入配有5%KOH溶液(电子纯)的清洁的容器中先浸泡5分钟,然后将掩膜板取出再送入投片口。
利用本发明提供的有机电致发光元件制程中光刻掩膜板的清洗方法及装置,由于采用这种改进的光刻掩膜板(MASK)的清洗方法和相关的清洗设备第一可以在不增加设备,不增加制造成本的前提下,尽可能的减少清洗光刻掩膜板所用的时间和人员;第二可以切实去除附着在MASK上的污染物,并吹干MASK,有效提高MASK的清洗效果。光刻掩膜板以浸泡方式去除表面的光刻胶的沾污,避免了人员在擦洗过程中可能产生的二次污染(如衣服,手套,洁净布的接触);在不增加制造成本的前提下,本发明能有效防止从光刻掩膜板上剥离的污染物再次附着,明显提高掩膜板的清洗效果,并大大缩短了清洗时间,减少了操作人员,提高了工作效率。
附图说明
图1是本发明实施例的光刻掩膜板的清洗装置结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图说明对本发明的实施例作进一步详细描述,但本实施例并不用于限制本发明,凡是采用本发明的相似结构及其相似变化,均应列入本发明的保护范围。
如图1所示,本发明实施例所提供的一种光刻掩膜板的清洗装置,由装置的输入端至输出端依次包括中段投片口1、清洗单元的第一段2a、清洗单元的第二段2b、二流体冲洗单元3、淋式超声洗单元4、温水洗单元5、用于吹干、清洁的风刀单元6、去静电单元7,所述各单元由滚轮传送单元8连接;其特征在于,所述清洗单元的第一段2a使用第一(独立的)循环纯水系统9,所述清洗单元的第二段2b、二流体冲洗单元3、淋式超声洗单元4使用第二循环纯水系统10,所述温水洗单元5使用加热后淋洗并直接排放的纯水系统12,所述二流体冲洗单元3的二流体为纯水和气11。所述光刻掩膜板的清洗装置为经过改造的OLED基板清洗设备的后段流水线设备;所述投片口上设有能取放的保护罩;所述传送单元8不设置压辊;所述第一和第二循环纯水系统9、10之间设有阀门。
本发明实施例所提供的一种光刻掩膜板的清洗方法是:将光刻掩膜板放入配有清洗试剂的容器中先浸泡若干时间后将掩膜板取出,立即投入(膜面朝上)经过改造的OLED基板清洗设备的后段流水线设备中,经过纯水的多道冲洗过程,最后吹干,去除静电后取出。其特征一:光刻掩膜板以浸泡方式去除表面的光刻胶的沾污,避免了人员在擦洗过程中可能产生的二次污染(如衣服,手套,洁净布的接触)其特征二.该方法使用到的清洗设备是利用了OLED基板专用清洗设备(OLED器件对基板清洗要求高)的后段纯水清洗和风刀吹干部分,整套基板清洗设备的中段被设计了另一个投片口,投片口的长度不能太长,刚好等于MASK的边长,这是为了避免基板清洗流程受到妨碍;在该投片口上安有保护罩,在平时进行基板清洗的时候,保护罩是放上去的,避免清洗设备内部被污染。在MASK清洗时取下防护罩投入MASK进行清洗。其特征三MASK使用到的清洗设备里不设置压在基板上的压辊,在运行中不会对玻璃表面的金属铬膜造成损伤,也不会带来二次污染。其特征四在MASK投入的第一道水洗的水必须直接流掉,不进入其他水洗过程的循环用水的系统,以免污染纯水,这个可以通过阀门控制。其特征五使用片状风刀吹干玻璃,只有使用片状风刀才能真正完全吹干大尺寸的玻璃表面。
如图1所示,本发明实施例所提供的一种光刻掩膜板的清洗方法:
1)光刻掩膜板送入投片口:将光刻用铬版掩膜板放入配有5%KOH溶液(电子纯)的清洁的容器中先浸泡5分钟左右,然后将掩膜板取出,铬版掩膜板沿着基板传送方向A被放入基板清洗设备的中段投片口1;
2)用水清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板被传送到进行二段式清洗单元的第一段2a,这部分的水直接流掉,不进入设备的水循环系统,这部分可以设计成纯水9直接接入使用后直接排放到掉,也可以设置阀门使得这个清洗单元的第一段2a在平时基板清洗的时候使用循环水,而在进行MASK清洗的时候水不流入循环水存放的处理槽直接排掉;
3)再次清洗光刻掩膜板,接下来MASK进入二段式清洗单元的第二段2b,二流体冲洗单元3和淋式超声洗单元4,这三个单元用的是循环水,经过这几单元的清洗MASK的正反两面的附着的污染物已基本洗净;
4)温水(去除油脂)清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板经使用温纯水的温水洗单元5,完全去除油脂的附着;
5)吹干光刻掩膜板,掩膜板传送至风刀单元6,经过过滤的干燥气体通过片状风刀的的出风口切过MASK表面,将表面的水份完全吹干;
6)光刻掩膜板去除静电,另外出片口安有去静电单元7,所以从出片口传送出的光刻掩膜板是相当干净和干燥的。

Claims (5)

1.一种有机电致发光元件制程中光刻掩膜板的清洗装置,由装置的输入端至输出端依次包括中段投片口、清洗单元的第一段、清洗单元的第二段、二流体冲洗单元、淋式超声洗单元、温水洗单元、用于吹干、清洁的风刀单元、去静电单元,所述各单元由传送单元连接;其特征在于,所述清洗单元的第一段使用独立的第一循环纯水系统,所述清洗单元的第二段、二流体冲洗单元、淋式超声洗单元使用第二循环纯水系统,所述温水洗单元使用加热后淋洗并直接排放的纯水系统。
2.根据权利要求1所述的光刻掩膜板的清洗装置,其特征在于,所述投片口设有能取放的保护罩。
3.根据权利要求1所述的光刻掩膜板的清洗装置,其特征在于,所述第一和第二循环纯水系统之间设有阀门。
4.一种权利要求1所述的光刻掩膜板清洗装置的清洗方法,其特征在于,方法的步骤包括:
1)光刻掩膜板送入投片口;
2)用水清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板传送到设有独立循环纯水系统的清洗单元的第一段进行清洗;
3)再次清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板进入清洗单元的第二段、二流体冲洗单元和淋式超声洗单元进行清洗;
4)温水清洗光刻掩膜板,光刻掩膜板经使用温纯水的温水洗单元进行去除油脂的清洗;
5)吹干光刻掩膜板,光刻掩膜板传送至风刀单元进行吹干;
6)光刻掩膜板去除静电。
5.根据权利要求4所述的光刻掩膜板的清洗方法,其特征在于,所述步骤1)之前将光刻掩膜板放入配有电子纯的5%KOH溶液的清洁的容器中先浸泡5分钟,然后将掩膜板取出再送入投片口。
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