CN205944046U - 半导体干燥设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种半导体干燥设备，包含：一干燥处理槽、一液体暂存槽、以及一循环管路系统，连接在所述干燥处理槽与所述液体暂存槽之间，包含一第一过滤器。当所述半导体干燥用处理液体存放在所述液体暂存槽内时，利用所述循环管路系统将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体输出，并通过所述第一过滤器回送至所述液体暂存槽内，以经常保持所述半导体干燥用处理液体内的微粒数量在准许数量以下。

Description

半导体干燥设备

技术领域

本实用新型涉及一种半导体干燥设备，特别是涉及一种具有内循环系统的半导体干燥设备，并且利用所述内循环系统将半导体干燥用处理液体进行过滤。

背景技术

在半导体元件的制造过程中，晶片表面的洁净度是影响半导体元件的制造良率的重要关键因素。倘若晶片表面残留过多的水分或者有微粒或灰尘附着于其上，对后续的工艺会产生相当大的不良影响，例如导致蚀刻效果不良进而影响半导体元件的电特性表现。因此，将晶片表面进行干燥处理是半导体工艺中的重要步骤。也就是说，晶片在进行沉积、微影、以及蚀刻等处理之前和之后都必须进行晶片洗净及干燥的步骤，藉以去除附着在晶片表面上的水分、金属杂质、有机物污染、微粒或灰尘等。

在现有的半导体干燥设备中，已经广泛地使用一种干燥处理方法：利用具有沸点低且表面张力小的溶剂，例如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)，作为干燥用溶剂去除晶片表面上残留的水分及可能存在的化学药剂、金属杂质、微粒或灰尘。更明确的说，将所述溶剂注入一处理槽之后，接着将晶片沉浸在所述处理槽内，通过所述溶剂的高挥发性可将晶片表面水分快速脱去，以及去除可能存在的微粒及金属杂质。接着，再将所述溶剂从所述处理槽移除。残留在晶片上的所述溶剂会挥发进而使晶片完全干燥，再进行后续步骤。如此干燥处理的晶片不会有水痕产生。

然而，在上述的干燥处理方法中，所述溶剂会被重复使用。也就是说，当经过多次晶片的干燥步骤后，所述溶剂会带有大量的水分或杂质，例如金属杂质、微粒或灰尘。倘若没有将所述溶剂内的杂质过滤完全，反而会造成晶片的污染。有鉴于此，有必要提出一种半导体干燥设备和半导体干燥用处理液体的循环与过滤方法，用以解决溶剂带有杂质的问题。

实用新型内容

为解决上述现有技术的问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体干燥设备，通过在半导体干燥设备的循环管路系统内设置一内循环系统，并且利用所述内循环系统将半导体干燥用处理液体进行过滤。应用本实用新型的半导体干燥设备，将半导体干燥用处理液体多次地通过一过滤器，以去除所述半导体干燥用处理液体内的杂质，降低晶片于干燥处理后仍存有微粒或灰尘及水气等的可能性，避免水气等影响晶片的后续工艺，进而增加产出良率。

为达成上述目的，本实用新型提供一种半导体干燥用处理液体的循环与过滤方法，适用于一半导体干燥设备，所述半导体干燥设备包含：一干燥处理槽、一液体暂存槽、以及一循环管路系统，连接在所述干燥处理槽与所述液体暂存槽之间，包含一第一过滤器，所述半导体干燥用处理液体的循环与过滤方法包含：利用所述循环管路系统将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器传输至所述干燥处理槽内；将至少一晶片放置在所述干燥处理槽内，以通过所述半导体干燥用处理液体将位在所述至少一晶片的表面的水分置换为半导体干燥用处理液体；利用所述循环管路系统将所述干燥处理槽内的所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器传输至所述液体暂存槽内；以及利用所述循环管路系统将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体输出，并通过所述第一过滤器回送至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备的所述循环管路系统还包含：一第一管路，设置有一第一阀门，并且连接在所述液体暂存槽和一第一泵之间；一第二管路，连接在所述第一泵和一管路连接点之间，且所述第二管路上设置有所述第一过滤器；以及一第三管路，设置有一第二阀门，并且连接在所述管路连接点和所述干燥处理槽之间；其中在利用所述循环管路系统将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器传输至所述干燥处理槽内的步骤中包含：开启所述循环管路系统的所述第一阀门和所述第二阀门；以及启动所述第一泵以将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体抽出至所述第一管路并且通往所述第二管路，使得所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器之后通过所述第三管路传输至所述干燥处理槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备的所述循环管路系统还包含：一第四管路，设置有一第三阀门，并且连接在所述干燥处理槽和所述第一泵之间；以及一第五管路，设置有一第四阀门，并且连接在所述管路连接点和所述液体暂存槽之间；其中在利用所述循环管路系统将所述干燥处理槽内的所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器传输至所述液体暂存槽内的步骤中包含：关闭所述第一阀门和所述第二阀门以及开启所述第三阀门和所述第四阀门；以及启动所述第一泵以将所述干燥处理槽内的所述半导体干燥用处理液体抽出至所述第四管路并且通往所述第二管路，使得所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器之后通过所述第五管路传输至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述第二管路、所述第三管路和所述第五管路在所述管路连接点互相连通。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，在利用所述循环管路系统将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体输出，并通过所述第一过滤器回送至所述液体暂存槽内的步骤中包含：关闭所述第二阀门和所述第三阀门以及开启所述第一阀门和所述第四阀门；以及启动所述第一泵以将所述液体暂存槽内的半导体干燥用处理液体抽出至所述第一管路并且通往所述第二管路，使得所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器之后通过所述第五管路回送至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备还包含一含水量分析仪，耦接在所述液体暂存槽上，其中所述半导体干燥用处理液体的循环与过滤方法还包含：通过所述含水量分析仪检测所述半导体干燥用处理液体的含水量，当所述半导体干燥用处理液体的含水量超过一含水量标准值时，发出一更换所述半导体干燥用处理液体的警示讯号。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备还包含一微粒侦测仪，耦接在所述液体暂存槽上，其中所述半导体干燥用处理液体的循环与过滤方法还包含：通过所述微粒侦测仪检测所述半导体干燥用处理液体的微粒数量，当所述半导体干燥用处理液体的微粒数量超过一微粒数量标准值时，发出一更换所述半导体干燥用处理液体的警示讯号。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备还包含一内循环系统，包含：一内循环管路具有一第一端和一第二端，所述第一端连接在所述液体暂存槽的底部以及所述第二端连接在所述液体暂存槽的顶部；以及一第二泵和一第二过滤器分别设置在所述内循环管路上，其中在利用所述循环管路系统将所述干燥处理槽内的所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器传输至所述液体暂存槽内的步骤之后还包含：启动所述第二泵以通过所述内循环管路的所述第一端将所述液体暂存槽内的所述半导体干燥用处理液体抽出，并且使所述半导体干燥用处理液体通过所述第二过滤器之后通过所述内循环管路的所述第二端回送至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，将至少一晶片放置在所述干燥处理槽内，以通过所述半导体干燥用处理液体将位在所述至少一晶片的表面的水分置换为半导体干燥用处理液体的步骤中还包含：使用氮气气泡冲击所述至少一晶片的表面，以加速将附着在所述至少一晶片的表面上的水分置换成所述半导体干燥用处理液体的效率。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，在利用所述循环管路系统将所述干燥处理槽内的所述半导体干燥用处理液体通过所述第一过滤器传输至所述液体暂存槽内的步骤之后还包含：在所述至少一晶片的表面施加一热氮气，以促使附着在所述至少一晶片的表面的所述半导体干燥用处理液体挥发。

本实用新型还提供一种半导体干燥设备，包含：一干燥处理槽；一液体暂存槽；以及一循环管路系统，连接在所述干燥处理槽与所述液体暂存槽之间，包含一第一过滤器，其中当一半导体干燥用处理液体利用所述循环管路系统从所述液体暂存槽传输至所述干燥处理槽或者是从所述干燥处理槽传输至所述液体暂存槽时，所述半导体干燥用处理液体皆会流通过所述第一过滤器；以及其中当所述干燥处理槽停止运作时，所述半导体干燥用处理液体会存放在所述液体暂存槽内，并且利用所述循环管路系统使所述半导体干燥用处理液体从所述液体暂存槽输出并通过所述第一过滤器回送至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述循环管路系统包含：一第一管路，设置有一第一阀门，并且连接在所述液体暂存槽和一第一泵之间；一第二管路，连接在所述第一泵和一管路连接点之间，且所述第二管路上设置有一第一过滤器；一第三管路，设置有一第二阀门，并且连接在所述管路连接点和所述干燥处理槽之间；一第四管路，设置有一第三阀门，并且连接在所述干燥处理槽和所述第一泵之间；以及一第五管路，设置有一第四阀门，并且连接在所述管路连接点和所述液体暂存槽之间，其中当所述半导体干燥用处理液体利用所述循环管路系统从所述液体暂存槽传输至所述干燥处理槽时，所述第一阀门和所述第二阀门开启且所述第三阀门和所述第四阀门关闭，以及所述第一泵启动，使得所述半导体干燥用处理液体依序通过所述第一管路、所述第二管路和所述第三管路传输至所述干燥处理槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，当所述半导体干燥用处理液体利用所述循环管路系统从所述干燥处理槽传输至所述液体暂存槽时，所述第三阀门和所述第四阀门开启且所述第一阀门和所述第二阀门关闭，以及所述第一泵启动，使得所述半导体干燥用处理液体依序通过所述第四管路、所述第二管路和所述第五管路传输至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，当所述干燥处理槽停止运作时，所述半导体干燥用处理液体会存放在所述液体暂存槽内，并且所述第一阀门和所述第四阀门开启且所述第二阀门和所述第三阀门关闭，以及所述第一泵启动，进而利用所述循环管路系统使所述半导体干燥用处理液体从所述液体暂存槽输出至所述第一管路并且通往所述第二管路，以流经所述第一过滤器，最后再通过所述第五管路回送至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备还包含一内循环系统，包含：一内循环管路具有一第一端和一第二端，所述第一端连接在所述液体暂存槽的底部以及所述第二端连接在所述液体暂存槽的顶部；以及一第二泵和一第二过滤器分别设置在所述内循环管路上，其中当所述干燥处理槽停止运作时，所述半导体干燥用处理液体会存放在所述液体暂存槽内，并且通过启动所述第二泵以通过所述内循环管路的所述第一端将所述液体暂存槽内的所述半导体干燥用处理液体抽出，并且使所述半导体干燥用处理液体通过所述第二过滤器之后通过所述内循环管路的所述第二端回送至所述液体暂存槽内。

于本实用新型其中之一优选实施例当中，所述半导体干燥设备还包含一备用液体暂存槽，用于存放另一半导体干燥用处理液体，并且所述备用液体暂存槽的管路系统与所述循环管路系统连接，其中当所述液体暂存槽在进行所述半导体干燥用处理液体的更换作业时，通过所述备用液体暂存槽将所述另一半导体干燥用处理液体提供至所述干燥处理槽内。

附图说明

图1至图6显示一种显示根据本实用新型的第一优选实施例的半导体干燥设备的示意图，其中半导体干燥用处理液体系依据本实用新型的循环与过滤方法在不同处理过程中；

图7显示一种显示根据本实用新型的第二优选实施例的半导体干燥设备的示意图，其中半导体干燥用处理液体系进行内循环处理；以及

图8显示一种显示根据本实用新型的第三优选实施例的半导体干燥设备的示意图，其中，半导体干燥用处理液体系从一备用液体暂存槽注入一干燥处理槽中。

具体实施方式

为了让本实用新型的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本实用新型优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

请参照图1至图6，其显示一种根据本实用新型的第一优选实施例的半导体干燥备10的示意图，其中半导体干燥用处理液体202系依据本实用新型的循环与过滤方法在不同处理过程中。优选地，每当晶片在进行沉积、微影、以及蚀刻等处理之前和之后都必须通过所述半导体干燥设备10将晶片表面的进行干燥处理，藉以去除附着在晶片表面上的水分及可能的金属杂质、有机物污染、微粒或灰尘等。所述水分一般为在干燥过程前用来清洁晶片而留在晶片上的去离子水(deionized water)或纯水。

如图1所示，所述半导体干燥设备10包含：一干燥处理槽100、一液体暂存槽200以及一循环管路系统300。所述干燥处理槽100内可容置承载有多个晶片的晶舟，以将所述多个晶片进行批次性的干燥处理。所述液体暂存槽200用于存放具有沸点低且表面张力小的半导体干燥用处理液体202，例如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)，作为去除晶片表面上残留的水分及可能存在的化学药剂、金属杂质、微粒或灰尘用的干燥溶剂。所述循环管路系统300连接在所述干燥处理槽100与所述液体暂存槽200之间，用于将所述半导体干燥用处理液体202从所述液体暂存槽200输送至所述干燥处理槽100或者是从所述干燥处理槽100输送至所述液体暂存槽200。

如图1所示，所述循环管路系统300包含一第一管路P1、一第二管路P2、一第三管路P3、一第四管路P4、和一第五管路P5，其中所述第一管路P1、所述第二管路P2和所述第四管路P4的一端共同连接至一第一泵310，以及所述第二管路P2、所述第三管路P3和所述第五管路P5在一管路连接点C1互相连通。所述多个管路具体的连接详述如下。所述第一管路P1的一端连接至所述液体暂存槽200的底部，另一端连接至所述第一泵310，并且所述第一管路P1上设置有一第一阀门V1。所述第二管路P2的一端连接至所述第一泵310，另一端连接至所述管路连接点C1，并且所述第二管路P2上设置有一第一过滤器320。所述第三管路P3的一端连接至所述管路连接点C1，另一端连接至所述干燥处理槽100的上方，并且所述第三管路P3上设置有一第二阀门V2。所述第四管路P4的一端连接至所述干燥处理槽100的底部，另一端连接至所述第一泵310，并且所述第四管路P4上设置有一第三阀门V3。所述第五管路P5的一端连接至所述管路连接点C1，另一端连接至所述液体暂存槽200的上方，并且所述第五管路P5上设置有一第四阀门V4。应当注意的是，在所附图式中若阀门的内部涂黑表示所述阀门是在关闭状态，以及若阀门的内部未着色表示所述阀门是在开启状态。

如图1所示，本实用新型的第一优选实施例的所述半导体干燥用处理液体202的循环与过滤方法包含：首先，将所述半导体干燥用处理液体202利用所述循环管路系统300从所述液体暂存槽200输送至所述干燥处理槽100。具体来说，在此步骤中所述第一阀门V1和所述第二阀门V2会开启，且所述第三阀门V3和所述第四阀门V4会关闭。接着，启动所述第一泵310，使得位在所述液体暂存槽200内的所述半导体干燥用处理液体202会被抽出至所述第一管路P1并且通往所述第二管路P2，使得所述半导体干燥用处理液体202流通过所述第一过滤器320之后通过所述第三管路P3传输至所述干燥处理槽100内。

请参照图2，当所述半导体干燥用处理液体202利用所述循环管路系统300从所述液体暂存槽200输送至所述干燥处理槽100之后，承载有多个晶片W的晶舟会被放置入所述干燥处理槽100内，通过所述半导体干燥用处理液体202的高挥发性可将位在所述多个晶片W表面水分置换为半导体干燥用处理液体202，以及去除可能附着于所述多个晶片W表面上的微粒、灰尘或金属杂质，进而达到所述多个晶片W的干燥处理。在此步骤中，所述循环管路系统300的所述第一阀门V1、所述第二阀门V2、所述第三阀门V3和所述第四阀门皆会关闭。

请参照图3，当将所述多个晶片W进行干燥处理时，可通过一氮气气泡产生装置在所述干燥处理槽100的底部产生大量的氮气气泡204，通过所述多个氮气气泡204冲击所述多个晶片W的表面，以加速将附着在所述多个晶片W的表面上的水分置换成所述半导体干燥用处理液体202的效率。应当理解的是，在其他优选实施例中此步骤可被省略。亦当理解的是，所述氮气气泡204施加产生的效果亦可由其它能量的施加来达成的，例如是超音波震动，以求所述半导体干燥用处理液体202能快速将晶片W表面上的水分取代及排除。

请参照图4，当完成将所述多个晶片W浸泡在所述半导体干燥用处理液体202以进行前半部的干燥处理的步骤之后，利用所述循环管路系统300将所述干燥处理槽100内的所述半导体干燥用处理液体202通过所述第一过滤器320传输至所述液体暂存槽200内。具体来说，在此步骤中所述第三阀门V3和所述第四阀门V4会开启，且所述第一阀门V1和所述第二阀门V2会关闭。接着，所述第一泵310启动，以将所述干燥处理槽100内的所述半导体干燥用处理液体202抽出至所述第四管路P4并且通往所述第二管路P2，使得所述半导体干燥用处理液体202通过所述第一过滤器320之后通过所述第五管路P5传输至所述液体暂存槽200内。

请参照图5，当所述半导体干燥用处理液体202利用所述循环管路系统300从所述干燥处理槽100输送至所述液体暂存槽200之后，会将所述多个晶片W进行一干燥处理。详言之，从所述干燥处理槽100的上方施加一热氮气206(如箭头所示)至所述多个晶片W上，以促使附着在所述多个晶片W的表面的所述半导体干燥用处理液体202挥发，进而去除所述多个晶片W表面的湿气并且使所述多个晶片W干燥。以如此方法干燥的晶片W，其表面是不会有水痕产生。在对所述多个晶片W进行干燥处理的同时，所述循环管路系统300的所述第一阀门V1和所述第四阀门V4会开启，且所述第二阀门V2和所述第三阀门V3会关闭。接着，所述第一泵310启动，以将所述液体暂存槽200内的半导体干燥用处理液体202抽出至所述第一管路P1并且通往所述第二管路P2，使得所述半导体干燥用处理液体202通过所述第一过滤器320之后通过所述第五管路P5回送至所述液体暂存槽200内。也就是说，所述循环管路系统300的第一管路P1、所述第二管路P2和所述第五管路P5共同构成所述半导体干燥设备10的内循环系统。应当注意的是，在此步骤中所述半导体干燥用处理液体202会通过所述内循环系统不间断的持续进行循环和过滤。

请参照图6，当将所述多个晶片W完成干燥处理后，所述多个晶片W会被移出所述干燥处理槽100，以进行后续工艺。此时，位于所述液体暂存槽200的所述半导体干燥用处理液体202会持续通过所述内循环系统进行循环和过滤，直到有新的一批晶片W要通过所述半导体干燥设备10进行干燥处理为止，接着依序依照图1至图6的半导体干燥用处理液体202的循环与过滤方法再次进行运作。

可以理解的是，在将所述多个晶片W进行上述的干燥处理后，所述半导体干燥用处理液体202会带有大量的水分或杂质，例如金属杂质、微粒或灰尘。并且，一般而言基于成本考量，所述半导体干燥用处理液体202并非只是一次性的使用，而是会将其采以多次的重复利用，故倘若没有将所述半导体干燥用处理液体202内的杂质过滤完全，反而会造成晶片的污染。因此，在本实用新型的第一优选实施例的半导体干燥用处理液体202的循环与过滤方法中，每当将所述半导体干燥用处理液体从所述液体暂存槽200输送至所述干燥处理槽100或者是从所述干燥处理槽100输送至所述液体暂存槽200时，所述半导体干燥用处理液体202皆会流经过所述第一过滤器320。并且，当所述半导体干燥用处理液体202存放在所述液体暂存槽200内时，所述半导体干燥用处理液体202会通过所述内循环系统(即所述第一管路P1、所述第二管路P2和所述第四管路P4)进行多次的循环与过滤步骤，以确保所述半导体干燥用处理液体202内的杂质能被过滤完全，降低晶片于干燥处理后仍存有微粒或灰尘及水气等的可能性，避免水气等影响晶片的后续工艺，进而增加产出良率。另一方面，由于将所述半导体干燥用处理液体202进行多次的过滤步骤，有效地延长所述批量的半导体干燥用处理液体202的使用寿命，而不须频繁地更换整槽的所述半导体干燥用处理液体202，进而降低生产成本。同时，依据本实用新型，因为液体暂存槽200内一直都有干净的半导体干燥用处理液体202可供使用，所述晶片W干燥处理可被即时地进行以确保所述晶片W的加工可被顺畅地进行。

再者，如图1至图6所示，所述半导体干燥设备10还包含一含水量分析仪400，耦接在所述液体暂存槽200上。当所述半导体干燥用处理液体202存放在所述液体暂存槽200内时，通过所述含水量分析仪400检测所述半导体干燥用处理液体202的含水量。当所述半导体干燥用处理液体202的含水量超过一含水量标准值时，所述含水量分析仪400会发出一需要更换所述半导体干燥用处理液体202的警示讯号。应当理解的是，所述含水量标准值是依照不同的工艺条件而决定。另外，所述半导体干燥设备10还可包含一微粒侦测仪500，耦接在所述液体暂存槽200上。当所述半导体干燥用处理液体202存放在所述液体暂存槽200内时，通过所述微粒侦测仪500检测所述半导体干燥用处理液体202的微粒数量。当所述半导体干燥用处理液体202的微粒数量超过一微粒数量标准值时，所述微粒侦测仪500会发出一需要更换所述半导体干燥用处理液体202的警示讯号。应当理解的是，所述微粒数量标准值是依照不同的工艺条件而决定。因此，在本实用新型中通过设置所述含水量分析仪400和所述微粒侦测仪500，并且提供一量化的标准值(如所述含水量标准值和所述微粒数量标准值)，让使用者有具体的参考数值来决定所述半导体干燥用处理液体202的更换时机，而非是以固定的使用时间或者是使用次数来决定所述半导体干燥用处理液体202的更换时间，进而有效地延长整槽的半导体干燥用处理液体202的使用寿命，以降低生产成本。

请参照图7，其显示一种显示根据本实用新型的第二优选实施例的半导体干燥设备20在将半导体干燥用处理液体202进行内循环处理的示意图。所述半导体干燥设备20包含：一干燥处理槽100、一液体暂存槽200、一循环管路系统300以及一内循环系统600，其中所述干燥处理槽100、所述液体暂存槽200和所述循环管路系统300的结构和运作机制相同于本实用新型的第一实施例的所述半导体干燥设备10，在此不加以赘述。

如图7所示，所述内循环系统600包含一内循环管路610、一第二泵620和一第二过滤器630。所述内循环管路610具有一第一端和一第二端，所述第一端连接在所述液体暂存槽200的底部以及所述第二端连接在所述液体暂存槽200的顶部。并且所述内循环管路610在靠近所述第一端的位置设置有一第五阀门V5，以及在靠近所述第二端的位置设置有一第六阀门V6。所述第二泵620和所述第二过滤器630分别设置在所述内循环管路610上，且位在所述第五阀门V5和所述第六阀门V6之间。在利用所述循环管路系统300将所述干燥处理槽100内的所述半导体干燥用处理液体202通过所述第一过滤器320传输至所述液体暂存槽200内的步骤之后，所述第一泵310启动，以将所述液体暂存槽200内的半导体干燥用处理液体202抽出至所述第一管路P1并且通往所述第二管路P2，使得所述半导体干燥用处理液体202通过所述第一过滤器320之后通过所述第五管路P5回送至所述液体暂存槽200内。同时，所述第二泵620也会启动，以通过所述内循环管路610的所述第一端将所述液体暂存槽200内的所述半导体干燥用处理液体202抽出，并且使所述半导体干燥用处理液体202通过所述第二过滤器630之后通过所述内循环管路610的所述第二端回送至所述液体暂存槽200内。也就是说，存放在所述液体暂存槽200内的所述半导体干燥用处理液体202不但会利用所述循环管路系统300本身的内循环系统(即所述第一管路P1、所述第二管路P2和所述第四管路P4)进行多次的循环与过滤步骤，还会通过所述内循环系统600同时进行多次的循环与过滤步骤，以确保所述半导体干燥用处理液体202内的杂质能被过滤完全，降低晶片于干燥处理后仍存有微粒或灰尘及水气等的可能性，避免水气等影响晶片的后续工艺，进而增加产出良率。另一方面，在本实用新型的所述半导体干燥设备20增设所述内循环系统600的又一优点为：当在更换所述第一过滤器320时，可通过所述内循环系统600不间断地将存放在所述液体暂存槽200内的所述半导体干燥用处理液体202持续进行循环与过滤处理。

请参照图8，其显示一种显示根据本实用新型的第三优选实施例的半导体干燥设备30在将半导体干燥用处理液体202从一备用液体暂存槽700注入一干燥处理槽100的示意图。所述半导体干燥设备30包含：所述干燥处理槽100、一液体暂存槽200、一循环管路系统300以及所述备用液体暂存槽700，其中所述干燥处理槽100、所述液体暂存槽200和所述循环管路系统300的结构相同于本实用新型的第一实施例的所述半导体干燥设备10，在此不加以赘述。

如图8所示，所述备用液体暂存槽700用于存放另一槽新的半导体干燥用处理液体202，并且所述备用液体暂存槽700的管路与所述循环管路系统300连接，具体连接描述如下。所述备用液体暂存槽700通过一第六管路P6和一第七管路P7与所述循环管路系统300连接。所述第六管路P6的一端连接至所述备用液体暂存槽700的底部，另一端连接至所述第一泵310，并且所述第六管路P6上设置有一第七阀门V7。所述第七管路P7的一端连接至所述备用液体暂存槽700的上部，另一端连接至所述管路连接点C1，并且靠近所述第七管路P7的两端的位置分别设置有一第八阀门V8和一第九阀门V9。如图8所示，当将存放在所述备用液体暂存槽700内的所述半导体干燥用处理液体202传送至所述干燥处理槽100时，所述第七阀门V7和所述第二阀门V2开启，其余的阀门皆关闭。启动所述第一泵310，使得位在所述备用液体暂存槽700内的所述半导体干燥用处理液体202会被抽出至所述第六管路P6并且通往所述第二管路P2，使得所述半导体干燥用处理液体202流通过所述第一过滤器320之后通过所述第三管路P3传输至所述干燥处理槽100内。同理，当将所述半导体干燥用处理液体202从所述干燥处理槽100传送至所述备用液体暂存槽700时，所述第三阀门V3、所述第八阀门V8和所述第九阀门V9开启，其余的阀门皆关闭。启动所述第一泵310，以将所述干燥处理槽100内的所述半导体干燥用处理液体202抽出至所述第四管路P4并且通往所述第二管路P2，使得所述半导体干燥用处理液体202通过所述第一过滤器320之后通过所述第七管路P7传输至所述液体暂存槽200内。

因此，由于所述备用液体暂存槽700的管路与所述循环管路系统300连接，当所述液体暂存槽200在进行所述半导体干燥用处理液体202的更换作业时，可通过所述备用液体暂存槽700将所述另一槽新的半导体干燥用处理液体202提供至所述干燥处理槽100内，进而可避免因等待所述半导体干燥用处理液体202更换而导致机台停机所造成的时间浪费，进而提高所述半导体干燥设备30的使用时间(Uptime)。再者，所述半导体干燥设备30还包含一含水量分析仪400和一微粒侦测仪500，耦接在所述备用液体暂存槽700上。当所述半导体干燥用处理液体202存放在所述备用液体暂存槽700内时，通过所述含水量分析仪400和所述微粒侦测仪500检测所述半导体干燥用处理液体202的含水量和微粒数量。当所述半导体干燥用处理液体202的含水量超过一含水量标准值时，所述含水量分析仪400会发出一需要更换所述半导体干燥用处理液体202的警示讯号，以及当所述半导体干燥用处理液体202的微粒数量超过一微粒数量标准值时，所述微粒侦测仪500会发出一需要更换所述半导体干燥用处理液体202的警示讯号。因此，在本实用新型中通过设置所述含水量分析仪400和所述微粒侦测仪500，并且提供一量化的标准值(如所述含水量标准值和所述微粒数量标准值)，让使用者有具体的参考数值来决定所述半导体干燥用处理液体202的更换时机，而非是以固定的使用时间或者是使用次数来决定所述半导体干燥用处理液体202的更换时间，进而有效地延长整槽的半导体干燥用处理液体202的使用寿命，以降低生产成本。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域具有通常知识者，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种半导体干燥设备，其特征在于，所述半导体干燥设备包含：

一干燥处理槽；

一液体暂存槽；以及

一循环管路系统，连接在所述干燥处理槽与所述液体暂存槽之间，包含一第一过滤器，其中当一半导体干燥用处理液体利用所述循环管路系统从所述液体暂存槽传输至所述干燥处理槽或者是从所述干燥处理槽传输至所述液体暂存槽时，所述半导体干燥用处理液体皆会流通过所述第一过滤器；以及其中当所述干燥处理槽停止运作时，所述半导体干燥用处理液体会存放在所述液体暂存槽内，并且利用所述循环管路系统使所述半导体干燥用处理液体从所述液体暂存槽输出并通过所述第一过滤器回送至所述液体暂存槽内。

2.如权利要求1所述的半导体干燥设备，其特征在于，所述循环管路系统包含：

一第一管路，设置有一第一阀门，并且连接在所述液体暂存槽和一第一泵之间；

一第二管路，连接在所述第一泵和一管路连接点之间，且所述第二管路上设置有一第一过滤器；

一第三管路，设置有一第二阀门，并且连接在所述管路连接点和所述干燥处理槽之间；

一第四管路，设置有一第三阀门，并且连接在所述干燥处理槽和所述第一泵之间；以及

一第五管路，设置有一第四阀门，并且连接在所述管路连接点和所述液体暂存槽之间，其中当所述半导体干燥用处理液体利用所述循环管路系统从所述液体暂存槽传输至所述干燥处理槽时，所述第一阀门和所述第二阀门开启且所述第三阀门和所述第四阀门关闭，以及所述第一泵启动，使得所述半导体干燥用处理液体依序通过所述第一管路、所述第二管路和所述第三管路传输至所述干燥处理槽内。

3.如权利要求2所述的半导体干燥设备，其特征在于，当所述半导体干燥用处理液体利用所述循环管路系统从所述干燥处理槽传输至所述液体暂存槽时，所述第三阀门和所述第四阀门开启且所述第一阀门和所述第二阀门关闭，以及所述第一泵启动，使得所述半导体干燥用处理液体依序通过所述第四管路、所述第二管路和所述第五管路传输至所述液体暂存槽内。

4.如权利要求2所述的半导体干燥设备，其特征在于，当所述干燥处理槽停止运作时，所述半导体干燥用处理液体会存放在所述液体暂存槽内，并且所述第一阀门和所述第四阀门开启且所述第二阀门和所述第三阀门关闭，以及所述第一泵启动，进而利用所述循环管路系统使所述半导体干燥用处理液体从所述液体暂存槽输出至所述第一管路并且通往所述第二管路，以流经所述第一过滤器，最后再通过所述第五管路回送至所述液体暂存槽内。

5.如权利要求2所述的半导体干燥设备，其特征在于，所述第二管路、所述第三管路和所述第五管路在所述管路连接点互相连通。

6.如权利要求1所述的半导体干燥设备，其特征在于，所述半导体干燥设备还包含一含水量分析仪，耦接在所述液体暂存槽上，用于检测所述半导体干燥用处理液体的含水量，其中当所述半导体干燥用处理液体的含水量超过一含水量标准值时，所述含水量分析仪会发出一更换所述半导体干燥用处理液体的警示讯号。

7.如权利要求1所述的半导体干燥设备，其特征在于，所述半导体干燥设备还包含一微粒侦测仪，耦接在所述液体暂存槽上，用于检测所述半导体干燥用处理液体的微粒数量，当所述半导体干燥用处理液体的微粒数量超过一微粒数量标准值时，所述微粒侦测仪会发出一更换所述半导体干燥用处理液体的警示讯号。

8.如权利要求1所述的半导体干燥设备，其特征在于，所述半导体干燥设备还包含一内循环系统，包含：

一内循环管路具有一第一端和一第二端，所述第一端连接在所述液体暂存槽的底部以及所述第二端连接在所述液体暂存槽的顶部；以及

一第二泵和一第二过滤器分别设置在所述内循环管路上，其中当所述干燥处理槽停止运作时，所述半导体干燥用处理液体会存放在所述液体暂存槽内，并且通过启动所述第二泵以通过所述内循环管路的所述第一端将所述液体暂存槽内的所述半导体干燥用处理液体抽出，并且使所述半导体干燥用处理液体通过所述第二过滤器之后通过所述内循环管路的所述第二端回送至所述液体暂存槽内。

9.如权利要求1所述的半导体干燥设备，其特征在于，所述半导体干燥设备还包含一备用液体暂存槽，用于存放另一半导体干燥用处理液体，并且所述备用液体暂存槽的管路系统与所述循环管路系统连接，其中当所述液体暂存槽在进行所述半导体干燥用处理液体的更换作业时，通过所述备用液体暂存槽将所述另一半导体干燥用处理液体提供至所述干燥处理槽内。