KR101961326B1 - 기판을 처리하는 장치의 부품 세정 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 건식 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법으로는 세정액이 수용된 세정조에 상기 부품을 침지시키는 침지 단계 및 상기 세정액으로부터 라디칼을 발생시키고, 상기 라디칼로 상기 부품을 세정하는 세정 단계를 포함한다. 오존수로부터 발생된 수소 라디칼(H2*) 및 수산화 라디칼(OH*)로 부품을 세정 처리한다. 이로 인해 부품에 증착된 탄소(C) 및 불소(F) 제거를 신속하게 수행할 수 있다.

Description

기판을 처리하는 장치의 부품 세정 방법 및 장치{Method and Apparatus for cleaning component of apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 가스를 이용한 건식 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 건식 처리 공정은 외부로부터 밀폐된 기판 처리 장치에서 진행된다. 기판 처리 장치는 챔버, 기판 지지 유닛, 가스 공급 유닛, 그리고 챔버를 개폐하는 도어 등 다양한 부품들을 포함한다.
이러한 건식 처리 공정이 진행 중 또는 진행 후에 다량의 공정 가스가 부품들에 잔류된다. 건식 처리 공정이 복수 회 진행됨에 따라 부품에는 공정 가스가 다량으로 증착되고, 이는 기판을 오염시키는 오염 물질로 작용된다. 이러한 오염 물질이 부품의 표면에 다량으로 증착되는 경우에는, 기판의 처리 공간이 불균등해지거나, 홀이 막힐수 있다. 또한 기판이 안착되는 안착면에 증착되는 경우에는 기판이 비정상적으로 안착되고, 이는 기판의 공정 불량을 야기한다.
이로 인해 건식 처리 공정이 복수 회 진행된 후에는 각 부품들을 세정 처리하는 메인터넌스 작업이 진행된다. 메인터넌스 작업은 각 부품을 케미칼로 액 처리한다. 케미칼은 황산 또는 질산과 같은 강산의 성질을 가지는 액으로 제공된다.
도 1은 부품을 케미칼 처리 시 세정 전후에 따른 촬영 데이터이고, 도 2는 부품을 케미칼 처리 시 세정 전후에 따른 그래프이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 세정 전과 비교하여 세정 후에는 부품에 탄소(C) 성분이 더 증가하였으며, 이는 오염 물질로 작용될만한 성분이 더 증가되었다. 또한 부품에 증착된 불소(F) 성분은 줄어들었으나 완전히 제거되지 않으며, 그 제거 효율이 미비하다.
이러한 케미칼 처리 방법은 부품에 증착된 오염 물질을 완전 제거하기 어렵다. 뿐만 아니라, 부품의 표면은 케미칼에 의해 손상될 수 있다. 또한 케미칼로 부품 세정한 경우에는 다량의 폐액이 발생되고, 이를 처리하기 위한 환경 안정성 및 많은 비용이 요구된다.
한국 공개 특허 2013-0115099
본 발명은 기판 처리 장치의 부품의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 건식 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법으로는 세정액이 수용된 세정조에 상기 부품을 침지시키는 침지 단계 및 상기 세정액으로부터 라디칼을 발생시키고, 상기 라디칼로 상기 부품을 세정하는 세정 단계를 포함한다.
상기 세정액은 오존수를 포함하되, 상기 라디칼은 수소 라디칼(H2*) 및 수산화 라디칼(OH*)을 포함할 수 있다. 상기 라디칼을 발생시키는 것은 상기 세정액에 광을 조사할 수 있다. 상기 광은 자외선을 포함할 수 있다. 상기 라디칼은 상기 부품의 표면에 부착된 오염 물질을 제거하되, 상기 오염 물질은 탄소(C) 및 불소(F)를 포함할 수 있다. 상기 건식 처리는 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 것을 포함할 수 있다. 상기 부품은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 부품을 세정 처리하는 방법은, 상기 부품을 상기 장치로부터 분리시키고, 상기 장치의 외부에서 수행될 수 있다.
기판을 건식 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 장치는 내부에 부품을 수용 가능한 수용 공간을 가지는 세정조, 상기 수용 공간에 세정액을 공급하는 액 공급 라인, 그리고 세정액으로부터 라디칼을 발생시키는 라디칼 발생 유닛을 포함한다.
상기 라디칼 발생 유닛은 세정액으로 광을 조사하는 조사 부재를 포함할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 조사 부재와 상기 세정조는 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 라디칼 발생 유닛은 상기 액 공급 라인에 설치되며, 오존을 발생시키는 오존 발생기를 더 포함하되, 세정액은 오존수를 포함할 수 있다. 상기 세정조는 상부가 개방되며, 내부에 상기 수용 공간을 가지는 바디, 상기 바디의 일측에 설치되며 상기 액 공급 라인과 연결되는 유입 포트, 그리고 상기 바디의 타측에 설치되며, 상기 수용 공간에 수용된 세정액을 배출시키는 배출 포트를 포함하되, 상기 배출 포트는 상기 유입 포트보다 아래에 위치될 수 있다. 상기 부품 세정 장치는 상기 기판을 건식 처리하는 장치의 외부에 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정액으로부터 발생된 라디칼로 부품을 세정 처리한다. 이로 인해 부품의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 오존수로부터 발생된 수소 라디칼(H2*) 및 수산화 라디칼(OH*)로 부품을 세정 처리한다. 이로 인해 부품에 증착된 탄소(C) 및 불소(F) 제거를 신속하게 수행할 수 있다.
도 1은 부품을 케미칼 처리 시 세정 전후에 따른 촬영 데이터이다
도 2는 부품을 케미칼 처리 시 세정 전후에 따른 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 장치의 부품을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 부품 세정 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 라디칼이 오염 물질을 제거하는 과정을 개략적으로 보여주는 도면이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 처리 장치의 부품을 세정 처리 방법이라면, 다양하게 적용 가능하다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 포커스링(250), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 라이너(530), 그리고 배플(550)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(112)을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(110), 커버(120), 그리고 도어(170)를 포함한다. 몸체(110)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(110)의 상부를 개폐하도록 제공된다. 몸체(110)는 플라즈마로부터 노출되는 면과 비노출되는 면이 서로 상이한 재질로 제공된다. 몸체(110)의 노출면인 내측면은 세라믹 재질로 제공되고, 비노출면인 외측면은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 몸체(110)의 외측면은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 커버(120)는 유전체로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압 부재(160)는 배기 라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물은 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 몸체(110)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반출입되는 출입구로 기능한다. 개구(130)는 수평방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 개구(130)는 챔버(100)의 원주방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다.
도어(170)는 처리 공간(112)을 개폐한다. 도어(170)는 몸체(110)의 외측면에서 개구(130)에 인접하게 위치된다. 도어(170)는 개방 위치와 차단 위치 간에 이동 가능하다. 여기서 차단 위치는 도어(170)와 개구(130)가 서로 마주보는 위치이고, 개방 위치는 도어(170)가 차단 위치를 벗어난 위치이다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(112)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210) 및 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 챔버(100)의 개구(130)와 대향되는 높이를 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면에는 핀 홀들(미도시)이 형성된다. 핀 홀들은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀 홀들은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 핀 홀들 각각에는 리프트 핀(미도시)이 위치되며, 리프트 핀은 승강 이동되어 기판을 들어올리거나 내려놓을 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부 전극(212)이 설치된다. 하부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 유전판(210)은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각 유로(232)는 냉각 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 유전판(210)의 상면에 형성된 홈(211)과 통하도록 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 포커스링(250)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 포커스링(250)은 산화이트륨(Y2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350)와 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간(112)에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
라이너(530)는 챔버(100)의 내측벽을 보호한다. 라이너(530)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 라이너(530)는 챔버(100) 내에서 기판 지지 유닛(200)과 챔버(100)의 내측벽 사이에 위치된다. 라이너(530)는 기판 지지 유닛(200)에 비해 챔버(100)에 더 가깝게 위치된다. 라이너(530)는 플라즈마로부터 노출되는 면과 비노출되는 면이 서로 상이한 재질로 제공된다. 예컨대, 라이너(530)의 노출면인 내측면은 세라믹 재질로 제공되고, 비노출면인 외측면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 라이너(530)의 내측면은 산화이트륨(Y2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
배플(550)은 공정 가스의 배기량이 영역 별로 균일하도록 조절한다. 배플(550)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 또한 배플(550)은 판 형상을 가지도록 제공된다. 배플(550)에는 복수의 배플홀들(552)이 형성된다. 배플홀들(552)은 배플(550)의 원주방향을 따라 순차적으로 배열된다. 배플홀들(552) 각각은 배플(550)의 반경 방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 각각의 배플홀(552)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 예컨대, 배플(550)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 배플(550)은은 산화이트륨(Y2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치의 부품(S)을 세정 처리하는 장치에 대해 설명한다. 여기서 기판 처리 장치의 부품(S)은 커버(120), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 라이너(530), 그리고 배플(550)일 수 있다. 즉 본 실시예에는 플라즈마에 노출되는 부품(S)을 세정 처리하는 장치를 제공한다.
각 부품(S)은 작업자에 의해 분리되어 부품(S)을 세정 처리하는 장치로 이동된다. 부품(S) 세정 장치는 기판 처리 장치의 외부에 위치된다. 부품(S) 세정 장치는 세정액으로부터 발생된 라디칼을 이용하여 부품(S)을 세정 처리한다.
도 5는 도 3의 장치의 부품을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 5의 부품 세정 장치를 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 부품 세정 장치(700)는 세정조(720), 액 공급 라인(740), 그리고 라디칼 발생 유닛(760)을 포함한다. 세정조(720)는 내부에 세정액이 수용된다. 세정조(720)는 바디(722), 유입 포트(724), 그리고 배출 포트(726)를 포함한다. 바디(722)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 바디(722)의 내부에는 세정액 및 부품(S)이 수용 가능한 수용 공간(723)이 형성된다. 유입 포트(724)는 바디(722)의 일측에 설치된다. 유입 포트(724)는 수용 공간(723)에 세정액이 공급되는 유입구로 기능한다. 배출 포트(726)는 바디(722)의 타측에 설치된다. 배출 포트(726)는 수용 공간(723)에 수용된 세정액이 배출되는 배출구로 기능한다. 일 예에 의하면, 유입 포트(724)는 배출 포트(726)보다 높게 위치될 수 있다.
액 공급 라인(740)은 수용 공간(723)에 세정액을 공급한다. 액 공급 라인(740)은 유입 포트(724)에 연결된다. 일 예에 의하면, 세정액은 오존이 용해된 순수일 수 있다.
라디칼 발생 유닛(760)은 세정액으로부터 라디칼을 발생시킨다. 라디칼 발생 유닛(760)은 오존 발생기(770) 및 조사 부재(780)를 포함한다. 오존 발생기(770)는 액 공급 라인(740)에 설치된다. 오존 발생기(770)는 오존을 발생시키고, 액 공급 라인(740)에 흐르는 순수에 오존을 용해시킨다. 이로 인해 수용 공간(723)에는 오존이 용해된 순수가 공급될 수 있다.
조사 부재(780)는 수용 공간(723)으로 광을 조사한다. 조사 부재(780)는 수용 공간(723)에 수용된 세정액으로부터 라디칼을 발생시킨다. 조사 부재(780)는 바디(722)와 마주보도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 조사 부재(780)와 바디(722)는 서로 중첩되게 위치된다. 조사 부재(780)는 바디(722)의 위에 위치될 수 있다. 조사 부재(780)는 램프(782) 및 반사판(784)을 포함한다. 램프(782)는 복수 개로 제공되며, 각각의 램프(782)는 수용 공간(723)과 마주보도록 위치된다. 램프(782)들은 일방향을 따라 배열된다. 각각의 램프(782)는 수용 공간(723)에 광을 조사한다. 일 예에 의하면, 광은 자외선일 수 있다. 수용 공간(723)에 조사된 광은 세정액으로부터 라디칼을 발생시킨다.
반사판(784)은 램프(782)들을 사이에 두고, 바디(722)와 마주보도록 위치된다. 반사판(784)은 램프(782)로부터 조사된 광을 수용 공간(723)으로 집중시킨다. 예컨대, 반사판(784)은 광을 반사시킬 수 있는 재질로 제공될 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치의 부품(S)을 세정 처리하는 장치에 대해 설명한다. 부품을 세정 처리하는 방법으로는, 침지 단계 및 세정 단계가 순차적으로 진행된다. 침지 단계에는 세정액이 채워진 세정조(720)에 부품(S)을 침지시킨다. 세정조(720)에 부품(S)이 침지되면, 세정조(720)에 채워진 세정액으로 광을 조사한다. 광은 세정액으로부터 라디칼을 발생시키고, 라디칼은 부품에 증착된 오염 물질을 제거한다.
도 7은 도 5의 라디칼이 오염 물질을 제거하는 과정을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 라디칼은 부품(S)의 표면에 증착된 오염 물질과 반응하여 오염 물질을 제거할 수 있다. 일 예에 의하면, 라디칼은 수소 라디칼(H2*) 및 수산화 라디칼(OH*)을 포함하고, 이는 부품(S)에 증착된 오염 물질을 제거할 수 있다. 오염 물질은 탄소(C) 및 불소(F)를 포함할 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 커버(120), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 라이너(530), 그리고 배플(550)을 세정 처리하는 것으로 설명하였다. 그러나 플라즈마에 노출되는 부품(S) 또는 탄소(C) 및 불소(F)가 사용되는 건식 처리 장치의 부품(S)이라면 세정 처리할 수 있다.
또한 본 실시예에는 플라즈마 소스(400)가 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 플라즈마 소스(400)로는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 기판 지지 유닛(200)과 마주보는 샤워 헤드를 가지고, 기판 지지 유닛(200)과 샤워 헤드 각각에는 전극이 제공될 수 있다. 양 전극 간에는 전자기장이 형성될 수 있다. 샤워 헤드는 부품(S) 세정 장치에 의해 세정 처리될 수 있다.
720: 세정조 740: 액 공급 라인
760: 라디칼 발생 유닛 770: 오존 발생기
780:조사 부재

Claims (14)

  1. 기판을 건식 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법에 있어서,
    세정액이 수용된 세정조에 상기 부품을 침지시키는 침지 단계와;
    상기 세정조에 수용된 세정액에 상기 부품이 침지되면, 상기 세정액으로부터 라디칼을 발생시키고, 상기 라디칼로 상기 부품의 표면에 부착된 오염 물질을 제거하는 세정 단계를 포함하되,
    상기 부품은 유전판, 포커스링, 배플, 그리고 라이너 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 부품은 세라믹을 포함하는 재질로 제공되며,
    상기 오염 물질은 탄소(C) 및 불소(F)를 포함하고,
    상기 세정액은 오존수를 포함하되,
    상기 라디칼은 수소 라디칼(H2*) 및 수산화 라디칼(OH*)을 포함하고,
    상기 건식 처리는 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 것을 포함하는 부품 세정 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 라디칼을 발생시키는 것은,
    상기 세정액에 광을 조사하는 부품 세정 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광은 자외선을 포함하는 부품 세정 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    부품을 세정 처리하는 방법은,
    상기 부품을 상기 장치로부터 분리시키고, 상기 장치의 외부에서 수행되는 부품 세정 방법.
  9. 기판을 건식 처리하는 장치의 부품에 부착된 오염 물질을 세정 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 부품을 수용 가능한 수용 공간을 가지는 세정조와;
    상기 수용 공간에 세정액을 공급하는 액 공급 라인과;
    상기 수용 공간에 채워진 세정액에 상기 부품이 침지되면 상기 세정액으로부터 라디칼을 발생시키는 라디칼 발생 유닛을 포함하되,
    상기 부품은 유전판, 포커스링, 배플, 그리고 라이너 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 부품은 세라믹을 포함하는 재질로 제공되며,
    상기 오염 물질은 탄소(C) 및 불소(F)를 포함하고,
    상기 라디칼 발생 유닛은,
    상기 액 공급 라인에 설치되며, 오존을 발생시키는 오존 발생기를 더 포함하되,
    상기 세정액은 오존수를 포함하고,
    상기 건식 처리하는 장치는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 포함하는 부품 세정 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 라디칼 발생 유닛은,
    세정액으로 광을 조사하는 조사 부재를 포함하는 부품 세정 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 조사 부재와 상기 세정조는 서로 중첩되게 위치되는 부품 세정 장치.
  12. 삭제
  13. 제10항에 있어서,
    상기 세정조는,
    상부가 개방되며, 내부에 상기 수용 공간을 가지는 바디와;
    상기 바디의 일측에 설치되며 상기 액 공급 라인과 연결되는 유입 포트와;
    상기 바디의 타측에 설치되며, 상기 수용 공간에 수용된 세정액을 배출시키는 배출 포트를 포함하되,
    상기 배출 포트는 상기 유입 포트보다 아래에 위치되는 부품 세정 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 부품 세정 장치는 상기 기판을 건식 처리하는 장치의 외부에 위치되는 부품 세정 장치.


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