KR101981551B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101981551B1
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Abstract

본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 가스 공급 유닛으로부터 공급되는 가스를 여기시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 기판 지지 유닛과 상기 가스 공급 유닛 사이에 위치되며, 가스가 통과되는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플 유닛은 제1홀들이 형성되는 제1배플 및 상기 제1배플보다 아래에 위치되며, 제2홀들이 형성되는 제2배플을 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 간에 중첩되는 영역이 없도록 형성되고, 상기 제1배플과 상기 제2배플의 종단면으로부터 바라볼 때 상기 제1홀 및 이에 인접한 상기 제2홀 사이의 블로킹 영역의 길이는 상기 제1배플과 상기 제2배플 사이의 간격보다 크게 제공된다. 배플 유닛의 내부 공간인 플라즈마의 흐름 경로는 길어지도록 제공된다. 이로 인해 배플 유닛 내에 유입된 파티클을 필터링할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조를 위해서는 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정, 연마 등 다양한 공정이 요구된다. 이들 중 증착, 식각, 그리고 애싱 공정과 같이 많은 공정은 챔버 내에서 플라즈마 또는 가스를 이용하여 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 처리한다.
도 1은 일반적인 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일반적인 가스 공급 유닛(11)은 플라즈마 발생실(12)로 가스를 공급하고, 가스는 플라즈마 소스(13)에 의해 여기된다. 플라즈마 발생실(12)에서 발생된 플라즈마는 배플(14)에 형성된 홀(16)을 통해 기판이 위치되는 처리실(16)로 공급된다.
플라즈마는 매우 강한 에너지를 가진다. 이에 따라 배플(14)을 통과하는 중에 배플(14)을 손상시키거나, 배플(14)에 증착된다. 이로 인해 배플(14)의 파편 및 배플(14)의 증착막은 파티클로 작용하며, 이 파티클이 처리실로 낙하 또는 공급되는 경우에는 기판의 공정 불량을 발생시킨다.
또한 배플(14)에 증착막이 형성되는 경우에는 그 배플의 영역 별 두께는 상이해진다. 도 2와 같이, 배플(14)에 증착된 파티클에 의해 중앙 영역의 홀(16) 깊이는 가장자리 영역의 홀 깊이보다 크게 제공되며, 처리실에는 균일한 플라즈마가 공급이 어렵다.
본 발명은 플라즈마 발생실에서 발생된 파티클이 처리실로 공급되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판 상에 균일한 플라즈마를 공급할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 가스 공급 유닛으로부터 공급되는 가스를 여기시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 기판 지지 유닛과 상기 가스 공급 유닛 사이에 위치되며, 가스가 통과되는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플 유닛은 제1홀들이 형성되는 제1배플 및 상기 제1배플보다 아래에 위치되며, 제2홀들이 형성되는 제2배플을 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 간에 중첩되는 영역이 없도록 형성되고, 상기 제1배플과 상기 제2배플의 종단면으로부터 바라볼 때 상기 제1홀 및 이에 인접한 상기 제2홀 사이의 블로킹 영역의 길이는 상기 제1배플과 상기 제2배플 사이의 간격보다 크게 제공된다.
상기 제1배플 및 상기 제2배플은 중심축이 서로 일치되게 위치되며, 상기 제1홀들 중 최외측에 위치되는 제1홀들은 상기 중심축에 제1거리만큼 이격되게 위치되고, 상기 제2홀들 중 최외측에 위치되는 제2홀들은 상기 중심축에 제2거리만큼 이격되게 위치되되, 상기 제2거리는 상기 제1거리보다 긴 거리일 수 있다. 상기 제1배플 및 상기 제2배플은 서로 다른 재질로 제공될 수 있다.
상기 제1배플의 재질은 쿼츠(Quartz), 세라믹, 그리고 그라파이트(Graphite) 중 하나를 포함하고, 상기 제2배플의 재질은 알루미늄을 포함할 수 있다.
이와 달리 상기 제1배플 및 상기 제2배플은 각각 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
상기 제2배플은 상기 제2홀들이 형성되는 바디부 및 상기 바디부의 측단으로부터 위로 연장되는 결합부를 가지고, 상기 제1배플은 상기 결합부의 내측면에 결합되며, 상기 결합부의 내부에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 배플 유닛의 상부에서 발생된 파티클이 배플 유닛의 하부인 기판 처리 공간으로 낙하되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 배플 유닛의 내부 공간인 플라즈마의 흐름 경로는 길어지도록 제공된다. 이로 인해 배플 유닛 내에 유입된 파티클을 필터링할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마의 흐름 경로가 길어짐에 따라, 플라즈마는 기판 상에 균일하게 공급될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 최외측에 위치되는 제2홀들은 제1홀들은 감싸도록 배열된다. 이로 인해 제1배플과 제2배플의 사이 공간에서 와류의 발생을 최소화할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 배플 상에 플라즈마가 증착되어 형성된 막을 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3의 배플 유닛의 제1실시예을 보여주는 절단 사시도이다.
도 5는 도 4의 배플 유닛을 보다 확대해 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 배플 유닛의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시 예에서 기판(W)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판(W)은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에서 기판 처리 장치는 플라즈마 또는 가스를 이용하여 애싱, 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 관하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 배플 유닛(500)을 가진다.
공정 챔버(100)는 처리실(120)과 플라즈마 발생실(140)을 가진다. 처리실(120)은 기판(W)이 처리되는 처리 공간(121)을 제공한다. 플라즈마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라즈마가 발생되는 공간을 제공한다.
처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 반출입구(미도시)가 형성된다. 반출입구는 기판(W)이 처리 공간(121)에 반출입되는 개구로 기능한다. 반출입구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 처리실(120)의 바닥면에는 배기홀(122)이 형성된다. 배기홀(122)에는 배기 라인(124)이 연결된다. 배기 라인(124)에는 펌프(126)가 설치된다. 펌프(126)는 처리 공간(121)의 압력을 공정 압력으로 조절한다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 공정 부산물은 배기 라인(124)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다. 예컨대, 공정 압력은 상압보다 낮은 압력일 수 있다.
플라즈마 발생실(140)은 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다.플라즈마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에서 처리실(120)에 결합된다. 플라즈마 발생실(140)은 방전실(142)과 확산실(144)을 포함한다.
방전실(142)은 가스 공급 유닛으로부터 공급된 가스를 여기시킨다. 확산실(144)은 발생된 플라즈마를 확산시킨다. 방전실(142) 및 확산실(144) 각각은 중공의 원통 형상을 가진다. 확산실(144)은 방전실(142)과 처리실(120) 사이에 위치된다. 확산실(144)은 방전실(142)의 하단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 방전실(142)의 내부 공간은 확산실(142)의 내부 공간보다 좁게 제공된다. 방전실(142)의 내부 공간은 위에서 아래로 갈수록 면적을 가지도록 제공되고, 확산실(144)의 내부 공간은 위에서 아래로 갈수록 그 면적이 증가된 후, 일정하게 제공된다.
예컨대, 공정 챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 공정 챔버(100)는 접지라인(123)을 통해 접지될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(121)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지판(220)과 지지축(240)을 가진다.
지지판(220)은 처리 공간(121)에 위치되며 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지판(220)은 지지축(240)에 의해 지지된다. 기판(W)은 지지판(220)의 상면에 놓인다. 지지판(220)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(W)은 정전기력 또는 기구적 클램프에 의해 지지판(220)에 지지될 수 있다. 예컨대, 지지판은 정전척으로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 플라즈마 발생실(140)로 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 방전실(142)의 상부에 위치될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급라인(320), 가스 저장부(340) 그리고 가스 포트(360)를 가진다.
가스 공급라인(320)은 가스 포트(360)에 연결된다. 가스 포트(360)는 방전실(142)의 상부에 결합된다. 가스 포트(360)를 통해 공급된 가스는 방전실(142)로 유입되고, 방전실(142)에서 플라즈마로 여기된다.
플라즈마 소스(400)는 방전실(142)에서 가스 공급 유닛(300)에 의해 공급된 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라즈마 소스(400)는 유도 결합형 플라즈마 소스일 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(420)와 전원(440)을 가진다.
안테나(420)는 방전실(142)의 외부에 제공되며 방전실(142)의 측면을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(420)의 일단은 전원(440)에 연결되고, 타단은 접지된다.
전원(440)은 안테나(420)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(440)은 안테나(420)에 고주파 전력을 인가할 수 있다.
배플 유닛(500)은 처리실(120)과 확산실(144)의 사이에 위치된다. 배플 유닛(500)은 처리 공간(121)과 확산실(144)의 내부 공간을 구획한다. 가스는 배플 유닛(500)을 통해 확산실(144)의 내부 공간에서 처리 공간(121)으로 공급된다. 가스는 배플 유닛(500)에 의해 처리 공간(121)으로 균일하게 공급될 수 있다. 예컨대, 배플 유닛(500)은 확산실(144)의 하단에 고정 결합될 수 있다.
도 4는 도 3의 배플 유닛의 제1실시예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 배플 유닛을 보다 확대해 보여주는 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 배플 유닛(500)은 제1배플(560) 및 제2배플(520)을 포함한다. 제1배플(560) 및 제2배플(520)은 상하 방향으로 서로 마주하도록 위치된다. 제1배플(560) 및 제2배플(520)은 상하 방향으로 서로 이격되게 위치된다. 제1배플(560) 및 제2배플(520)의 사이 공간은 플라즈마가 제1배플(560)에서 제2배플(520)로 공급되는 중간 유로(550)로 기능한다. 따라서 확산실(144) 내의 플라즈마는 제1배플(560), 중간 유로(550), 그리고 제2배플(520)을 거쳐 처리 공간(121)으로 공급된다.
제1배플(560)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 제1배플(560)에는 제1홀들(562)이 형성된다. 제1홀들(562)은 제1배플(560)의 상면에서 저면까지 연장된다. 제1홀들(562)은 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 예컨대, 서로 인접한 제1홀들(562) 간에는 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다.
제2배플(520)은 제1배플(560)의 아래에 위치된다. 예컨대. 제2배플(520)은 제1배플(560)보다 조금 큰 직경으로 제공될 수 있다. 제2배플(520)은 제1배플(560)과 동일 중심축을 가지도록 위치된다. 제2배플(520)은 바디부(530) 및 결합부(540)를 가진다. 바디부(530)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바디부(530)에는 제2홀들(532)이 형성된다. 제2홀들(532)은 제2배플(520)의 상면에서 저면까지 연장된다. 제2홀들(532)은 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 바디부(530)는 제1배플(560)과 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 바디부(530)와 제1배플(560)는 중심축이 일치되도록 위치될 수 있다. 바디부(530)는 제1배플(560)로부터 이격되게 위치된다.
결합부(540)는 바디부(530)의 측단으로부터 위로 연장된다. 결합부(540)의 내측면에는 제1배플(560)이 결합되며, 결합부(540)의 외측면은 확산실(144)에 결합된다. 결합부(540)의 내부에는 냉각 유로(534)가 형성된다. 냉각 유로(534)에는 냉각 유체가 흐르며, 냉각 유체는 처리 공간(121)에서 발생되는 열로부터 제2배플(520)을 보호한다. 예컨대, 냉각 유로(534)는 제2홀들(532)을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.
예컨대, 제1배플(560) 및 제2배플(520)은 서로 다른 재질로 제공될 수 있다. 제1배플은 제2배플보다 플라즈마에 강한 재질로 제공될 수 있다. 제1배플(560)의 재질은 쿼츠(Quartz), 세라믹, 그리고 그라파이트(Graphite) 중 하나를 포함하고, 상기 제2배플(520)의 재질은 알루미늄을 포함할 수 있다. 제1배플(560)은 확산실(144)에 인접하게 위치되며, 제2배플(520)은 처리실(120)에 인접하게 위치된다. 확산실(144)의 플라즈마는 처리실(120)의 플라즈마에 비해 큰 세기를 가진다.
선택적으로 제1배플(560) 및 제2배플(520)은 서로 동일한 재질로 제공될 수 있다. 제1배플(560) 및 제2배플(520)은 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
다음은 제1홀(562)과 제2홀(532) 간에 관계를 보다 상세히 설명한다.
상부에서 바라볼 때 제1홀(562)과 제2홀(532)은 서로 간에 중첩되는 영역이 없도록 형성될 수 있다. 바디부(530)와 제1배플(560)의 종단면으로부터 바라볼 때 제1홀(562) 및 이에 인접한 제2홀(532) 사이의 블로킹 영역의 길이(A)는 제1배플(560)과 제2배플(520) 사이의 간격(B)보다 크게 제공된다.
상부에서 바라볼 때 제2홀들(532) 중 최외측의 제2홀들(532)은 제1홀들(562)을 감싸도록 배열된다. 즉, 최외측의 제1홀들(562)은 중심축으로부터 제1거리만큼 이격되게 위치되고, 최외측의 제2홀들(532)은 중심축으로부터 제2거리만큼 이격되게 위치되며, 제2거리는 제1거리보다 길게 제공된다. 이에 따라 중간 유로(550)의 가장자리 영역에서 발생되는 와류를 최소화할 수 있다. 예컨대, 제2거리는 중간 유로(550)의 반경보다 작게 제공될 수 있다. 최외측의 제2홀들(532)은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다.
또한 제1블로킹 영역과 제2블로킹 영역이 서로 마주하는 면적의 길이(A)는 제1배플(560)과 제2배플(520)의 상하 간격(B)보다 크게 제공된다. 즉 상기 면적의 길이(A)는 중간 유로(550)의 상하 폭(B)보다 크게 제공된다. 이에 따라 제1홀(562)에서 제2홀(532)로 이동되는 중간 유로(550)의 흐름 경로는 길어지며, 중간 유로(550)에 유입된 파티클의 필터링 효과를 향상시킬 수 있다.
도 6은 도 5의 배플 유닛의 제2실시예를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 제2거리와 중간 유로(550)의 반경은 동일하게 제공될 수 있다. 이로 인해 중간 유로(550)의 최외측에 발생되는 와류를 최소화시킬 수 있다.
500: 배플 유닛 520: 제2배플
530: 바디부 532: 제2홀
540: 결합부 550: 중간 유로
560: 제1배플 562: 제1홀

Claims (6)

  1. 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 가스 공급 유닛으로부터 공급되는 가스를 여기시키는 플라즈마 소스와;
    상기 기판 지지 유닛과 상기 가스 공급 유닛 사이에 위치되며, 상기 가스로부터 여기된 플라즈마가 통과되는 배플 유닛을 포함하되,
    상기 배플 유닛은,
    제1홀들이 형성되는 제1배플과;
    상기 제1배플보다 아래에 위치되며, 제2홀들이 형성되는 제2배플을 포함하되,
    상기 제1배플은 원형의 판 형상을 가지고,
    상기 제2배플은,
    원형의 판 형상을 가지는 바디부와;
    상기 바디부의 측단으로부터 위로 연장되고, 그 내측면에 상기 제1배플이 결합되는 결합부를 포함하고,
    상기 제2배플은 상기 제1배플보다 큰 직경으로 제공되고,
    상기 제1홀들과 상기 제2홀들은 각각 상기 제1배플과 상기 제2배플의 원주 방향을 따라 형성되고,
    서로 인접한 상기 제1홀들간에는 동일 간격으로 이격되게 위치되고,
    서로 인접한 상기 제2홀들간에는 동일 간격으로 이격되게 위치되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 제1홀과 상기 제2홀은 서로 간에 중첩되는 영역이 없도록 형성되고,
    상기 제1배플과 상기 제2배플의 종단면으로부터 바라볼 때 상기 제1홀 및 이에 인접한 상기 제2홀 사이의 블로킹 영역의 길이는 상기 제1배플과 상기 제2배플 사이의 간격보다 크게 제공되고,
    상기 제1배플 및 상기 제2배플은 중심축이 서로 일치되게 위치되며,
    상기 제1홀들 중 최외측에 위치되는 제1홀들은 상기 중심축에 제1거리만큼 이격되게 위치되고, 상기 제2홀들 중 최외측에 위치되는 제2홀들은 상기 중심축에 제2거리만큼 이격되게 위치되되,
    상기 제2거리는 상기 제1거리보다 긴 거리이고,
    상기 제1배플 및 상기 제2배플은 서로 다른 재질로 제공되고,
    상기 제1배플의 재질은 쿼츠(Quartz), 세라믹, 그리고 그라파이트(Graphite) 중 하나를 포함하고,
    상기 제2배플의 재질은 알루미늄을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바디부에는 상기 제2홀들이 형성되고,
    상기 결합부의 내부에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성되는 기판 처리 장치.


  6. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100721A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2008047939A (ja) * 2001-09-10 2008-02-28 Canon Anelva Corp 基板表面処理装置
JP2016225018A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびそれに用いる多分割シャワーヘッド

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047939A (ja) * 2001-09-10 2008-02-28 Canon Anelva Corp 基板表面処理装置
JP2003100721A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2016225018A (ja) * 2015-05-27 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびそれに用いる多分割シャワーヘッド

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