CN102738323B - 发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102738323B
CN102738323B CN201210110419.3A CN201210110419A CN102738323B CN 102738323 B CN102738323 B CN 102738323B CN 201210110419 A CN201210110419 A CN 201210110419A CN 102738323 B CN102738323 B CN 102738323B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
mentioned
emitting component
transfer sheet
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210110419.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102738323A (zh
Inventor
大薮恭也
内藤俊树
佐藤慧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN102738323A publication Critical patent/CN102738323A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102738323B publication Critical patent/CN102738323B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法。该发光元件转印片的制造方法包括：准备发光元件片的工序，该发光元件片包括在一侧面上连接有电极部的光半导体层、层叠在光半导体层的另一侧面上的荧光体层；将发光元件片分割为多个、并形成多个发光元件的工序；将多个发光元件彼此隔开间隔地配置在基材上的工序；以覆盖发光元件的方式将含有光反射成分的反射树脂层形成在基材上的工序；除去反射树脂层的一部分而使电极部的一侧面从反射树脂层暴露出的工序。

Description

发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光元件转印片的制造方法、发光装置的制造方法、发光元件转印片及发光装置，详细来说，本发明涉及发光元件转印片的制造方法及由其获得的发光元件转印片、以及发光装置的制造方法及由其获得的发光装置。
背景技术
近年来，作为能够发出高能量的光的发光装置，公知有白色发光装置。在白色发光装置中例如设有二极管基板、层叠在该二极管基板上并发出蓝色光的LED(发光二极管)、能够将蓝色光改变为黄色光并覆盖LED的荧光体层、密封LED的密封层。上述白色发光装置通过使从被密封层密封的、自二极管基板供电的LED发出的、透过了密封层及荧光体层的蓝色光与在荧光体层中改变一部分蓝色光的波长而得到的黄色光混合，从而发出高能量的白色光。
作为制造上述白色发光装置的方法，例如，提出了下述方法(例如，参照日本特开2005－191420号公报)。
即，首先，形成由基板部与从该基板部的周部向上侧突出的白色的反射框部构成的基体，接下来，与反射框部的内侧隔开间隔地将半导体发光元件引线接合于基板部的中央处的由反射框部形成的凹部的底部。
接下来，提出了下述方法，即，通过涂敷而将荧光体与液体状的环氧树脂的混合物填充到凹部中，接着，使荧光体自然沉降到凹部的底部，之后，使环氧树脂加热固化。
在利用日本特开2005－191420号公报所提出的方法获得的白色发光装置中，高浓度地含有由沉降形成的荧光体的荧光体层(波长改变层)被划分为半导体发光元件的上侧的区域，高浓度地含有环氧树脂的密封部被划分为荧光体层的上侧的区域。
而且，在该白色发光装置中，光半导体发光元件呈放射状发出蓝色光，其中，从半导体发光元件朝向上方发出的蓝色光的一部分在荧光体层处被改变为黄色光，并且剩余部分的蓝色光通过荧光体层。此外，从半导体发光元件朝向侧向发出的蓝色光被反射框部反射，接着，朝向上侧照射。于是，日本特开2005－191420号公报的白色发光装置由于上述蓝色光及黄色光的混色而发出白色光。
然而，在利用日本特开2005－191420号公报的制造方法获得的白色发光装置中，由于隔开间隔地配置半导体发光元件与反射框部，因此从半导体发光元件朝向侧向发出的光的一部分在被反射框部反射之前被密封部吸收。其结果，存在降低了光的取出效率这样的不良情况。
发明内容
本发明的目的在于提供能够提高发光装置的光的取出效率的发光元件转印片及其制造方法，以及，使用该发光元件转印片而获得的发光装置及其制造方法。
本发明的发光元件转印片的制造方法的特征在于，该发光元件转印片的制造方法包括：准备发光元件片的工序，该发光元件片包括在厚度方向一侧面上连接有电极部的光半导体层、层叠在上述光半导体层的厚度方向另一侧面上的荧光体层；将上述发光元件片分割为多个、并形成多个具有上述电极部、上述光半导体层及上述荧光体层的发光元件的工序；以上述荧光体层与基材相对的方式将多个上述发光元件彼此隔开间隔地配置在上述基材上的工序；以覆盖上述发光元件的方式将含有光反射成分的反射树脂层形成在上述基材上的工序；除去上述反射树脂层的一部分而使上述电极部的厚度方向一侧面从上述反射树脂层暴露出的工序。
此外，本发明的发光装置的制造方法的特征在于，其包括：利用上述发光元件转印片的制造方法来制造发光元件转印片的工序；将上述发光元件转印片分割为多个具有至少一个上述发光元件的单片的工序；使上述单片与设有端子的基底基板在厚度方向上相对配置、并将上述电极部与上述端子电连接起来而将上述发光元件倒装片安装到上述基底基板上的工序。
此外，本发明的发光元件转印片的特征在于，其包括：基材；多个发光元件，该发光元件包括光半导体层、与上述光半导体层的厚度方向一侧面相连接的电极部及层叠在上述光半导体层的厚度方向另一侧面上的荧光体层，在上述基材上以上述荧光体层与上述基材相对的方式彼此隔开间隔地配置有上述发光元件；反射树脂层，其含有光反射成分并在上述基材上覆盖上述发光元件，并且使上述电极部的厚度方向一侧面暴露出。
此外，本发明的发光装置的特征在于，使通过将上述发光元件转印片分割为多个而获得的、具有至少一个上述发光元件的单片与设有端子的基底基板在厚度方向上相对配置，上述电极部与上述端子电连接起来而将上述发光元件倒装片安装在上述基底基板上。
在本发明的发光元件转印片的制造方法及由其获得的本发明的发光元件转印片中，以覆盖发光元件的方式形成含有光反射成分的反射树脂层。
因此，在使用上述发光元件转印片的发光装置的制造方法及由其获得的发光装置中，从光半导体层发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层的光反射成分反射。其结果，能够提高光的取出效率。
附图说明
图1是本发明的发光装置的一实施方式的剖视图。
图2是表示本发明的发光元件转印片的一实施方式的剖视图，
图2的(a)表示分割前的发光元件转印片，
图2的(b)表示分割时的发光元件转印片。
图3是表示图2所示的发光元件转印片的制造方法的工序图，
图3的(a)表示准备发光元件片的工序，
图3的(b)表示将分割发光元件片而获得的发光元件配置在离型基材上的工序，
图3的(c)表示以覆盖发光元件的方式形成反射树脂层的工序，
图3的(d)表示除去反射树脂层的一部分的工序。
图4是表示图1所示的发光装置的制造方法的制造工序图，
图4的(a)表示制造发光元件转印片的工序，
图4的(b)表示将发光元件转印片分割为单片的工序，
图4的(c)表示将发光元件倒装片安装在二极管基板上的工序，
图4的(d)表示从发光元件剥离离型基材工序。
具体实施方式
图1是本发明的发光装置的一实施方式的剖视图，图2是表示本发明的发光元件转印片的一实施方式的剖视图，图2的(a)表示分割前的发光元件转印片，图2的(b)表示分割时的发光元件转印片。
在图1中，作为该发光装置的发光二极管装置1包括作为基底基板的二极管基板2、具有后述的发光元件3的单片9。
二极管基板2呈大致平板状，具体来说，二极管基板2是由在绝缘基板上层叠有作为电路图案的导体层而成的层叠板形成的。绝缘基板例如由硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板等构成，优选由陶瓷基板、具体来说为蓝宝石(Al2O3)基板构成。导体层例如由金、铜、银、镍等导体形成。上述导体能够单独使用或者组合使用。
此外，导体层含有端子6。
端子6在绝缘基板的上表面上隔开间隔地形成在面方向上，形成为与后述的电极部8相对应的图案。此外，虽未图示，端子6经由导体层与电力供给部电连接。
单片9包括：倒装片安装在二极管基板2上的至少一个(在图1中为一个)发光元件3和设在该发光元件3的侧方的反射树脂层4。
发光元件3包括光半导体层7、与光半导体层7的厚度方向一侧面(背面(图1中的下表面))相连接的电极部8、层叠在光半导体层7的厚度方向另一侧面(表面(图1中的上表面))上的荧光体层5。
虽未图示，光半导体层7例如包括在厚度方向上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层。光半导体层7由公知的半导体材料形成，利用外延生长法等公知的生长法形成。光半导体层7的厚度例如为0.1μm～500μm，优选为0.2μm～200μm。
电极部8与光半导体层7电连接，该电极部8在向厚度方向投影时被包含于光半导体层7。此外，电极部8例如包括与P型半导体层相连接的正极电极和形成在N型半导体层上的负极电极。
电极部8由公知的导体材料形成，其厚度例如为10nm～1000nm。
荧光体层5形成在光半导体层7的厚度方向另一侧面(表面(图1中的上表面))整个面上，在向厚度方向投影时该荧光体层5形成为与光半导体层7的外形形状具有相同图案的俯视大致矩形状。
荧光体层5例如由含有荧光体的荧光体组成物形成。
优选荧光体组成物含有荧光体及树脂。
作为荧光体，例如列举出能够将蓝色光改变为黄色光的黄色荧光体。作为上述荧光体，例如列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中例如掺杂有铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子的荧光体。
具体来说，作为荧光体，例如列举出具有Y3Al5O12：Ce(YAG(钇铝石榴石)：Ce)、(Y，Gd)3Al5O12：Ce、Tb3Al3O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Lu2CaMg2(Si，Ge)3O12：Ce等石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体，例如(Sr，Ba)2SiO4：Eu、Ca3SiO4Cl2：Eu、Sr3SiO5：Eu、Li2SrSiO4：Eu、Ca3Si2O7：Eu等硅酸盐荧光体，例如CaAl12O19：Mn、SrAl2O4：Eu等铝酸盐荧光体，例如ZnS：Cu，Al、CaS：Eu、CaGa2S4：Eu、SrGa2S4：Eu等硫化物荧光体，例如CaSi2O2N2：Eu、SrSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、Ca－α－SiAlON等氮氧化物荧光体，例如CaAlSiN3：Eu、CaSi5N8：Eu等氮化物荧光体，例如K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12：Ce(YAG)。
荧光体能够单独使用或者两种以上组合使用。
对于荧光体的配合比例，例如相对于荧光体组成物、例如为1质量％～50质量％，优选为5质量％～30质量％。此外，荧光体相对于100质量份的树脂的配合比例例如为1质量份～100质量份，优选为5质量份～40质量份。
树脂是使荧光体分散的基体，例如列举出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯树脂等透明树脂等。从耐久性的观点来说，优选列举出有机硅树脂。
有机硅树脂主要在分子内具有由硅氧烷键(－Si－O－Si－)构成的主链和与主链的硅原子(Si)相结合的、由烷基(例如甲基等)或者烷氧基(例如甲氧基)等有机基构成的侧链。
具体来说，作为有机硅树脂，例如列举出脱水缩合型有机硅树脂、加成反应型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、潮气固化型有机硅树脂、固化型有机硅树脂等。优选列举出加成反应型有机硅树脂等。
有机硅树脂的25℃时的运动粘度例如为10mm2/s～30mm2/s。
树脂能够单独使用或者两种以上组合使用。
树脂的配合比例相对于荧光体组成物、例如为50质量％～99质量％，优选为57质量％～95质量％。
荧光体组成物是通过以上述配合比例配合荧光体及树脂并进行搅拌混合来制备的。
荧光体层5的厚度例如为0.1μm～1000μm，优选为0.2μm～800μm。
此外，发光元件3的厚度(荧光体层5、光半导体层7及电极部8的总厚度)例如为20μm～500μm，优选为50μm～300μm。
在二极管基板2的上表面上，反射树脂层4俯视看来设在形成有发光元件3的区域以外的区域中，具体来说，该反射树脂层4设在发光元件3的左右方向两外侧及前后方向两侧，与发光元件3的左面、右面、前面及后面的各表面密合。由此，反射树脂层4使发光元件3的上表面暴露出。
上述反射树脂层4例如含有光反射成分，具体来说，反射树脂层4由含有树脂、光反射成分的反射树脂组成物形成。
作为树脂，例如列举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂、热固化性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、热固化性聚氨酯树脂等热固化性树脂，优选列举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂。
光反射成分例如为白色的化合物，作为上述白色的化合物，具体来说，列举出白色颜料。
作为白色颜料，例如列举出白色无机颜料，作为上述白色无机颜料，例如列举出氧化钛、氧化锌、氧化锆等氧化物，例如列举出铅白(碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐，例如列举出高岭土(高岭石)等黏土矿物等。
作为白色无机颜料，优选列举出氧化物，进一步优选列举出氧化钛。
若采用氧化钛，能够获得较高的白度、较高的光反射性、优良的遮盖性(遮盖力)、优良的着色性(着色能力)、较高的分散性、优良的耐候性、较高的化学稳定性等特性。
上述氧化钛具体来说为TiO2(氧化钛(IV)，二氧化钛)。
氧化钛的晶体构造没有特别限定，例如为金红石、板钛矿(板钛石)、锐钛矿(anatase)等，优选为金红石。
此外，氧化钛的晶系没有特别限定，例如为四方晶系、斜方晶系等，优选为四方晶系。
若氧化钛的晶体构造及晶系是金红石及四方晶系，则即使在使密封树脂层4长时间处于高温的情况下，也能够有效地防止对光(具体来说，可见光，特别是波长450nm附近的光)的反射率降低。
光反射成分为颗粒状，但是并不限定于该形状，例如列举出球状、板状、针状等。光反射成分的最大长度的平均值(在为球状的情况下为其平均粒径)例如为1nm～1000nm。最大长度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
光反射成分的配合比例相对于100质量份的树脂例如为0.5质量份～90质量份，从着色性及光反射性的观点来说，优选为1.5质量份～70质量份。
此外，光反射成分的配合比例相对于100质量份的反射树脂组成物例如为0.5质量份～90质量份，从光反射率及处理性的观点来说，优选为1.5质量份～70质量份。
上述光反射成分均匀地分散混合到树脂中。
此外，也能够在反射树脂组成物中进一步添加填充剂。也就是说，能够组合使用填充剂与光反射成分(具体来说为白色颜料)。
作为填充剂，除上述的白色颜料之外，列举出公知的填充剂，具体来说，列举出无机填充剂，作为上述无机填充剂例如列举出二氧化硅粉末、滑石粉末、氧化铝粉末、氮化铝粉末、氮化硅粉末等。
作为填充剂，从降低反射树脂层4的线膨胀率的观点来说，优选列举出二氧化硅粉末。
作为二氧化硅粉末，例如列举出熔融二氧化硅粉末、晶体二氧化硅粉末等，优选列举出熔融二氧化硅粉末(即，石英玻璃粉末)。
作为填充剂的形状，例如列举出球状、板状、针状等。从优良的填充性及流动性的观点来说，优选列举出球状。
从而，作为二氧化硅粉末，优选列举出球状熔融二氧化硅粉末。
填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下为平均粒径)例如为5μm～60μm，优选为15μm～45μm。最大长度的平均值是用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
调整填充剂的添加比例，使得填充剂及光反射成分的总量例如相对于100质量份的树脂为10质量份～80质量份，从降低线膨胀率及确保流动性的观点来说，调整填充剂的添加比例，使得填充剂及光反射成分的总量相对于100质量份的树脂优选为25质量份～75质量份，进一步优选为40质量份～60质量份。
此外，对于填充剂的添加比例，从光反射率及处理性的观点来说，填充剂及光反射成分的总量相对于100质量份的反射树脂组成物优选为1.5质量份～70质量份。
反射树脂组成物是通过配合上述树脂、光反射成分、根据需要添加的填充剂并使其均匀混合来制备的。
此外，反射树脂组成物是以B阶段状态制备的。
上述反射树脂组成物例如形成为液体状或者半固体状，其运动粘度例如为10mm2/s～30mm2/s。
如上所述，发光元件3的外侧面被反射树脂层4密封。
此外，如图1中的虚拟线所示，在光半导体层7的下侧形成有与电极部8的厚度相对应的下部间隙12。
在该下部间隙12中也填充有反射树脂层4，此外，在上述下部间隙12中，反射树脂层4也与从电极部8暴露出的光半导体层7的下表面及电极部8的侧表面密合。
反射树脂层4的厚度与上述发光元件3的厚度(荧光体层5、光半导体层7及电极部8的总厚度)相同，具体来说，例如为20μm～500μm，优选为50μm～300μm。
如图2的(a)及图2的(b)所示，能够通过将发光元件转印片10分割为多个来获得上述单片9。
发光元件转印片10是用于将发光元件3(及反射树脂层4)转印到二极管基板2(参照图1)上的转印片，通过以后述方式进行分割而形成多个(例如为三个)单片9。
发光元件转印片10包括作为基材的离型基材14、被离型基材14支承的多个(例如为三个)发光元件3、覆盖发光元件3的侧表面的反射树脂层4。
具体来说，在发光元件转印片10中，在离型基材14上以荧光体层5与离型基材14相对的方式彼此隔开间隔地配置多个(例如为三个)发光元件3。此外，如上所述，反射树脂层4在离型基材14上以使电极部8的厚度方向一侧面(背面(图2的(a)中的上表面)暴露出的方式覆盖发光元件3。
支承上述发光元件3及反射树脂层4的离型基材14例如为大致矩形状的离型片(离型膜)，其上表面及下表面形成为平坦状。
离型基材14是由利用加热能够易于剥离的热剥离片形成的。热剥离片包括支承层15、层叠在支承层15的上表面上的粘合层16。
支承层15例如由聚酯等耐热性树脂形成。
粘合层16例如由在常温(25℃)下具有粘合性、在加热时粘合性降低(或者丧失粘合性)的热膨胀性粘合剂等形成。
作为上述热剥离片，能够使用市面上销售的商品，具体来说，能够使用リバアルファ(REVALPHA)系(注册商标，日东电工株式会社制)等。
热剥离片一边利用支承层15隔着粘合层16可靠地支承单片9(发光元件3及反射树脂层4)，一边如后所述那样基于粘合层16的因加热导致的粘合性下降而自单片9(发光元件3及反射树脂层4)剥离。
此外，离型基材14可以由例如聚烯烃(具体来说为聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等乙烯共聚物、例如聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等聚酯、例如聚四氟乙烯等氟树脂等树脂材料等形成。此外，离型基材14例如也能够由铁、铝、不锈钢等金属材料等形成。
离型基材14的厚度例如为10μm～1000μm。
图3是表示图2所示的发光元件转印片10的制造方法的工序图。
接下来，参照图3对制造上述发光元件转印片10的方法进行说明。
在该方法中，首先，如图3的(a)所示那样准备发光元件片11。
发光元件片11是一体地具有多个(例如为八个)发光元件3的发光元件3的聚合体片，如后所述，通过分割来形成多个(例如八个)发光元件3。
具体来说，发光元件片11包括面方向较长的片状的光半导体层7(光半导体片)、以与各发光元件3相对应的方式与该光半导体层7的厚度方向一侧面(背面(图3的(a)中的下表面))相连接的多个电极部8、层叠在光半导体层7的厚度方向另一侧面(表面(图3的(a)中的上表面))上的面方向较长的片状的荧光体层5。
上述发光元件片11能够以下述方式获得，即，例如，首先，将上述荧光体组成物成形为面方向较长的片状，例如将其加热到50℃～150℃来进行干燥，从而形成荧光体层5，接下来，在荧光体层5的厚度方向一侧面(背面(图3的(a)中的下表面))上，利用公知的方法层叠面方向较长的片状的光半导体层7，之后，通过使电极部8与光半导体层7的厚度方向一侧面(背面(图3的(a)中的下表面))相连接而获得上述发光元件片11。
接下来，在该方法中，如图3的(a)中的单点划线所示，将发光元件片11分割为多个，从而形成多个(例如为八个)发光元件3，详细来说形成多个包括电极部8、光半导体层7及荧光体层5的发光元件3。
分割发光元件片11的方法没有特别限制，能够采用公知的方法。
此外，在接下来的工序(图3的(b)～图3的(d))中，使由上述分割而获得的多个(例如为八个)发光元件3在上下方向上翻转。
接下来，如图3的(b)所示，在该方法中，在离型基材14上以使发光元件3的荧光体层5与离型基材14相对的方式彼此隔开间隔地配置多个(例如为三个)发光元件3。
此外，各发光元件3的间隔没有特别限制，可以根据目的及用途适当设定该间隔。
接下来，在该方法中，如图3的(c)所示，在离型基材14上以覆盖发光元件3的方式形成反射树脂层4。
形成反射树脂层4的方法没有特别限制，例如，利用印刷、分配器(dispenser)等的涂敷方法以覆盖发光元件3的方式在离型基材14之上涂敷上述反射树脂组成物。
接下来，在该方法中，如图3的(d)所示，利用公知的蚀刻法等除去反射树脂层4的一部分，使得电极部8的厚度方向一侧面(背面(图3的(d)中的上表面))从反射树脂层4暴露出。
详细来说，除去反射树脂层4的一部分，使得电极部8的厚度方向一侧面(背面(图3的(d)中的上表面))与反射树脂层4的厚度方向一侧面(背面(图3的(d)中的上表面))平齐。
由此，能够在离型基材14之上以覆盖发光元件3并且使电极部8的厚度方向一侧面(背面(图3的(d)中的上表面))暴露出的方式形成反射树脂层4，从而制造发光元件转印片10。
在上述发光元件转印片10的制造方法及由其获得的发光元件转印片10中，以覆盖发光元件3的方式形成含有光反射成分的反射树脂层4。
因此，如后所述，在使用上述发光元件转印片10的发光二极管装置1的制造方法及由其获得的发光二极管装置1中，从光半导体层7发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层4的光反射成分反射。其结果，能够提高光的取出效率。
此外，在使用上述发光元件转印片10的发光二极管装置1的制造方法及由其获得的发光二极管装置1中，由于预先准备了形成为片状的荧光体层，因此能够较薄、短时间且简便地形成荧光体层。因此，能够抑制制造成本的上升。
此外，在使用上述发光元件转印片10的发光二极管装置1的制造方法及由其获得的发光二极管装置1中，能够将反射树脂层4良好地填充到光半导体层7的下侧的下部间隙12。
此外，在使用上述发光元件转印片10的发光二极管装置1的制造方法及由其获得的发光二极管装置1中，能够利用反射树脂层4密封发光元件3，因此不需要另外使用密封树脂等来密封发光元件，因此，能够谋求削减成本及作业量。
图4是表示图1所示的发光二极管装置1的制造方法的制造工序图。
接下来，参照图4对使用上述发光元件转印片10来制造发光二极管装置1的方法进行说明。
在上述方法中，首先，如图4的(a)所示，准备利用上述方法(上述图3的(a)～图3的(d)所示的方法)制造的发光元件转印片10。
接下来，在该方法中，如图4的(b)所示，将发光元件转印片10分割为多个(例如为三个)具有至少一个发光元件3(在图4的(a)中为一个)的单片9。
在该工序中，如上所述，单片9包括发光元件3和用于密封发光元件3的反射树脂层4，该单片9被离型基材14支承。
接下来，在该方法中，如图4的(c)所示，准备设有端子6的二极管基板2，使单片9、二极管基板2在厚度方向上相对配置。
于是，将发光元件3的电极部8与二极管基板2的端子6电连接起来，将发光元件3倒装片安装在二极管基板2上(参照实线箭头)。
此外，在该工序中，在反射树脂层4的树脂由热固化性树脂构成的情况下，由于处于B阶段状态，向厚度方向压接单片9与二极管基板2，由此，将反射树脂层4填充到光半导体层7的下侧的下部间隙12(参照虚拟线)中。
之后，例如，通过加热来降低离型基材14中的粘合层16的粘合性，通过从单片9剥离离型基材14而将发光元件3及反射树脂层4转印到二极管基板2上(参照虚线箭头)。
此外，根据需要，加热B阶段状态的反射树脂层4而使其固化。
由此，如图4的(d)所示，能够获得发光二极管装置1。
在上述发光二极管装置1及其制造方法中，由于使用上述发光元件转印片10，因此从光半导体层7发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层4的光反射成分反射。其结果，能够提高光的取出效率。
此外，在上述发光二极管装置1及其制造方法中，预先准备形成为片状的荧光体层，因此能够较薄、短时间且简便地形成荧光体层。因此，能够抑制制造成本的上升。
此外，在上述发光二极管装置1及其制造方法中，能够将反射树脂层4良好地填充到光半导体层7的下侧的下部间隙12中。
此外，在上述发光二极管装置1及其制造方法中，由于能够利用反射树脂层4密封发光元件3，因此不需要另外使用密封树脂等来密封发光元件，因此能够谋求削减成本及作业量
实施例
实施例1(发光元件转印片的制造)
准备了厚度0.2mm、最大长度100mm的呈片状扩展的光半导体层(光半导体片)，该光半导体层包括含有缓冲层(GaN)、N型半导体层(n－GaN)、发光层(InGaN)及P型半导体层(p－GaN：Mg)的光半导体层和包含正极电极及负极电极的电极部。
接下来，在光半导体层(光半导体片)的表面上层叠了荧光体层。
详细来说，通过配合26质量份的由Y3Al5O12：Ce构成的荧光体颗粒(球形状，平均粒径为8μm)及74质量份的有机硅树脂(加成反应型有机硅树脂，运动粘度(25℃)为20mm2/s，WACKER ASAHIKASEI SILICON CO.,LTD.制)并进行均匀搅拌来制备荧光体组成物。
接下来，在利用印刷将制备的荧光体组成物涂覆到光半导体层的表面而形成荧光体皮膜之后，在100℃下使荧光体皮膜干燥而形成了荧光体层。由此获得了发光元件片(参照图3的(a))。
接下来，将发光元件片分割(切割)为多个，形成多个具有电极部、光半导体层及荧光体层的发光元件(参照图3的(a)的单点划线)。
接下来，在上表面及下表面形成为平坦状的、由氟树脂构成的厚度50μm的离型基材上，以荧光体层与离型基材相对的方式彼此隔开间隔配置多个发光元件(参照图3的(b))。
接下来，制备反射树脂组成物，在离型基材上印刷该反射树脂组成物，从而形成了覆盖发光元件的B阶段状态的反射树脂层(参照图3的(c))。
反射树脂组成物是通过使100质量份的热固化性有机硅树脂及20质量份的球状的平均粒径300nm的氧化钛(TiO2：金红石的四方晶系)颗粒均匀混合来制备的。
接下来，利用蚀刻除去反射树脂层的一部分，使得电极部的厚度方向一侧面从反射树脂层暴露出(参照图3的(d))。
之后，利用加热使反射树脂层固化，从而获得发光元件转印片。
实施例2
将由实施例1获得的发光元件转印片(参照图4的(a))分割为多个具有至少一个发光元件的单片及支承该单片的离型基材(参照图4的(b))。
接下来，使获得的单片与厚度1mm的二极管基板在厚度方向上相对配置，将发光元件倒装安装(倒装安装也被称为倒装片安装)到二极管基板的上表面上(参照图4的(c))。此外，二极管基板包括由蓝宝石构成的绝缘基板和在该绝缘基板的上表面上包含由铜、镍及金构成的端子的导体层。
由此，获得了发光二极管装置(参照图4的(d))。
此外，虽然上述说明是作为本发明的示例的实施方式提供的，但是上述说明只是示例并不能对本发明进行限定性解释。对于本技术领域的技术人员来说显而易见的本发明的变形例包含在权利要求书中。

Claims (3)

1.一种发光元件转印片的制造方法，其特征在于，
该发光元件转印片的制造方法包括：
准备发光元件片的工序，该发光元件片包括在厚度方向一侧面上连接有电极部的光半导体层、层叠在上述光半导体层的厚度方向另一侧面上的荧光体层；
将上述发光元件片分割为多个、并形成多个具有上述电极部、上述光半导体层及上述荧光体层的发光元件的工序；
以上述荧光体层与离型基材相对的方式将多个上述发光元件彼此隔开间隔地配置在上述离型基材上的工序；
以覆盖上述发光元件的方式将含有光反射成分的反射树脂层形成在上述离型基材上的工序；
在上述离型基材上除去上述反射树脂层的一部分而使上述电极部的厚度方向一侧面从上述反射树脂层暴露出的工序。
2.一种发光装置的制造方法，其特征在于，
该发光装置的制造方法包括：
利用权利要求1所述的发光元件转印片的制造方法来制造上述发光元件转印片的工序；
将上述发光元件转印片分割为多个具有至少一个发光元件的单片的工序；
使上述单片与设有端子的基底基板在厚度方向上相对配置、并将上述电极部与上述端子电连接起来而将上述发光元件倒装片安装在上述基底基板上的工序；以及
将上述离型基材自上述反射树脂层和上述倒装片安装的上述发光元件剥离的工序。
3.一种发光元件转印片，其特征在于，
该发光元件转印片包括：
离型基材；
多个发光元件，其包括光半导体层、与上述光半导体层的厚度方向一侧面相连接的电极部及层叠在上述光半导体层的厚度方向另一侧面上的荧光体层，在上述离型基材上以上述荧光体层与上述离型基材相对的方式彼此隔开间隔配置有上述多个发光元件；
反射树脂层，其含有光反射成分，用于在上述离型基材上覆盖上述发光元件，并且使上述电极部的厚度方向一侧面暴露出。
CN201210110419.3A 2011-04-14 2012-04-13 发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法 Expired - Fee Related CN102738323B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-089965 2011-04-14
JP2011089965A JP5670249B2 (ja) 2011-04-14 2011-04-14 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102738323A CN102738323A (zh) 2012-10-17
CN102738323B true CN102738323B (zh) 2016-12-28

Family

ID=46044342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210110419.3A Expired - Fee Related CN102738323B (zh) 2011-04-14 2012-04-13 发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8877528B2 (zh)
EP (1) EP2511963A3 (zh)
JP (1) JP5670249B2 (zh)
KR (1) KR20120117659A (zh)
CN (1) CN102738323B (zh)
TW (2) TW201637247A (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8907502B2 (en) * 2012-06-29 2014-12-09 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
JP6680670B2 (ja) * 2013-04-11 2020-04-15 ルミレッズ ホールディング ベーフェー トップエミッション型半導体発光デバイス
JP6186904B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013212928A1 (de) 2013-07-03 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US9000467B2 (en) * 2013-07-11 2015-04-07 Dong Yang CHIOU Non-chip LED illumination device
CN110350069B (zh) * 2013-07-24 2023-06-30 晶元光电股份有限公司 包含波长转换材料的发光管芯及其制作方法
NL2011512C2 (en) * 2013-09-26 2015-03-30 Besi Netherlands B V Method for moulding and surface processing electronic components and electronic component produced with this method.
JP2015109337A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 日東電工株式会社 光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP6176171B2 (ja) * 2014-03-28 2017-08-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
KR102408839B1 (ko) * 2014-06-19 2022-06-14 루미리즈 홀딩 비.브이. 작은 소스 크기를 갖는 파장 변환 발광 디바이스
JP6194514B2 (ja) * 2014-06-26 2017-09-13 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
TWM488746U (zh) * 2014-07-14 2014-10-21 Genesis Photonics Inc 發光模組
DE102014114372B4 (de) * 2014-10-02 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6295941B2 (ja) * 2014-12-15 2018-03-20 株式会社村田製作所 電子部品製造装置
CN105810780A (zh) * 2014-12-30 2016-07-27 晶能光电（江西）有限公司 一种白光led芯片的制备方法
CN105810803A (zh) * 2014-12-30 2016-07-27 晶能光电（江西）有限公司 一种垂直结构led芯片的制备方法
DE102015100575A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6762736B2 (ja) 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
WO2016148019A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 日東電工株式会社 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
CN111223975A (zh) 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
JP6633881B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法
KR20180100157A (ko) 2015-12-29 2018-09-07 루미리즈 홀딩 비.브이. 측면 반사기들 및 인광체를 갖는 플립 칩 led
CN109983589B (zh) * 2015-12-29 2022-04-12 亮锐控股有限公司 具有侧面反射器和磷光体的倒装芯片led
DE102016112293A1 (de) * 2016-07-05 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10580932B2 (en) * 2016-12-21 2020-03-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
JP6579141B2 (ja) * 2017-03-24 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
WO2018216621A1 (ja) * 2017-05-22 2018-11-29 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及びエキスパンドテープ
CN109712967B (zh) 2017-10-25 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 一种发光二极管装置及其制造方法
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
JP6897640B2 (ja) * 2018-08-02 2021-07-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TWI683157B (zh) * 2018-10-19 2020-01-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
KR102555412B1 (ko) 2018-12-14 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
US11437265B2 (en) 2019-06-13 2022-09-06 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Mass transfer method and system for micro light emitting diodes
CN110416373B (zh) * 2019-07-10 2021-09-24 瑞识科技（深圳）有限公司 一种正面出光的led发光器件及其制作方法
TWI740212B (zh) * 2019-09-19 2021-09-21 國立陽明交通大學 微型發光二極體晶片的製作方法
CN117497525A (zh) * 2023-12-28 2024-02-02 江西晶亮光电科技协同创新有限公司 多晶发光装置及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1806346A (zh) * 2003-06-13 2006-07-19 罗姆股份有限公司 制造白色发光的发光二极管元件的方法
CN101627481A (zh) * 2007-01-22 2010-01-13 美商克立股份有限公司 一种晶片级荧光体涂层方法和利用该方法制造的器件
CN101878540A (zh) * 2007-11-29 2010-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4081985B2 (ja) * 2001-03-02 2008-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2005191420A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
TWI286393B (en) * 2004-03-24 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
US7859000B2 (en) * 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
US7973327B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED
JP5482378B2 (ja) * 2009-04-20 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI415308B (zh) * 2009-12-21 2013-11-11 Harvatek Corp 用於增加發光效率及散熱效果之晶圓級發光二極體封裝結構及其製作方法
US8232117B2 (en) * 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
JP2012079776A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012084622A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光素子の製造方法
JP5508244B2 (ja) * 2010-11-15 2014-05-28 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
KR20120067153A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
JP2012216712A (ja) * 2011-03-28 2012-11-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法および発光ダイオード素子
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
JP5840377B2 (ja) * 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP5840388B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-06 日東電工株式会社 発光ダイオード装置
JP2013016588A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP5848562B2 (ja) * 2011-09-21 2016-01-27 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及びその製造方法。

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1806346A (zh) * 2003-06-13 2006-07-19 罗姆股份有限公司 制造白色发光的发光二极管元件的方法
CN101627481A (zh) * 2007-01-22 2010-01-13 美商克立股份有限公司 一种晶片级荧光体涂层方法和利用该方法制造的器件
CN101878540A (zh) * 2007-11-29 2010-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120117659A (ko) 2012-10-24
US8877528B2 (en) 2014-11-04
JP5670249B2 (ja) 2015-02-18
TWI545808B (zh) 2016-08-11
CN102738323A (zh) 2012-10-17
EP2511963A2 (en) 2012-10-17
TW201637247A (zh) 2016-10-16
US20120261681A1 (en) 2012-10-18
JP2012222320A (ja) 2012-11-12
EP2511963A3 (en) 2014-09-03
TW201242108A (en) 2012-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102738323B (zh) 发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法
CN102738362B (zh) 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
CN102738363B (zh) 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
CN102709451B (zh) 发光二极管装置及其制造方法
JP5745319B2 (ja) 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
US8680557B2 (en) Producing method of light emitting diode device and light emitting diode element
TWI478960B (zh) 反射器材料及發光二極體裝置
EP2704219B1 (en) Method for producing light-emitting device, and light-emitting device
US20070013304A1 (en) Light-emitting device
CN103715335A (zh) 荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置
JP2016027668A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法
JP2015073140A (ja) 発光ダイオード装置
JP2015099942A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161228

Termination date: 20180413

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee