CN102713756A - 感光性聚合物组合物、图形的制造方法以及电子部件 - Google Patents
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Abstract
一种感光性聚合物组合物,其含有(a)可溶于碱性水溶液的聚合物、(b)通过光产生酸的化合物、(c1)具有三个同种的二齿配体的铝螯合物、(c2)具有三个两种或三种的二齿配体的铝螯合物而形成。
Description
技术领域
本发明涉及感光性聚合物组合物、图形的制造方法以及电子部件。更具体地,涉及敏感度和与基板的密合性优异的正型感光性聚合物组合物、使用该聚合物组合物的图形固化膜的制造方法以及电子部件。
背景技术
以往,对于半导体元件的表面保护膜、层间绝缘膜而言,使用兼有优异的耐热性和电特性、机械特性等的聚酰亚胺树脂。该聚酰亚胺树脂膜一般是将使四羧酸二酐与二胺在极性溶剂中、在常温常压下反应而得到的聚酰亚胺前体(聚酰胺酸)溶液(所谓的清漆)通过旋涂等进行涂布而薄膜化,并通过加热进行脱水闭环(固化)而形成(例如,参见非专利文献1)。
近年来,一直使用赋予了聚酰亚胺树脂自身以感光特性的感光性聚酰亚胺。如果使用该感光性聚酰亚胺,则具有能够简化图形形成工序、能够缩短繁杂的图形制造工序的特征(例如,参见专利文献1~3)。
以往,对于上述感光性聚酰亚胺的显影而言,一直使用N-甲基吡咯烷酮等有机溶剂,但是,最近,从环境、成本的观点考虑,提出了能够用碱水溶液显影的正型感光性树脂。作为得到这样的可碱显影的正型感光性树脂的方法,有通过酯键在聚酰亚胺前体中导入2-硝基苄基的方法(例如,参见非专利文献2)、在可溶性羟基酰亚胺或聚苯并噁唑前体中混合萘醌二叠氮(naphthoquinonediazide)化合物的方法(例如,参见专利文献4、5)等。对于通过这样的方法得到的树脂而言,可以期待低介电常数化,从这样的观点考虑,与感光性聚酰亚胺一起,感光性聚苯并噁唑也受到了关注。
近年来,伴随着设备结构的变化,对这样的感光性树脂进行了在各种线路层中的适用,这里,逐渐要求例如与铝线路的密合性、无电解镀覆液等镀覆液耐受性。
过去也一直在进行将铝络合物用于正型感光性聚合物组合物这样的研究(例如,专利文献6~9)。在专利文献6~9中,记载了将铝络合物与活性硅化合物一起使用来促进聚合物的环化。但是,这些专利文献中记载的技术并没有充分改善与铝线路的密合性、无电解镀覆液等镀覆液耐受性。
专利文献1:日本特开昭49-115541号公报
专利文献2:日本特开昭59-108031号公报
专利文献3:日本特开昭59-219330号公报
专利文献4:日本特开昭64-60630号公报
专利文献5:美国专利第4395482号公报
专利文献6:日本特开2008-107512号公报
专利文献7:日本特开2008-139328号公报
专利文献8:日本特开2008-145579号公报
专利文献9:WO2007-063721
非专利文献1:日本聚酰亚胺研究会编“最新聚酰亚胺~基础和应用~”(2002年)
非专利文献2:J.Macromol.Sci.,Chem.,vol.A24,12,1407(1987年)
发明内容
本发明的目的是提供一种能够形成密合性、特别是镀覆液耐受性优异的图形的敏感度良好的感光性聚合物组合物。
本发明人等进行了深入研究,结果发现,通过在可碱显影的聚合物中并用两种以上的铝络合物,能够提高基板密合性和敏感度。
根据本发明,可提供以下的感光性聚合物组合物等。
1.一种感光性聚合物组合物,其含有下述成分(a)、(b)、(c1)和(c2)而形成:
(a)可溶于碱性水溶液的聚合物,
(b)通过光产生酸的化合物,
(c1)具有三个同种的二齿配体(bidentate ligand)的铝螯合物,
(c2)具有三个两种或三种的二齿配体的铝螯合物。
2.根据1所述的感光性聚合物组合物,其中,所述(a)成分是具有下述式(I)所示的结构单元的碱水溶液可溶性聚酰胺。
(式中,U是4价的有机基团,V是2价的有机基团。)
3.根据1或2所述的感光性聚合物组合物,其中,所述(c1)成分是通式(II’)所示的铝螯合物,(c2)成分是通式(II)或(II”)所示的铝螯合物。
(式中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地是氢原子或1价的有机基团。
其中,式(II’)中,三个R1和R2的组合全部相同。式(II)中,R1和R2的组合、R3和R4的组合、以及R5和R6的组合互相不同。式(II’’)中,两个R1和R2的组合相同,R1和R2的组合以及R3和R4的组合互相不同。)
4.根据1~3中任一项所述的感光性聚合物组合物,其中,进一步含有(d)交联剂。
5.根据1~4中任一项所述的感光性树脂组合物,其中,所述(d)成分是从下述式(III)所示的化合物、下述式(IV)所示的化合物、下述式(V)所示的化合物、以及具有至少一个下述式(V)所示的结构作为部分结构的化合物中选出的化合物。
(式中,多个R7各自独立地是氢原子或1价的有机基团,多个R8各自独立地是氢原子、1价的有机基团,或者也可以是R8互相结合而形成的碳原子数为1~8的环结构。)
(式中,X是单键或1~4价的有机基团,R11是氢原子或1价的有机基团,R12是1价的有机基团,o是1~4的整数,a是1~4的整数,b是0~3的整数。R11、R12各自有多个时可以相同也可以不同。)
[化5]
(式中,R1表示1价的有机基团,A表示从烃基、包含羰基的有机基团、包含酯键的有机基团以及包含醚键的有机基团中选出的2价的有机基团,n是0~5的整数,m是1~6的整数。R1、A各自有多个时可以相同也可以不同。)
6.根据5所述的感光性聚合物组合物,其中,所述(d)成分是式(III)所示的化合物。
7.根据1~6中任一项所述的感光性聚合物组合物,其中,进一步含有(e)烷氧基硅烷粘接剂。
8.根据7所述的感光性聚合物组合物,其中,相对于(a)成分100重量份,含有(b)成分5~100重量份、(c1)和(c2)成分0.1~50重量、(d)成分1~30重量份、(e)成分0.1~20重量份。
9.一种图形的制造方法,其包含将1~8中任一项所述的感光性聚合物组合物涂布在支撑基板上并进行干燥的工序、进行曝光的工序、进行显影的工序、以及进行加热处理的工序。
10.根据9所述的图形的制造方法,其中,所述进行曝光的工序中使用的光源是i射线。
11.一种固化物,其是将1~8中任一项所述的感光性聚合物组合物固化而形成的。
12.一种电子部件,其具有11所述的固化物作为表面保护膜或层间绝缘膜而形成。
根据本发明,能够提供可形成密合性、特别是镀覆液耐受性优异的图形的敏感度良好的感光性聚合物组合物。
附图说明
图1表示第一工序,是说明具有本发明的一个实施方式所涉及的多层线路结构的半导体装置的制造工序的概略剖面图。
图2表示第二工序,是说明具有本发明的一个实施方式所涉及的多层线路结构的半导体装置的制造工序的概略剖面图。
图3表示第三工序,是说明具有本发明的一个实施方式所涉及的多层线路结构的半导体装置的制造工序的概略剖面图。
图4表示第四工序,是说明具有本发明的一个实施方式所涉及的多层线路结构的半导体装置的制造工序的概略剖面图。
图5表示第五工序,是说明具有本发明的一个实施方式所涉及的多层线路结构的半导体装置的制造工序的概略剖面图。
具体实施方式
本发明的感光性树脂组合物含有(a)可溶于碱性水溶液的聚合物、(b)通过光产生酸的化合物、(c1)具有三个同种的二齿配体的铝螯合物、(c2)具有三个两种或三种的二齿配体的铝螯合物。另外,本说明书中,有时将(c1)成分和(c2)成分合并称为(c)成分。
就作为(a)成分的可溶于碱性水溶液的聚合物而言,从加工性和耐热性的观点考虑,其主链骨架优选为聚酰亚胺系聚合物或聚噁唑系聚合物,具体优选的物质是从聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚噁唑、聚酰胺、以及它们的前体(例如聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚羟基酰胺等)中选出的至少一种高分子化合物。
另外,(a)成分可以是具有两种以上的上述主链骨架的共聚物,或者也可以是两种以上的上述聚合物的混合物。
从碱水溶液可溶性的方面考虑,(a)可溶于碱性水溶液的聚合物优选为具有多个酚羟基、多个羧基、或这两方的基团的聚合物。
以下对(a)成分在碱性显影液中可溶的一个标准进行说明。制作将(a)成分单独或与(b)、(c)成分一起溶解于任意的溶剂中所得到的清漆旋涂在硅晶片等基板上所形成的膜厚5μm左右的涂膜。在20~25℃下将该涂膜浸渍于四甲基氢氧化铵水溶液、金属氢氧化物水溶液、有机胺水溶液的任一种中。其结果,能溶解形成均匀的溶液时,所使用的(a)成分在碱性显影液中是可溶的。
(a)成分更优选为作为聚苯并噁唑的前体发挥作用、具有良好的感光特性和膜特性的具有下述式(I)所示的结构单元的碱水溶液可溶性聚酰胺。
(式中,U是4价的有机基团,V是2价的有机基团。)
式(I)所示的含有羟基的酰胺单元可最终通过固化时的脱水闭环而转化为耐热性、机械特性和电特性优异的噁唑体。
另外,上述碱水溶液是指四甲基氢氧化铵水溶液、金属氢氧化物水溶液、有机胺水溶液等碱性溶液。
式(I)的U的4价的有机基团一般是与二羧酸反应而形成聚酰胺结构的来自二羟基二胺的残基,优选为4价的芳香族基团,作为其碳原子数,优选为6~40,更优选为碳原子数6~40的4价的芳香族基团。
作为上述4价的芳香族基团,优选具有如下结构的二胺的残基:4个结合部位都存在于芳香环上,2个羟基各自位于与U结合的胺的邻位。
作为这样的二胺类,可以举出3,3’-二氨基-4,4’-二羟基联苯、4,4’-二氨基-3,3’-二羟基联苯、二(3-氨基-4-羟基苯基)丙烷、二(4-氨基-3-羟基苯基)丙烷、二(3-氨基-4-羟基苯基)砜、二(4-氨基-3-羟基苯基)砜、2,2-二(3-氨基-4-羟基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二(4-氨基-3-羟基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷等。
二胺的残基不限于这些,这些化合物的残基可以单独或组合两种以上。
式(I)的V的2价的有机基团一般是与二胺反应而形成聚酰胺结构的、来自二羧酸的残基,优选为2价的芳香族基团,作为碳原子数,优选为6~40,更优选为碳原子数6~40的2价的芳香族基团。
作为2价的芳香族基团,优选2个结合部位都存在于芳香环上。
作为这样的二羧酸,可以举出间苯二酸、对苯二酸、2,2-二(4-羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、4,4’-二羧基联苯、4,4’-二羧基二苯基醚、4,4’-二羧基四苯基硅烷、二(4-羧基苯基)砜、2,2-二(对羧基苯基)丙烷、5-叔丁基间苯二酸、5-溴间苯二酸、5-氟间苯二酸、5-氯间苯二酸、2,6-萘二羧酸等芳香族系二羧酸;1,2-环丁烷二羧酸、1,4-环己烷二羧酸、1,3-环戊烷二羧酸、草酸、丙二酸、琥珀酸等脂肪族系二羧酸等,但不限于这些。
这些化合物的残基可以单独或组合两种以上使用。
具有式(I)所示的结构单元的碱水溶液可溶性聚酰胺也可以具有式(I)所示的结构单元以外的结构。
聚酰胺对于碱水溶液的可溶性源自于酚羟基,因此,优选包含一定比例以上的含有羟基的酰胺单元。
具有式(I)所示的结构单元的碱水溶液可溶性聚酰胺优选为下述式所示的聚酰胺。对于该聚酰胺,更优选:j是含有羟基的酰胺单元,j和k的摩尔比例为j=80~100摩尔%、k=20~0摩尔%。两个结构单元可以无规排列,也可以嵌段排列。
(式中,U是4价的有机基团,V和W是2价的有机基团。
j和k表示摩尔比例,j和k的和是100摩尔%,j是60~100摩尔%,k是40~0摩尔%。)
W所示的2价的有机基团一般是与二羧酸反应而形成聚酰胺结构的二胺的残基,是形成所述U的二胺以外的残基,优选为2价的芳香族基团或脂肪族基团,作为碳原子数,优选为4~40,更优选为碳原子数4~40的2价的芳香族基团。
作为这样的二胺,可以举出4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯砜、4,4’-二氨基二苯基硫醚、联苯胺(ベンジシン)、间苯二胺、对苯二胺、1,5-萘二胺、2,6-萘二胺、二(4-氨基苯氧基苯基)砜、二(3-氨基苯氧基苯基)砜、二(4-氨基苯氧基)联苯、二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、1,4-二(4-氨基苯氧基)苯等芳香族二胺化合物;作为引入了硅氧烷基的二胺的LP-7100、X-22-161AS、X-22-161A、X-22-161B、X-22-161C和X-22-161E(都是信越化学工业株式会社制造)等,但不限于这些。
这些化合物可以单独或组合两种以上使用。
式(I)所示的芳香族聚酰胺的末端基团根据U和V的投入比而成为羧酸或具有酚基的胺。
根据需要,可以使一种或两种封端剂与聚合物末端反应而使一个末端或两个末端各自为饱和脂肪族基团、不饱和脂肪族基团、羧基、酚羟基、磺酸基、或巯基。
此时,封端率优选为30~100%。
对于(a)成分的分子量而言,以重均分子量计优选为3,000~200,000,更优选为5,000~100,000。
这里,分子量是通过凝胶渗透色谱法测定、由标准聚苯乙烯标准曲线换算得到的值。
在本发明中,具有式(I)所示的结构单元的聚酰胺一般可以由二羧酸衍生物和含有羟基的二胺合成。
具体而言,可以通过将二羧酸衍生物转化成二卤化物衍生物后、进行与所述二胺的反应来合成。作为二卤化物衍生物,优选二氯化物衍生物。
二氯化物衍生物可以通过使卤化剂与二羧酸衍生物作用而进行合成。
作为卤化剂,可以使用通常的羧酸的酰氯化反应中所使用的氯化亚硫酰、磷酰氯、氧氯化磷、五氯化磷等。
作为合成二氯化物衍生物的方法,可以通过使二羧酸衍生物与上述卤化剂在溶剂中反应、或者在过量的卤化剂中进行反应后,蒸馏除去过量成分的方法进行合成。作为反应溶剂,可以使用N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基-2-吡啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、甲苯、苯等。
对于这些卤化剂的使用量而言,在溶剂中反应时,相对于二羧酸衍生物优选为1.5~3.0摩尔,更优选为1.7~2.5摩尔,在卤化剂中反应时,优选为4.0~50摩尔,更优选为5.0~20摩尔。
反应温度优选为-10~70℃,更优选为0~20℃。
二氯化物衍生物与二胺的反应优选在脱卤化氢剂的存在下、在有机溶剂中进行。
作为脱卤化氢剂,通常使用吡啶、三乙胺等有机碱。此外,作为有机溶剂,可以使用N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基-2-吡啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等。
反应温度优选为-10~30℃,更优选为0~20℃。
作为(b)成分的通过光产生酸的化合物是感光剂,是通过光产生酸、具有使光照射部分在碱水溶液中的可溶性增大的功能的化合物。
作为上述(b)成分,可以举出邻醌二叠氮化合物、芳基重氮盐、二芳基碘鎓盐、三芳基锍盐等,邻醌二叠氮化合物的敏感度高,优选。
上述邻醌二叠氮化合物可通过例如使邻醌二叠氮磺酰氯类与羟基化合物、氨基化合物等在脱盐酸剂的存在下进行缩合反应而得到。
作为邻醌二叠氮磺酰氯类,可以使用例如苯醌-1,2-二叠氮基-4-磺酰氯、1,2-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酰氯、1,2-萘醌-2-二叠氮基-4-磺酰氯等。
作为上述羟基化合物,可以使用例如氢醌、间苯二酚、焦棓酚、双酚A、二(4-羟基苯基)甲烷、2,2-二(4-羟基苯基)六氟丙烷、2,3,4-三羟基二苯甲酮、2,3,4,4’-四羟基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮、2,3,4,2’,3’-五羟基二苯甲酮、2,3,4,3’,4’,5’-六羟基二苯甲酮、二(2,3,4-三羟基苯基)甲烷、二(2,3,4-三羟基苯基)丙烷、4b,5,9b,10-四氢-1,3,6,8-四羟基-5,10-二甲基茚并[2,1-a]茚、三(4-羟基苯基)甲烷、三(4-羟基苯基)乙烷等。
作为氨基化合物,可以使用例如对苯二胺、间苯二胺、4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯砜、4,4’-二氨基二苯基硫醚、邻氨基苯酚、间氨基苯酚、对氨基苯酚、3,3’-二氨基-4,4’-二羟基联苯、4,4’-二氨基-3,3’-二羟基联苯、二(3-氨基-4-羟基苯基)丙烷、二(4-氨基-3-羟基苯基)丙烷、二(3-氨基-4-羟基苯基)砜、二(4-氨基-3-羟基苯基)砜、二(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷、二(4-氨基-3-羟基苯基)六氟丙烷等。
就邻醌二叠氮磺酰氯与羟基化合物和/或氨基化合物的配合比而言,优选以相对于邻醌二叠氮磺酰氯1摩尔,羟基与氨基的合计为0.5~1当量的方式进行配合。
脱盐酸剂与邻醌二叠氮磺酰氯的优选比例为0.95/1~1/0.95的范围。
优选的反应温度为0~40℃,优选的反应时间为1~10小时。
作为反应溶剂,可以使用二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、四氢呋喃、乙醚、N-甲基吡咯烷酮等溶剂。
作为脱盐酸剂,可以举出碳酸钠、氢氧化钠、碳酸氢钠、碳酸钾、氢氧化钾、三甲胺、三乙胺、吡啶等。
在本发明的感光性聚合物组合物中,从曝光部与未曝光部的溶解速度差、以及敏感度的容许范围的方面考虑,(b)成分的含量相对于(a)成分100重量份优选为5~100重量份,更优选为8~40重量份,进一步优选为8~20重量份。
作为(c1)成分的具有三个同种(相同)的二齿配体的铝螯合物在曝光前加热的阶段大量分布于膜表面,使未曝光部的溶解速度变慢,由此能够提高组合物的敏感度。
作为(c1)成分的铝螯合物优选为下述式(II’)所示的铝螯合物。
(式中,R1和R2各自独立地是氢原子或1价的有机基团,三个R1和R2的组合全部相同。1价的有机基团可以包含醚键、酯键等。)
作为R1和R2的1价的有机基团,可以举出碳原子数1~20的烷基、碳原子数1~20的烷氧基等。例如碳原子数为1~6。
在本发明的感光性聚合物组合物中,(c1)成分的含量相对于(a)成分100重量份优选为0.05~25重量份,更优选为0.1~20重量份,进一步优选为0.5~15重量份,最优选为0.5~10重量份。
通过使(c1)成分的含量为0.05重量份以上,敏感度提高,通过设为25重量份以下,能够减少冷冻保存时的析出等问题。
作为(c1)成分即铝螯合物,可以举出例如三(乙酰乙酸乙酯)铝、三(乙酰丙酮)铝等,优选为三(乙酰丙酮)铝。它们可以单独使用也可以组合两种以上使用。
作为(c2)成分的具有三个两种或三种的二齿配体的铝螯合物通过基板的金属表面与铝螯合物的相互作用,能够提高组合物的粘接性。特别地,通过聚酰胺与铝螯合物的相互作用,铝螯合物与硅烷偶联剂等相比,能够大大提高组合物的粘接性。
作为(c2)成分的铝螯合物优选为下述式(II)或(II”)所示的铝螯合物。
(式中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地是氢原子或1价的有机基团。1价的有机基团可以包含醚键、酯键等。
其中,式(II)中,R1和R2的组合、R3和R4的组合、以及R5和R6的组合互相不同。式(II”)中,两个R1和R2的组合相同,R1和R2的组合以及R3和R4的组合互相不同。)
作为R1、R2、R3、R4、R5和R6的1价的有机基团,可以举出碳原子数1~20的烷基、碳原子数1~20的烷氧基等。例如碳原子数为1~6。
作为(c2)成分即铝络合物,可以举出例如乙酰乙酸乙酯二异丙醇铝、乙酰乙酸烷基酯二异丙醇铝、二乙酰乙酸乙酯单乙酰丙酮铝等,优选为二乙酰乙酸乙酯单乙酰丙酮铝。
它们可以单独使用也可以组合两种以上使用。
在本发明的感光性聚合物组合物中,(c2)成分的含量相对于(a)成分100重量份优选为0.05~25重量份,更优选为0.1~20重量份,进一步优选为0.5~10重量份。
通过使(c2)成分的含量为0.05重量份以上,与基板的密合性提高效果有效地起作用,通过设为25重量份以下,能够减少冷冻保存时的析出等问题。
对于本发明的感光性聚合物组合物而言,从感光特性平衡的观点考虑,(c1)成分和(c2)成分的含量的合计优选为0.1~50质量份,更优选为1~20质量份,进一步优选为1.5~15质量份,最优选为1.5~10质量份。通过使(c1)成分与(c2)成分的和为0.1质量份以上,优异的敏感度、分辨率和密合性提高效果有效地起作用,通过设为50质量份以下,能够在冷冻保存时减少析出等问题。此外,对于(c1)成分与(c2)成分的比而言,以重量比计优选为(c1):(c2)=8:1~1:8。如果(c1):(c2)大于8:1,则有镀覆液耐受性降低的可能性,如果小于1:8,则有敏感度降低的可能性。
本发明的感光性聚合物组合物优选包含(d)交联剂。
作为(d)成分的交联剂是在对本发明的感光性聚合物组合物进行涂布、曝光和显影后进行加热处理的工序中与聚合物反应而交联,或者在进行加热处理的工序中自身聚合的化合物。
从所得到的固化膜的吸水性和耐化学试剂性的观点考虑,(d)成分优选为下述式(III)所示的化合物。
(式中,多个R7各自独立地是氢原子或1价的有机基团。
多个R8各自独立地是氢原子、1价的有机基团,或者R8也可以互相结合而形成可以具有取代基的环结构。)
作为R7的1价的有机基团,优选为碳原子数1~20的烷基。例如碳原子数为1~6。
作为R8的1价的有机基团,可以是碳原子数1~30的烷基,或者是R8互相结合而形成的碳原子数为1~8的环结构。R8为环结构时,可以包含氧原子或氮原子。
以下表示式(III)所示的化合物的具体例。另外,(d)成分可以单独或组合两种以上使用这些化合物。
(式中,Z是碳原子数1~10的烷基。
R是碳原子数1~20的烷基。例如碳原子数为1~6。)
此外,(d)成分也优选使用下述式(IV)所示的化合物所示的化合物。
[化12]
(式中,X是单键或1~4价的有机基团,R11是氢原子或1价的有机基团,R12是1价的有机基团,o是1~4的整数,a是1~4的整数,b是0~3的整数。R11、R12各自有多个时可以相同也可以不同。R12优选为烃基,优选为碳原子数1~10。烃基优选为烷基或链烯基。)
式(IV)中,作为X的1~4价的有机基团,可以举出碳原子数1~10的烷基、亚乙基等碳原子数2~10的亚烷基、亚苯基等碳原子数6~30的亚芳基、用氟原子等卤素原子取代这些烃基的氢原子的部分或全部而得的基团,这些基团可以进一步包含苯基、砜基、羰基、醚键、硫醚键、酰胺键等。
R11优选为氢、烷基或链烯基。烷基或链烯基的碳原子数优选为1~20。
R12优选为烷基、链烯基、烷氧基烷基或羟甲基。碳原子数优选为1~20。
o是1~4的整数,a是1~4的整数,b是0~4的整数。)
式(IV)所示的化合物优选为下述式(IV’)所示的化合物。
(式中,X是单键或2价的有机基团,作为2价的有机基团,可以举出甲撑基、乙撑基、丙撑基等碳原子数1~10的烷撑基;亚乙基(ethylidene)、2,2-亚丙基(2,2-propylidene)等碳原子数2~10的亚烷基;亚苯基等碳原子数6~30的亚芳基;用氟原子等卤素原子取代这些烃基的氢原子的部分或全部而得的基团,这些基团可以进一步包含砜基、羰基、醚键、硫醚键、酰胺键等。
R各自独立地是氢原子、烷基或链烯基。碳原子数优选为1~20。
R14和R15各自独立地是烷基、链烯基、羟甲基或烷氧基烷基,这些基团可以部分具有醚键、酯键等。碳原子数优选为1~20。
e和f各自独立地是1或2的整数,g和h各自独立地是0~3的整数。)
式(IV)和式(IV’)所示的化合物的X优选为下述式所示的连接基团。
(式中,A各自独立地是氢原子、碳原子数1~10的烷基、碳原子数6~20的芳基、或部分包含氧原子或氟原子的基团。)
对于上述式所示的连接基团而言,优选A的至少一个是部分包含氟原子的基团或碳原子数6~20的芳基。
对于上述部分包含氧原子或氟原子的基团,作为包含氧原子的基团,可以举出烷氧基等,作为包含氟原子的基团,可以举出全氟烷基等。其碳原子数优选为1~20。
作为(IV)所示的化合物的例子,可以举出2,2’-甲撑二(4-甲基-6-甲氧基甲基苯酚)、4,4’-甲撑二(2-甲基-6-羟甲基苯酚)、4,4’-甲撑二[2,6-二(甲氧基甲基)苯酚]、4,4’-(1,1,1,3,3,3-六氟异亚丙基)二[2,6-二(甲氧基甲基)苯酚]、二(2-羟基-3-甲氧基甲基-5-甲基苯基)甲烷、4,4’-(1-苯基亚乙基)二[2,6-二(甲氧基甲基)苯酚]、二(2-羟基-3-乙氧基甲基-5-甲基苯基)甲烷、二(2-羟基-3-丙氧基甲基-5-甲基苯基)甲烷、二(2-羟基-3-丁氧基甲基-5-甲基苯基)甲烷、二[2-羟基-3-(1-丙烯氧基)甲基-5-甲基苯基]甲烷、二(2-羟基-3-甲氧基甲基-5-甲基苯基)乙烷、二(2-羟基-3-乙氧基甲基-5-甲基苯基)乙烷、3,3’-二(甲氧基甲基)-4,4’-二羟基联苯、3,3’-二(乙氧基甲基)-4,4’-二羟基联苯、4,4’-二羟基-3,3’,5,5’-四(甲氧基甲基)联苯、4,4’-二羟基-3,3’,5,5’-四(乙氧基甲基)联苯、二(4-羟基-3-甲氧基甲基苯基)甲烷、二(4-羟基-3-乙氧基甲基苯基)甲烷、二[4-羟基-3,5-二(甲氧基甲基)苯基]甲烷、二[4-羟基-3,5-二(乙氧基甲基)苯基]甲烷、2,2-二[3,5-二(羟甲基)-4-羟基苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二[3,5-二(甲氧基甲基)-4-羟基苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二[3,5-二(乙氧基甲基)-4-羟基苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二[3,5-二(丙氧基甲基)-4-羟基苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-二[3,5-二(乙酰氧基甲基)-4-羟基苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、4,4’-异亚丙基二[2,6-二(甲氧基甲基)苯酚]、3,3-二[3,5-二(羟甲基)-4-羟基苯基]全氟戊烷、3,3-二[3,5-二(甲氧基甲基)-4-羟基苯基]全氟戊烷、3,3”-甲撑二(2-羟基-5-甲基苯甲醇)、4,4’-(1-甲基亚乙基)二[2-甲基-6-羟甲基苯酚]、3,3’,5,5’-四(羟甲基)[(1,1’-联苯)-4,4’-二醇]、4,4’-(1-甲基亚乙基)二[2,6-二(羟甲基)苯酚]、2,2’-甲撑二(4,6-二羟甲基苯酚)、2,6-二[(2-羟基-3-羟甲基-5-甲基苯基)甲基]-4-甲基苯酚、4,4’-(1,1,1,3,3,3-六氟异亚丙基)二[2,6-二(羟甲基)苯酚]等。
这些化合物可以单独或组合两种以上使用。
在上述(IV)所示的化合物的例子中,式(IV’)中所包含的4,4’-(1,1,1,3,3,3-六氟异亚丙基)二[2,6-二(羟甲基)苯酚]从预烘(プリベ一ク)后的膜的溶解性方面考虑是最优选的。
此外,(d)成分也优选使用具有环氧基的化合物。
以下的式(V)所示的化合物或分子内具有至少一个该结构作为部分结构的化合物可适当地阻碍(a)成分在碱水溶液中的溶解,提高曝光部与未曝光部的溶解速度差,赋予敏感度、分辨率优异的良好的感光特性,因此是优选的。
式中,R1表示1价的有机基团,A表示从烃基、包含羰基的有机基团、包含酯键的有机基团以及包含醚键的有机基团中选出的2价的有机基团。n是0~5(例如0~2或1)的整数。m是1~6(例如1~3或1~2)的整数。m优选为2以上。R1、A各自有多个时可以相同也可以不同。
作为R1的1价的有机基团,可以举出烃基,烃基中包含氧原子、硫原子、卤素原子的1价的有机基团。优选的基团是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异戊基以及与它们对应的烷氧基和全氟烷基。作为A,可以举出烷撑基链、羰基、酯键、醚键、由烷撑基链和羰基构成的基团、由烷撑基链和酯键构成的基团、由烷撑基链和醚键构成的基团等。优选为1<n+m≤6。
其中,作为式(V)所示的化合物的优选例子,可以举出以下化合物。
式中,R1、n、m与式(V)相同。q、s各自独立地表示整数。优选的范围各自是q=0~10、s=0~10(例如1~6或1~4)。
使用式(V)所示的化合物时,特别是使用m=1的化合物时,优选与式(III)、式(IV)所示的成分(不具有环氧基的化合物)并用,进一步优选与式(IV)所示的化合物并用。这样,能够调节固化时的交联密度,结果能够容易地调节固化膜的机械特性和基板密合性的平衡,从这方面出发是优选的。
此外,所谓具有式(V)的部分结构的化合物,是例如通过式(V)中的苯环与其他的部分结构结合而成的化合物。
分子内具有两个该部分结构的下述式(VI)的化合物从以下方面出发可优选使用:在固化时的交联反应效率高、能通过固化膜赋予高的耐化学试剂性;即使在例如280℃以下的较低温度下的固化工艺中使用时也能发挥良好的机械特性、基板密合性。
式中,R1、A、n、m与式(V)相同。B表示单键,下述式(VII)所示的2价的有机基团,或者包含由芳香环、氧原子、硫原子、硅原子、羰基、磺酰基和Si-O键选出的一种以上的2价的有机基团。
式中,X是连接式(VI)的两个苯环的碳原子数1~10的烷撑基,X的部分或全部氢原子可以被卤素原子所取代。Y各自是上述烷撑基中所包含的氢原子、或上述烷撑基的取代基,是碳原子数1~10的烷基、芳基或烷氧基,烷基、芳基或烷氧基的部分或全部氢原子可以被卤素原子所取代。
式(VI)的A、R1、m、n的更优选的结构与上述式(V)相同。作为优选的B的结构,可以举出以下结构。
[化19]
式(VI)的m=1或2时,如果B的芳香环上的取代位置相对于一个或任意一个A位于对位或间位,则在反应效率方面是优选的。此外,这些化合物可以组合两种以上使用。
进而,作为具有三个以上式(V)的部分结构的化合物,可以举出酚醛清漆树脂、改性酚醛清漆树脂、对聚羟基苯乙烯的酚羟基进行部分或全部环氧改性而得的树脂等作为例子。这些环氧树脂在适当调节固化膜的强度、弹性模量方面可适合使用。在赋予固化膜的机械特性、特别是充分的断裂伸长率方面,优选这样的化合物在一分子中的环氧基数为两个以上,在表现充分的耐化学试剂性方面,优选为五个以上。
作为(d)成分,从镀覆液耐受性的观点考虑,优选使用式(III)的交联剂。此外,从显影时间、未曝光部残膜率和固化膜物性的方面考虑,在本发明的感光性树脂组合物中,配合(d)成分时的配合量相对于(a)成分100重量份优选设为1~30重量份,更优选设为3~25重量份,进一步优选设为5~25质量份。
本发明的感光性聚合物组合物可以进一步包含(e)烷氧基硅烷粘接剂。
作为(e)烷氧基硅烷粘接剂的烷氧基硅烷化合物,可以举出例如二(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、脲丙基三乙氧基硅烷、甲基苯基硅烷二醇、乙基苯基硅烷二醇、正丙基苯基硅烷二醇、异丙基苯基硅烷二醇、正丁基苯基硅烷二醇、异丁基苯基硅烷二醇、叔丁基苯基硅烷二醇、二苯基硅烷二醇、乙基甲基苯基硅烷醇、正丙基甲基苯基硅烷醇、异丙基甲基苯基硅烷醇、正丁基甲基苯基硅烷醇、异丁基甲基苯基硅烷醇、叔丁基甲基苯基硅烷醇、乙基正丙基苯基硅烷醇、乙基异丙基苯基硅烷醇、正丁基乙基苯基硅烷醇、异丁基乙基苯基硅烷醇、叔丁基乙基苯基硅烷醇、甲基二苯基硅烷醇、乙基二苯基硅烷醇、正丙基二苯基硅烷醇、异丙基二苯基硅烷醇、正丁基二苯基硅烷醇、异丁基二苯基硅烷醇、叔丁基二苯基硅烷醇、苯基硅烷三醇、1,4-二(三羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(甲基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(乙基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(丙基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(丁基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(二甲基羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(二乙基羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(二丙基羟基甲硅烷基)苯、1,4-二(二丁基羟基甲硅烷基)苯等。
在这些烷氧基硅烷化合物中,优选二(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷。它们可以单独使用也可以组合两种以上使用。
本发明的感光性聚合物组合物中,(e)成分的含量相对于(a)成分100重量份优选为0.1~20重量份,更优选为1~10重量份。
通过使(e)成分的含量为0.1重量%以上,能够赋予组合物以对基板的良好的密合性,通过设为20重量份以下,可以得到良好的保存性。
本发明的感光性聚合物组合物优选进一步含有阻碍(a)成分对于碱水溶液的溶解的化合物,所述化合物是(f)从包含鎓盐、二芳基化合物和四烷基铵盐的组中选出的化合物。
作为上述鎓盐,可以举出二芳基碘鎓盐等碘鎓盐、三芳基锍盐等锍盐、鏻盐、芳基重氮盐等重氮盐等。
作为上述二芳基化合物,可以举出二芳基脲、二芳基砜、二芳基酮、二芳基醚、二芳基丙烷、二芳基六氟丙烷等两个芳基经由结合基团结合而成的化合物,该芳基优选苯基。
作为四烷基铵盐,可以举出该烷基为甲基、乙基等的四烷基卤化铵。
作为表现良好的溶解阻碍效果的(f)成分,可以举出二芳基碘鎓盐、二芳基脲化合物、二芳基砜化合物、四甲基卤化铵化合物等。
作为上述二芳基脲化合物,可以举出二苯基脲、二甲基二苯基脲等,作为四甲基卤化铵化合物,可以举出四甲基氯化铵、四甲基溴化铵、四甲基碘化铵等。
(f)成分优选为下述式(VIII)所示的二芳基碘鎓盐。
(式中,X-是对阴离子。
R8和R9各自独立地是烷基或链烯基。
m和n各自独立地是0~5的整数。)
对于式(VIII)的X-而言,可以举出硝酸离子、四氟化硼离子、高氯酸离子、三氟甲烷磺酸离子、对甲苯磺酸离子、硫氰酸离子、氯离子、溴离子、碘离子等。
作为式(VIII)所示的二芳基碘鎓盐,可以举出例如二苯基碘鎓硝酸盐、二(对叔丁基苯基)碘鎓硝酸盐、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐、二(对叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸盐、二苯基溴化碘、二苯基氯化碘、二苯基碘化碘等。
在这些二芳基碘鎓盐中,二苯基碘鎓硝酸盐、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐和二苯基碘鎓-8-苯胺基萘-1-磺酸盐的效果高,优选。
从敏感度和显影时间的容许范围的方面考虑,(f)成分的含量相对于(a)成分100重量份优选为0.01~15重量份,更优选为0.01~10重量份,进一步优选为0.05~3重量份。
本发明的感光性聚合物组合物包含(a)、(b)、(c1)、(c2)成分,可以进一步包含(d)、(e)、(f)成分。
另外,本发明的组合物只要包含(a)、(b)、(c1)和(c2)成分、以及任意的(d)、(e)和(f)成分即可,(a)、(b)、(c1)和(c2)成分、以及任意的(d)、(e)和(f)成分的除了溶剂以外的合计可以是例如90重量%以上、95重量%以上、99重量%以上、或100重量%。
本发明的感光性聚合物组合物除了这些成分以外,在无损本发明的效果的范围内,可以进一步含有下述溶剂、添加剂等。
作为溶剂,优选例如N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、四亚甲基砜、γ-丁内酯等非质子性极性溶剂,这些溶剂可以单独或并用两种以上使用。溶剂的量没有特别的限制,但一般可调节为使组合物中溶剂的量为20~90重量%。
对于本发明的感光性聚合物组合物而言,为了提高涂布性、例如防止条纹(striation)(膜厚的不均匀)来提高显影性,可以含有适当的表面活性剂或均化剂(leveling agent)。
作为这样的表面活性剂或均化剂,例如有聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯辛基苯酚醚等,作为具体的市售品,可以举出Megafac F171、F173、R-08(大日本油墨化学工业株式会社制造商品名);Fluorad FC430、FC431(住友3M株式会社商品名);有机硅氧烷聚合物KP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工业株式会社制造商品名)等。
通过涂布本发明的感光性聚合物组合物,可以制造图形。
特别地,通过使用本发明的感光性聚合物组合物,可以得到敏感度、分辨率、粘接性和耐热性优异,形状良好的图形。
本发明的图形的制造方法包含将本发明的感光性聚合物组合物涂布在支撑基板上并进行干燥的工序、进行曝光的工序、进行显影的工序以及进行加热处理的工序。
作为涂布本发明的组合物的支撑基板,可以举出玻璃基板、铝基板、半导体、金属氧化物绝缘体(例如TiO2、SiO2等)、氮化硅等。
作为涂布方法,可以举出旋涂机等涂布方法,通过将本发明的组合物旋转涂布后,用热板、烘箱等进行干燥,可以形成感光性聚合体被膜。
在曝光工序中,隔着掩模对已在支撑基板上形成为被膜的感光性聚合物组合物照射紫外线、可见光线、放射线等活性光线。
该活性光线的光源优选为i射线。
在显影工序中,通过以显影液除去曝光部,可得到图形被膜。
作为所使用的显影液,优选例如氢氧化钠、氢氧化钾、硅酸钠、氨、乙胺、二乙胺、三乙胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵等碱水溶液,这些水溶液的碱浓度优选为0.1~10重量%。
上述显影液可以进一步包含醇类和/或表面活性剂,它们相对于显影液100重量份可优选以0.01~10重量份的范围、更优选以0.1~5重量份的范围包含。
通过对所得到的图形被膜进行加热处理而使图形被膜热固化,可得到具有噁唑环、其它官能团的耐热性的聚噁唑的图形固化膜。
上述加热处理的温度优选为150~450℃。
对于本发明的图形的制造方法,以具有图形的半导体装置的制造工序作为一例,基于附图进行说明。
图1~图5是说明具有多层线路结构的半导体装置的制造工序的概略剖面图,表示由第1工序至第5工序的一系列工序。
在图1~图5中,具有电路元件(未图示)的Si基板等半导体基板1除了电路元件的规定部分以外被硅氧化膜等保护膜2所被覆,在露出的电路元件上形成有第一导体层3。在上述半导体基板1上用旋涂法等形成作为层间绝缘膜层4的聚酰亚胺树脂等的膜(第1工序、图1)。
接下来,用旋涂法在层间绝缘膜层4上形成氯化橡胶系、苯酚酚醛清漆系等的感光性树脂层5作为掩模,并通过公知的照相蚀刻技术,以规定部分的层间绝缘膜层4露出的方式设置窗口6A(第2工序、图2)。通过用氧、四氟化碳等气体的干式蚀刻方法对在该窗口6A露出的层间绝缘膜层4进行选择性蚀刻,打开窗口6B。接下来,用不腐蚀由窗口6B露出的第一导体层3而仅腐蚀感光树脂层5那样的蚀刻溶液,完全除去感光树脂层5(第3工序、图3)。
进而,用公知的照相蚀刻技术形成第二导体层7,完全进行与第一导体层3的电连接(第4工序、图4)。形成3层以上的多层线路结构时,可以反复进行上述工序来形成各层。
接下来,形成表面保护膜8。在图5中,用旋涂法涂布本发明的感光性聚合物组合物并干燥,由描绘了在规定部分形成窗口6C的图形的掩模上照射光之后,用碱水溶液进行显影来形成图形被膜。然后,加热该图形被膜以形成作为表面保护膜层8的图形固化膜(第5工序、图5)。
该表面保护膜层8保护导体层免受来自外部的应力、α射线等,所得到的半导体装置的可靠性优异。
另外,也可以用本发明的感光性聚合物组合物来形成上述层间绝缘膜。
本发明的感光性聚合物组合物可用于半导体装置、多层线路板等电子部件,具体而言,可用于半导体装置的表面保护膜、层间绝缘膜,多层线路板的层间绝缘膜等的形成。
本发明的电子部件具有用本发明的感光性聚合物组合物而形成的表面保护膜或层间绝缘膜,除此之外没有特别的限制,可采取各种结构。
实施例
以下,基于实施例和比较例,对本发明进行更具体的说明。另外,本发明不受下述实施例的限制。
合成例1
[聚苯并噁唑前体((a)成分)的合成]
在具备搅拌机、温度计的0.5升的烧瓶中,加入4,4’-二苯基醚二羧酸15.48g、N-甲基吡咯烷酮90g,将烧瓶冷却到5℃后,滴入氯化亚硫酰12.64g,反应30分钟,得到4,4’-二苯基醚二羧酸氯化物的溶液。
然后,在具备搅拌机、温度计的0.5升的烧瓶中,加入N-甲基吡咯烷酮87.5g,添加二(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷18.30g并搅拌溶解后,添加吡啶8.53g,将温度保持在0~5℃的同时用30分钟滴入4,4’-二苯基醚二羧酸氯化物的溶液后,继续搅拌30分钟。将搅拌后的溶液投入3升的水中,回收析出物,用纯水清洗3次后,进行减压干燥,得到聚羟基酰胺(聚苯并噁唑前体)(以下作为聚合物I)。
合成例2
[聚酰亚胺前体((a)成分)的合成]
在具备搅拌机和温度计的0.2升的烧瓶中,将3,3’,4,4’-二苯基醚四羧酸二酐(ODPA)10g(32mmol)和异丙醇3.87g(65mmol)溶解于N-甲基吡咯烷酮45g中,添加催化量的1,8-二氮杂双环十一烯后,在60℃进行2小时加热,接着在室温下(25℃)搅拌15小时,进行酯化。其后,在冰冷却下加入氯化亚硫酰7.61g(64mmol),回复到室温,进行2小时反应,得到酰基氯的溶液。
接下来,将N-甲基吡咯烷酮40g加入具备搅拌机、温度计的0.5升的烧瓶中,添加二(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷10.25g(28mmol)并搅拌溶解后,添加吡啶7.62g(64mmol),将温度保持在0~5℃的同时用30分钟滴入前面制备的酰基氯溶液后,继续搅拌30分钟。将该反应液滴入蒸馏水中,对沉淀物进行过滤、收集,并进行减压干燥,从而得到羧基末端的聚酰胺酸酯(以下作为聚合物II)。
聚合物I的通过GPC法标准聚苯乙烯换算求得的重均分子量为14,580,分散度为1.6。同样,聚合物II的重均分子量为19,400,分散度为2.2。
另外,通过GPC法的重均分子量的测定条件如下,对于聚合物0.5mg,使用溶剂[THF/DMF=1/1(体积比)]1mL的溶液进行测定。
测定装置:检测器株式会社日立制作所制造L4000UV
泵:株式会社日立制作所制造L6000
株式会社岛津制作所制造C-R4A Chromatopac
测定条件:色谱柱Gelpack GL-S300MDT-5×2根
洗脱液:THF/DMF=1/1(体积比)
LiBr(0.03mol/L)、H3PO4(0.06mol/L)
流速:1.0mL/min,检测器:UV270nm
实施例1~17和比较例1~8
将作为(a)成分的合成例1或2中制备的聚合物I或II 100重量份以及分别作为(b)成分、(c)成分、(d)成分和(e)成分的表1和2所示的化合物以表1和2所示的配合量溶解于以重量比9:1混合有γ-丁内酯/丙二醇单甲基醚乙酸酯的溶剂中,分别制备感光性聚合物组合物。
另外,表1和2中,(b)、(c)、(d)和(e)成分的各栏中的表内的数字表示相对于(a)成分100重量份的添加量(重量份)。此外,溶剂的使用量都是相对于(a)成分100重量份使用1.5倍。
实施例1~17和比较例1~8中使用的化合物如下所示。
对于制备的感光性聚合物组合物,通过以下方法分别评价其保存稳定性、敏感度、分辨率和镀覆液耐受性。将结果示于表1和2。
[保存稳定性]
将制备的感光性聚合物组合物于约-20℃保管于冷冻库中,2周后,将组合物中没有确认到析出物的情况评价为“A”,将组合物中确认到析出物的情况评价为“B”。
[敏感度]
将制备的感光性聚合物组合物旋涂在硅晶片上,形成干燥膜厚为7~12μm的涂膜。使用超高压汞灯,隔着干涉滤光片对该涂膜进行100~1000mJ/cm2的i射线曝光。曝光后,用四甲基氢氧化铵(TMAH)的2.38重量%水溶液显影至曝光部的硅晶片露出后,用水冲洗,求出可得到残膜率(显影前后的膜厚的比)为80%以上的图形形成所必需的最小曝光量(敏感度)。
[分辨率]
在图形能够开口的最小曝光量的1.2倍的曝光量时的Si晶片上的线和间隔(ラインアンドスペ一ス)图形中,用金属显微镜(OLYMPUS MX61L,奥林巴斯(株)制造)进行图形性的确认,将可以看见线图形的剥离的最小的开口尺寸作为分辨率。分辨率越小,则可以形成越细的图形,因而优选。
[镀覆液耐受性]
将制备的感光性聚合物组合物旋涂在蒸镀了铝的硅晶片上后,在120℃加热3分钟而形成膜厚为8μm的涂膜。对该涂膜进行曝光和显影以形成图形。将形成的图形在非活性气体烘箱中、在氮气氛下、在100℃加热60分钟后,在320℃加热1小时而得到固化膜。
将在该基板上图形化后的固化膜在23℃、在以碱性水溶液为主要成分的MELTEX制造的无电解镍镀覆用药液Melplate FZ-7350、Melplate FBZ2的混合水溶液(FZ-7350/FBZ2/水=200ml/10ml/790ml,MELTEX(株)制造)中浸渍10分钟。
通过自上方的使用金属显微镜的观察来评价有无从开口图形向基板与树脂层的界面的药液渗入。将用金属显微镜可以确认渗入为2μm以上的程度的情况评价为“C”,0.5μm以上且小于2μm的情况评价为“B”,完全不能确认渗入的情况评价为“A”。
[表1]
[表2]
由表1和2的结果可以确认,由实施例1~17的感光性聚合物组合物形成的固化膜与基板的密合性良好,为实用水平。即可知,本发明的感光性聚合物组合物是在具有良好的保存稳定性、维持了良好形状的图形的状态下,与基板的密合性、分辨率和敏感度优异的正型感光性聚合物组合物。另一方面,由于比较例没有并用(c1)成分和(c2)成分,因此,在比较例6、7和8中,保存稳定性差,在比较例1、2、3、5、6和7中可见药液向基板与树脂界面渗入,比较例1、2、4、5、7和8中敏感度并未提高。
工业实用性
本发明的感光性聚合物组合物可以适合用作表面保护膜或层间绝缘膜的材料,能够成品率良好地制造可靠性高的电子部件。
以上对本发明的几个实施方式和/或实施例进行了详细的说明,但是,本领域技术人员容易在实质上不偏离本发明的新的教导和效果的情况下对作为这些例示的实施方式和/或实施例进行大量的改变。因此,这些大量的改变包含在本发明的范围内。
将本说明书中所记载的文献的内容全部援用于此。
Claims (12)
1.一种感光性聚合物组合物,其含有下述成分(a)、(b)、(c1)和(c2)而形成:
(a)可溶于碱性水溶液的聚合物,
(b)通过光产生酸的化合物,
(c1)具有三个同种的二齿配体的铝螯合物,
(c2)具有三个两种或三种的二齿配体的铝螯合物。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的感光性聚合物组合物,其中,进一步含有(d)交联剂。
5.根据权利要求4所述的感光性树脂组合物,其中,所述(d)成分是从下述式(III)所示的化合物、下述式(IV)所示的化合物、下述式(V)所示的化合物、以及具有至少一个下述式(V)所示的结构作为部分结构的化合物中选出的化合物,
式中,多个R7各自独立地是氢原子或1价的有机基团,多个R8各自独立地是氢原子或1价的有机基团,也可以互相结合而形成可以具有取代基的环结构,
式中,X是单键或1~4价的有机基团,R11是氢原子或1价的有机基团,R12是1价的有机基团,o是1~4的整数,a是1~4的整数,b是0~3的整数,R11、R12各自有多个时可以相同也可以不同,
式中,R1表示1价的有机基团,A表示从烃基、包含羰基的有机基团、包含酯键的有机基团以及包含醚键的有机基团中选出的2价的有机基团,n是0~5的整数,m是1~6的整数,R1、A各自有多个时可以相同也可以不同。
6.根据权利要求5所述的感光性聚合物组合物,其中,所述(d)成分是式(III)所示的化合物。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的感光性聚合物组合物,其中,进一步含有(e)烷氧基硅烷粘接剂。
8.根据权利要求7所述的感光性聚合物组合物,其中,相对于(a)成分100重量份,含有(b)成分5~100重量份、(c1)和(c2)成分0.1~50重量份、(d)成分1~30重量份、(e)成分0.1~20重量份。
9.一种图形的制造方法,其包含将权利要求1~8中任一项所述的感光性聚合物组合物涂布在支撑基板上并进行干燥的工序、进行曝光的工序、进行显影的工序以及进行加热处理的工序。
10.根据权利要求9所述的图形的制造方法,其中,所述进行曝光的工序中使用的光源是i射线。
11.一种固化物,其是将权利要求1~8中任一项所述的感光性聚合物组合物固化而形成的。
12.一种电子部件,其具有权利要求11所述的固化物作为表面保护膜或层间绝缘膜而形成。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103809373A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-05-21 | 奇美实业股份有限公司 | 感旋光性树脂组合物、其所形成的彩色滤光片及液晶显示装置 |
CN109313387A (zh) * | 2016-06-15 | 2019-02-05 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物 |
CN115128898A (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-30 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种感光树脂组合物及其应用 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6195445B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2017-09-13 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト積層体、ホトレジストパターンの製造方法、及び接続端子の製造方法 |
KR102650282B1 (ko) * | 2021-02-04 | 2024-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드 수지 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5856062A (en) * | 1995-04-18 | 1999-01-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive material comprising light-sensitive hardening layer provided on support |
CN1771466A (zh) * | 2003-04-11 | 2006-05-10 | Az电子材料(日本)株式会社 | 用于光敏树脂组合物的基底附着力促进剂以及包含该促进剂的光敏树脂组合物 |
JP2008107512A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3514167B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2004-03-31 | 東レ株式会社 | 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 |
CN101322073B (zh) | 2005-11-30 | 2011-12-28 | 住友电木株式会社 | 正型感光性树脂组合物及使用该组合物的半导体器件和显示器 |
JP2008039872A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Toray Ind Inc | 焼成用感光性組成物及びそれを用いたディスプレイ部材 |
JP4899844B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2012-03-21 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
JP2009163159A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Toray Ind Inc | 直描型水なし平版印刷版原版 |
JP5136079B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2013-02-06 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 低温硬化用のポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
JP5169446B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-03-27 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたポリベンゾオキサゾール膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5856062A (en) * | 1995-04-18 | 1999-01-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive material comprising light-sensitive hardening layer provided on support |
CN1771466A (zh) * | 2003-04-11 | 2006-05-10 | Az电子材料(日本)株式会社 | 用于光敏树脂组合物的基底附着力促进剂以及包含该促进剂的光敏树脂组合物 |
JP2008107512A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103809373A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-05-21 | 奇美实业股份有限公司 | 感旋光性树脂组合物、其所形成的彩色滤光片及液晶显示装置 |
US9529116B2 (en) | 2012-11-07 | 2016-12-27 | Chi Mei Corporation | Photosensitive resin composition and application of the same |
CN109313387A (zh) * | 2016-06-15 | 2019-02-05 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物 |
CN109313387B (zh) * | 2016-06-15 | 2021-11-26 | 东丽株式会社 | 感光性树脂组合物 |
CN115128898A (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-30 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种感光树脂组合物及其应用 |
CN115128898B (zh) * | 2021-03-25 | 2024-06-11 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种感光树脂组合物及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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