CN102668105A - 包括电气触点的器件及其制造工艺 - Google Patents
包括电气触点的器件及其制造工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102668105A CN102668105A CN2010800463060A CN201080046306A CN102668105A CN 102668105 A CN102668105 A CN 102668105A CN 2010800463060 A CN2010800463060 A CN 2010800463060A CN 201080046306 A CN201080046306 A CN 201080046306A CN 102668105 A CN102668105 A CN 102668105A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive
- insulation layer
- seeds
- electric insulation
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 13
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- -1 ITO Chemical compound 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种器件，其包括导电表面(12)和电流能够通过的电气触点(14)。所述电气触点(14)包括沉积在导电表面(12)上的导电种子(16)，电气绝缘层(18)，其不连续覆盖所述导电种子(16)以便形成进入所述导电种子(16)的开口(20)，以及弥补所述不连续绝缘层(18)并沉积在导电种子(16)上的镀覆层(22)，该导电种子可通过所述开口(20)接触并形成所述镀覆层从其开始沉积的点。不包括任何电气触点(14)的剩余的所述导电表面(12)由所述电气绝缘层(18)连续覆盖。
Description
技术领域
本发明涉及包括导电表面和电流能够通过的电气触点的器件。本发明也涉及生产这种器件的方法。该方法用于太阳能电池电气触点制造特别有利。
背景技术
光伏太阳能电池具有极高的电流密度，在垂直于太阳辐照的方向上每单位面积的电流是在10到50Aa/cm2的范围。这样的器件在图1中以横截面图图解说明。生成的光电流通常通过导电前层1收集和运输，导电前层1诸如是高度掺杂的硅区、薄透明金属层、或透明导电氧化物如：SnO2，ITO，ZnO，InO:H(氧化铟)或其组合物。最终电流被称为指形件或网格触点2的更导电的接触线(contact line)收集。图5示出设置在光伏太阳能电池前侧的典型金属网格图案。母线3通常与高度导电金属丝(string)接触(焊接、熔接或用导电胶接触)，从而汲取电流，该电流在光学活性区之上(即，没有被接触网覆盖)均匀产生，并被薄指形件或网格触点2收集。这些网格触点通常是用导电浆料如含银浆料的丝网印刷沉积的。
如果丝网印刷的触点仅是通过丝网印刷或相关技术(如，模版印刷)使用单次印刷或双次印刷实现的，则它们倾向于是宽触点(70-120μm)，因而遮蔽太阳能电池并形成光损耗，通常4-11％的太阳能电池表面被反射材料覆盖(表示没有光子可被收集的区域)。而且，丝网印刷浆料(通常是具有无机和有机组分的Ag片)的体积电阻率显著高于一种相应散块材料。在Ag情形中，在高温(700-900℃)固化的浆料的电阻率比块Ag的电阻率高2-3倍，且在低温(150-300℃)固化的浆料情形中，高7-10倍。这个低导电率可导致光伏太阳能电池的接触指中的强电损耗。为了补偿低导电率，必须印刷厚指形件(通常几十微米)。缺点是其仍然是不足的并还产生电损耗，此外，需要使用大量丝网印刷浆料，而这是昂贵的组分。
如图2所示，限制光学损耗、电气损耗两者和节省材料的一种可能性是通过丝网印刷或其他技术，将较薄的种子线4上沉积在导电前层1上，且随后通过镀覆工艺(化学镀或电镀)增强电气接触，通常使用Ag、Cu、Ni和其他层用于镀覆触点。镀覆材料5的优点是较高的导电性，更接近使用的材料的体导电率。
问题是在提出的构造中，种子线或网格触点4、和底层1都是导电的。因此，通过镀覆沉积的材料5也倾向于沉积在种子线4和底层1两者上，或至少部分沉积在底层1上。然后，这会导致电池前表面上不希望的金属覆盖，导致光损耗。通过改变镀覆溶液的成分实现指形触点4和底层1之间的“选择性”可能起作用，但这也难于保证任何生产中的鲁棒工艺，因为原则上，所有导电层能够给出或接受镀覆工艺(而且使用电镀)中需要的电子。
本发明的一个目的是提供器件，如太阳能电池，其允许避免现有技术的缺点。更特别地，本发明的一个目的是提供包括导电表面和电气触点的器件，所述电气触点具有减小的尺寸和增加的导电率。
发明内容
本发明涉及包括导电表面和电气触点的器件，电流能够通过这些电气触点。根据本发明，所述电气触点包括沉积在导电表面上的导电种子，不连续覆盖所述导电种子以便形成进入所述导电种子的开口的电气绝缘层，以及弥补(recovering)所述不连续绝缘层并沉积在导电种子上的镀覆层，导电种子可通过所述开口接触并形成可从其开始沉积所述镀覆层的点。而且，剩余的导电表面不包括任何电气触点，其由所述电气绝缘层连续覆盖。
优选地，导电种子包含银。
在某些实施例中，电气绝缘层可以是光学透明的。
有利地，电气绝缘层可包括一层或叠层，其由从下面组中选择的材料制成，该组由MgF和其他光学透明的氟化合物、SiNx、SiO2、TiO2、A12O3、ZnS以及SiOxNy组成。也可使用基于ZnO、SnO2或InO的未掺杂的透明导电氧化物。
优选地，镀覆层可由从Ag和Cu组成的组中选择的材料制成。
根据优选实施例，电气触点形成针对电流收集设计的图案，如网格。
有利地，本发明的器件是太阳能电池，更具体地，是硅异质结太阳能电池。
本发明也涉及制造上面定义的器件的方法，并包括以下步骤：
-提供导电表面，
-在所述导电表面在对应于电气触点的位置的地方沉积导电种子，
-在整个导电表面上沉积电气绝缘层，以便在导电种子的区域中形成不连续电气绝缘层，并在所述不连续绝缘层中提供可进入所述导电种子的开口，以及以便在剩余的导电表面上形成连续电气绝缘层，
-利用镀覆层弥补不连续电气绝缘层和导电种子，导电种子可通过所述开口接触，所述镀覆层从所述导电种子开始生长，所述导电种子可通过所述开口接触，这样的导电种子形成所述镀覆层从其开始沉积的点。
有利地，导电种子可通过沉积导电浆料形成，所述导电浆料具有适当的粗糙度和允许镀覆层生长的孔隙率。
优选，可通过从下面组中选择的方法沉积浆料，该组方法由丝网印刷、模版印刷、气溶胶、注射器和喷墨印刷组成，从而形成适于从器件收集电流的图案，如网格。
本发明也涉及使用上面定义的用于生产太阳能电池的方法，且更具体地，涉及硅异质结太阳能电池，其包括例如于其前侧上形成金属图案的电气触点。
附图说明
图1和2是现有技术的太阳能电池的示意截面图，
图3是本发明太阳能电池的示意截面图，
图4a、4b、4c表示本发明方法的不同步骤，以及
图5和6分别是现有技术的太阳能电池和本发明太阳能电池的示意顶视图。
具体实施方式
如图3和4a到4c所示，本发明的器件，如太阳能电池10包括导电表面12和电气触点14，电流能够通过所述电气触点。根据本发明，每个电气触点14都包括：
-沉积在导电表面12上的导电种子16，
-电气绝缘层18，其不连续覆盖所述导电种子16，以便形成可进入所述导电种子16的开口20，以及
-镀覆层22，其弥补所述不连续绝缘层18并沉积在导电种子16上，导电种子16可通过所述开口20接触并形成所述镀覆层22从其开始沉积的点A。
而且，不包括电气触点14的剩余导电表面12由所述电气绝缘层18连续覆盖。
根据本发明，器件包括集成到每个电气触点中的不连续电气绝缘层。这类器件是导电器件，因为包括电气绝缘部件的电气触点也包括导电种子和链接所述电气绝缘部件和所述导电种子，且因此链接导电表面的镀覆层，因为导电种子沉积在所述导电表面上。
根据本发明的方法，首先沉积导电种子16的精细接触线，被称为指形件或网格触点。在这个例子中，接触线形成网格。显然，网格可以用适于从太阳能电池收集电流的任何适当图案取代。指形件的横向尺寸为10-50μm。为了获得导电种子16，使用导电浆料。该导电浆料通常含银片或纳米或含银颗粒。这样的浆料具有足够粗糙度和孔隙率，如通常通过丝网印刷或喷墨打印或分配含微颗粒和纳米颗粒的浆料获得。种子层可以是薄的，仅几个微米，并构成网格触点的导电种子16。
然后，电气绝缘(相对底导电前层18绝缘，即具有至少高100倍的电阻率)且在太阳能电池的吸收范围内光学透明的层(通常在所关心范围内吸收1-5％以下)，如MgF、SiNx、SiO2、SiOxNy、TiO2、ZnS或Al2O3或这些材料的多叠层通过诸如溅射、蒸发、化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积的任何技术沉积在器件的整个前侧上。如图4b所示，沉积是这样的，导电种子16的一些部分没有被完全覆盖，即沉积的层18在导电种子或细线网格触点16上是不连续的，以便形成开口20，开口20留出通向导电种子16的入口。然而，电池的其他“光学活性区”24由电气绝缘层18覆盖。
在最后一步，进行镀覆工艺。由于覆盖“光学活性区”24的电气绝缘层18，并且由于导电种子或网格触点16中的保留开口20没有被绝缘层18覆盖，所以镀覆可仅在网格触点上开始，有绝缘层的地方不发生镀覆，这是由于镀覆要求有电流流过，特别在电镀的情形中。镀覆工艺的选择性是最优的，且网格触点的电导率可通过镀覆增强，如图4c所示。网格触点指形件可由几微米或几十微米的高导电材料增厚。在该工艺结束时，获得器件，其包括电气触点14，与已知的金属网格图案相比，电气触点14具有减小的尺寸和增加的导电率。图6示出电气触点14不和图5所示的典型电气触点2一样宽。
绝缘层18的选择是重要的。绝缘层应足够厚以便沉积在器件的光学活性区上时没有针孔或不连续性，或至少足够密实从而防止金属沉积。
如果必须以高度导电薄线金属化的器件不需要捕获光，则绝缘层18无需是光学透明的。
本发明也可有利地用于太阳能电池的背侧或利用晶片(如通过电池的金属化包中的晶片)中的孔洞将前金属化图案带到太阳能电池背部且两个电气触点都在电池背侧的太阳能电池。
更一般地，本发明允许增强任何导电表面(包括金属的)上任何形状的电气触点，只要存在粗糙种子层且很好地选择用于沉积的粗糙种子层的应用技术。
而且，通过选择具有在1.3和2.4之间的适当折射率的沉积层，或这类材料多叠层，根据覆盖模块(通常为聚合物基密封剂)中电池的材料和导电前层以及底层的折射率，可以实现太阳能电池的额外抗反射效果，其可导致百分之几的额外电流增益。
本发明在使用晶体晶片和掺杂层之间的薄(2-10nm)本征非晶硅层，应用于所谓的硅异质结太阳能电池时特别有意义。这类电池在前侧且有时在后侧由透明导电氧化物覆盖，如ITO、ZnO或SnO2、或H掺杂的氧化铟。由于电池是在约200℃制造的，其不能经受270-300℃以上的高退火温度。在该情形中，本发明的工艺应用特别好，因为不能施加“高温”金属化浆料。
Claims (15)
1.一种器件，其包括导电表面(12)和电流能够通过的电气触点(14)，其特征在于所述电气触点(14)包括沉积在导电表面(12)上的导电种子(16)、不连续覆盖所述导电种子(16)以便形成开口(20)的电气绝缘层(18)和弥补所述不连续绝缘层(18)并沉积在导电种子(16)上的镀覆层(22)，所述开口(20)留出通向所述导电种子(16)的入口，所述导电种子(16)可通过所述开口(20)接触并形成所述镀覆层(22)的沉积从其开始的点，并且其特征在于不包括任何电气触点(14)的剩余的所述导电表面(12)由所述电气绝缘层(18)连续覆盖。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述导电种子(16)包含银。
3.根据权利要求1到2中任一项所述的器件，其特征在于所述电气绝缘层(18)是光学透明的。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的器件，其特征在于所述电气绝缘层(18)包括由从下面组中选择的材料制成的一层或叠层，该组由MgF和其他光学透明的氟化合物、SiNx、ZnS、TiO2、SiO2、SiOxNy以及Al2O3组成。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的器件，其特征在于所述镀覆层(22)由从Ag和Cu组成的组中选择的材料制成。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的器件，其特征在于所述电气触点(14)形成为电流收集设计的图案。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的器件，其特征在于所述器件是太阳能电池。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于所述太阳能电池是硅异质结太阳能电池。
9.制造根据权利要求1到8中任一项所述的器件的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
-提供导电表面(12)，
-在所述导电表面(12)对应于电气触点(14)的位置的地方中沉积导电种子(16)，
-在整个导电表面(12)上沉积电气绝缘层(18)，以便在导电种子(16)的区域中形成不连续电气绝缘层，并在所述不连续绝缘层中提供开口(20)，以及以便在剩余的导电表面(12)上形成连续电气绝缘层，所述开口(20)留出通向所述导电种子(16)的入口，
-用镀覆层(22)弥补不连续电气绝缘层(18)和导电种子(16)，所述导电种子通过所述开口(20)可接触，所述镀覆层(22)从通过所述开口(20)可接触的所述导电种子(16)开始生长。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于所述导电种子(16)是通过沉积导电浆料形成的，所述导电浆料具有适当的粗糙度和允许所述镀覆层(22)生长的孔隙率。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述浆料是通过从下面组中选择的方法沉积的，该组由丝网印刷、模版印刷、气溶胶、注射和喷墨印刷组成，从而形成适于从所述器件收集电流的图案。
12.根据权利要求9到11中任一项所述的方法，其特征在于所述电气绝缘层(18)包括由从下面组中选择的材料制成的一层或叠层，该组由MgF和其他光学透明的氟化合物、SiNx、SiO2、ZnS、TiO2、SiOxNy以及Al2O3组成。
13.根据权利要求9到12中任一项所述的方法，其特征在于所述电气绝缘层(18)是光学透明的。
14.根据权利要求9到13中任一项所述的方法，其特征在于所述镀覆层(22)的材料是从Ag和Cu组成的组中选择的。
15.权利要求9到14所述的方法用于制造太阳能电池的用途，具体是制造硅异质结太阳能电池的用途。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09172876.6 | 2009-10-13 | ||
| EP09172876A EP2312641A1 (en) | 2009-10-13 | 2009-10-13 | Device comprising electrical contacts and its production process |
| PCT/EP2010/065225 WO2011045287A1 (en) | 2009-10-13 | 2010-10-11 | Device comprising electrical contacts and its production process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102668105A true CN102668105A (zh) | 2012-09-12 |
| CN102668105B CN102668105B (zh) | 2015-07-08 |
Family
ID=41819349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080046306.0A Active CN102668105B (zh) | 2009-10-13 | 2010-10-11 | 包括电气触点的器件及其制造工艺 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9437753B2 (zh) |
| EP (2) | EP2312641A1 (zh) |
| JP (1) | JP5624623B2 (zh) |
| CN (1) | CN102668105B (zh) |
| ES (1) | ES2496186T3 (zh) |
| WO (1) | WO2011045287A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104854707A (zh) * | 2013-05-29 | 2015-08-19 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块及其制造方法 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9246026B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-01-26 | Kaneka Corporation | Solar cell and method of manufacture thereof, and solar cell module |
| KR101423018B1 (ko) * | 2012-04-25 | 2014-07-24 | 카네카 코포레이션 | 태양 전지 및 그 제조 방법, 그리고 태양 전지 모듈 |
| JP6030928B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2016-11-24 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法 |
| JP6196031B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2017-09-13 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| US9293624B2 (en) * | 2012-12-10 | 2016-03-22 | Sunpower Corporation | Methods for electroless plating of a solar cell metallization layer |
| JP6097068B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2017-03-15 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| JP5584846B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-09-03 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| DE102013203061A1 (de) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiterbauelement, insbesondere Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierungsstruktur eines Halbleiterbauelementes |
| WO2014185225A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| MY172608A (en) | 2013-05-17 | 2019-12-05 | Kaneka Corp | Solar cell, production method therefor, and solar cell module |
| WO2014189058A1 (ja) | 2013-05-21 | 2014-11-27 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法、並びに太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2014229712A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| JP6151566B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-06-21 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| JP6114630B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-12 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法 |
| JP6096054B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2017-03-15 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法 |
| WO2014192408A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法、および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP6164939B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-07-19 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| JP6178621B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-08-09 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| JP6120680B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-04-26 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| JP5759639B2 (ja) | 2013-05-29 | 2015-08-05 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| WO2015026483A1 (en) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | Gtat Corporation | Using an active solder to couple a metallic article to a photovoltaic cell |
| JP6491602B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2019-03-27 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
| US10566470B2 (en) * | 2015-01-07 | 2020-02-18 | Kaneka Corporation | Solar cell, method for manufacturing same and solar cell module |
| US10522704B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-12-31 | Kaneka Corporation | Solar cell, method for manufacturing same |
| JP6405285B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2018-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US9859451B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Thin film photovoltaic cell with back contacts |
| WO2017056370A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 |
| CN108352417B (zh) * | 2015-11-04 | 2021-09-14 | 株式会社钟化 | 晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法 |
| CN110731015B (zh) * | 2017-06-29 | 2023-04-28 | 株式会社钟化 | 太阳能电池模块、以及太阳能电池模块的制造方法 |
| JP6931591B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2021-09-08 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール、および、太陽電池モジュールの製造方法 |
| KR102600380B1 (ko) | 2018-12-05 | 2023-11-09 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 및 이의 제조 방법, 그리고 태양 전지 패널 |
| CN116565036A (zh) * | 2023-06-08 | 2023-08-08 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340633B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for ramped current density plating of semiconductor vias and trenches |
| US6482656B1 (en) * | 2001-06-04 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of electrochemical formation of high Tc superconducting damascene interconnect for integrated circuit |
| US20050140013A1 (en) * | 2002-04-26 | 2005-06-30 | Kazuyoshi Ueno | Semiconductor device and manufacturing process therefor as well as plating solution |
| CN1885524A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-12-27 | 米辑电子股份有限公司 | 线路组件结构制造方法及其结构 |
| GB2451497A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | Renewable Energy Corp Asa | Contact for solar cell |
| EP2068354A2 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of forming conductive lines and similar features |
| US20090239331A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
| DE3280455T3 (de) * | 1981-11-04 | 2000-07-13 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo K.K., Osaka | Biegsame photovoltaische Vorrichtung. |
| US4872925A (en) * | 1987-10-29 | 1989-10-10 | Glasstech, Inc. | Photovoltaic cell fabrication method and panel made thereby |
| US6051493A (en) * | 1994-10-14 | 2000-04-18 | The Regents Of The University Of California | Process for protecting bonded components from plating shorts |
| EP0858669B1 (en) * | 1995-10-31 | 1999-11-03 | Ecole Polytechnique Féderale de Lausanne (EPFL) | A battery of photovoltaic cells and process for manufacturing the same |
| JP3364180B2 (ja) * | 1999-01-18 | 2003-01-08 | 三菱重工業株式会社 | 非晶質シリコン太陽電池 |
| JP4441102B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
| US6706157B2 (en) * | 2001-09-12 | 2004-03-16 | Transarc Ltd. | Vacuum arc plasma gun deposition system |
| TWI234885B (en) * | 2002-03-26 | 2005-06-21 | Fujikura Ltd | Electroconductive glass and photovoltaic cell using the same |
| JP2004128267A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Fujikura Ltd | 光電変換素子用の導電性ガラス基板並びにその製造方法 |
| EP2132783A1 (en) * | 2007-02-08 | 2009-12-16 | Suntech Power Co., Ltd. | Hybrid silicon solar cells and method of fabricating same |
| JP4913663B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2012-04-11 | 株式会社ダイセル | 回路基板の製造方法 |
| KR20090007063A (ko) * | 2007-07-13 | 2009-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| JP2009081046A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Nissan Chem Ind Ltd | 三極二層型光二次電池 |
-
2009
- 2009-10-13 EP EP09172876A patent/EP2312641A1/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-10-11 WO PCT/EP2010/065225 patent/WO2011045287A1/en active Application Filing
- 2010-10-11 US US13/501,177 patent/US9437753B2/en active Active
- 2010-10-11 JP JP2012533602A patent/JP5624623B2/ja active Active
- 2010-10-11 CN CN201080046306.0A patent/CN102668105B/zh active Active
- 2010-10-11 EP EP10763706.8A patent/EP2489076B1/en active Active
- 2010-10-11 ES ES10763706.8T patent/ES2496186T3/es active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340633B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for ramped current density plating of semiconductor vias and trenches |
| US6482656B1 (en) * | 2001-06-04 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of electrochemical formation of high Tc superconducting damascene interconnect for integrated circuit |
| US20050140013A1 (en) * | 2002-04-26 | 2005-06-30 | Kazuyoshi Ueno | Semiconductor device and manufacturing process therefor as well as plating solution |
| CN1885524A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-12-27 | 米辑电子股份有限公司 | 线路组件结构制造方法及其结构 |
| GB2451497A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | Renewable Energy Corp Asa | Contact for solar cell |
| EP2068354A2 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of forming conductive lines and similar features |
| US20090239331A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104854707A (zh) * | 2013-05-29 | 2015-08-19 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块及其制造方法 |
| CN104854707B (zh) * | 2013-05-29 | 2017-03-22 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9437753B2 (en) | 2016-09-06 |
| ES2496186T3 (es) | 2014-09-18 |
| US20120240998A1 (en) | 2012-09-27 |
| EP2312641A1 (en) | 2011-04-20 |
| EP2489076B1 (en) | 2014-07-02 |
| CN102668105B (zh) | 2015-07-08 |
| EP2489076A1 (en) | 2012-08-22 |
| JP2013507781A (ja) | 2013-03-04 |
| WO2011045287A1 (en) | 2011-04-21 |
| JP5624623B2 (ja) | 2014-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102668105A (zh) | 包括电气触点的器件及其制造工艺 | |
| KR102219630B1 (ko) | 태양 전지 전극 형성의 무전해 전도율 향상을 위한 방법 | |
| US9553228B2 (en) | Solar cell, production method therefor, and solar cell module | |
| US8759670B2 (en) | Photovoltaic converter device and electronic device | |
| CN105684160B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| EP3136451B1 (en) | Crystalline-silicon solar cell, crystalline-silicon solar-cell module, and manufacturing methods therefor | |
| CN108352417B (zh) | 晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法 | |
| TW201115762A (en) | Solar cell and method for fabricating the same | |
| CN103999235B (zh) | 太阳能电池装置及其制造方法 | |
| CN104854707B (zh) | 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块及其制造方法 | |
| CN112151626B (zh) | 太阳电池及生产方法、光伏组件 | |
| CN103907199B (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104576821A (zh) | 太阳能电池的背面接触设计及其制造方法 | |
| CN103988316B (zh) | 太阳能装置及其制造方法 | |
| CN110731015A (zh) | 太阳能电池模块、以及太阳能电池模块的制造方法 | |
| US20140332051A1 (en) | Solar cell module and method of fabricating the same | |
| US20120180863A1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
| CN103168365A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| US20150136218A1 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| US20140158191A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR20140047255A (ko) | 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
| US20130068293A1 (en) | Substrate geometry for three dimensional photovoltaics fabrication | |
| CN110416346A (zh) | 一种铜铟镓硒太阳能电池组件及其制作方法 | |
| KR20140047256A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| CN103310875A (zh) | 透明电极及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |