CN116565036A - 太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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CN116565036A CN202310678819.2A CN202310678819A CN116565036A CN 116565036 A CN116565036 A CN 116565036A CN 202310678819 A CN202310678819 A CN 202310678819A CN 116565036 A CN116565036 A CN 116565036A
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李文琪
谢明辉
张国春
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Jinko Solar Co Ltd
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Abstract

本申请实施例涉及一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面，基底包括间隔排布的多个栅线区，栅线区的第一表面整面具有绒面结构；片状减反射层，片状减反射层位于每一栅线区的至少部分绒面结构上，且片状减反射层暴露出绒面结构的部分表面；多个栅线，每一栅线与栅线区一一对应，栅线设置在对应的栅线区，且栅线分别与栅线区中的绒面结构的表面和片状减反射层的表面相接触。至少有利于提高栅线与基底之间的结合强度，降低栅线与基底之间发生脱落的概率。

Description

太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
太阳能电池在工作的过程中，太阳光从电池表面进入电池，电池内部在光能作用下产生光生载流子，光生载流子被设置在太阳能电池表面上的栅线汇集和传输，实现太阳能到电能的转换和利用。在进行太阳能电池制备的过程中，栅线可以通过电镀工艺形成在太阳能电池的表面上，然后当前的太阳能电池存在栅线和电池片的结合力较弱，容易发生脱栅的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法，至少有利于提高栅线与电池片的结合强度，降低栅线发生脱栅问题的概率。
本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有第一表面，所述基底包括间隔排布的多个栅线区，所述栅线区的所述第一表面整面具有绒面结构；片状减反射层，所述片状减反射层位于每一所述栅线区的至少部分所述绒面结构上，且所述片状减反射层暴露出所述绒面结构的部分表面；多个栅线，每一所述栅线与所述栅线区一一对应，所述栅线设置在对应的所述栅线区，且所述栅线分别与所述栅线区中的所述绒面结构的表面和所述片状减反射层的表面相接触。
在一些实施例中，在沿垂直于所述栅线区延伸方向的方向上，所述栅线区包括依次排布的第一区、第二区和第三区；所述片状减反射层位于所述第一区的至少部分所述绒面结构和所述第三区的至少部分所述绒面结构上。
在一些实施例中，所述第二区中的所述绒面结构的表面上不具有所述片状减反射层，且所述第一区和所述第三区中的所述绒面结构为金字塔型或类金字塔型，所述第二区中的所述绒面结构为松果型。
在一些实施例中，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第二区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度与非栅线区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度的比值为0.3至0.9。
在一些实施例中，所述片状减反射层还位于所述第二区的至少部分所述绒面结构上。
在一些实施例中，所述片状减反射层表面上任意两点之间的最大间隔为0.3μm至6μm。
在一些实施例中，所述片状减反射层表面上任意两点之间的最大间隔为2μm至6μm，且在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述栅线区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度与非栅线区中所述绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.4至0.9。
在一些实施例中，所述片状减反射层表面上任意两点之间的最大间隔为0.3μm至2μm，且在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述栅线区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度与非栅线区中所述绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.6至1。
在一些实施例中，相邻的所述片状减反射层之间的间隔为20nm至5μm。
在一些实施例中，所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面包括与所述绒面结构接触的附着区和不与所述绒面结构接触的悬空区。
在一些实施例中，在沿垂直于所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面的方向上，所述片状减反射层的所述悬空区与所述绒面结构的间隔为50nm至1000nm。
在一些实施例中，所述悬空区的面积与所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面的面积的比值为5％至90％。
在一些实施例中，在沿垂直于所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面的方向上，所述片状减反射层的厚度为40nm至600nm。
在一些实施例中，所述绒面结构由多个金字塔型凸起构成，且金字塔的斜边的长度为400nm至5μm。
相应的本申请实施例还提供了一种太阳能电池制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面，所述基底包括间隔排布的多个栅线区，所述栅线区的所述第一表面整面具有绒面结构，且所述绒面结构上具有包覆所述绒面结构的减反射层；通过激光工艺对每一所述栅线区的减反射层进行处理，在所述栅线区形成片状减反射层，所述片状减反射层暴露出所述栅线区的所述绒面结构的部分表面；分别在各所述栅线区形成与所述栅线区一一对应的多个栅线，每一所述栅线与对应的所述栅线区中的所述绒面结构的表面和所述片状减反射层的表面相接触。
在一些实施例中，所述激光工艺中激光光斑中心区域的大小为d，激光光斑速度为v，激光频率为f，且0.8d＜v/f＜2d。
在一些实施例中，所述激光工艺的工艺参数包括激光光斑中心区域的大小与激光光斑的大小的比值为0.4至0.6或者0至0.1。
在一些实施例中，形成所述片状减反射层包括：采用激光光斑中心区域的大小与激光光斑的大小的比值为0至0.1的激光，对所述栅线区的所述减反射层进行多次激光处理。
在一些实施例中，在形成所述片状减反射层后，还包括：采用浓度为0.3％至20％的缓释氢氟酸对各所述栅线区进行去氧化处理。
在一些实施例中，所述去氧化处理的时长为20s至90s。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的太阳能电池中，设置整面具有绒面结构的栅线区，由于栅线区整面具有绒面结构，在栅线区上形成栅线的过程中，栅线与基底之间的接触面积大大提升，一定程度上增大了栅线与基底之间的结合强度；栅线区的至少部分绒面结构上具有片状减反射层，片状减反射层朝向绒面结构的表面与绒面结构紧密接触，且片状减反射层之间存在大量孔隙，会暴露出绒面结构的部分表面，在进行栅线设置的过程中，栅线会分别与绒面结构暴露的表面以及片状减反射层的表面相接触，由于片状减反射层存在一定的厚度，且栅线与片状减反射层侧面也相接触，使得栅线与基底接触的面积进一步增大，并且由于片状减反射层仍与基底紧密接触，片状减反射层还起到了固定结构的作用，极大的提升了栅线与基底的结合强度，从而尽可能降低栅线发生脱落的概率，提高太阳能电池的可靠性。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的俯视图；
图2为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖视图；
图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的局部剖视图；
图4为本申请一实施例提供的一种栅线区的局部俯视图；
图5为本申请一实施例提供的一种绒面结构的局部结构示意图；
图6为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的局部剖视图；
图7为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的局部剖视图；
图8为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图；
图9为本申请一实施例提供的一种基底的俯视图；
图10为本申请一实施例提供的一种基底的剖视图；
图11为本申请一实施例提供的一半成品太阳能电池的剖视图；
图12为本申请一实施例提供的一种激光光斑示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，当前的太阳能电池可以采用电镀的方式在电池片的表面形成栅线，栅线和电池片的接触面积以及结合强度都较低，栅线容易发生脱落。当前常用的方式是通过电化学方式改善不同镀层之间的结合力，从而尽可能提升栅线不同镀层间的结合力，避免栅线不同镀层间发生脱落，从而降低栅线脱落的概率，但是，栅线与基底之间的结合力仍未得到有效的提升。
本申请一实施例提供了一种太阳能电池，在电池片的表面设置整面具有绒面结构的栅线区，在栅线区上形成栅线时由于栅线区整面具有绒面结构，栅线与基底之间的接触面积大大提升，一定程度上增大了栅线与基底之间的结合强度；栅线区的至少部分绒面结构上具有片状减反射层，片状减反射层朝向绒面结构的表面与绒面结构紧密接触，且片状减反射层之间存在大量会暴露出绒面结构表面的孔隙，在形成栅线后栅线会分别与绒面结构暴露的表面以及片状减反射层的表面相接触，由于片状减反射层存在一定的厚度，且栅线与片状减反射层侧面也相接触，栅线与基底接触的面积进一步增大，并且由于片状减反射层仍与基底紧密接触，片状减反射层还起到了固定结构的作用，极大的提升了栅线与基底的结合强度，从而尽可能降低栅线发生脱落的概率，提高太阳能电池的可靠性。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本申请一实施例提供了一种光伏组件，参考图1至图6，其中，图1为太阳能电池的俯视图，图2为太阳能电池沿AA方向的剖面图，图3为栅线区102的第二区122不具有片状减反射层110的剖面图，图4为栅线区102的局部俯视图，图5为第二区122的绒面结构的结构示意图，图6为栅线区102的第二区122也具有片状减反射层110的剖面图。
太阳能电池包括：基底100，基底100具有第一表面，基底100包括间隔排布的多个栅线区102，栅线区102的第一表面整面具有绒面结构；片状减反射层110，片状减反射层110位于每一栅线区102的至少部分绒面结构上，且片状减反射层110暴露出绒面结构的部分表面；多个栅线120，每一栅线120与栅线区102一一对应，栅线120设置在对应的栅线区102，且栅线120分别于栅线区102中的绒面结合的表面和片状减反射层110的表面相接触。
在进行太阳能电池制备的过程中，先确定出多个间隔排布的栅线区102，并且使得栅线区102的第一表面整面具有绒面结构，使得栅线区102的表面积大大提升，进而提高了在栅线区102上形成栅线120后，栅线120与基底100的接触面积，一定程度上提升栅线120与基底100的结合强度。在栅线区102的部分绒面结构上形成片状减反射层110，片状减反射层110暴露出绒面结构的部分表面，栅线120分别与绒面结构暴露的表面和片状减反射层110的表面相接触，由于栅线120与片状减反射层110的侧面也接触，进一步提升了栅线120与基底100的接触面积和结合强度。位于绒面结构上的片状减反射层110仍与基底100紧密接触，片状减反射层110起到了固定结构的作用，极大的提升了栅线120与基底100的结合强度，从而尽可能降低栅线120与基底100之间发生脱落的概率，提高太阳能电池的可靠性。
在一些实施例中，基底100可以为半导体基底，例如可以是硅、锗、锗硅或者绝缘体上的硅。基底100的材料可以为元素半导体材料。具体地，元素半导体材料由单一元素组成，例如可以是硅或者锗。其中，元素半导体材料可以为单晶态、多晶态、非晶态或者微晶态(同时具有单晶态和非晶态的状态，称为微晶态)，例如，硅可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。基底的材料为硅，则基底100的材料可以包括单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。基底100的材料也可以是化合物半导体材料。例如，锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、钙钛矿、碲化镉、铜铟硒等材料，基底100的材料还可以为碳化硅、有机材料或多元化合物。
在一些实施例中，基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等Ⅴ族元素中的任意一者。P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼(B)元素、铝(Al)元素、镓(Ga)元素或镓(In)元素等Ⅲ族元素中的任意一者。
在一些实施例中，在沿垂直于栅线区102延伸方向的方向上，栅线区102包括依次排布的第一区121、第二区122和第三区123；片状减反射层110位于第一区121的至少部分绒面结构和第三区123的至少部分绒面结构上。
在进行太阳能电池制备的过程中，在形成栅线120时，可以先对栅线区102对应的第一表面的绒面结构进行选择性刻蚀。在沿垂直于栅线区102延伸方向的方向上，栅线区102包括依次排布的第一区121、第二区122和第三区123，通过选择性刻蚀形成至少位于第一区121的至少部分绒面结构和第三区123的至少部分绒面结构上的片状减反射层110。第一区121的至少部分绒面上具有片状减反射层110且第三区123的至少部分绒面结构上具有片状减反射层110，栅线120与基底100接触的过程中，在第一区121和第三区123中与基底100的接触面积包括片状减反射层110的侧面面积，接触面积得到了提升，从而提高了栅线120与基底100的结合强度，降低了栅线120与基底100发生脱落的概率。
需要理解的是，选择性刻蚀的过程中，不仅可以仅对栅线区102中的部分绒面结构进行刻蚀，还可以仅对第一区121和第三区123中的部分绒面结构进行刻蚀，使得第一区121和第三区123中，部分绒面结构上具有完全覆盖绒面结构表面的减反射层，部分绒面结构上具有片状减反射层110。另外，选择性刻蚀的方式可以是选择性激光刻蚀，也可以是选择性化学刻蚀，本申请实施例对选择性刻蚀的具体方式不做限制。
在一些实施例中，第二区122中的绒面结构的表面上不具有片状减反射层110，且第一区121和第三区123中的绒面结构为金字塔型或类金字塔型，第二区122中的绒面结构为松果型。
在进行绒面结构制备的过程中，可以在基底100的第一表面上形成整面的金字塔型或者类金字塔型的凸起结构作为第一表面上的绒面结构，有效的提升陷光结构的陷光能力。在对第一表面进行选择型刻蚀后，第一区121和第三区123中的至少部分绒面结构上的减反射层被去除，形成包括绒面结构部分表面的片状减反射层110。同时，第二区122中的绒面结构上的减反射层被完全去除，且第二区122中的绒面结构也被部分刻蚀，使得第二区122中的绒面结构从金字塔型或者类金子塔型被刻蚀为松果型。栅线区102中局部区域的结构示意图可以参考图4，松果型绒面结构的结构示意图可以参考图5。
第一区121和第三区123的至少部分绒面结构上具有片状减反射层110，能够有效的提升栅线120与基底100的接触面积和结合强度；第二区122的绒面结构上不具有片状减反射层110，栅线120在第二区122与基底100接触时直接与完全暴露的绒面结构接触，降低了栅线120与基底100之间的接触电阻，从而降低了栅线120进行载流子汇集时的损耗，提高了太阳能电池的光电转换效率；而金字塔型或者类金字塔型的绒面结构被转换为松果型后，松果型绒面结构的多层凸起能够进一步增大栅线120与基底100的接触面积，提高接触强度的同时降低栅线120与基底100之间的接触电阻。
此外，对栅线区102中的绒面结构进行选择性刻蚀后，第二区122中的绒面结构可以都不具有减反射层，也可以部分具有完全覆盖绒面结构表面的减反射层，部分不具有减反射层。在形成部分绒面结构不具有减反射层，且部分绒面结构具有完全覆盖绒面结构的表面的减反射层的情况下，能够降低栅线120制备对基底100表面上的减反射层的损伤，提高太阳能电池的光电转换效率。
在一些实施例中，在沿垂直于第一表面的方向上，第二区122中的绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中的绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.3至0.9。
在沿垂直于第一表面的方向上，绒面结构凸出第一表面的高度指的是绒面结构中距离第一表面最远的点与第一表面之间的间隔。在对栅线区102中绒面结构上的减反射层进行选择性去除的过程中，为了使第二区122中绒面结构上不具有片状减反射层110，会对进行减反射层去除的绒面结构造成损伤，进而影响第二区122中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值。
在第二区122中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值过小的情况下，第二区122中绒面结构受损较为严重，进而会带来过大的基底100损伤，导致太阳能电池的电压损失过大，并且由于绒面结构的受损，还容易造成栅线120与基底100之间接触面积的下降，影响栅线120与基底100的接触强度。在第二区122中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值过大的情况下，第二区122中绒面结构受损较小，第二区122中容易存在残余的减反射层，栅线120在第二区122中与基底100接触的时候，接触电阻较大，进而导致太阳能电池的载流子汇集效率下降。
因此，可以将第二区122中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值设置在0.3至0.9的范围内，例如，0.35、0.4、0.45、0.5、0.6、0.75、0.8或者0.85等。降低栅线120制备过程中对基底100的损伤，避免太阳能电池的电压损失过大，同时降低栅线120与基底100之间的接触电阻，提高太阳能电池的载流子汇集能力和光电转换效率。
需要理解的是，在沿栅线区102的延伸方向上，第二区122中可以是部分绒面结构完全不具有减反射层，部分绒面结构具有片状减反射层110，因此，第二区122中绒面结构凸出第一表面的高度可以由第二区122中绒面结构凸出第一表面的平均高度或者最大高度表征。类似的，非栅线区的绒面结构凸出第一表面的高度也可以对应的由非栅线区绒面结构凸出第一表面的平均高度或者最大高度表征。
在一些实施例中，片状减反射层110还位于第二区122的至少部分绒面结构上。
在对栅线区102的绒面结构上的减反射层进行选择性去除后，还可以形成第一区121、第二区122和第三区123的至少部分绒面结构上均存在片状减反射层110的形貌，栅线区102的三个分区的至少部分绒面结构上均具有片状减反射层110的结构示意图可以参考图6。
在栅线区102的三个分区的至少部分绒面结构上均存在片状减反射层110的情况下，栅线120与基底100接触时接触面积大大提升，并且每一分区中的片状减反射层110均具有固定作用，大大提升栅线120与基底100的结合强度，并且能够尽可能小的损伤绒面结构上的减反射层和绒面结构自身的结构，降低太阳能电池的开压损失，提高光电转换效率。
在一些实施例中，片状减反射层110表面上任意两点之间的最大间隔为0.3μm至6μm。
在对绒面结构上的减反射层进行选择性刻蚀后，形成的片状减反射层110尺寸过大的情况下，选择性刻蚀过程中容易对绒面结构造成较大的损伤，进而导致较大的开压损失和减反射层损伤，影响太阳能电池的光电转换效率；形成的片状减反射层110尺寸过小的情况下，在进行栅线120制备的时候，片状减反射层110与基底100之间的结合强度难以保证，进而导致片状减反射层110容易发生脱落，导致栅线120脱落的概率增大。其中，片状减反射层110的尺寸指的是片状减反射层110表面上任意两点之间的最大间隔。
因此，选择性刻蚀后形成的片状减反射层110的尺寸可以设置在0.3μm至6μm的范围内，例如，0.35μm、0.4μm、0.5μm、0.75μm、1μm、1.25μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.75μm、4.5μm或者5.5μm等。降低电池片的开压损失和减反射层损伤，提高太阳能电池光电转换效率的同时，保证片状减反射层110与基底100之间的结合强度足够大，进而有效提高栅线120与基底100之间的结合强度，降低栅线120发生脱落的概率。
在一些实施例中，片状减反射层110表面上任意两点之间的最大间隔为2μm至6μm，且在沿垂直于第一表面的方向上，栅线区102中的绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.4至0.9。
在沿垂直于第一表面的方向上，绒面结构凸出第一表面的高度指的是绒面结构上距离第一表面最远的点与第一表面之间的间隔。而栅线区102中通过选择性刻蚀工艺形成的片状减反射层110的尺寸，与绒面结构在刻蚀后凸出第一表面的高度相关联，通常片状减反射层110尺寸越大，选择性刻蚀对减反射层刻蚀的程度越大，绒面结构的损伤也越大。通过调整刻蚀工艺，在被刻蚀的部分绒面结构上形成尺寸处于2μm至6μm的片状减反射层110，例如，形成尺寸为2.5μm、3μm、3.75μm、4.5μm、5.5μm或者5.8μm的片状减反射层110。并且使得栅线区102中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.4至0.9，例如，0.45、0.5、0.55、0.65、0.75或者0.8等。其中，片状减反射层110的尺寸指的是片状减反射层110表面上任意两点之间的最大间隔。
需要理解的是，栅线区102中绒面结构凸出第一表面的高度可以采用附着有片状减反射层110的部分绒面结构凸出第一表面的最大高度或者平均高度表征，非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度可以相应的采用非栅线区中绒面结构凸出第一表面的最大高度或者平均高度表征。
通过将栅线区102至少部分绒面结构上的片状减反射层110的尺寸控制在2μm至6μm的范围内，并且使得栅线区102中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值处于0.4至0.9的范围内，使得栅线区102中片状减反射层110为随机分布的大型块状减反射层。随机分布的大型块状排布，有效增大了片状减反射层110与基底100的结合强度，并且片状减反射层110能够暴露出的绒面结构较多，进而增大了栅线120与基底100接触的面积，降低了栅线120与基底100的接触电阻，从而降低栅线120的载流子汇集损耗。
在一些实施例中，片状减反射层110表面上任意两点之间的最大间隔为0.3μm至2μm，且在沿垂直于第一表面的方向上，栅线区102中的绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.6至1。
在对栅线区102的绒面结构进行选择性刻蚀工艺后，可以形成尺寸处于0.3μm至2μm的范围内的片状减反射层110，例如，形成尺寸为0.35μm、0.5μm、0.75μm、1μm、1.5μm或者1.75μm的片状减反射层110。并且在沿垂直于第一表面的方向上，将栅线区102中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度的比值控制在0.6至1的范围内，例如，0.625、0.65、0.7、0.75、0.825、0.875或者0.95等。其中，片状减反射层110的尺寸指的是片状减反射层110表面上任意两点之间的最大间隔，在沿垂直于第一表面的方向上，绒面结构凸出第一表面的高度指的是绒面结构上距离第一表面最远的点与第一表面之间的间隔。
通过将片状减反射层110的尺寸和栅线区102中绒面结构凸出第一表面的高度与非栅线区中绒面结构凸出第一表面的间隔都控制在适当的范围内，使得绒面结构上的片状减反射层110为较均匀的小型块状减反射层。通过形成较为均匀排布的小型片状减反射层110，减少了暴露出的绒面结构，降低减反射层的损伤和太阳能电池的开压损失，提高太阳能电池的光电转换效率，同时增大了片状减反射层110的侧面面积之和，增大了栅线120与基底100的接触面积和强度，降低栅线120发生脱落的概率。
类似的，栅线区102中绒面结构凸出第一表面的高度可以采用附着有片状减反射层110的部分绒面结构凸出第一表面的最大高度或者平均高度表征，非栅线区中绒面结构凸出第一表面的高度可以相应的采用非栅线区中绒面结构凸出第一表面的最大高度或者平均高度表征。
在一些实施例中，相邻的片状减反射层110之间的间隔为20nm至5μm。
相邻的片状减反射层110的之间的间隔指的是，分别位于相邻的两个片状减反射层110的表面上任意两点之间距离的最小值。相邻的片状减反射层110暴露出绒面结构的面积与相邻片状减反射层110之间的间隔大小相关联。在其他条件一致的情况下，片状减反射层110之间暴露出的绒面结构的面积与相邻片状减反射层110之间的间隔正相关。
而相邻的片状减反射层110之间的间隔与减反射层刻蚀程度相关联，刻蚀程度越大，相邻片状减反射层110之间的间隔越大。在相邻的片状减反射层110之间的间隔过大的情况下，绒面结构和减反射层的损伤都较大，绒面结构保留较差，对基底100的损伤较大，容易导致太阳能电池的开压损失过大，影响太阳能电池的光电转换效率。在相邻的片状减反射层110之间的间隔过小的情况下，暴露出的绒面结构的总面积较小，栅线120与基底100的接触电阻较大，太阳能电池的载流子汇集损耗过大。
因此，可以将相邻的片状减反射层110之间的间隔设置在20nm至5μm，例如，25nm、35nm、50nm、75nm、100nm、150nm、200nm、275nm、350nm、500nm、750nm、1μm、1.25μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3.5μm或者4.5μm等。通过将相邻的片状减反射层110之间的间隔设置在合适的范围内，尽量降低太阳能电池的开压损失和减反射层损伤的同时，降低栅线120与基底100之间的接触电阻和载流子汇集损耗，提高太阳能电池的光电转换效率。
参考图1至图7，在一些实施例中，片状减反射层110朝向绒面结构的表面包括与绒面结构接触的附着区111和不与绒面结构接触的悬空区112。其中，图7为图2中b区域的局部放大图。
片状减反射层110的一个主要功能在于提高栅线120与基底100之间的结合强度，片状减反射层110朝向绒面结构的表面完全与绒面结构紧密接触的情况下，增强栅线120与基底100之间结合强度的主要原因在于增大了栅线120与基底接触的总面积。而将片状减反射层110朝向绒面结构的表面设置为包含与绒面结构接触的附着区111和不与绒面结构接触的悬空区112后，栅线120包括位于悬空区112与绒面结构之间的部分，片状减反射层110可以通过悬空区112对应的部分对栅线120进行固定，从而大大增强栅线120与基底100的结合强度，尽可能降低栅线120发生脱落的概率。
需要理解的是，绒面结构上的片状减反射层110可以都具有附着区111和悬空区112，也可以仅由部分片状减反射层110具有附着区111和悬空区112，部分片状减反射层不具有附着区111和悬空区112。
在一些实施例中，在沿垂直于片状减反射层110朝向绒面结构的表面的方向上，片状减反射层110的悬空区112与绒面结构的间隔为50nm至1000nm。
在沿垂直于片状减反射层110朝向绒面结构的表面的方向上，片状减反射层110的悬空区112与绒面结构的间隔指的是悬空区112中任意一点与绒面结构之间间隔的最小值。在悬空区112与绒面结构之间的间隔过小的情况下，栅线120位于悬空区112与绒面结构之间的部分的厚度过小，在栅线120收到外力作用发生形变或者偏移的情况下，位于悬空区112与绒面结构之间的部分容易发生断裂，进而导致片状减反射层110无法再通过悬空区112对应的部分对栅线120进行良好的固定，栅线120与基底100之间的结合强度下降。在悬空区112与绒面结构之间的间隔过大的情况下，栅线120位于悬空区112与绒面结构之间的部分的厚度过大，在形成过程中容易存在气泡或者空隙，导致栅线120自身的电阻率增大，进而导致栅线120与基底100之间的接触电阻增大，栅线120的载流子汇集能力下降，并且绒面结构的损伤也比较大，电池片存在较大的开压损失，光电转换能力受到影响。
因此，在沿垂直于片状减反射层110朝向绒面结构的表面的方向上，可以将片状减反射层110的悬空区112与绒面结构的间隔设置在50nm至1000nm的范围内，例如，55nm、65nm、80nm、100nm、125nm、150nm、200nm、250nm、325nm、400nm、500nm、650nm、750nm、850nm或者975nm等。通过将悬空区112与绒面结构的间隔设置在适当的范围内，有效的提升栅线120与基底100之间结合强度的同时，降低栅线120的电阻率和电池片的开压损失，降低栅线120发生脱落的概率同时提高栅线120的载流子汇集能力和电池片的光电转换效率。
需要理解的是，不同片状减反射层110悬空区112与绒面结构的间隔可以相同也可以不同，本申请实施例对此不做限制。
在一些实施例中，悬空区112的面积与片状减反射层110朝向绒面结构的表面的面积的比值为5％至90％。
形成的栅线120位于悬空区112与绒面间隔之间的部分的强度不仅与悬空区112与绒面结构之间的间隔，即栅线120位于悬空区112与绒面结构之间的部分的厚度相关联，还与悬空区112的面积在片状减反射层110朝向绒面结构的表面的面积占比相关联。在悬空区112面积占比过小的情况下，片状减反射层110绝大部分区域与绒面结构紧密接触，悬空区112与绒面结构之间的部分的体积过小，能够提供的抑制栅线120脱落的力有限，无法有效提高栅线120与基底100的结合强度。在悬空区112面积占比过大的情况下，片状减反射层110不与绒面结构接触的面积过大，片状减反射层110自身与基底100之间的结合强度有限，为栅线120提供抑制栅线120脱落或者位移的力的过程中，片状减反射层110自身容易从基底100上脱落，同样无法有效提高栅线120与基底100的结合强度。
因此，可以将悬空区112的面积与片状减反射层110朝向绒面结构的表面的面积的比值设置在5％至90％的范围内，例如，6％、7.5％、9％、10％、12.5％、15％、20％、25％、35％、50％、60％、75％、80％或者85％等。通过将悬空区112的面积占比控制在适当的范围内，使片状减反射层110与基底100的结合强度足够大，降低片状减反射层110脱落的概率，提高片状减反射层110抑制栅线120脱落的能力，有效提升栅线120与基底100结合强度，降低栅线120脱落的概率。
此外，悬空区112的面积占比越大，栅线120与绒面结构的表面相接触的面积也会随之上升，在将悬空区112的面积占比控制在适当范围内的情况下，不仅能够有效提升栅线120与基底100之间的结合强度，还能够提高栅线120与基底100的接触面积，从而降低栅线120与基底100的接触电阻，提高栅线120的载流子汇集能力，降低载流子汇集损耗。
在一些实施例中，在沿垂直于片状减反射层110朝向绒面结构的表面的方向上，片状减反射层110的厚度为40nm至600nm。
片状减反射层110的厚度指的是片状减反射层110朝向绒面结构的表面与片状减反射层110远离绒面结构的表面之间的间隔。在片状减反射层110的厚度过小的情况下，片状减反射层110的减反射能力有限，并且片状减反射层110侧面的面积也较为有限，无法有效提升栅线120与基底100的接触面积。在片状减反射层110的厚度过大的情况下，减反射层本身的制备成本过高，并且为了使得栅线120能够与绒面结构表面相接触，需要栅线120的原材料体积也大大提升，栅线120的制备成本也相应增大。
因此，在沿垂直于片状减反射层110朝向绒面结构的表面的方向上，片状减反射层110的厚度设置在40nm至600nm的范围内，例如，将片状减反射层110的厚度设置为45nm、50nm、60nm、75nm、90nm、100nm、125nm、150nm、180nm、200nm、225nm、275nm、350nm、400nm、475nm、550nm或者585nm等。通过将片状减反射层110的厚度设置在合适的范围内，有效提升栅线120与基底100的接触面积和接触强度的同时，对减反射层和栅线120的制备成本进行一定的控制，降低栅线120和减反射层的制备成本。
需要理解的是，同一绒面结构上的片状减反射层110的厚度可以相同也可以不同，不同绒面结构上的片状减反射层110的厚度同样可以相同也可以不同，本申请实施例对此不做限制。
在一些实施例中，绒面结构由多个金字塔型凸起构成，且金字塔的斜边的长度为400nm至5μm。采用金字塔型凸起形成第一表面的绒面结构能够有效的提高太阳能电池的陷光能力，而将金字塔的斜边的长度设置在400nm至5μm的范围内，例如，将金字塔的斜边的长度设置为450nm、500nm、575nm、650nm、750nm、900nm、1000nm、1.2μm、1.25μm、1.5μm、2μm、2.75μm、3.5μm或者4.5μm等，可以有效提高绒面结构的表面积，从而增大栅线120与基底100的接触面积和接触强度，同时还能够对绒面结构凸出基底100的高度进行控制，增大栅线120在沿垂直于基底100第一表面的方向上的厚度，从而降低栅线120的载流子传输电阻。
此外，同一电池片的绒面结构包含的金字塔型凸起的斜边长度可以相同也可以不同，不同电池片的绒面结构包含的金字塔型凸起的斜边长度同样可以相同也可以不同。
本申请实施例提供了一种太阳能电池，设置对应的第一表面整面具有绒面结构的栅线区102，在栅线区102上形成栅线120，由于栅线区102对应的第一表面整面具有绒面结构，栅线120与基底100之间的接触面积大大提升，一定程度上的增大了栅线120与基底100之间的结合强度；栅线区102的至少部分绒面结构上具有片状减反射层110，片状减反射层110朝向绒面结构的表面与绒面结构紧密接触，且片状减反射层110之间存在大量会暴露出绒面结构表面的孔隙，在形成栅线120后栅线120会分别与绒面结构暴露的表面以及片状减反射层110的表面相接触，由于片状减反射层110存在一定的厚度，且栅线120与片状减反射层110侧面也相接触，栅线120与基底100接触的面积进一步增大，并且由于片状减反射层110与基底100紧密接触对栅线120起到固定作用，极大的提升了栅线120与基底100的结合强度，从而尽可能降低栅线120发生脱落的概率，提高太阳能电池的可靠性。
本申请实施例还提供了一种太阳能电池制备方法，应用与电池生产设备，太阳能电池制备流程可以参考图8。
参考图8和图11。提供基底100，基底100具有第一表面，基底100包括间隔排布的多个栅线区102，栅线区102的第一表面整面具有绒面结构，且绒面结构上具有包覆绒面结构的减反射层。其中，图9为基底100第一表面的俯视图，图10为基底100沿BB1方向上的剖面图，图11为基底100在对栅线区102的减反射层进行选择性刻蚀后的局部剖面图。
在进行太阳能电池制备过程中，先提供预先完成第一表面的绒面结构制备和包覆绒面结构的减反射层制备的基底100。
在一些实施例中，绒面结构由多个金字塔型凸起或者类金子塔型凸起构成，利用多个金字塔型凸起或者类金子塔型凸起，有效提升太阳能电池的光吸收能力，同时金字塔或者类金子塔结构对激光也有一定的汇聚作用，便于后续对减反射层进行选择性刻蚀。
在一些实施例中，减反射层由一层减反射材料构成或者由两层及其以上的依次层叠设置，且材料不同的减反射材料构成。其中，减反射材料包括二氧化硅、氮化硅、二氧化钛和氧化锆等。
通过激光工艺对每一栅线区102的减反射层进行处理，在栅线区102形成片状减反射层110，片状减反射层110暴露出栅线区102的绒面结构的部分表面。
在进行电池片制备的过程中，需要通过选择性刻蚀工艺对栅线区102对应的第一表面进行刻蚀处理，从而暴露出栅线区102的绒面结构的表面。在进行选择性刻蚀的时候，可以采用激光工艺对栅线区102上的减反射层进行处理，利用激光刻蚀的方式去除栅线区102上的至少部分减反射层，剩余的减反射层被刻蚀为片状减反射层110，且片状减反射层110之间存在暴露出栅线区102至少部分绒面结构的表面的空隙。
此外，对减反射层进行选择性刻蚀的过程中，也会对绒面结构造成一定的损伤，使得绒面结构的表面变的凹凸不平，从而使得形成的片状减反射层110朝向绒面结构的表面形成不与绒面结构接触的悬空区。通过调整激光参数或者激光处理重复次数，可以形成悬空区面积占比大于5％的片状减反射层110。
在一些实施例中，采用的选择性刻蚀工艺还可以是化学刻蚀工艺。
参考图8至图12，在一些实施例中，激光工艺的工艺参数包括激光光斑中心区域的大小d与激光光斑的大小D的比值为0.4至0.6或者0至0.1。其中，图12为激光光斑的示意图。
理论上激光光斑的大小为D，激光光斑中心区域的大小为d，其中，激光光斑的大小指的是一个光斑中心与形成的片状减反射层110边缘上任意一点的最大间隔D，激光光斑的中心区域的大小指的是光斑中心与最接近的片状减反射层110之间的距离d。以圆形光斑为例，激光光斑的大小指的是光斑的圆心与片状减反射层110边缘上任意一点之间的最大间隔D，激光光斑中心区域的大小指的是光斑的圆心与最接近的片状减反射层110边缘上任意一点的最小间隔d。
在采用激光工艺对栅线区102的减反射层进行选择性刻蚀的过程中，可以先进行激光选型，例如，选择高斯光斑的激光器进行激光工艺的处理。在选定采用的激光器后，可以先固定激光光斑的移动速度、单次处理的脉冲个数和激光频率，然后在测试基板上采用不同的功率进行梯度打样，找到能够满足激光光斑中心区域的大小d与激光光斑的大小D的比值为0.4至0.6或者0至0.1的激光功率，并根据确定出的激光功率对基底100栅线区102上的减反射层进行选择性刻蚀。通过根据激光光斑中心区域的大小d与激光光斑的大小D的比值这一条件对激光功率进行限定，使得激光处理过程中处于低功率区域，使得栅线区102至少部分绒面结构上能够形成片状减反射层110的同时，降低激光工艺对绒面结构形貌的损伤，降低基底100的开模损伤。
其中，测试基板和基底100的材料以及结构相同或者近似相同，且测试基底表面上也制备了与基底100相同材料的绒面结构以及包覆绒面结构的减反射层。
在一些实施例中，形成片状减反射层110包括：采用激光光斑中心区域的大小d与激光光斑的大小D的比值为0至0.1的激光，对栅线区102的减反射层进行多次激光处理。
在选用激光光斑中心区域的大小d与激光光斑的大小D的比值为0至0.1的激光对栅线区102的减反射层进行选择性刻蚀的过程中，激光功率很小，在栅线区102进行一次激光处理后，栅线区102的至少部分绒面结构上形成的片状减反射层110之间大部分区域仍处于连续状态，片状减反射层110之间的空隙较少，基底100暴露出的绒面结构面积和减反射层面积的总和上升较小，无法有效提升基底100暴露的总面积。
因此，在选用激光光斑中心区域的大小与激光光斑的大小的比值为0至0.1的激光进行选择性刻蚀处理的情况下，采用参数设置好的激光沿栅线区102的图案形状对栅线区102进行重复的多次低功率激光处理，例如，对栅线区102进行2次、3次、4次、5次、6次或者7次的重复处理。使得栅线区102表面能够形成随机分布的若干大型片状减反射层110或者若干排布较为均匀的小型片状减反射层110，且片状减反射层110之间暴露出的绒面结构的面积足够大，有效提升基底100暴露的总面积。
对栅线区102进行少量重复的激光处理，例如，对栅线区进行2至4次重复的激光处理后，栅线区102至少部分绒面结构上的片状减反射层110排布较为均匀，片状减反射层110之间存在大量空隙，并且栅线区102的绒面结构的保留较为完好，有效降低基底100的开模损伤。
在一些实施例中，激光工艺中激光光斑中心区域的大小为d，激光光斑速度为v，激光频率为f，且0.8d＜v/f＜2d。
参考上述内容，激光光斑的中心区域的大小指的是光斑中心与最接近的片状减反射层110之间的距离d。在完成激光选型后，按照预先确定好的激光功率、单次处理的脉冲次数和设定好的激光频率f，调整激光光斑速度v，在测试基底上进行梯度打样。其中，测试基底和基底100的材料以及结构相同或者近似相同，且测试基底表面上也制备了与基底100相同材料的绒面结构以及包覆绒面结构的减反射层。根据梯度打样的结果，确定出激光刻蚀过程中的激光光斑速度v，使得激光工艺中采用的激光光斑可以满足0.8d＜v/f＜2d。然后按照确定好的激光光斑速度v和设置好的激光功率、单次处理的脉冲次数和设定好的激光频率f，沿预先设定好的栅线区102的形状图案，对基底100的第一表面进行选择性激光刻蚀。
通过将激光工艺中激光光斑中心区域的大小为d，激光光斑速度为v，激光频率为f设置在满足0.8d＜v/f＜2d的条件下，利用绒面结构和绒面结构上的减反射层对激光的汇聚作用对减反射层进行开模，在至少部分绒面结构上形成多个片状减反射层110，提高对栅线区102的绒面结构形貌保留的效果，降低对基底100的开模损伤，增大基底100暴露出的绒面结构和减反射层的总面积。
此外，在激光工艺的过程中，也可以对激光频率f和/或激光次数等参数，在对激光频率和/或激光次数进行调整后，重新逐步调整激光光斑速度v，并在测试基板上打样，确定出满足0.8d＜v/f＜2d这一条件的新的激光光斑速度v。然后按照更新好的激光工艺参数对栅线区102的减反射层进行选择性刻蚀处理。
在一些实施例中，在形成片状减反射层110后，还包括：采用浓度为0.3％至20％的缓释氢氟酸对各栅线区102进行去氧化处理。
激光处理后栅线区102的绒面结构和/或片状减反射层110上会形成氧化层，而氧化层会影响电池片的光电转换效率，因此，在形成片状减反射层110后，可以采用浓度在0.3％至20％范围内的缓释氢氟酸对各栅线区102进行去氧化处理，例如，采用浓度为0.5％、1％、2.5％、5％、8％、12.5％、15％、18％或者19％的缓释氢氟酸对各栅线区102进行去氧化处理。从而去除基底100表面上自然氧化和/或激光氧化形成的氧化层，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
在一些实施例中，去氧化处理的时长为20s至90s。根据选用的缓释氢氟酸的浓度以及激光处理过程中的激光功率，基底100表面的氧化层厚度不同。在去氧化时长过长的情况下，氢氟酸可能会对基底100或者片状减反射层110造成腐蚀，从而增大基底100的开模损伤并破坏片状减反射层110的形貌和强度。在去氧化时长过短的情况下，可能无法完全去除氧化层。
因此，可以将去氧化处理的时长控制在20s至90s的范围内，例如，将去氧化时长设置为22s、25s、30s、37.5s、45s、55s、60s、75s或者85s等。有效去除基底100表面上的氧化层的同时，降低对基底100和片状减反射层110的损伤。
参考图1、图2和图8至图11。分别在各栅线区102形成与栅线区102一一对应的多个栅线120，每一栅线120与对应的栅线区102中的绒面结构的表面和片状减反射层110的表面相接触。
在完成片状减反射层110的制备后，根据栅线区102的位置，可以通过沉积工艺或者电镀工艺等方式，在栅线区102形成与栅线区102一一对应的多个栅线120，每一个栅线120分别与对应的栅线区102中暴露出的绒面结构的表面和片状减反射层110的表面相接触。通过在栅线区102的至少部分绒面结构上形成会暴露出绒面结构的表面的片状减反射层110，保留下来的绒面结构和片状减反射层110的侧面能够有效提升栅线120与基底100之间的接触面积，并且片状减反射层110能够对栅线120起到固定作用，从而有效提高栅线120与基底100的结合强度，降低栅线120与基底100发生脱落的概率，提高太阳能电池的可靠性。
在一些实施例中，可以形成包括依次层叠的多个镀层的栅线120，例如，采用电镀/化学镀/化学气相沉积的方式，在栅线区102形成厚度为0.3μm至1μm的第一镀层，第一镀层可以完全覆盖片状减反射层110间包括出的绒面结构的表面。然后采用电镀的方式依次生长第二镀层和第三镀层。其中，第一镀层可依据实际情况生长1-5个子层，第二镀层和第三镀层的总厚度大于或等于4μm。第二镀层和第三镀层的总厚度指的是在沿垂直于第一镀层远离绒面结构的表面的方向上，第二镀层朝向第一镀层的表面与第三镀层远离第一镀层的表面之间的间隔。
不难发现，本实施例是与太阳能电池结构实施例相对应的制备方法实施例，本实施例中的细节在太阳能电池结构实施例中同样适用，同理太阳能电池结构实施例中的细节在本实施例中也适用。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，而不偏离本申请的精神和范围，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有第一表面，所述基底包括间隔排布的多个栅线区，所述栅线区的所述第一表面整面具有绒面结构；
片状减反射层，所述片状减反射层位于每一所述栅线区的至少部分所述绒面结构上，且所述片状减反射层暴露出所述绒面结构的部分表面；
多个栅线，每一所述栅线与所述栅线区一一对应，所述栅线设置在对应的所述栅线区，且所述栅线分别与所述栅线区中的所述绒面结构的表面和所述片状减反射层的表面相接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述栅线区延伸方向的方向上，所述栅线区包括依次排布的第一区、第二区和第三区；
所述片状减反射层位于所述第一区的至少部分所述绒面结构和所述第三区的至少部分所述绒面结构上。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二区中的所述绒面结构的表面上不具有所述片状减反射层，且所述第一区和所述第三区中的所述绒面结构为金字塔型或类金字塔型，所述第二区中的所述绒面结构为松果型。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第二区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度与非栅线区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度的比值为0.3至0.9。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述片状减反射层还位于所述第二区的至少部分所述绒面结构上。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述片状减反射层表面上任意两点之间的最大间隔为0.3μm至6μm。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述片状减反射层表面上任意两点之间的最大间隔为2μm至6μm，且在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述栅线区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度与非栅线区中所述绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.4至0.9。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述片状减反射层表面上任意两点之间的最大间隔为0.3μm至2μm，且在沿垂直于所述第一表面的方向上，所述栅线区中的所述绒面结构凸出所述第一表面的高度与非栅线区中所述绒面结构凸出第一表面的高度的比值为0.6至1。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，相邻的所述片状减反射层之间的间隔为20nm至5μm。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面包括与所述绒面结构接触的附着区和不与所述绒面结构接触的悬空区。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面的方向上，所述片状减反射层的所述悬空区与所述绒面结构的间隔为50nm至1000nm。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述悬空区的面积与所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面的面积的比值为5％至90％。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述片状减反射层朝向所述绒面结构的表面的方向上，所述片状减反射层的厚度为40nm至600nm。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述绒面结构由多个金字塔型凸起构成，且金字塔的斜边的长度为400nm至5μm。
15.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，基底具有第一表面，所述基底包括间隔排布的多个栅线区，所述栅线区的所述第一表面整面具有绒面结构，且所述绒面结构上具有包覆所述绒面结构的减反射层；通过激光工艺对每一所述栅线区的减反射层进行处理，在所述栅线区形成片状减反射层，
所述片状减反射层暴露出所述栅线区的所述绒面结构的部分表面；
分别在各所述栅线区形成与所述栅线区一一对应的多个栅线，每一所述栅线与对应的所述栅线区中的所述绒面结构的表面和所述片状减反射层的表面相接触。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光工艺中激光光斑中心区域的大小为d，激光光斑速度为v，激光频率为f，且0.8d＜v/f＜2d。
17.根据权利要求15所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光工艺的工艺参数包括激光光斑中心区域的大小与激光光斑的大小的比值为0.4至0.6或者0至0.1。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，形成所述片状减反射层包括：采用激光光斑中心区域的大小与激光光斑的大小的比值为0至0.1的激光，对所述栅线区的所述减反射层进行多次激光处理。
19.根据权利要求15所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在形成所述片状减反射层后，还包括：采用浓度为0.3％至20％的缓释氢氟酸对各所述栅线区进行去氧化处理。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述去氧化处理的时长为20s至90s。
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