CN102667496A

CN102667496A - 加速度传感器

Info

Publication number: CN102667496A
Application number: CN2010800527823A
Authority: CN
Inventors: 吉田仁; 铃木裕二
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2009-11-24
Filing date: 2010-11-17
Publication date: 2012-09-12
Also published as: WO2011064641A1; US9052334B2; EP2506017A1; JP5789737B2; US20120280334A1; EP2506017A4; EP2506017B1; JP2011112391A

Abstract

提供一种不需要电极部而实现传感器的小型化的加速度传感器。加速度传感器具备传感器部，上述传感器部包括：重量部（4）、（5），凹部（41）、（51）与实心部（40）、（50）形成为一体；一对横梁部（6a）、（6b）、（7a）、（7b）；可动电极（4a）、（5a）；第一固定电极；第二固定电极；检测电极；上述加速度传感器具有：上部固定板（2a），配置成与重量部（4）、（5）的可动电极（4a）、（5a）侧的面隔有规定的间隔；埋入电极（A1）～（A4），由沿厚度方向埋设在上部固定板（2a）中的硅材料构成。埋入电极（A1）～（A4）将其与可动电极（4a）、（5a）对置的一侧的端部作为上述固定电极来使用，并将另一端部作为上述检测电极来使用。

Description

加速度传感器

技术领域

本发明涉及静电电容型的加速度传感器。

背景技术

在以往，已知有下述加速度传感器，其具备：长方体形状的重量部，具有可动电极；一对横梁部，在重量部的长边方向上的大致中央处转动自由地支撑重量部；一对固定电极，配置成分别相对于与重量部的表面的一侧及另一侧隔有规定距离地对置，上述重量部的表面将连接一对横梁部的直线作为分界线（例如，参照专利文献1）。

在下文中，使用附图对这样的加速度传感器的以往例进行说明。此外，在下文的说明中，将图4中的上下定为上下方向，将与传感器芯片1的短边方向平行的方向定为x方向，将与传感器芯片1的长边方向平行的方向定为y方向，并将与x方向及y方向相互正交的方向定为z方向。如图4、5所示，该以往例的加速度传感器具备：传感器芯片1，外形为矩形板状；上部固定板2a，固定在传感器芯片1的上表面侧；下部固定板2b，固定在传感器芯片1的下表面侧。

传感器芯片1具备：框架部3，在长边方向上并列设置有2个框部3a、3b，该2个框部3a、3b从上下方向观察时呈矩形；长方体形状的重量部4、5，以相对于框部3a、3b的内周面隔有空隙的状态，相邻地配置在框部3a、3b内；各一对横梁部6a、6b及7a、7b，将框部3a、3b的内周面与重量部4、5的侧面连结，从而相对于框架部3，转动自由地支撑重量部4、5；可动电极4a、5a，形成在重量部4、5的上表面。

重量部4、5，在一面开口（下表面）的凹部41、51和除凹部41、51以外的实心部40、50一体地形成。从开口面的法线方向（上下方向）观察，凹部41、51形成为俯视四边形，此外，将凹部41、51内分割成两部分的加强壁42、52与重量部4、5形成为一体。

一对横梁部6a、6b将重量部4的与框部3a对置的侧面的x方向上的大致中央部及框部3a连结。同样地，一对横梁部7a、7b将重量部5的与框部3b对置的侧面的x方向上的大致中央部及框部3b连结。这样，将一对横梁部6a、6b连结的直线和将一对横梁部7a、7b连结的直线成为转动轴，各重量部4、5绕着转动轴转动。

传感器芯片1是通过半导体的微细加工技术对SOI（Silicon onInsulator：绝缘体上硅薄膜）基板进行加工而形成的，包含重量部4、5的上表面的部位成为可动电极4a、5a。此外，在重量部4、5的上表面及下表面突出地设置有突起部43a、43b、53a、53b，用于防止重量部4、5与上部固定板2a及下部固定板2b直接碰撞。

上部固定板2a例如由玻璃等绝缘材料形成，设置在可动电极4a、5a一侧，即，在本例中，设置在传感器芯片1上，在其下表面，在沿上下方向与传感器芯片1的重量部4（可动电极4a）对置的位置，在x方向上并列设置有第一固定电极20a和第二固定电极20b，并且，在沿上下方向与传感器芯片1的重量部5（可动电极5a）对置的位置，在x方向上并列设置有第一固定电极21a和第二固定电极21b。此外，在上部固定板2a的x方向一端侧，在y方向上并列地贯通设置有5个贯通孔22a～22e。另外，在上部固定板2a的下表面形成有与各固定电极20a、20b及21a、21b电连接的多个导电图案（未图示）。

另一方面，在传感器芯片1的x方向一端侧，并列设置有与框架部3分离的共计4个电极部8a、8b、9a、9b。这4个电极部8a、8b、9a、9b在上表面的大致中央处分别形成有由金属膜构成的检测电极80a、80b、90a、90b，并且，在面对框部3a、3b的端部的上表面分别形成有由金属膜构成的压接电极81a、81b、91a、91b，检测电极80a（80b）与压接电极81a（81b）连结。此外，在框架部3上面的电极部8b、9a之间形成有接地电极10，接地电极10经由横梁部6a、6b与可动电极4a电连接，并经由横梁部7a、7b与可动电极5a电连接。并且，若上部固定板2a与传感器芯片1的上表面接合，则形成于上部固定板2a的下表面的导电图案与压接电极81a、81b、91a、91b压接连接，从而使各检测电极80a、80b、90a、90b与各固定电极20a、20b、21a、21b电连接，并且，各检测电极80a、80b、90a、90b经由上部固定板2a的贯通孔22a～22d露出至外部。此外，接地电极10也经由贯通孔22e露出至外部。

下部固定板2b由与上部固定板2a相同的玻璃等绝缘材料形成，设置在与上部固定板2a相反的一侧，即，在本例中，设置在传感器芯片1的下面，在其上表面，在沿上下方向与传感器芯片1的重量部4、5对置的位置，分别形成有防附着膜23a、23b。该防附着膜23a、23b由与铝系合金等的固定电极20a、20b、21a、21b相同的材料形成，从而防止旋转的重量部4、5的下表面附着在下部固定板2b上。

在此，在本实施方式中，由框部3a、重量部4、横梁部6a、6b、可动电极4a、第一及第二固定电极20a、20b、检测电极80a、80b、框部3b、重量部5、横梁部7a、7b，可动电极5a、第一及第二固定电极21a、21b、检测电极90a、90b分别构成传感器部，在使重量部4、5的方向（实心部40、50与凹部41、51的配置）在同一平面内180度翻转的状态下，2个传感器部一体地形成。

接下来，对上述以往例的检测动作进行说明。首先，考虑向一侧的重量部4施加x方向的加速度的情况。若向x方向施加加速度，则重量部4绕着自动轴旋转，从而改变可动电极4a与第一固定电极20a及第二固定电极20b之间的距离，结果，可动电极4a与各固定电极20a、20b之间的静电电容C1、C2也发生变化。在此，若将没有施加x方向的加速度时的可动电极4a与各固定电极20a、20b之间的静电电容设为C0，将通过施加加速度而产生的静电电容的变化量设为ΔC，则能够以下式表示在施加x方向的加速度时的静电电容C1、C2。

C1=C0-ΔC…（1）

C2=C0+ΔC…（2）

同样地，在向另一侧的重量部5施加x方向的加速度的情况下，能够以下式表示可动电极5a与各固定电极21a、21b之间的静电电容C3、C4。

C3=C0-ΔC…（3）

C4=C0+ΔC…（4）

在此，通过对从检测电极80a、80b及90a、90b取出的电压信号进行运算处理，能够检测静电电容C1～C4的值。然后，若计算出从一侧的传感器部得到的静电电容C1、C2的差分值CA（=C1-C2）与从另一侧的传感器部得到的静电电容C3、C4的差分值CB（=C3-C4）的和（±4ΔC），则能够根据该差分值CA、CB的和，计算在x方向上施加的加速度的方向和大小。

接下来，考虑向一侧的重量部4施加z方向的加速度的情况。若在z方向上施加加速度，则重量部4绕着转动轴旋转，可动电极4a与第一固定电极20a及第二固定电极20b之间的距离发生变化，结果，可动电极4a与各固定电极20a、20b之间的静电电容C1、C2也发生变化。在此，若将没有施加z方向的加速度时的可动电极4a与各固定电极20a、20b之间的静电电容设为C0′，将通过施加加速度产生的静电电容的变化量设为ΔC′，则能够以下式表示在施加z方向的加速度时的静电电容C1′、C2′。

C1′=C0′+ΔC′…（5）

C2′=C0′-ΔC′…（6）

同样地，在向另一侧的重量部5施加z方向的加速度的情况下，能够以下式表示可动电极5a与各固定电极21、21b之间的静电电容C3′、C4′。

C3′=C0′-ΔC′…（7）

C4′=C0′+ΔC′…（8）

然后，若计算出从一侧的传感器部得到的静电电容C1′、C2′的差分值CA′（=C1′-C2′）与从另一侧的传感器部得到的静电电容C3′、C4′的差分值CB′（=C3′-C4′）之差（±4ΔC），则根据该差分值CA′、CB′之差，能够计算在z方向上施加的加速度的方向和大小。此外，根据差分值CA、CB的和与CA′、CB′的差来求得x方向及z方向的加速度的方向和大小的计算处理为以往公知技术，在此省略详细的说明。

专利文献1：日本特表2008-544243号公报

发明的概要

然而，在上述以往的加速度传感器中，各电极部8a、8b、9a、9b与各固定电极20a、20b、21a、21b通过压接电极81a、81b、91a、91b连接，各电极部8a、8b、9a、9b与各重量部4、5及框架部3分离地设置，并与传感器芯片1电绝缘，经由设置在各电极部8a、8b、9a、9b中的各检测电极80a、80b、81a、81b检测静电电容C1～C4。然而，设置各电极部8a、8b、9a、9b所需的空间占传感器芯片1的约30～40%的面积，存在难以实现传感器的小型化的问题。即使能够实现各重量部4、5的小型化，也仍然需要各电极部8a、8b、9a、9b所需的空间，所以传感器的小型化仍然比较困难。

发明内容

本发明是鉴于上述内容而作出的，其目的在于，提供一种不需要电极部而实现传感器的小型化的加速度传感器。

为实现上述目的，本发明的一个技术方案提供一种加速度传感器，具备传感器部，上述传感器部包括：重量部，在一面开口的凹部和除凹部以外的实心部一体地形成；一对横梁部，以使凹部和实心部沿转动方向并列的方式，转动自由地支撑重量部；可动电极，在不同于凹部开口的上述一面的另一面中，跨过凹部和实心部而设置；第一固定电极，配设在与可动电极中的凹部一侧对置的位置；第二固定电极，配设在与可动电极中的实心部一侧对置的位置；以及检测电极，与各个固定电极电连接，检测可动电极与固定电极之间的静电电容；上述加速度传感器根据可动电极与固定电极之间的静电电容的变化来检测加速度，上述变化是伴随着以连结一对横梁部的直线为转动轴的重量部的转动而产生的，该加速度传感器具有：第一固定板，与重量部的可动电极侧的面隔有规定的间隔而配置；以及埋入电极，沿厚度方向埋设在第一固定板中；埋入电极将与该可动电极对置的一侧的端部作为上述固定电极来使用，将另一端部作为上述检测电极来使用。也可以是，埋入电极由P+型半导体构成。也可以是，检测施加在上述重量部上的第一方向的加速度和与第一方向正交的第二方向的加速度。也可以是，在同一芯片中形成有多个上述传感器部。

也可以是，在同一芯片中形成有两个上述传感器部，一个传感器部配置成相对于另一个传感器部，在同一平面内旋转180度。也可以是，两个传感器部相邻地配置。也可以是，在同一芯片中形成有三个传感器部，两个传感器部配置成相对于剩余的一个传感器部，分别在同一平面中旋转90度及180度。

也可以是，在上述各固定电极的与可动电极的对置面、或是可动电极的与各固定电极的对置面上形成有突起部。

也可以是，突起部由硅或硅氧化膜形成。

也可以是，突起部的表层由碳材料形成。

也可以是，碳材料为碳纳米管。

也可以是，具有第二固定板，该第二固定板与重量部的固定电极所对置的一侧的相反的一侧的面隔有规定的间隔而配置，并在第二固定板的与重量部对置的面上设置有用于防止重量部的附着的防附着膜。

也可以是，防附着膜由与固定电极相同的材料形成。

也可以是，防附着膜与固定电极同时形成。

也可以是，利用半导体制造工序来成膜防附着膜。

也可以是，防附着膜由铝系合金形成。

也可以是，通过使固定电极与可动电极之间产生引力，检测第一及第二固定电极与可动电极之间的静电电容的变化。

也可以是，在防附着膜的表面上设置有由有机材料构成的薄膜。

也可以是，薄膜为聚酰亚胺薄膜。

也可以是，将横梁部配置成向凹部一侧偏移，从而使从重量部的重心位置向转动轴下垂的垂线与可动电极的表面所成的角度变成大致45度。

发明的效果：

根据本发明，能够利用埋入电极兼做固定电极和检测电极，所以能够沿第一固定板的厚度方向配置固定电极和检测电极。由此，不需要用于使传感器和固定电极与检测电极电连接的电极部，因而不需要用于设置该电极部的空间。这样，能够实现传感器的小型化。

附图说明

根据下文的附图和下文提供的优选实施例的说明能够明白本发明的目的及特征。

图1是表示本发明的加速度传感器的实施方式1的分解立体图。

图2是同上的剖视图。

图3A及图3B是表示本发明的加速度传感器的实施方式2的图，图3A为俯视图，图3B为图3A的A-A′线剖面向视图。

图4是表示以往的加速度传感器的分解立体图。

图5是同上图的剖视图。

具体实施方式

在下文中，使用附图对本发明的加速度传感器的各实施方式进行说明。其中，由于本实施方式共用了以往例的基本结构，对共用的部位附加相同的编号并省略说明。此外，在下文的说明中，将图1中的上下定为上下方向，将与传感器芯片1的短边方向平行的方向定为x方向，将与传感器芯片1的长边方向平行的方向定为y方向，将与x方向及y方向相互正交的方向定为z方向。

（实施方式1）

如图1、图2所示，本实施方式的特征在于，沿上部固定板2a的厚度方向埋设有多个（图示为5个）由硅材料构成的埋入电极A1～A5。埋入电极A1～A4例如由高浓度地掺杂了杂质的低电阻硅（0.2Ω·cm以下）构成，其下端部以与各可动电极4a、5a对置的形式从上部固定板2a的下表面露出。此外，埋入电极A1～A4的上端部从上部固定板2a的上表面露出，其露出部位与由金属材料（例如铝）构成的引线结合用的布线电极B接合。这样，埋入电极A1～A4都将其下端部作为固定电极（与图4的20a、20b、21a、21b对应），并将上端部作为检测电极（与图4的80a、80b、90a、90b对应）来使用。此外，埋入电极A5在其上端部设置有接地电极10，并且，下端部与埋设在传感器芯片1中的由金属材料（例如铝）构成的压接电极11压接，从而电连接。可动电极4a（5a）经由压接电极11和埋入电极A5与接地电极10电连接。

如上述那样，由于能够利用埋入电极A1～A4兼做固定电极和检测电极，所以能够沿上部固定板2a的厚度方向配置固定电极和检测电极。由此，在传感器部中不需要用于将固定电极和检测电极电连接的、以往例的图4的电极部8a、8b、9a、9b，从而不需要设置该电极部8a、8b、9a、9b所需的空间。这样，能够实现传感器的小型化。此外，由于没有必要如以往的加速度传感器那样，通过压接电极81a、…将固定电极20a、…和电极部8a、…连接，在传感器的制造工序中，能够简化对传感器芯片1和上部固定板2a进行阳极接合的工序的一部分。

此外，为了减少噪声，期望兼做固定电极及检测电极的埋入电极A1～A4的布线电阻较小。在本实施方式中，通过将埋入电极A1～A4构成为块状来使布线电阻变小。此外，期望由P+型半导体构成埋入电极A1～A5。通过这样的结构，能够确保与布线电极B的电阻（Ohmic）性，所以在将布线电极B及接地电极10与埋入电极A1～A5接合时，能够使用简便的工艺。此外，埋入电极A1～A5不限于上述的P+型半导体，例如也可以是N+型半导体。此外，埋入电极A1～A5不限于半导体，也可以由金属材料构成。

（实施方式2）

在下文中，使用附图对本发明的加速度传感器的实施方式2进行说明，但由于本实施方式与实施方式1共用基本结构，对共用的部位附加相同的编号并省略说明。如图3A及图3B所示，本实施方式的特征在于，在各固定电极20a、20b、21a、21b上一体地形成有大致矩形的延伸配置部24a、24b、25a、25b，该延伸配置部24a、24b、25a、25b延长至不与各重量部4、5对置的位置，在上部固定板2a中埋设有大致圆柱状的埋入电极A1～A4，上述埋入电极A1～A4的下端部与该延伸配置部24a、24b、25a、25b接合，并且上端部与布线电极B接合。此外，在上部固定板2a的大致中央贯通设置有贯通孔22e，在传感器芯片1中，在经由该贯通孔22e露出至外部的部位设置有接地电极10。

如上述那样，由于埋入电极A1～A4配置为不与各重量部4、5对置，异物不会经由埋入电极A1～A4与上部固定板2a的边界落下至各重量部4、5。从而能够防止由异物的落下而阻碍各重量部4、5的动作。此外，在本实施方式中，由于不使接地电极10经由贯通孔22e露出至外部，没有必要如实施方式1那样使用埋入电极A5及压接电极11。因此，能够进一步简化对传感器芯片1与上部固定板2a进行阳极接合时的工序。

此外，在上述各实施方式中，与上述以往例的加速度传感器同样地设置了突起部43a、43b、53a、53b，但在由硅或硅氧化膜那样的传感器芯片的主材料形成突起部43a、43b、53a、53b的情况下，能够容易地制造突起部43a、43b、53a、53b。此外，也可以由碳材料涂覆突起部43a、43b、53a、53b的表层。在这种情况下，能够增加突起部43a、43b、53a、53b的机械强度，从而能够防止由上部固定板2a及下部固定板2b的碰撞导致的突起部43a、43b、53a、53b破损。另外，若采用碳纳米管作为碳材料，则能够减小涂覆的厚度尺寸，能够容易地将突起部43a、43b、53a、53b调整至期望的高度尺寸。突起部43a、43b、53a、53b可以如图5的以往例那样设置在可动电极4a、5a的各固定电极20a、20b、21a、21b的对置面，也可以设置在各固定电极20a、20b、21a、21b的可动电极4a、5a的对置面。

此外，在上述各实施方式中，与上述以往例的加速度传感器同样地设置有防附着膜23a、23b，但通过由与固定电极20a、…相同的材料形成防附着膜23a、23b，能够容易地形成防附着膜23a、23b。此时，若和固定电极20a、…一起形成防附着膜23a、23b，则能够提高各重量部4、5和各固定电极20a…之间，以及各重量部4、5与下部固定板2b之间的距离的精度。

此外，在利用半导体制造工序成膜防附着膜23a、23b的情况下，由于在防附着膜23a、23b的表面形成有微小的凹凸，能够更优良地防止重量部4、5附着在下部固定板2b上。在此，在由铝系合金形成防附着膜23a、23b的情况下，易于进行蚀刻加工。此外，也可以通过在防附着膜23a、23b的表面上形成与半导体制造工序的匹配性较好且易于加工的聚酰亚胺薄膜等有机材料薄膜，能够防止防附着膜23a、23b与重量部4、5之间的短路。

此外，在上述各实施方式中，通过将横梁部6a、6b、7a、7b配置为在重量部4、5的长边方向上从大致中央开始向凹部41、51侧偏移，能够使从重量部4、5的重心位置向转动轴下垂的垂线与可动电极4a、5a的表面所成的角度变成大致45度。从而仅偏移地配置横梁部6a、6b、7a、7b就能够将角度θ维持在大致45度，因此能够不增大重量部4、5的厚度尺寸或者是使重量部4、5轻型化就能够提高检测灵敏度。

此外，上述各实施方式中，按照以下的步骤能够进行加速度传感器的动作确认。即，通过在埋入电极A1或A2（第一固定电极20a或第二固定电极20b）与可动电极4a之间，或在埋入电极A3或A4（第一固定电极21a或第二固定电极21b）与可动电极5a之间产生引力，来使重量部4、5转动。并且，通过检测伴随着重量部4、5的转动而产生的各埋入电极A1～A4（各固定电极20a、…）与重量部4、5之间的静电电容的变化，能够确认加速度传感器是否在正常地动作。此外，通过使防附着膜23a、23b与可动电极4a、5a之间产生引力，来进行相同的动作确认。

此外，在上述各实施方式中，例示了检测在x方向和z方向的两个方向的加速度的加速度传感器，但若将上述的一个传感器部配置为相对于在xy平面内剩余的一个传感器部对称旋转90度，则能够实现检测包括y方向的三个方向的加速度的加速度传感器。此外，即使将三个传感器部配置在同一芯片中，并且两个传感器部配置为分别相对于剩余的一个传感器部在xy平面内对称旋转90度以及180度，也能够与上述同样地实现检测三个方向的加速度的加速度传感器。

虽然在上文中，以确定的实施例为中心说明了本发明，但在该技术领域内，在本发明的主旨及添付的权利要求范围内能够存在多种变形、变更或修正，由此，前述的说明及附图并非限定本发明的技术思想，而是通过例示来解释本发明。

Claims

1.一种加速度传感器，其特征在于，

具备传感器部，上述传感器部包括：

重量部，在一面开口的凹部和除凹部以外的实心部一体地形成；

一对横梁部，以使凹部和实心部沿转动方向并列的方式，转动自由地支撑重量部；

可动电极，在不同于凹部开口的上述一面的另一面中，跨过凹部和实心部而设置；

第一固定电极，配设在与可动电极中的凹部一侧对置的位置；

第二固定电极，配设在与可动电极中的实心部一侧对置的位置；以及

检测电极，与各个固定电极电连接，检测可动电极与固定电极之间的静电电容；

上述加速度传感器根据可动电极与固定电极之间的静电电容的变化来检测加速度，上述变化是伴随着以连结一对横梁部的直线为转动轴的重量部的转动而产生的，

该加速度传感器具有：

第一固定板，与重量部的可动电极侧的面隔有规定的间隔而配置；以及

埋入电极，沿厚度方向埋设在第一固定板中；

埋入电极将与该可动电极对置的一侧的端部作为上述固定电极来使用，将另一端部作为上述检测电极来使用。

2.如权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，

上述埋入电极由P+型半导体构成。

3.如权利要求1或2所述的加速度传感器，其特征在于，

检测施加在上述重量部上的第一方向的加速度和与第一方向正交的第二方向的加速度。

4.如权利要求3所述的加速度传感器，其特征在于，

在同一芯片中形成有多个上述传感器部。

5.如权利要求4所述的加速度传感器，其特征在于，

在同一芯片中形成有两个上述传感器部，一个传感器部配置成相对于另一个传感器部，在同一平面内旋转180度。

6.如权利要求5所述的加速度传感器，其特征在于，

上述两个传感器部相邻地配置。

7.如权利要求4所述的加速度传感器，其特征在于，

在同一芯片中形成有三个上述传感器部，两个传感器部配置成相对于剩余的一个传感器部，分别在同一平面中旋转90度及180度。

8.如权利要求1～7中的任意1项所述的加速度传感器，其特征在于，

在上述各固定电极的与可动电极的对置面、或是可动电极的与各固定电极的对置面上形成有突起部。

9.如权利要求8所述的加速度传感器，其特征在于，

上述突起部由硅或硅氧化膜形成。

10.如权利要求8所述的加速度传感器，其特征在于，

上述突起部的表层由碳材料形成。

11.如权利要求10所述的加速度传感器，其特征在于，

上述碳材料为碳纳米管。

12.如权利要求1～11的任意1项所述的加速度传感器，其特征在于，

具有第二固定板，该第二固定板与上述重量部的固定电极所对置的一侧的相反的一侧的面隔有规定的间隔而配置，并在第二固定板的与重量部对置的面上设置有用于防止重量部的附着的防附着膜。

13.如权利要求12所述的加速度传感器，其特征在于，

上述防附着膜由与固定电极相同的材料形成。

14.如权利要求12或13所述的加速度传感器，其特征在于，

上述防附着膜与固定电极同时形成。

15.如权利要求12～14的任意1项所述的加速度传感器，其特征在于，

利用半导体制造工序来成膜上述防附着膜。

16.如权利要求12～15的任意1项所述的加速度传感器，其特征在于，

上述防附着膜由铝系合金形成。

17.如权利要求12～16的任意1项所述的加速度传感器，其特征在于，

通过使上述固定电极与可动电极之间产生引力，检测第一及第二固定电极与可动电极之间的静电电容的变化。

18.如权利要求17所述的加速度传感器，其特征在于，

在上述防附着膜的表面上设置有由有机材料构成的薄膜。

19.如权利要求18所述的加速度传感器，其特征在于，

上述薄膜为聚酰亚胺薄膜。

20.如权利要求1～19的任意1项所述的加速度传感器，其特征在于，

将横梁部配置成向凹部一侧偏移，从而使从上述重量部的重心位置向上述转动轴下垂的垂线与可动电极的表面所成的角度变成大致45度。