JP5095930B2 - Memsデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の第1の形態に係るMEMSデバイス20における配線構造を示す縦断面図である。このMEMSデバイス20も、ジャイロセンサであり、以下に示す各実施の形態のMEMSデバイス共、センサ基板1および上側封止板10は、前述の図8および図9で示す構成と同様で、図1は図8の切断面線A−Aから見た縦断面図であり、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。
図4は、本発明の実施の第2の形態に係るMEMSデバイス30における配線構造を示す縦断面図である。このMEMSデバイス30は、前述のMEMSデバイス20に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、このMEMSデバイス30は、下側封止板31における前記凹部23の内面に、金属膜33をさらに有することである。
図6は、本発明の実施の第3の形態に係るMEMSデバイス40における配線構造を示す縦断面図である。このMEMSデバイス40は、前述のMEMSデバイス30に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、このMEMSデバイス40は、下側封止板41が、SOI基板から成ることである。SOI基板は、支持層41a上に、中間絶縁層41bを介してシリコンから成る活性層41cが積層されて構成されており、前記活性層41cが前記凹部23の底面23aとなる。
2 櫛歯型電極
4 開口部
5 フレーム
6 塊体
8 ビーム
10 上側封止板
12 駆動電極
20,30,40 MEMSデバイス
21,31,41 下側封止板
23 凹部
23a 底面
23b 斜面
24 低抵抗領域
25 不純物注入部
33 金属膜
41a 支持層
41b 中間絶縁層
41c 活性層
Claims (6)
- 枠体内にビームを介して塊体が変位自在に支持されて成るセンサ基板を上下一対の封止板で気密に封止し、前記センサ基板と前記封止板の少なくとも一方との間に、前記塊体への駆動信号の供給および/または前記塊体の可動量に対応した検出信号を取出すための内部電極を有するMEMSデバイスにおいて、
前記少なくとも一方の封止板は半導体基板から成るとともに、前記内部電極に向けて凹部を有し、該凹部の底面および内側面は前記凹部の内壁に注入された不純物の拡散による低抵抗領域として形成され、前記低抵抗領域を外部電極とし、
前記低抵抗領域は、前記凹部の底面は内部電極側まで、内側面は前記凹部の開口端部まで、それぞれ形成されたものであることを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記凹部の内面に、金属膜をさらに有することを特徴とする請求項1記載のMEMSデバイス。
- 前記半導体基板は、SOI基板であることを特徴とする請求項2記載のMEMSデバイス。
- 枠体内にビームを介して塊体が変位自在に支持されて成るセンサ基板を上下一対の封止板で気密に封止し、前記センサ基板と前記封止板の少なくとも一方との間に、前記塊体への駆動信号の供給および/または前記塊体の可動量に対応した検出信号を取出すための内部電極を有するMEMSデバイスの製造方法において、
半導体基板から成る前記少なくとも一方の封止板の前記内部電極と相対する位置に異方性エッチングによって外部側から凹部を形成する第1の工程と、
前記凹部の底面および内側面の開口端部にまで、低抵抗領域となるまで不純物を注入する第2の工程と、
前記凹部の底面に注入した不純物を前記内部電極側まで拡散させ、拡散電極を形成する第3の工程と、
前記拡散電極と前記内部電極とを当接させた状態で、前記センサ基板と封止板とを接合し、気密に封止する第4の工程とを含むことを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 前記第3の工程と第4の工程との間に、前記凹部の内面に、金属膜を蒸着する第5の工程をさらに有することを特徴とする請求項4記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記半導体基板は、SOI基板であり、前記第1の工程は、前記SOI基板の支持層に凹部を形成する第1−1の工程および前記凹部に露出したSOI基板の絶縁層をエッチング除去する第1−2の工程から成ることを特徴とする請求項5記載のMEMSデバイスの製造方法。
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