CN102651374A - 降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其包括下列步骤：提供一半成品；进行预热；进行涂胶工艺；进行透光板封盖工艺；以及进行封装工艺。借由进行预热，可使半成品在涂胶工艺及透光板封盖工艺的制造环境因素稳定，如此可使结合后的透光板保持高度平整。借由本发明的实施，可降低透光板倾斜、碎裂的状况，达到提高良率的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，特别是涉及一种借由预热使工艺环境稳定以提高良率的影像感测器制造方法。
背景技术
图1A是现有习知影像感测器组成结构的示意图。图1B是在现有习知影像感测器制造过程中，透光板倾斜并造成破裂情况的示意图。图1C是在现有习知影像感测器制造过程中，透光板倾斜并造成溢胶情况的示意图。
如图1A所示，现有习知的影像感测器100大致上是由电路基板10(例如Printed Circuit Board，PCB)、影像感测芯片20(Die)、透光板30以及封装胶材40所组成。影像感测芯片20设置于电路基板10上，并且通过打线方式借由金属导线25使影像感测芯片20与电路基板10上的电路电性连接，而透光板30则利用环氧树脂(Epoxy)等粘着剂26覆盖于影像感测芯片20的感光区(图未示)上方，外围再利用模造成型的方式使用封装胶材40将金属导线25、影像感测芯片20及透光板30的侧边等包覆住。
然而，如图1B所示，在进行模造成型工艺时，如果粘着于影像感测芯片20的感光区(图未示)上方的透光板30放置的不平整(例如左右歪斜)，将导致透光板30相对于影像感测芯片20或电路基板10的倾斜度(tilt)过大，并使得在进行模造成型工艺中模具50下压时容易造成透光板30破裂，而降低了制造影像感测器的良率。
另外，又如图1C所示，在进行模造成型工艺时，由于透光板30、影像感测芯片20及粘着剂26所围成的空间内的气体受到较高的环境温度加热易产生不均匀膨胀，不仅会推动透光板30造成透光板30倾斜，还会向外推挤粘着剂26形成溢胶的情况，因而降低了制造影像感测器的良率。
由此可见，上述现有的影像感测器制造方法在方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的影像感测器制造方法存在的缺陷，而提供一种新的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其系借由进行预热，先行释放影像感测芯片附近空间的大气压力，所要解决的技术问题是使得在透光板封盖之后的密闭空间不会受到后续工艺加温的影响而膨胀，以避免透光板发生不平整的现象，如此可降低透光板的倾斜度，并可避免透光板在封盖工艺中发生碎裂的问题，进而达到提高良率的效果，非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其包括下列步骤：提供一半成品，其为该影像感测器的半成品，其包括：一电路基板，其具有一承载面及一底面，在该承载面上设置有多个第一导电接点；以及一影像感测芯片，其具有：一第一表面，结合于该承载面上；一第二表面，其具有一感光区；及多个第二导电接点，其设置于该感光区的外侧，该些第二导电接点分别借由金属导线与该些第一导电接点电性连接；进行预热，其是将该半成品放置于具有一特定温度的环境下；进行涂胶工艺，其是在该进行预热步骤后涂覆一粘着剂于该第二表面上的该感光区的周围且不覆盖住该感光区；进行透光板封盖工艺，其是在该进行涂胶工艺后，放置一透光板于该粘着剂上，再使该粘着剂固化以固定该透光板于该第二表面上，并使该影像感测芯片及该透光板间形成一气室；以及进行封装工艺，其是以一封装胶材封装该半成品及该透光板。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的影像感测芯片为一互补式金属氧化物半导体影像感测芯片或一电荷耦合元件。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的特定温度是介于35℃至45℃之间。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的涂胶工艺的环境温度是介于35℃至45℃之间。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中在该涂胶工艺中，该粘着剂是涂覆于该感光区及该第二导电接点之间的区域，并且该粘着剂是呈一口字型图样。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的粘着剂进一步添加有多个球状支撑件。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的透光板封盖工艺的环境温度是介于35℃至45℃之间。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的透光板为一玻璃板。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的粘着剂为一光固化粘着剂。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中所述的光固化粘着剂为一紫外光固化粘着剂，且在该透光板封盖工艺中是通过一UV光照射该紫外光固化粘着剂使其固化。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中在该封装工艺中该封装胶材是包覆于该半成品、该粘着剂及该透光板的侧边。
前述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其中在该封装工艺中该封装胶材是设置于该电路基板上，并包覆于该影像感测芯片、该粘着剂及该透光板的侧边。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法至少具有下列优点及有益效果：
本发明可以使半成品在涂胶工艺制造环境因素稳定，以降低封盖后透光板倾斜度。
本发明可避免封盖后气室内的气体膨胀所造成的透光板倾斜的问题。
本发明可以减少封盖后溢胶问题的发生。
综上所述，本发明是有关于一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其包括下列步骤：提供一半成品；进行预热；进行涂胶工艺；进行透光板封盖工艺；以及进行封装工艺。借由进行预热，可使半成品在涂胶工艺及透光板封盖工艺的制造环境因素稳定，如此可使结合后的透光板保持高度平整。借由本发明的实施，可降低透光板倾斜、碎裂的状况，达到提高良率的效果。本发明在技术上有显著的进步，具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1A是现有习知影像感测器组成结构的示意图。
图1B是在现有习知影像感测器制造过程中，透光板倾斜并造成破裂情况的示意图。
图1C是在现有习知影像感测器制造过程中，透光板倾斜并造成溢胶情况的示意图。
图2是本发明实施例的一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法的流程图。
图3是本发明实施例的一种影像感测器的半成品的示意图。
图4A是本发明实施例的一种进行涂胶工艺后，影像感测器的半成品的俯视图。
图4B是本发明实施例的一种进行涂胶工艺后，影像感测器的半成品的结构示意图。
图5是本发明实施例的一种进行透光板封盖工艺后，影像感测器的半成品示意图。
图6A是本发明实施例的一种进行封装工艺后的影像感测器的第一实施状态图。
图6B是本发明实施例的一种进行封装工艺后的影像感测器的第二实施状态图。
图7A是本发明实施例的一种大型封装模具与影像感测器的半成品的结合剖视图。
图7B是图7A的局部放大图。
100：影像感测器 10：电路基板
11：承载面 12：第一导电接点
13：驱动IC及被动元件 14：底面
200：影像感测器的半成品 20：影像感测芯片
21：第一表面 22：第二表面
23：感光区 24：第二导电接点
25：金属导线 26：粘着剂
27：球状支撑件 30：透光板
31：气室 40：封装胶材
50：模具 600：大型封装模具
61：上盖 62：底座
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，应当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图2为本发明实施例的一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法的流程图。图3是本发明实施例的一种影像感测器的半成品的示意图。图4A是本发明实施例的一种进行涂胶工艺后，影像感测器的半成品的俯视图。图4B是本发明实施例的一种进行涂胶工艺后，影像感测器的半成品的结构示意图。图5是本发明实施例的一种进行透光板封盖工艺后，影像感测器的半成品示意图。图6A是本发明实施例的一种进行封装工艺后的影像感测器的第一实施状态图。图6B是本发明实施例的一种进行封装工艺后的影像感测器的第二实施状态图。图7A是本发明实施例的一种大型封装模具与影像感测器的半成品的结合剖视图。图7B是图7A的局部放大图。
如图2所示，本实施例为一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其包括下列步骤：提供一半成品(步骤S10)；进行预热(步骤S20)；进行涂胶工艺(步骤S30)；进行透光板封盖工艺(步骤S40)；以及进行封装工艺(步骤S50)。
如图3所示，提供一半成品(步骤S10)，本实施例所提供的半成品200为影像感测器的半成品，其包括：一电路基板10以及一影像感测芯片20。
电路基板10，其具有一承载面11及一底面14，承载面11上设置有多个第一导电接点12以作为打线时电性连接用；此外，承载面11上也可选择性地设置驱动IC及被动元件13，并且使驱动IC及被动元件13与承载面11上的电路进行电性连接。
影像感测芯片20，其可以为一互补式金属氧化物半导体影像感测芯片或一电荷耦合元件，并且影像感测芯片20具有：一第一表面21；一第二表面22；及多个第二导电接点24。
第一表面21为影像感测芯片20的下表面，并且第一表面21可通过一胶体结合于承载面11上，以使影像感测芯片20结合于电路基板10。第二表面22为影像感测芯片20的上表面，并且第二表面22具有一感光区23用以接收并感测光线，而第二导电接点24则设置于感光区23之外侧，并可分别借由金属导线25与第一表面21上的第一导电接点12电性连接。因此，影像感测芯片20可通过承载面11上的电路再与驱动IC及被动元件13电性连接。
进行预热(步骤S20)，其是将半成品200放置于具有一特定温度的环境下加热。其中，具有特定温度的环境可为一烘箱，特定温度是可介于35℃至45℃之间。借由对半成品进行预热，可使第二表面22及承载面11附近的气体温度达到与后续进行涂胶工艺以及进行透光板封盖工艺时的环境相同的温度范围，以释放第二表面22及承载面11附近区域的空间大气压力，避免第二表面22及承载面11附近的气体在进行后续涂胶工艺或进行透光板封盖工艺中受到加温的影响，而产生不均匀膨胀并造成透光板(图未示)倾斜的问题。这也使得在进行透光板封盖工艺之后所形成的密闭空间不会受加温影响而膨胀，导致透光板发生不平整现象，另外还可以避免溢胶情况的发生。
如图4A所示，进行涂胶工艺(步骤S30)，其是在进行预热(步骤S20)后涂覆一粘着剂26于第二表面22上感光区23的周围，并且在涂覆时粘着剂26不覆盖住感光区23。在涂胶工艺中，环境温度仍可维持在与预热工艺中相同的特定温度，例如介于35℃至45℃之间，并且粘着剂26可涂覆于感光区23及第二导电接点24之间的区域且呈一口字型图样，以使封装后的感光区23可被容置在粘着剂26及透光板(图未示)所构成的空间中，进而避免感光区23受到外部侵袭。
此外，又如图4B所示，粘着剂26可进一步添加有多个球状支撑件27(ball spacer)，球状支撑件27可以使透光板(图未示)与影像感测芯片20保持一最适当间距，进而控制透光板(图未示)的倾斜度在合理范围内。
如图5所示，进行透光板封盖工艺(步骤S40)，透光板30可以为一玻璃板，其是在进行涂胶工艺(步骤S30)后，放置透光板30于粘着剂26上，再使粘着剂26固化以固定透光板30于第二表面22上，并使影像感测芯片20及透光板30间形成一气室31。其中，在进行透光板封盖工艺时，环境温度也可维持在与预热工艺中相同的特定温度，例如维持在35℃至45℃之间。
粘着剂26可为一光固化粘着剂，特别可以为一紫外(UltraViolet，UV)光固化粘着剂，且透光板封盖工艺中是通过一UV光照射UV光固化粘着剂使其固化。
进行封装工艺(步骤S50)，其可通过模造成型(moding)封装工艺或是点胶(dispensing)技术以封装胶材40封装半成品及透光板30。
如图6A所示，可通过封装胶材40包覆于半成品、粘着剂26及透光板30的侧边。更详细地说，可借由封装胶材40将透光板30侧边与透光板30下方、电路基板10侧边与电路基板10上方以及涂覆粘着剂26的口字型区域外围之间的空间封合起来。借此，可通过封装胶材40包覆电路基板10的侧边，以避免电路基板10的侧边受到撞击而受损。
又如图6B所示，封装胶材40也可以设置于电路基板10上，并包覆于影像感测芯片20、粘着剂26及透光板30的侧边。更详细地说，可借由封装胶材40将透光板30侧边与透光板30下方、电路基板10上方但不含电路基板10侧边以及涂覆粘着剂26的口字型区域外围之间的空间封合起来。
如图7A及图7B所示，本实施例也可将完成透光板封盖工艺的半成品200排列于一大型封装模具600的底座62上，再将大型封装模具600的上盖61与底座62结合，然后进行封装工艺(步骤S50)，借以进行大量的生产。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (12)
1.一种降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其包括以下步骤：
提供一半成品，其为该影像感测器的半成品，其包括：一电路基板，其具有一承载面及一底面，在该承载面上设置有多个第一导电接点；以及一影像感测芯片，其具有：一第一表面，结合于该承载面上；一第二表面，其具有一感光区；及多个第二导电接点，其设置于该感光区的外侧，该些第二导电接点分别借由金属导线与该些第一导电接点电性连接；
进行预热，其是将该半成品放置于具有一特定温度的环境下；
进行涂胶工艺，其是在该进行预热步骤后涂覆一粘着剂于该第二表面上的该感光区的周围且不覆盖住该感光区；
进行透光板封盖工艺，其是在该进行涂胶工艺后，放置一透光板于该粘着剂上，再使该粘着剂固化以固定该透光板于该第二表面上，并使该影像感测芯片及该透光板间形成一气室；以及
进行封装工艺，其是以一封装胶材封装该半成品及该透光板。
2.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的影像感测芯片为一互补式金属氧化物半导体影像感测芯片或一电荷耦合元件。
3.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的特定温度是介于35℃至45℃之间。
4.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的涂胶工艺的环境温度是介于35℃至45℃之间。
5.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中在该涂胶工艺中，该粘着剂是涂覆于该感光区及该第二导电接点之间的区域，并且该粘着剂是呈一口字型图样。
6.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的粘着剂进一步添加有多个球状支撑件。
7.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的透光板封盖工艺的环境温度是介于35℃至45℃之间。
8.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的透光板为一玻璃板。
9.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的粘着剂为一光固化粘着剂。
10.根据权利要求9所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中所述的光固化粘着剂为一紫外光固化粘着剂，且在该透光板封盖工艺中是通过一UV光照射该紫外光固化粘着剂使其固化。
11.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中在该封装工艺中该封装胶材是包覆于该半成品、该粘着剂及该透光板的侧边。
12.根据权利要求1所述的降低透光板倾斜度的影像感测器制造方法，其特征在于其中在该封装工艺中该封装胶材是设置于该电路基板上，并包覆于该影像感测芯片、该粘着剂及该透光板的侧边。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103943640A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | 胜开科技股份有限公司 | 降低光学单元倾斜度的影像感测器制造方法 |
| CN104427215A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-03-18 | 光宝科技股份有限公司 | 图像获取模块 |
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Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2014083750A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | 光学装置及びその製造方法 |
| TWM455258U (zh) * | 2013-01-11 | 2013-06-11 | Kingpak Tech Inc | 具有氣室缺口之影像感測器結構 |
| CN104754930A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电子装置的重工方法 |
| EP3267486B1 (en) * | 2016-07-06 | 2020-12-30 | Kingpak Technology Inc. | Sensor package structure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6428650B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-08-06 | Amerasia International Technology, Inc. | Cover for an optical device and method for making same |
| CN1645598A (zh) * | 2004-01-23 | 2005-07-27 | 夏普株式会社 | 半导体器件、光学器件模块以及半导体器件的制造方法 |
| TW200608499A (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-01 | Himax Tech Inc | Sensor package |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05191733A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| TW521410B (en) * | 2001-11-15 | 2003-02-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package article |
| JP2004296453A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-10-21 | Sharp Corp | 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法 |
| US6874227B2 (en) * | 2003-06-03 | 2005-04-05 | Kingpak Technology Inc. | Method for packaging an image sensor |
| US7863702B2 (en) * | 2004-06-10 | 2011-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor package and method of manufacturing the same |
| TWI248665B (en) * | 2004-12-06 | 2006-02-01 | Chipmos Technologies Inc | Image sensor package and method for manufacturing the same |
| CN1873992A (zh) * | 2005-06-03 | 2006-12-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 影像感测器封装和封装制程 |
| JP2008029916A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 凸形状パターン形成方法とセンサーチップの製造装置および製造方法 |
| TW201103128A (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-16 | Creative Sensor Inc | Image sensor and the method for package of the same |
| JP2011060974A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及びデジタルカメラ |
| JP2011238667A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 |
-
2012
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6428650B1 (en) * | 1998-06-23 | 2002-08-06 | Amerasia International Technology, Inc. | Cover for an optical device and method for making same |
| CN1645598A (zh) * | 2004-01-23 | 2005-07-27 | 夏普株式会社 | 半导体器件、光学器件模块以及半导体器件的制造方法 |
| TW200608499A (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-01 | Himax Tech Inc | Sensor package |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103943640A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | 胜开科技股份有限公司 | 降低光学单元倾斜度的影像感测器制造方法 |
| CN104427215A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-03-18 | 光宝科技股份有限公司 | 图像获取模块 |
| TWI503589B (zh) * | 2014-04-23 | 2015-10-11 | 用於增加組裝平整度且降低調焦時間的影像擷取模組及其組裝方法 |
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