CN102642094A - 接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法。该接合用浆料含有(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子、(B)沸点为50～100℃的溶剂和(C)沸点为150～200℃的溶剂，相对于所述(B)组分和所述(C)组分的总计100质量份，所述(B)组分的含量为10～30质量份。该半导体元件与基板的接合方法具有：在基板上涂布所述接合用浆料，使所述接合用浆料干燥的工序；和在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。

Description

接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法
技术领域
本发明涉及接合用浆料以及使用该接合用浆料接合半导体元件与基板的方法。本发明特别适用于接合如LED元件等不希望长时间加热的半导体元件。
背景技术
近年，为了提高LED的亮度，LED要求的输出功率提高。作为伴随该LED的高输出功率化的热产生的对策，通常对LED元件与基板的接合进行使用含有20质量％的Sn的Au-Sn共晶合金(以下称为“Au20Sn”)焊料浆料的金属扩散接合(专利文献1、专利文献2)。Au20Sn具有约280℃的高熔点。另外，对于热敏电阻、热电元件或帕尔贴元件用半导体与基板的接合，SAW装置或石英振子等封装的盖密封等使用Au20Sn焊料浆料。
使用该Au20Sn焊料浆料，用回流炉等加热时，要求温度提高至比熔点280℃高的300～310℃。在此，作为LED元件，存在耐热温度为330℃左右的LED元件，从对LED元件的热损伤观点来看，为了接合LED元件而提高温度至300～310℃还谈不上优选。进而，若加热至上述温度，则因LED元件、Au-Sn合金焊料及基板的热膨胀系数差而产生的应力变大。此外，焊剂残渣增加，产生需要更仔细的洗涤工序的问题。另外，对于热敏电阻、热电元件或帕尔贴元件与基板的接合，SAW装置或石英振子等封装的盖密封等使用Au20Sn焊料浆料时，因热膨胀系数差而产生的应力也会变大。此外，焊剂残渣增加，同样产生需要更仔细的洗净工序的问题。而且，为了接合热敏电阻与基板而使用Au20Sn焊料浆料时，也存在热敏电阻的电阻值发生变化的问题。因此，需要与Au20Sn焊料浆料相比熔点或液相线温度为低温的接合材料。
专利文献1：日本特开2007-67145号公报
专利文献2：日本特开2007-61857号公报
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于，提供相比Au-Sn合金焊料在低温度下可接合的接合用浆料、以及使用该接合用浆料接合半导体元件与基板的方法。
以下示出了本发明的接合用浆料以及使用该接合用浆料接合半导体元件与基板的方法的方案。
〔1〕一种接合用浆料，其中，含有(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子、(B)沸点为50～100℃的溶剂和(C)沸点为150～200℃的溶剂，相对于所述(B)组分和所述(C)组分的总计100质量份，所述(B)组分的含量为10～30质量份。
〔2〕根据上述〔1〕所述的接合用浆料，所述(A)组分的粒径变动系数为50～65％。
〔3〕根据上述〔1〕或〔2〕所述的接合用浆料，所述(A)组分的金属纳米粒子相对于所述金属纳米粒子100质量份含有75质量份以上的Ag。
〔4〕根据上述〔1〕～〔3〕中任意一项所述的接合用浆料，相对于所述接合用浆料100质量份，所述(A)组分的含量为60～95质量份。
〔5〕根据上述〔1〕～〔4〕中任意一项所述的接合用浆料，所述(B)组分为选自丙酮、甲乙酮、异丙醇和乙酸乙酯中的一种以上。
〔6〕根据上述〔1〕～〔5〕中任意一项所述的接合用浆料，所述(C)组分为选自2-丁氧基乙醇、甲基甲氧基丁醇、环己酮、乙二醇乙醚乙酸酯、甲氧基乙酸和双丙酮醇中的一种以上。
〔7〕根据上述〔1〕～〔6〕中任意一项所述的接合用浆料，用于接合半导体元件与基板。
〔8〕一种半导体元件与基板的接合方法，其中，具有：在基板上涂布上述〔1〕～〔7〕中任意一项所述的接合用浆料，使所述接合用浆料干燥的工序；和在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。
〔9〕根据上述〔8〕所述的半导体元件与基板的接合方法，在所述加热工序，在大气中或惰性气体气氛中以180～280℃的温度加热5～60分钟。
〔10〕根据上述〔8〕或〔9〕所述的半导体元件与基板的接合方法，所述半导体元件为LED元件。
根据上述〔1〕的方案，可在200℃左右的低温度下接合，在接合部能抑制产生孔隙。而且，可得到良好的涂布性。因此，上述〔1〕的方案中的接合用浆料对于如LED元件等不希望在高温度下进行长时间加热的半导体元件与基板的接合非常有用。
此外，根据上述〔5〕的方案，可在200℃左右的低温度下接合。因此，可得到能抑制接合部产生孔隙的半导体元件与基板的接合体。
附图说明
图1为说明本实施方式的半导体元件与基板的接合方法的截面示意图。
符号说明
1基板
2接合用浆料
20烧结后的接合用浆料
3半导体元件
具体实施方式
以下，基于实施方式具体说明本发明。另外，只要表示含量的单位“％”没有特别表示，则表示质量％。
〔接合用浆料〕
本实施方式的接合用浆料的特征在于，含有(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子、(B)沸点为50～100℃的溶剂和(C)沸点为150～200℃的溶剂，相对于(B)组分和(C)组分的总计100质量份，含有10～30质量份的(B)组分。
<(A)组分>
(A)组分为平均粒径100nm以下的金属纳米粒子。金属可举出选自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Ni、Cu、Sn、In、Zn、Fe、Cr、Mn中的一种以上。从低温度下的烧结性、制造的容易性等观点来看，优选Ag、Au等，进而从成本方面来看，更优选Ag。
从低温烧结性、分散性、密封性的观点来看，金属纳米粒子的平均粒径为100nm以下。从金属纳米粒子的稳定性、制造容易的观点来看，金属纳米粒子的平均粒径优选20nm以上，更优选25～85nm，最优选25～70nm。若平均粒径大于100nm，则密封性有可能会变差。若平均粒径太小，则金属纳米粒子烧结体的强度有可能会降低。在此，平均粒径通过透射型电子显微镜(TEM)观察来测定。稍后描述具体的测定方法。从低温烧结性、分散性、密封性的观点来看，金属纳米粒子的形状优选为球状或棒状。
(A)组分的粒径变动系数(CV值，单位：％)优选为50～65％。上述变动系数更优选为52～63％，最优选为55～60％。粒径的偏差大时，即CV值大时，接合用浆料的接合强度降低。粒径的偏差小时，即CV值小时，接合用浆料的接合强度也降低。以下说明粒径变动系数的测定方法。首先，用TEM以约50万倍左右的倍率对金属纳米粒子拍照。接着，由得到的图像对200个金属纳米粒子测定一次粒径，将该一次粒径的平均值作为平均粒径。接着，通过计算式〔{(标准偏差)/(平均粒径)}×100〕由上述200个粒子的一次粒径求出变动系数。
从金属纳米粒子的稳定性、分散性的观点来看，(A)组分的金属纳米粒子优选用保护剂进行化学改性。保护剂含有有机分子，更优选有机分子主链的碳骨架为碳数1～3。由此，保护剂在低温度下分解，金属纳米粒子可在低温度下烧结。保护剂可举出例如柠檬酸、苹果酸、羟基乙酸。
<(B)组分>
(B)组分对接合用浆料提供涂布时的流动性。(B)组分因沸点为50～100℃，所以在涂布时残留在接合用浆料中而提供流动性。而且，(B)组分可在干燥后挥发而抑制接合用浆料的流动性，防止接合用浆料的渗出。此外，(B)组分在干燥后挥发。由此，抑制半导体元件与基板之间的孔隙产生，提高粘合性。(B)组分在20℃下的蒸气压优选为10hPa以上。由此，干燥后的挥发容易进行。
(B)组分可举出丙酮(沸点：56℃，蒸气压(20℃)：233hPa)、甲乙酮(沸点：80℃，蒸气压(20℃)：105hPa)、异丙醇(沸点：82℃，蒸气压(20℃)：43hPa)、乙酸乙酯(沸点：77℃，蒸气压(20℃)：97hPa)等。
<(C)组分>
(C)组分对接合用浆料提供涂布时的流动性和干燥后的粘附性。(C)组分因沸点为150～200℃，所以在干燥接合用浆料后也残留在接合用浆料中。然而，接合用浆料中的金属纳米粒子烧结时，(C)组分挥发。因此，抑制半导体元件与基板之间的孔隙产生，而不会变成残渣等。(C)组分在20℃下的蒸气压优选为不到10hPa。由此，可抑制干燥后的挥发。
(C)组分可举出2-丁氧基乙醇(别名：丁基溶纤剂，沸点：170℃，蒸气压(20℃)：0.8hPa)、甲基甲氧基丁醇(沸点：174℃，蒸气压(20℃)：0.67hPa)、环己酮(沸点：156℃，蒸气压(20℃)：4.7hPa)、乙二醇乙醚乙酸酯(别名：乙酸溶纤剂，沸点：156℃，蒸气压(20℃)：1.6hPa)、甲氧基乙酸(别名：甲氧基乙酸酯，沸点：170℃，蒸气压(20℃)：1.8hPa)和双丙酮醇(沸点：168℃，蒸气压(20℃)：1hPa)等。
从加热接合用浆料得到的金属纳米粒子烧结体的导电率、导热率的观点来看，在(A)组分中，相对于金属纳米粒子100质量份，Ag的含量优选为75质量份以上、100质量份以下，更优选85质量份以上、100质量份以下。
相对于接合用浆料100质量份，(A)组分的含量优选为60～95质量份，更优选为70～90质量份。若(A)组分少，则金属纳米粒子烧结体的强度不够，由此半导体元件与基板之间的接合强度有可能会降低。此外，金属纳米粒子烧结体的导电率有可能会降低。若(A)组分多，则接合用浆料的涂布性(印刷性)有可能会降低。
从接合用浆料的涂布性(印刷性)的观点来看，相对于(B)组分和(C)组分的总计100质量份，(B)组分的含量为10～30质量份。
此外，在不损害本实施方式目的的范围内，接合用浆料可含有消泡剂、触变剂、流平材料、流变改性剂等添加剂。
由于本实施方式的接合用浆料可在低温下接合，可抑制产生接合部孔隙且涂布性良好，所以在被接合体为半导体元件和基板时优选，若半导体元件为不优选长时间加热的LED元件，则特别优选。
〔半导体元件与基板的接合方法〕
本实施方式的半导体元件与基板的接合方法具有：在基板上涂布上述本实施方式的接合用浆料，进行干燥的工序；和在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。
图1为说明本实施方式的半导体元件与基板的接合方法的截面示意图。首先，如图1(A)所示，准备基板1。接着，如图1(B)所示，在基板1上涂布接合用浆料2，进行干燥。干燥温度优选为80～110℃。之后，如图1(C)所示，在接合用浆料2上搭载半导体元件3。接着，通过加热，如图1(D)所示，接合用浆料变成金属纳米粒子的烧结体20(烧结后的接合用浆料)，半导体元件3与基板1通过烧结体20接合。
半导体元件可举出LED元件、热敏电阻、热电元件、帕尔贴元件用半导体等。
基材没有特别限制，作为基板可使用由玻璃、陶瓷、高分子材料或硅形成的基板中的任意一种，或者选自玻璃、陶瓷、高分子材料和硅中的两种以上的层压体。高分子基板可举出由聚酰亚胺、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等有机聚合物形成的基板。
以银纳米粒子的情况对(A)组分的金属纳米粒子的制造方法的一例进行说明。首先，将硝酸银溶解于去离子水等水中制备金属盐水溶液。另一方面，使柠檬酸钠溶解于去离子水等水中制备浓度为10～40质量％的柠檬酸钠水溶液。在该柠檬酸钠水溶液中，在氮气等惰性气体的气流中直接加入粒状或粉状的硫酸亚铁并使之溶解，制备以3∶2的摩尔比含有柠檬酸离子和亚铁离子的还原剂水溶液。接着，在惰性气体气流中搅拌还原剂水溶液的同时，向该还原剂水溶液滴下金属盐水溶液进行混合。在此，优选调节各溶液的浓度，使金属盐水溶液的添加量为还原剂水溶液量的1/10以下。由此，即使滴下室温的金属盐水溶液也可保持反应温度在30～60℃。此外，调节两种水溶液的混合比，使作为还原剂加入的亚铁离子的当量为金属离子当量的3倍。即，调节两种水溶液的混合比，使(金属盐水溶液中的金属离子的摩尔数)×(金属离子的价数)＝3×(还原剂水溶液中的亚铁离子的摩尔数)。金属盐水溶液的滴下结束后，进一步持续搅拌混合液10～300分钟，制备由金属胶体构成的分散液。将该分散液放置在室温下，用倾析法或离心分离法等分离沉降的金属纳米粒子的凝聚物。接着，对该分离物加入去离子水等水形成分散体，通过超滤进行脱盐处理。进而，连续用与水相溶的有机溶剂进行置换洗涤，使金属(银)的含量为2.5～50质量％。之后，使用离心分离机，调节该离心分离机的离心力进行粗粒分离。由此，制备成金属纳米粒子的一次粒径在20～100nm的范围内，且粒径变动系数为50～65％。另外，通过使用柠檬酸钠，银纳米粒子由柠檬酸(保护剂)进行化学改性。柠檬酸的有机分子主链碳骨架的碳数为3。若将柠檬酸钠替换为苹果酸钠或羟基乙酸钠，则由苹果酸或羟基乙酸(保护剂)化学改性银纳米粒子。苹果酸或羟基乙酸的有机分子主链碳骨架的碳数为2或1。这样，通过将柠檬酸钠替换为苹果酸钠或羟基乙酸钠，可使化学改性银纳米粒子的保护剂的有机分子主链碳骨架的碳数从3变为2或1。
作为构成银纳米粒子以外的金属纳米粒子的金属使用Au、Pt、Pd、Ru、Ni、Cu、Sn、In、Zn、Fe、Cr、Mn时，制备金属盐水溶液时使用的硝酸银替换为氯化金酸、氯化铂酸、硝酸钯、三氯化钌、氯化镍、硝酸亚铜、二氯化锡、硝酸铟、氯化锌、硫酸铁、硫酸铬或硫酸锰。除此以外，可与上述一样制备分散体。
通过用涂料振动机、球磨机、砂磨机、离心磨机、三辊磨机等以常规方法混合所希望的组分，使(A)组分分散在(B)组分和(C)组分中。由此，可制作接合用浆料。当然，也可通过通常的搅拌操作进行制造。
接合用浆料的涂布优选为喷涂法、点胶机涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、网版印刷法、胶版印刷法或铸模涂布法中的任意一种，但并不限于这些涂布法，可利用所有的方法。
喷涂法为通过压缩空气使接合用浆料成雾状地涂布于基板，或对分散体(接合用浆料)自身加压成雾状地涂布于基板的方法。点胶机涂布法为例如将接合用浆料放入注射器，通过按压该注射器的活塞从注射器前端的微小喷嘴吐出分散体(接合用浆料)而涂布于基板的方法。旋涂法为向旋转的基板上滴下接合用浆料，通过该离心力将此滴下的接合用浆料扩展至基板周边的方法。刮涂法为设置使与刮刀前端给出规定间隙的基板可在水平方向上移动，由该刮刀向上游侧的基板上供给接合用浆料，使基板向下游侧水平移动的方法。狭缝涂布法为从窄狭缝流出接合用浆料并涂布到基板上的方法。喷墨涂布法为将接合用浆料填充于市场上销售的喷墨印刷机的墨盒，喷墨印刷到基板上的方法。网版印刷法是使用网布作为图案指示材料，通过在其上制作的网版图像使接合用浆料转移到基板上的方法。胶版印刷法是不使附在胶版上的接合用浆料直接附着于基板，而是从胶版一次性转印到橡胶片上，再从橡胶片转移到基板上的印刷方法，利用了接合用浆料的防水性。铸模涂布法是使用歧管对供给到铸模内的接合用浆料进行分配，从狭缝挤出到薄膜上，对移动的基板表面进行涂布的方法。铸模涂布法有条缝涂布方式或滑动涂布方式、幕涂方式。
接着，利用自然干燥或干燥机等干燥涂布接合用浆料的基板，形成接合用浆料涂膜。
在干燥的接合用浆料涂膜上设置半导体元件的方法可为本领域技术人员公知的方法，可使用贴片机等。
接着，将具有搭载半导体元件的接合用浆料涂膜的基板在大气中或氮气、氩气等惰性气体气氛中、在180～280℃、优选180～230℃下保持5～60分钟、优选15～40分钟进行烧成。在此，金属纳米粒子为Ag时，从随着银纳米粒子的活性化的烧结性提高、保护剂的挥发性或分解性的观点来看，优选在大气中加热(烧成)。
烧成温度不到180℃时，有可能不会充分进行金属纳米粒子的烧结。若烧成温度超出280℃，不会产生所谓低温工艺的生产上的优点。即，制造成本增大，生产率降低。此外，特别是在半导体元件如LED元件等一样对热较弱时，半导体元件因烧成工序而受到热损伤。
烧成时间不到5分钟时，有可能不会充分进行金属纳米粒子的烧结。若烧成时间超出60分钟，则制造成本增大至所需以上，从而生产率降低。此外，LED元件等半导体元件有可能会受到热损伤。
通过以上，可得到半导体元件与基板的接合体。这样，本实施方式的半导体元件与基板的制造方法可在200℃左右的低温下接合，由此可抑制产生接合部孔隙。此外，可提高涂布性好的接合用浆料。本实施方式对于如LED元件等半导体元件与基板的接合一样的不优选高温度下长时间加热的接合非常有用。此外，对于SAW装置或石英振子等封装的盖密封等也是有用的。
[实施例]
以下，通过实施例详细说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
银纳米粒子制造如下。首先，将硝酸银溶解于去离子水中，制备金属盐水溶液。另一方面，使柠檬酸钠溶解于去离子水中制备浓度为20％的柠檬酸钠水溶液。在该柠檬酸钠水溶液中，在氮气的气流中直接加入粒状的硫酸亚铁并使之溶解，制备以3∶2的摩尔比含有柠檬酸离子和亚铁离子的还原剂水溶液。接着，在氮气气流中搅拌还原剂水溶液的同时，向该还原剂水溶液滴下金属盐水溶液进行混合。在此，调节各溶液的浓度，使金属盐水溶液的添加量为还原剂水溶液量的5％。由此，即使滴下室温的金属盐水溶液也可保持反应温度在30～60℃。另外，两种水溶液(还原剂水溶液和金属盐水溶液)的混合比调节成作为还原剂加入的亚铁离子的当量为金属离子当量的3倍。即，调节两种水溶液的混合比，使(金属盐水溶液中的金属离子的摩尔数)×(金属离子的价数)＝3(还原剂水溶液中的亚铁离子的摩尔数)。金属盐水溶液的滴下结束后，进一步持续搅拌混合液240分钟，制备由金属胶体构成的分散液。将该分散液放置在室温下，用倾析法或离心分离法等分离沉降的金属纳米粒子的凝聚物。之后，对该分离物加入去离子水形成分散体，通过超滤进行脱盐处理。进而，连续用与水相溶的有机溶剂进行置换洗涤，使金属(银)的含量为30质量％。之后，使用离心分离机，调节该离心分离机的离心力而分离粗粒。由此，制备为金属纳米粒子的一次粒径在20～100nm的范围内，且粒径变动系数为50～65％。详细来说，粒径变动系数为58％。此外，改变离心分离器的离心力，制备变动系数(CV值，单位：％)不到50％的银纳米粒子和变动系数超出65％的银纳米粒子。而且，上述三种银纳米粒子的平均粒径均为42nm。
将如此得到银纳米粒子称量在软膏瓶中，加入(C)组分并用混合器等混合。之后，加入(B)组分再次用混合器等混合，从而得到100g的接合用浆料。而且，调节使(B)和(C)的总组分量相对于银纳米粒子80质量份为20质量份。表1～5中示出了实施例1～18和比较例1～18的配合比。
(印刷性评价)
用网版印刷机将如上得到的2.8g的接合用浆料涂布于表面实施镀Ni/Au的Si制基板的镀面，制作长度20mm、宽度20mm和厚度0.5mm的涂膜。目视确认渗出、飞白(かすれ)等来评价印刷性。将无渗出和飞白的情况评价为“A(好)”，将存在渗出和飞白的情况评价为“B(差)”。表1～5中示出了印刷性结果。而且，印刷性的评价使用了含有一次粒径为20～100nm、且粒径变动系数为50～65％的银纳米粒子(平均粒径：42nm，变动系数：58％)的接合用浆料。
(粘合性评价)
准备长度5mm、宽度5mm、厚度5mm的蓝宝石基板作为元件的替代品。在涂布于Si制基板的接合用浆料上设置元件(蓝宝石基板)，在大气中以200℃烧成20分钟得到接合体。目视评价得到的接合体的粘合性。形状稳定时为“A(好)”，形状欠缺时为“B(差)”。表1～5中示出了粘合性结果。而且，粘合性的评价使用了含有一次粒径为20～100nm、且粒径变动系数为50～65％的银纳米粒子(平均粒径：42nm，变动系数：58％)的接合用浆料。
(剪切强度测定)
使用Dage Japan(デイジ·ジヤパン)株式会社制造的胶接试验仪(型号：4000系列)，如下测定剪切强度。将上述粘合性评价中得到的接合体水平固定于Si制基板的下面。进而，用均分工具(シエアツ一ル)从侧面水平推元件(蓝宝石基板)，测定元件(蓝宝石基板)与Si制基板的接合面断裂时的强度。表1～5中示出了剪切强度结果。而且，表1～5的剪切强度栏的(a)、(b)和(c)分别因(A)组分的金属纳米粒子(银纳米粒子)的粒径变动系数不同而不同。(a)为使用含有粒径变动系数不到50％的金属纳米粒子的接合用浆料的接合体的剪切强度。(b)为使用含有粒径变动系数为50～65％的金属纳米粒子的接合用浆料的接合体的剪切强度。(c)为使用含有粒径变动系数超出65％的金属纳米粒子的接合用浆料的接合体的剪切强度。
[表1]
Figure BDA0000134273210000121
[表2]
Figure BDA0000134273210000122
[表3]
Figure BDA0000134273210000131
[表4]
Figure BDA0000134273210000132
[表5]
Figure BDA0000134273210000141
由表1～5可知，在所有实施例1～18中，印刷性和粘合性良好，且剪切强度高。特别是(A)组分的金属纳米粒子的粒径变动系数为50～65％时(项目(b))的剪切强度非常高，为39～44MPa。与此相对，不含(B)组分的比较例1、3、5、7、9、11、13、15、17中，大多为粘合性差，剪切强度也不到20MPa的结果。此外，相对于(B)组分和(C)组分的总计100质量份，含有50质量份的(B)组分的比较例2的印刷性差，接合强度也比实施例低。
产业上的可利用性
本实施方式的接合用浆料可在低温下接合，可抑制产生接合部孔隙。进而可得到良好的涂布性。因此，本实施方式优选适用于如LED元件等不优选高温度下长时间加热的半导体元件与基板的接合工序。

Claims (10)

1.一种接合用浆料，其特征在于，含有：
(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子；
(B)沸点为50～100℃的溶剂；和
(C)沸点为150～200℃的溶剂，
相对于所述(B)组分和所述(C)组分的总计100质量份，所述(B)组分的含量为10～30质量份。
2.根据权利要求1所述的接合用浆料，所述(A)组分的粒径变动系数为50～65％。
3.根据权利要求1所述的接合用浆料，所述(A)组分的金属纳米粒子相对于所述金属纳米粒子100质量份含有75质量份以上的Ag。
4.根据权利要求1所述的接合用浆料，相对于所述接合用浆料100质量份，所述(A)组分的含量为60～95质量份。
5.根据权利要求1所述的接合用浆料，所述(B)组分为选自丙酮、甲乙酮、异丙醇和乙酸乙酯中的一种以上。
6.根据权利要求1所述的接合用浆料，所述(C)组分为选自2-丁氧基乙醇、甲基甲氧基丁醇、环己酮、乙二醇乙醚乙酸酯、甲氧基乙酸和双丙酮醇中的一种以上。
7.根据权利要求1所述的接合用浆料，所述接合用浆料用于接合半导体元件与基板。
8.一种半导体元件与基板的接合方法，其特征在于，具有：
在基板上涂布权利要求1所述的接合用浆料，使所述接合用浆料干燥的工序；和
在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。
9.根据权利要求8所述的半导体元件与基板的接合方法，在所述加热工序，在大气中或惰性气体气氛中以180～280℃的温度加热5～60分钟。
10.根据权利要求8所述的半导体元件与基板的接合方法，所述半导体元件为LED元件。
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