CN102623863B - 传输线、阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块 - Google Patents

传输线、阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种传输线、阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块，传输线包括：具有逐渐变窄的平面形状且平行布置的两条渐缩线；与两条渐缩线的较窄宽度侧相对地设置的对置线；以及用于连接两条渐缩线的较窄宽度侧和对置线的接合线，其中，平行布置的两条渐缩线的较窄宽度侧上的两个外缘之间的宽度大于对置线的与两条渐缩线的较窄宽度侧相对的相对侧上的外缘之间的宽度，其中，接合线包括第一组与第二组，第一组的多条布线以相同间隔跨过渐缩线的一侧设置，并且当投影在对置线的平面上时在第一方向上彼此平行地延伸，第二组中的多条布线以相同间隔跨过渐缩线的一侧设置，并且在第二方向上彼此平行地延伸，第二方向与第一方向不同。

Description

传输线、阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块
技术领域
本文讨论的实施例涉及一种传输线、包括传输线的阻抗变换器、包括阻抗变换器的集成电路安装装置、以及包括集成电路安装装置的通信装置模块。
背景技术
近来，移动电话基站或雷达需要一种安装有包括高输出晶体管的集成电路芯片的高输出集成电路装置。在这样的集成电路安装装置中，通过将集成电路芯片上形成的多个功率晶体管平行布置在金属封装上并通过电介质基板上的线形成阻抗变换器以进行阻抗匹配，来实现高输出特性。
为了形成宽带匹配电流，使用阻抗变换器，其中多个1/4波长线串联连接以保持Q值为小。这样的阻抗变换器被广泛用于要求宽带特性的集成电路安装装置中，这是因为宽带特性可以通过增加1/4波长线的级数而获得。当配置1/4波长阻抗变换器时，在将布线的基板厚度、基板的介电常数和布线宽度纳入考虑的情况下，形成具有期望特性阻抗的传输线。
图1A和1B是说明了阻抗转换的图，其中图1A示出了采用一级匹配的情形，并且图1B示出了采用两级匹配的情形。假定晶体管的输出阻抗为R1，后续级中的输入阻抗为R0，且R0>R1成立。当执行图1A所示的采用一级的匹配时，使用具有特性阻抗Z的一个1/4波长线，并且将其设置为Z＝(R0×R1)1/2。与之相比，当执行图1B所示的采用两级的匹配时，将具有特性阻抗Z1的1/4波长线和具有特性阻抗Z2的1/4波长线串联连接，并将其设置为Z1＝(R13×R0)1/4和Z2＝(R1×R03)1/4。存在将三级或更多级中的1/4波长线串联连接的情况。
在高输出集成电路安装装置中，增大晶体管的栅极宽度来增大输出。晶体管的栅极宽度的增大可以通过使用平行的具有相同特性的多个晶体管并共同连接所述多个晶体管的输出来实现。如果以这种方式增大晶体管的栅极宽度，则晶体管的输出阻抗减小至1Ω或更小。为了使晶体管的输出增至最大，几欧姆的输出阻抗被转换成通常使用的50Ω，从而执行阻抗匹配。在这种情况下，为了确保频带，如图1B所示，将多个阻抗变换器串联连接，并且阻抗被逐步地转换成50Ω以进行匹配。基于基板的介电常数、阻抗等来确定1/4波长线的形状，诸如其长度和宽度。由此，与使用具有高介电常数的基板的低阻抗线相比，使用具有低介电常数的基板的高阻抗线具有更长的长度和更宽的宽度。结果，存在这样的问题：匹配电路的尺寸增大。由此，使用布线时使长线弯曲的图案布局来减小匹配电路的尺寸。
另一方面，由于宽带的近期发展，对大容量高速无线电通信的需要不断增加。预期将会广泛使用移动电话的第三代基站放大器以处理更大的容量，进一步地，未来将会发展第四代。新通信方案(WiMAX)已经投入实际应用，预期将会显现出容量的增加。在这样的情形中，需要更高的输出、更高的效率、更宽的频带以及成本的降低。另一方面，对于雷达放大器，需要用以改进诸如检测范围的扩展和分辨率的性能的更高的输出和更宽的频带、以及此外用以实现操作成本降低和冷却器的尺寸减小的高效率。此外，在相控阵雷达中，需要在窄空间中以阵列形式布置包括放大器的雷达元件，并且因此，需要减小放大器的尺寸。
相关文献
[专利文献1]日本公开专利公布第H11-122009号
[专利文献2]日本公开专利公布第H10-284920号
[专利文献3]日本公开专利公布第S57-037903号
[非专利文献1]S.B.Cohn,"Optimum Design of SteppedTransmission-Line Transformers",IRE trans.MTT-3,pp.16-21,1955.
发明内容
根据实施例，实现了一种紧凑型传输线、紧凑型阻抗变换器、集成电路安装装置和通信装置模块。
根据实施例的一个方面，传输线包括：具有逐渐变窄的平面形状且平行布置的两条渐缩线；与两条渐缩线的较窄宽度侧相对地设置的对置线；以及用于连接两条渐缩线的较窄宽度侧和对置线的接合线，其中，平行布置的两条渐缩线的较窄宽度侧上的两个外缘之间的距离大于对置线的与两条渐缩线的较窄宽度侧相对的相对侧上的外缘之间的距离，其中，接合线包括连接两条渐缩线中的一条和对置线的第一组与连接两条渐缩线中的另一条和对置线的第二组，第一组中的多条布线以相同间隔跨过渐缩线的一侧设置，并且当投影在对置线的平面上时在第一方向上彼此平行地延伸，以及第二组中的多条布线以相同间隔跨过渐缩线的一侧设置，并且在第二方向上彼此平行地延伸，当投影在所述对置线的平面上时第二方向与所述第一方向不同。
附图说明
图1A和1B是说明阻抗转换的图；
图2是示出了包括弯曲形状的线的高输出集成电路安装装置的匹配电路的传统示例的图；
图3是示出了当应用图2所示的、使用两个芯片且具有弯曲形状的线的输出匹配电路时假定的电路布置的示例的图；
图4是示出了第一实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图；
图5A是第一实施例中的集成电路安装装置的顶视图，图5B是沿着顶视图中的虚线的部分的截面图；
图6是示意性地示出了第一实施例中的集成电路安装装置的阻抗转换电路的图；
图7A是示出了具有第一实施例中的电路布置的放大器的测量特性的图，图7B是示出了具有图3中的电路布置的放大器的测量特性的图，这两个放大器是作为样品生产的；
图8是示出了第二实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图；
图9是示出了第二实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图；
图10是示出了第三实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图；
图11是示出了第四实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图；
图12是示出了第五实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图；
图13示出了当在第四实施例的电路布置中将低阻抗线形成为逐渐变窄的形状时的修改示例；以及
图14是示出了使用高输出放大器电路装置的通信装置模块的配置的图。
具体实施方式
在说明实施例之前，将说明增大集成电路安装装置的输出和减小集成电路安装装置的尺寸的技术。
图2是示出了包括弯曲形状的线的高输出集成电路安装装置的匹配电路的传统示例的图。在图2中，集成电路芯片11包括多个晶体管。集成电路芯片11的左侧是输入匹配电路20，而右侧是输出匹配电路30。输入匹配电路20包括形成在基板21上的弯曲形状的1/4波长线22、形成在基板23上的线性形状的1/4波长线24、用于连接1/4波长线22和1/4波长线24的接合线25、以及用于连接1/4波长线24和集成电路芯片11的输入端的接合线26。1/4波长线22的左侧上的端部IN是输入部分，并且其通过接合线等连接到集成电路安装装置的封装的端子。输出匹配电路30包括形成在基板31上的逐渐变窄的形状的电极32、形成在基板33上的线性形状的1/4波长线34、形成在基板35上的弯曲形状的1/4波长线36、用于连接集成电路芯片11的输出端和电极32的接合线37、用于连接电极32和1/4波长线34的接合线38、以及用于连接1/4波长线34和1/4波长线36的接合线39。1/4波长线36的右侧上的端部OUT是输出部分，并且其通过接合线等连接到集成电路安装装置的封装的端子。通过使用弯曲形状的线，可以减小集成电路安装装置在信号行进的方向上的宽度。
通常通过接合线来实现连接。例如，在图2的传统示例中，集成电路芯片11和1/4波长线24、以及集成电路芯片11和1/4波长线32分别通过8条接合线26和37连接。此外，对于1/4波长线22和1/4波长线24的连接，使用了4条接合线25，而对于电极32和1/4波长线34的连接以及1/4波长线34和1/4波长线36的连接，分别使用了4条接合线38和39。使用具有平行偏移的键合位置的相同键合装置来键合多条布线。因此，投影在键合平面(线)上的接合线的迹线平行地延伸。下文中，用措辞“布线是平行的”来表示这样的情况。
在高输出半导体电路中，使用了晶体管芯片，其中形成在半导体芯片上的功率晶体管在金属封装中按多个行平行布置。为了提取晶体管的性能，匹配电路被布置在晶体管芯片的输入/输出处。匹配电路是电介质基板上的线且由阻抗转换器配置成，并通过阻抗匹配晶体管来实现高输出特性。
为了增大输出，使晶体管的栅极宽度更宽。通过将相同的信号输入多个晶体管并共同连接所述多个晶体管的输出，基本上使晶体管的栅极宽度更宽，并且实现了输出的增大。此时，芯片内的晶体管平行连接的数目增加，并且多个芯片以对齐的方式被布置以合成功率。如果芯片内的晶体管平行连接的数目增加，则芯片的横向宽度尺寸相应地增大，晶体管芯片的两端处的输出部分(焊盘)之间的长度增大。此外，还当以对齐的方式布置多个芯片时，位于两端处的输出部分之间的长度增大。希望形成匹配电路以从这样的晶体管芯片或多个芯片中提取输出，而不使晶体管的输出性能变差。
图3是示出了当应用图2所示的、使用两个芯片且具有弯曲形状的线的输出匹配电路时假定的电路布置的示例的图。希望将输入匹配电路考虑在内，然而，输入匹配电路可以通过例如以对称的方式布置输出匹配电路来实现，因此，为了简化说明，仅说明了输出匹配电路。
在图3中，参考标号20表示输入匹配电路，而30表示输出匹配电路。如上所述，省略了对输入匹配电路20的说明。
如图3所示，两个芯片11A和11B被布置为使得每个晶体管的输出端被布置在一条线中，换言之，芯片11A和11B并排地布置。
输出匹配电路30具有低介电常数基板31A和31B、高介电常数基板33A和33B、以及低介电常数基板35。在低介电常数基板31A上，形成具有逐渐变窄的(梯形)平面形状的渐缩线32A。在低介电常数基板31B上，形成具有逐渐变窄的(梯形)平面形状的渐缩线32B。在高介电常数基板33A上，形成具有线性(矩形)平面形状的低阻抗线34A。在高介电常数基板33B上，形成具有线性(矩形)平面形状的低阻抗线34B。在低介电常数基板35上，形成用于对低阻抗线34A和34B的输出进行阻抗匹配并在输出OUT处合成它们的高阻抗线36A和36B。希望在高阻抗线36A和36B的输入之间插入电阻器以防止诸如由于封装时的变化而产生的电路振荡的麻烦。高阻抗线36A和36B的输入端的位置是分开的，因此，连接线40A和40B从高阻抗线36A和36B的输入端延伸并与电阻器41连接。
渐缩线32A的较宽宽度侧(梯形的长底边)与芯片11A相对并通过接合线连接。渐缩线32B的较宽宽度侧(梯形的长底边)与芯片11B相对并通过接合线连接。芯片11A的长度和渐缩线32A的长底边的宽度、以及芯片11B的长度和渐缩线32B的长底边的宽度基本上相同，因此，接合线是平行的。
渐缩线32A的较窄宽度侧(梯形的短底边)与低阻抗线34A相对并通过接合线连接。渐缩线32B的较窄宽度侧(梯形的短底边)与低阻抗线34B相对并通过接合线连接。渐缩线32A的短底边的宽度和低阻抗线34A的宽度、以及渐缩线32B的短底边的宽度和低阻抗线34B基本上相同，因此，接合线是平行的。
低阻抗线34A与高阻抗线36A相对并通过接合线连接。低阻抗线34B与高阻抗线36B相对并通过接合线连接。
因此，在图3中的输出匹配电路中，用于连接线的接合线基本上平行。
根据基板的介电常数确定渐缩线32A和32B、低阻抗线34A和34B以及高阻抗线36A和36B的宽度和长度以实现阻抗匹配。
如图2和图3所示，形成在低介电常数基板上的渐缩线具有逐渐变窄的(梯形)平面形状并处于芯片的相对侧的端部处，使布线的宽度比芯片的宽度尺寸窄。
然而，当使用渐缩线时，从芯片的两个端部输出的信号的信号路径长度与从芯片中央部分输出的信号的信号路径长度不同。因此，特别是在高频下，信号相互抵消输出，变得难以高效地提取信号。结果，降低了输出、效率和频带。此外，难以精确调整妨碍生产改进的传统电路特性。
在以下描述的实施例中，提供了高性能集成电路安装装置，其中减小了从芯片的两个端部输出的信号与从中央部分输出的信号之间的信号路径长度差。
图4是示出了第一实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图。
第一实施例中的集成电路安装装置的电路布置具有：以行的形式排列多个晶体管的两个芯片11A和11B、输入匹配电路20和输出匹配电路30。从输入匹配电路20的输入端输入的信号在输入匹配电路20保持阻抗匹配的情况下被并行地输入到两个芯片的晶体管的输入。因此，相同信号被输入到多个晶体管，并且多个晶体管同时向输出匹配电路30并行地输出相同输出。输出匹配电路30在保持阻抗匹配的情况下合成并行地来自两个芯片11A和11B的信号输入，并从输出端OUT将其输出。由此，晶体管的栅极宽度基本上增加，并且实现了高输出。如上所述，可以使用任何类型的输入匹配电路20，并省略其说明。
如图4中所示，输出匹配电路30具有低介电常数基板31A和31B、高介电常数基板33A和33B、以及低介电常数基板35。在低介电常数基板31上，形成具有逐渐变窄的(梯形)平面形状的两条渐缩线32AA和32AB。在低介电常数基板31B上，形成具有逐渐变窄的(梯形)平面形状的两条渐缩线32BA和32BB。在高介电常数基板33A上，形成具有线性(矩形)平面形状的低阻抗线34A。在高介电常数基板33B上，形成具有线性(矩形)平面形状的低阻抗线34B。在低介电常数基板35上，形成高阻抗线36A和36B，高阻抗线36A和36B在输出OUT处将低阻抗线34A和34B的输出阻抗匹配之后合成低阻抗线34A和34B的输出。此外，在低介电常数基板35上，布置有从高阻抗线36A和36B的输入端延伸的连接线40A和40B、以及连接线40A和40B之间连接的电阻器41。
两条渐缩线32AA和32AB的较宽宽度侧(梯形的长底边)在与信号行进的方向垂直的方向上、与芯片11A相对地并排布置，并通过接合线而连接。两条渐缩线32BA和32BB的较宽宽度侧(梯形的长底边)在与信号行进的方向垂直的方向上、与芯片11B相对地并排布置，并通过接合线而连接。芯片11A的长度基本上与两条渐缩线32AA和32AB的长底边的宽度之和相同，并且接合线是平行的。类似地，芯片11B的长度基本上与两条渐缩线32BA和32BB的长底边的宽度之和相同，并且接合线是平行的。
两条渐缩线32AA和32AB的较窄宽度侧(梯形的短底边)与低阻抗线34A相对并通过接合线而连接。两条渐缩线32BA和32BB的较窄宽度侧(梯形的短底边)与低阻抗线34B相对并通过接合线而连接。
两条渐缩线32AA和32AB的短底边被布置为具有一个间隔，并且渐缩线32AA的短底边的上端与渐缩线32AB的短底边的下端之间的距离大于低阻抗线34A的宽度。由此，用于连接渐缩线32AA和低阻抗线34A的接合线38AA与用于连接渐缩线32AB和低阻抗线34A的接合线38AB不平行。具体地，渐缩线32AA和低阻抗线34A通过5条平行布线38AA连接，渐缩线32AB和低阻抗线34A通过5条平行布线38AB连接。然而，投影在线平面上的布线38AA的迹线在与投影在线平面上的布线38AB的迹线延伸的方向不同的方向上延伸。
类似地，渐缩线32BA和低阻抗线34B通过5条平行布线38BA连接，渐缩线32BB和低阻抗线34B通过5条平行布线38BB连接。然而，投影在线平面上的布线38BA的迹线在与投影在线平面上的布线38BB的迹线延伸的方向不同的方向上延伸。
低阻抗线34A与高阻抗线36A相对并通过接合线连接。低阻抗线34B与高阻抗线36B相对并通过接合线连接。高阻抗线36A和高阻抗线36B在输出端OUT处连接，并且可以从其获取输出。
根据基板的介电常数确定渐缩线32AA、32AB、32BA和32BB、低阻抗线34A和34B、以及高阻抗线36A和36B的宽度和长度以实现阻抗匹配。
如上所述，第一实施例中的电路布置与图3中的电路布置的区别在于：渐缩线被分成两条渐缩线并且两条渐缩线的短底边和低阻抗线通过在不同方向上延伸的接合线连接，而其它部分是相同的。
图5A是第一实施例中的集成电路安装装置的顶视图，图5B是顶视图中的虚线部分处的截面图。图5A和5B示出了将图4中的电路装置安装在具有金属壁的密封金属封装中的高输出放大器电路装置。
通过盖83和金属壁82将封装密封金属底部81上。设置了连接电极84和87用于与外界的电连接。连接电极84和87通过场孔(field-through)86和89与金属壁82和盖83电绝缘。在连接电极84的封装之外的部分上，设置了输入引线85，并且在连接电极87的封装之外的部分上，设置了输出引线88。连接电极84的封装内的部分和输入匹配电路20的输入部分IN通过接合线等连接。连接电极88的封装内的部分和输出匹配电路30的输出部分OUT通过接合线等连接。
在金属底部81上，构成阻抗转换器的两个GaN(氮化镓)功率晶体管(HEMT)芯片和匹配电路基板(高电介质基板、低电介质基板)使用例如金锡(AuSn)在300℃下在氮气环境中封装。可以使用具有相对介电常数9.8的金属作为低介电常数基板31A、31B以及具有相对介电常数140的金属作为高介电常数基板33A、33B。由此，例如，在输出匹配电路30中，可以形成用于通过具有期望特性阻抗的传输线将电阻器的输出阻抗转换为50欧姆的阻抗转换器。形成在高介电常数基板33A、33B上的低阻抗线34A、34B被形成为具有2.4mm的布线宽度。沿着渐缩线的短底边的长度以规则间隔布置布线，并且布线被连接成在保持布线间隔的情况下相对于高介电常数基板33A、33B上的低阻抗线34A、34B竖直地对称(关于信号行进方向上的线对称)。通过如此设计配置，可以通过减小从芯片11A与11B内的晶体管输出的信号的相位差来高效地从基板31A、31B向基板33A、33B发送信号。此外，不仅通过经由如前所述改变布线数目来调整布线电感，而且通过改变布线角度和布线数目，能够以微小单位改变布线长度，因此，可以通过精细调整布线电感来精细调整电路特性，从而还有助于生产和性能的改进。
低阻抗线34A、34B连接到低介电常数基板35的高阻抗线36A、36B。低介电常数基板35是具有0.38mm的基板厚度、9.8的基板介电常数和0.65mm的布线宽度的平行线。可以通过使电介质基板的背面接地并使表面为信号布线，经由微带线而容易地实现微波和毫米波的传输线，因此可以获得设计特性。
在以上的说明中，每条线通过接合线连接，然而，也可以通过键合带连接。同样在这种情况下，用于连接渐缩线32AA和32AB的短底边与低阻抗线34A的键合带在不同的方向上延伸。此外，用于连接渐缩线32BA和32BB的短底边与低阻抗线34B的键合带在不同的方向上延伸。
图6是示意性地示出了第一实施例中的集成电路安装装置的阻抗转换电路的图。输入匹配电路20布置到集成电路芯片11A和11B中的一个，并且输出匹配电路30布置到集成电路芯片11A和11B中的另一个。输入匹配电路20通过两级的1/4波长电路执行阻抗转换。类似地，输出匹配电路30也通过两级的1/4波长电路执行阻抗转换。输出匹配电路30的第一级由渐缩线32AA、32AB、32BA和32BB以及低阻抗线34形成，第二级通过高阻抗线36A和36B形成。
图7A是示出了具有第一实施例中的电路布置的测试制造放大器的测量特性的图，图7B是示出了具有图3中的电路布置的测试制造放大器的测量特性的图，以便证实第一实施例中的电路布置的效果。
如图7B所示，在图3的电路布置中，降低了高频的性能(输出(P)、功率附加效率(E))。这是因为信号紧接着从芯片输出之后的抵消在输出匹配电路30中在高频下变得显著。另一方面，如图7A所示，在第一实施例中的电路布置中，信号紧接着从芯片输出的抵消降低，此外，使得可以精细调整特性，因此，已知输出和功率附加效率增大，频带由于高频特性的改进而变宽。由此，证实了第一实施例中的效果。
图8是示出了第二实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图。
第二实施例中的电路布置与的第一实施例中的区别在于：低阻抗线34A被分成两条低阻抗线34AA和34AB并且低阻抗线34B被分成两条低阻抗线34BA和34BB，而其它是相同的。在两条低阻抗线34AA和34AB之间，设置了电阻器42A，并且在两条低阻抗线34BA和34BB之间，设置了电阻器42B。
随着频率增加从而变得不再可以忽略信号波长的线宽，激励除了期望信号传播模式之外的模式，从而导致信号损耗。在第二实施例中，为了避免该问题，线被形成为平行线。此外，通过在平行线之间插入电阻器42A和42B，抑制了诸如由于封装时的变化而产生的电路振荡的问题。
图9是示出了第三实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图。
第三实施例中的电路布置与第二实施例中的区别在于：设置了用于合成低阻抗线34AA和34AB的合成线43A以及用于合成低阻抗线34BA和34BB的合成线43B，而其它是相同的。另外，在第三实施例中，其中在两条低阻抗线34AA和34AB之间，设置了电阻器42A，并且在两条低阻抗线34BA和34BB之间，设置了电阻器42B，可以获得与第一实施例中相同的效果。
图10是示出了第四实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图。
第四实施例中的电路布置与第一实施例中的区别在于：渐缩线32AA、32AB、32BA和32BB形成在高介电常数基板33A和33B上并且在高介电常数基板33A和33B上形成低阻抗线34A和34B，而其它是相同的。因此，在第四实施例中，未设置低介电常数基板31A和31B。
在第四实施例中，也可以获得与第一实施例相同的效果。
图11是示出了第五实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图。
第五实施例中的电路布置与第一实施例中的区别在于：渐缩线32AA、32AB、32BA和32BB的形状被形成为分别分为关于中心对称的形状的、图3所示的渐缩线32A和32B的形状，而其它是相同的。还可以在渐缩线32AA和32AB之间、以及在渐缩线32BA和32BB之间连接电阻器49A和49B。由此，可以抑制诸如由于封装时的变化而产生的电路振荡的麻烦。
在第五实施例中，也可以获得与第一实施例相同的效果。
图12是示出了第六实施例中的集成电路安装装置的电路布置的图。
第六实施例中的电路布置与第一实施例中的区别在于：与第一实施例中的输出匹配电路相同的布置也应用于输入匹配电路20。对于芯片11A和11B，输入匹配电路20的配置和操作与输出匹配电路30的配置和操作对称，因此省略其说明。
如上说明了实施例中的集成电路安装装置的电路布置，然而，还可以存在各种修改示例。例如，在以上描述的说明中，说明了具有线性(矩形)平面形状的低阻抗线的示例，然而，也可以将其形成为逐渐变窄的形状。
图13示出了修改示例，其中低阻抗线34A被形成为第四实施例中的电路布置中的逐渐变窄的形状。
此外，第二至第五实施例中说明的输出匹配电路30的配置也可以应用于输入匹配电路20。此外，也可以将以上说明的实施例中的配置仅应用于输入匹配电路，或将不同配置应用于输出匹配电路30和输入匹配电路20，或应用其组合。
此外，在实施例中，使用了GaN晶体管，然而，也可以使用利用Si、GaAs、InP等的晶体管。在实施例中，芯片和匹配电路基板使用AuSn来封装，然而，也可以使用导电粘合剂来封装。在这种情况下，可以在200℃或更低温度下封装，因此，可以抑制由于封装和芯片、匹配电路基板、以及电容器之间的热膨胀系数的不同而产生的裂缝，从而可以改进生产。此外，可以封装诸如抗热性相对较差的InP的装置，而不使特性变差。此外，可以应用诸如具有封装材料的大的热膨胀系数差、良好的散热特性的铜的材料，因此，可以实现具有较高输出的电路。
如以上所说明的，根据实施例，使得可以减小阻抗转换电路的损耗，并且还可以精细调整阻抗转换电路的特性，因此，可以通过改进生产而以低成本实现具有更高性能(诸如更高输出、更高效率和更宽频带)的集成电路装置。
接下来，说明了上述集成电路装置的应用示例。
图14是示出了使用实施例中的高输出放大器电路装置的通信装置模块100的配置的图。
如图14所示，通信装置模块100包括连接到天线的输入/输出端90、与输入/输出端90连接的发送/接收开关装置91、低噪声放大器92、控制电路93、前级放大器94、高输出放大器95、以及滤波器96。
图14中的右前侧的行构成发送系统，且左后侧构成接收系统。来自输入/输出端90的输入信号由发送/接收开关装置91被选择性地发送到低噪声放大器92，并且执行接收处理。另一方面，在前级放大器94中放大的发送信号进一步被高输出放大器95放大，并由发送/接收开关装置91通过滤波器96被选择性地发送到输入/输出端90，并从天线发送。作为高输出放大器95，使用了实施例中的高输出放大器电路装置。很显然，不仅可以在发送/接收通信模块装置中而且可以在发送通信装置模块中使用实施例中的高输出放大器电路装置。
图14中的通信装置模块100被用作诸如通信系统、雷达、传感器和无线电干扰单元的系统装置的部分。当安装在各种装置中时，实施例中的高性能紧凑型的高输出放大器电路装置可以有助于装置性能的改进以及装置尺寸的减小。
本文中记载的所有示例和条件用语旨在用于教导的目的，以帮助读者理解本发明以及发明人对促进技术发展贡献的想法，应当被解释为不限于这样具体记载的示例和条件，说明书中的这样的示例的组织也不涉及本发明的优点和缺点的说明。虽然已经详细描述了本发明的实施例，但是应理解，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以对其进行各种修改、替代、和变更。

Claims (13)

1.一种传输线，包括：
具有逐渐变窄的平面形状且平行布置的两条渐缩线；
与所述两条渐缩线的较窄宽度侧相对地设置的对置线；以及
用于连接所述两条渐缩线的所述较窄宽度侧和所述对置线的接合线，其中，
平行布置的所述两条渐缩线的所述较窄宽度侧上的两个外缘之间的距离大于所述对置线的与所述两条渐缩线的所述较窄宽度侧相对的相对侧上的外缘之间的距离，其中，
所述接合线包括连接所述两条渐缩线中的一条和所述对置线的第一组与连接所述两条渐缩线中的另一条和所述对置线的第二组，
所述第一组中的多条布线以相同间隔跨过所述渐缩线的一侧设置，并且当投影在所述对置线的平面上时在第一方向上彼此平行地延伸，以及
所述第二组中的多条布线以相同间隔跨过所述渐缩线的一侧设置，并且在第二方向上彼此平行地延伸，当投影在所述对置线的平面上时所述第二方向与所述第一方向不同。
2.根据权利要求1所述的传输线，其中
所述对置线包括一条对置线，并且
平行布置的所述两条渐缩线的所述较窄宽度侧上的两个外缘之间的距离大于所述一条对置线的相对侧上的宽度。
3.根据权利要求1所述的传输线，其中
所述对置线包括两条对置线，并且
平行布置的所述两条渐缩线的所述较窄宽度侧上的外缘之间的距离大于所述两条对置线的相对侧上的两个外缘之间的距离。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的传输线，其中
所述对置线具有矩形的平面形状。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的传输线，其中
所述对置线具有逐渐变窄的平面形状。
6.根据权利要求1所述的传输线，其中
所述两条渐缩线被形成在低介电常数基板上，
所述对置线是形成在高介电常数基板上的低阻抗线。
7.根据权利要求1所述的传输线，其中
所述两条渐缩线被形成在高介电常数基板上，
所述对置线是形成在高介电常数基板上的低阻抗线。
8.根据权利要求6或7所述的传输线，还包括形成在低介电常数基板上的高阻抗线，所述低介电常数基板的介电常数低于所述高介电常数基板的介电常数，在所述高介电常数基板上形成有所述对置线，且所述对置线要连接到所述高阻抗线，其中
所述对置线连接到所述高阻抗线，并且
所述传输线形成阻抗转换电路。
9.一种集成电路安装装置，包括：
集成电路；以及
根据权利要求1至3中任意一项所述的传输线。
10.根据权利要求9所述的集成电路安装装置，其中
所述传输线设置在所述集成电路的输出侧，并且
所述集成电路的输出和所述传输线的所述两条渐缩线的较宽宽度侧通过接合线连接。
11.根据权利要求9所述的集成电路安装装置，其中
所述传输线设置在所述集成电路的输入侧和输出侧，并且
所述集成电路的输入和输出与所述传输线的所述两条渐缩线的较宽宽度侧通过接合线连接。
12.根据权利要求9所述的集成电路安装装置，其中
所述集成电路包括与所述传输线的所述两条渐缩线的较宽宽度侧平行排列的多个晶体管。
13.一种通信装置模块，包括：根据权利要求9所述的集成电路安装装置。
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