JPH06104613A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
- Publication number
- JPH06104613A JPH06104613A JP4275266A JP27526692A JPH06104613A JP H06104613 A JPH06104613 A JP H06104613A JP 4275266 A JP4275266 A JP 4275266A JP 27526692 A JP27526692 A JP 27526692A JP H06104613 A JPH06104613 A JP H06104613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- matching circuit
- high frequency
- line
- impedance
- low impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属製容器１内に電界効果トランジスタ２が
設けられ、低インピーダンス部の整合回路７，９は、高
誘電体基板３，５上に形成され、低インピーダンス線路
７ａ，９ａの次にはＵ字形のインピーダンス線路７ｂ，
９ｂが形成され、該Ｕ字形線路間の金ワイヤ１４の接続
位置を変えることにより、インピーダンス線路７ｂ，９
ｂの線路長を調整する。 【効果】 特性のばらつきの大きな高出力、高周波半導
体装置において、微調によって特性のばらつきを抑える
ことができ、歩留りよく生産することができる。
設けられ、低インピーダンス部の整合回路７，９は、高
誘電体基板３，５上に形成され、低インピーダンス線路
７ａ，９ａの次にはＵ字形のインピーダンス線路７ｂ，
９ｂが形成され、該Ｕ字形線路間の金ワイヤ１４の接続
位置を変えることにより、インピーダンス線路７ｂ，９
ｂの線路長を調整する。 【効果】 特性のばらつきの大きな高出力、高周波半導
体装置において、微調によって特性のばらつきを抑える
ことができ、歩留りよく生産することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波半導体装置に関
し、特に金属製容器内に、電界効果トランジスタとイン
ピーダンス整合回路とを有する内部整合型のものに関す
る。
し、特に金属製容器内に、電界効果トランジスタとイン
ピーダンス整合回路とを有する内部整合型のものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記のような高周波半導体装置と
しては、例えば図６に示すようなものがある。この高周
波半導体装置は、金属製容器１を有し、その内部中央に
高周波電界効果トランジスタ２が配置されている。この
トランジスタ２は、図示していないが、内部にゲートフ
ィンガーと、ソースと、ドレインとからなる単位トラン
ジスタを複数有しており、何個かの単位トランジスタに
１つのゲートパッド、ソースパッド、ドレインパッドが
設けられている。
しては、例えば図６に示すようなものがある。この高周
波半導体装置は、金属製容器１を有し、その内部中央に
高周波電界効果トランジスタ２が配置されている。この
トランジスタ２は、図示していないが、内部にゲートフ
ィンガーと、ソースと、ドレインとからなる単位トラン
ジスタを複数有しており、何個かの単位トランジスタに
１つのゲートパッド、ソースパッド、ドレインパッドが
設けられている。
【０００３】ゲートパッド側には、２枚の誘電体基板
３，４が配置され、これら基板上には入力側整合回路
７，８が形成されている。これら整合回路７，８間は金
ワイヤ１３を介して接続されており、整合回路８は金ワ
イヤ１３を介して、金属容器に設けた入力端子１１に接
続されている。また整合回路７は金ワイヤ１３を介して
電界効果トランジスタ２のゲートパッドに接続されてい
る。従って、入力端子１１から入力された高周波電力
は、入力整合回路８，７によって電界効果トランジスタ
２の入力インピーダンスに等しいインピーダンスに変換
されてトランジスタ２に供給される。
３，４が配置され、これら基板上には入力側整合回路
７，８が形成されている。これら整合回路７，８間は金
ワイヤ１３を介して接続されており、整合回路８は金ワ
イヤ１３を介して、金属容器に設けた入力端子１１に接
続されている。また整合回路７は金ワイヤ１３を介して
電界効果トランジスタ２のゲートパッドに接続されてい
る。従って、入力端子１１から入力された高周波電力
は、入力整合回路８，７によって電界効果トランジスタ
２の入力インピーダンスに等しいインピーダンスに変換
されてトランジスタ２に供給される。
【０００４】トランジスタ２のドレインパッド側には、
２枚の誘電体基板５，６が配置され、これら基板上には
出力側整合回路９，１０が形成されている。これら整合
回路９，１０間は金ワイヤ１３を介して接続されてお
り、整合回路１０は金ワイヤ１３を介して、金属容器に
設けた出力端子１２に接続されている。また、整合回路
９は金ワイヤ１３を介して電界効果トランジスタ２のド
レインパッドに接続されている。従って、電界効果トラ
ンジスタ２で増幅された高周波電力は、出力整合回路
９，１０によって所望のインピーダンス、例えば、５０
Ωに変換され、出力端子１２に供給される。
２枚の誘電体基板５，６が配置され、これら基板上には
出力側整合回路９，１０が形成されている。これら整合
回路９，１０間は金ワイヤ１３を介して接続されてお
り、整合回路１０は金ワイヤ１３を介して、金属容器に
設けた出力端子１２に接続されている。また、整合回路
９は金ワイヤ１３を介して電界効果トランジスタ２のド
レインパッドに接続されている。従って、電界効果トラ
ンジスタ２で増幅された高周波電力は、出力整合回路
９，１０によって所望のインピーダンス、例えば、５０
Ωに変換され、出力端子１２に供給される。
【０００５】入出力整合回路７，８，９，１０はインピ
ーダンス変換線路で形成されているが、電界効果トラン
ジスタ２のインピーダンスのばらつき、および組立精度
のばらつきなどによる高周波半導体装置の特性のばらつ
きを調整する調整用島パターン１７ａ，１７ｂ，１８
ａ，１８ｂがインピーダンス変換線路近傍に形成されて
いる。一般に、電界効果トランジスタ２の入出力インピ
ーダンスが低い場合、トランジスタ近傍の誘電体基板
は、高誘電率基板で形成されている。
ーダンス変換線路で形成されているが、電界効果トラン
ジスタ２のインピーダンスのばらつき、および組立精度
のばらつきなどによる高周波半導体装置の特性のばらつ
きを調整する調整用島パターン１７ａ，１７ｂ，１８
ａ，１８ｂがインピーダンス変換線路近傍に形成されて
いる。一般に、電界効果トランジスタ２の入出力インピ
ーダンスが低い場合、トランジスタ近傍の誘電体基板
は、高誘電率基板で形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、高周波半導体装
置の高周波化，高出力化が図られており、電界効果トラ
ンジスタ２内に設けられている単位トランジスタの数が
増加している。その結果、各単位トランジスタのゲート
幅を合計したトータルゲート幅が大きくなっており、入
力インピーダンスは低くなっている。これに伴い、電界
効果トランジスタ２近傍の誘電体基板３，５上に形成さ
れたインピーダンス変換線路７，９は、低インピーダン
ス線路となり、線路幅Ｗは長く、線路長ｌ（エル）は短
く形成されており、誘電体基板は線路幅方向に長く、線
路長方向に短い形となっている。
置の高周波化，高出力化が図られており、電界効果トラ
ンジスタ２内に設けられている単位トランジスタの数が
増加している。その結果、各単位トランジスタのゲート
幅を合計したトータルゲート幅が大きくなっており、入
力インピーダンスは低くなっている。これに伴い、電界
効果トランジスタ２近傍の誘電体基板３，５上に形成さ
れたインピーダンス変換線路７，９は、低インピーダン
ス線路となり、線路幅Ｗは長く、線路長ｌ（エル）は短
く形成されており、誘電体基板は線路幅方向に長く、線
路長方向に短い形となっている。
【０００７】一般に、高周波半導体装置の特性のばらつ
きに影響するのは低インピーダンス帯域であり、そのた
め誘電体基板３，５が上記形状をしているため、基板製
造精度のばらつき、組立時のばらつき等による特性のば
らつきが大きくなるという問題点があった。
きに影響するのは低インピーダンス帯域であり、そのた
め誘電体基板３，５が上記形状をしているため、基板製
造精度のばらつき、組立時のばらつき等による特性のば
らつきが大きくなるという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、低インピーダンス線路部分での
特性のばらつきをなくすことのできる高周波半導体装置
を得ることを目的としている。
ためになされたもので、低インピーダンス線路部分での
特性のばらつきをなくすことのできる高周波半導体装置
を得ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波半
導体装置は、特性に敏感な低インピーダンス線路整合回
路内に位相調整回路を設けたものである。この発明は、
上記位相調整回路として、電界効果トランジスタから見
て誘電体基板上に低インピーダンス線路の次に隣接して
Ｕ字形インピーダンス線路を形成したものである。
導体装置は、特性に敏感な低インピーダンス線路整合回
路内に位相調整回路を設けたものである。この発明は、
上記位相調整回路として、電界効果トランジスタから見
て誘電体基板上に低インピーダンス線路の次に隣接して
Ｕ字形インピーダンス線路を形成したものである。
【００１０】この発明は、上記位相調整回路として、電
界効果トランジスタから見て誘電体基板上に低インピー
ダンス線路の次に隣接してＬ字型インピーダンス線路を
形成し、Ｌ字型インピーダンス線路の低インピーダンス
線路側の一辺は低インピーダンス線路の信号伝達方向に
形成し、もう一辺はそれと直角に誘電体基板の端に形成
したものである。
界効果トランジスタから見て誘電体基板上に低インピー
ダンス線路の次に隣接してＬ字型インピーダンス線路を
形成し、Ｌ字型インピーダンス線路の低インピーダンス
線路側の一辺は低インピーダンス線路の信号伝達方向に
形成し、もう一辺はそれと直角に誘電体基板の端に形成
したものである。
【００１１】この発明は、上記位相調整回路として、電
界効果トランジスタから見て誘電体基板上に低インピー
ダンス線路の次に隣接して２本のインピーダンス線路を
並行して形成したものである。この発明は、上記位相調
整回路として、電界効果トランジスタから見て誘電体基
板上に低インピーダンス線路の次に隣接してインピーダ
ンス線路を形成し、該線路上に容量可変形マイクロチッ
プコンデンサを配置し、コンデンサの上面電極は金ワイ
ヤによって接地したものである。
界効果トランジスタから見て誘電体基板上に低インピー
ダンス線路の次に隣接して２本のインピーダンス線路を
並行して形成したものである。この発明は、上記位相調
整回路として、電界効果トランジスタから見て誘電体基
板上に低インピーダンス線路の次に隣接してインピーダ
ンス線路を形成し、該線路上に容量可変形マイクロチッ
プコンデンサを配置し、コンデンサの上面電極は金ワイ
ヤによって接地したものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、特性に敏感な低インピー
ダンス線路整合回路内に位相調整回路を設けたので、低
インピーダンス線路部分での基板製造精度のばらつき，
組立時のばらつき等による特性のばらつきを微調整によ
り調整できる。この発明においては、低インピーダンス
線路に隣接して、Ｕ字形インピーダンス線路のＵ字部分
を金ワイヤでショートカットすることにより、入力信号
の位相を調整する。
ダンス線路整合回路内に位相調整回路を設けたので、低
インピーダンス線路部分での基板製造精度のばらつき，
組立時のばらつき等による特性のばらつきを微調整によ
り調整できる。この発明においては、低インピーダンス
線路に隣接して、Ｕ字形インピーダンス線路のＵ字部分
を金ワイヤでショートカットすることにより、入力信号
の位相を調整する。
【００１３】この発明では、誘電体基板端に形成された
Ｌ字線路の一辺への他の誘電体基板上の線路からの金ワ
イヤの接続位置を変えることにより、入力信号の位相を
調整する。この発明では、低インピーダンス線路に隣接
して形成されている２本のインピーダンス線路におい
て、一方の線路より他方の線路への金ワイヤの接続位置
を変えることにより、入力信号の位相を調整する。この
発明では、低インピーダンス線路に隣接して形成されて
いるインピーダンス線路上に配置された容量可変型マイ
クロチップコンデンサの容量を変えることにより、入力
信号の位相を調整する。
Ｌ字線路の一辺への他の誘電体基板上の線路からの金ワ
イヤの接続位置を変えることにより、入力信号の位相を
調整する。この発明では、低インピーダンス線路に隣接
して形成されている２本のインピーダンス線路におい
て、一方の線路より他方の線路への金ワイヤの接続位置
を変えることにより、入力信号の位相を調整する。この
発明では、低インピーダンス線路に隣接して形成されて
いるインピーダンス線路上に配置された容量可変型マイ
クロチップコンデンサの容量を変えることにより、入力
信号の位相を調整する。
【００１４】
【実施例】以下この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による高周波
半導体装置を示す。金属製容器１の中央部に電界効果ト
ランジスタ２が配置されており、入力側には高誘電体基
板３と誘電体基板４が配置されており、各基板３，４上
には、入力整合回路７，８が形成されている。また、出
力側にも、高誘電体基板５，誘電体基板６が配置されて
おり、各基板５，６上には、出力整合回路９，１０が形
成されている。金属製容器１の入出力部には、入出力端
子１１，１２が形成されており、これら入出力端子１
１，１２，入力整合回路７，８，出力整合回路９，１
０，電界効果トランジスタ２は、金ワイヤ１３で電気的
に接続されている。
る。 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による高周波
半導体装置を示す。金属製容器１の中央部に電界効果ト
ランジスタ２が配置されており、入力側には高誘電体基
板３と誘電体基板４が配置されており、各基板３，４上
には、入力整合回路７，８が形成されている。また、出
力側にも、高誘電体基板５，誘電体基板６が配置されて
おり、各基板５，６上には、出力整合回路９，１０が形
成されている。金属製容器１の入出力部には、入出力端
子１１，１２が形成されており、これら入出力端子１
１，１２，入力整合回路７，８，出力整合回路９，１
０，電界効果トランジスタ２は、金ワイヤ１３で電気的
に接続されている。
【００１５】高誘電体基板３上の整合回路７は、低イン
ピーダンス線路７ａとＵ字形インピーダンス線路７ｂと
で形成されている。また、出力側の高誘電体基板５上の
整合回路９は、低インピーダンス線路９ａとＵ字形イン
ピーダンス線路９ｂとで、形成されている。
ピーダンス線路７ａとＵ字形インピーダンス線路７ｂと
で形成されている。また、出力側の高誘電体基板５上の
整合回路９は、低インピーダンス線路９ａとＵ字形イン
ピーダンス線路９ｂとで、形成されている。
【００１６】入力端子１１より入力された高周波電力
は、整合回路８，７を通り、所望のインピーダンスに変
換されて電界効果トランジスタ２へ入力される。増幅さ
れた高周波電力は、整合回路９，１０を通り所望のイン
ピーダンスに変換されて出力端子１２により出力され
る。トランジスタ２へ入力される高周波電力の位相は、
該トランジスタ２直前の低インピーダンス部に設けられ
ているＵ字形インピーダンス線路７ｂの長さを金ワイヤ
１４により調整することにより調整することができる。
ここで、トランジスタ２は、トータルゲート幅１０．５
mm、全幅が２．５mmあり、誘電体基板４，６は比誘電率
１０、厚さ０．４mmのものを、また誘電体基板３，５
は、比誘電率３７．９、厚さが０．２mmのものを使用し
ている。
は、整合回路８，７を通り、所望のインピーダンスに変
換されて電界効果トランジスタ２へ入力される。増幅さ
れた高周波電力は、整合回路９，１０を通り所望のイン
ピーダンスに変換されて出力端子１２により出力され
る。トランジスタ２へ入力される高周波電力の位相は、
該トランジスタ２直前の低インピーダンス部に設けられ
ているＵ字形インピーダンス線路７ｂの長さを金ワイヤ
１４により調整することにより調整することができる。
ここで、トランジスタ２は、トータルゲート幅１０．５
mm、全幅が２．５mmあり、誘電体基板４，６は比誘電率
１０、厚さ０．４mmのものを、また誘電体基板３，５
は、比誘電率３７．９、厚さが０．２mmのものを使用し
ている。
【００１７】このように本実施例１では、低インピーダ
ンス線路部分９ａでの基板製造精度のばらつき、組立時
のばらつき等による特性のばらつきをＵ字形線路７ｂの
金ワイヤ１４による接続位置を変えることによって信号
の位相を微調整することにより調整することができる。
ンス線路部分９ａでの基板製造精度のばらつき、組立時
のばらつき等による特性のばらつきをＵ字形線路７ｂの
金ワイヤ１４による接続位置を変えることによって信号
の位相を微調整することにより調整することができる。
【００１８】実施例２．図２は本発明の第２の実施例に
よる高周波半導体装置を示す。上記第１の実施例では、
信号の位相調整をＵ字形インピーダンス線路の線路長の
調整で行ったが、本実施例２ではＵ字形線路を形成でき
ない場合等に、Ｌ字形インピーダンス線路の線路長を調
整することによって、位相調整を行う。
よる高周波半導体装置を示す。上記第１の実施例では、
信号の位相調整をＵ字形インピーダンス線路の線路長の
調整で行ったが、本実施例２ではＵ字形線路を形成でき
ない場合等に、Ｌ字形インピーダンス線路の線路長を調
整することによって、位相調整を行う。
【００１９】即ち図２に示す本実施例２では、高誘電体
基板３，５上に形成された整合回路７，９において、低
インピーダンス線路７ａ，９ａの次にＬ字形インピーダ
ンス線路７ｃ，９ｃが形成されており、誘電体基板４，
６上の整合回路８，１０からＬ字形インピーダンス線路
７ｃ，９ｃへの金ワイヤ１４の接続位置を変えることに
より、Ｌ字形インピーダンス線路の線路長を調整するこ
とができる。
基板３，５上に形成された整合回路７，９において、低
インピーダンス線路７ａ，９ａの次にＬ字形インピーダ
ンス線路７ｃ，９ｃが形成されており、誘電体基板４，
６上の整合回路８，１０からＬ字形インピーダンス線路
７ｃ，９ｃへの金ワイヤ１４の接続位置を変えることに
より、Ｌ字形インピーダンス線路の線路長を調整するこ
とができる。
【００２０】実施例３．図３は本発明の第３の実施例に
よる高周波半導体装置を示す。本実施例３では、高周波
電力の位相を、低インピーダンス部に設けられた２本の
インピーダンス線路において、その２本の線路を接続す
る位置を変えて線路長を調整することによって調整する
ものである。
よる高周波半導体装置を示す。本実施例３では、高周波
電力の位相を、低インピーダンス部に設けられた２本の
インピーダンス線路において、その２本の線路を接続す
る位置を変えて線路長を調整することによって調整する
ものである。
【００２１】即ち図３に示す本実施例３では、高誘電体
基板３，５上に形成された整合回路７，９において、低
インピーダンス線路７ａ，９ａに隣接してそれぞれ２本
のインピーダンス線路７ｄ，７ｅ，９ｄ，９ｅが配置さ
れ、これらの線路は、狭い隙間をもって配置されてい
る。この線路７ｄと７ｅ、９ｄと９ｅはそれぞれ金ワイ
ヤ１４で接続されており、この金ワイヤ１４の接続位置
を変えることによって、インピーダンス線路７ｄ，７ｅ
からなる線路の長さ，およびインピーダンス線路９ｄ，
９ｅからなる線路の長さを調整することができる。
基板３，５上に形成された整合回路７，９において、低
インピーダンス線路７ａ，９ａに隣接してそれぞれ２本
のインピーダンス線路７ｄ，７ｅ，９ｄ，９ｅが配置さ
れ、これらの線路は、狭い隙間をもって配置されてい
る。この線路７ｄと７ｅ、９ｄと９ｅはそれぞれ金ワイ
ヤ１４で接続されており、この金ワイヤ１４の接続位置
を変えることによって、インピーダンス線路７ｄ，７ｅ
からなる線路の長さ，およびインピーダンス線路９ｄ，
９ｅからなる線路の長さを調整することができる。
【００２２】実施例４．図４は本発明の第４の実施例に
よる高周波半導体装置を示す。本実施例４では、高周波
電力の位相を低インピーダンス部に設けられた容量可変
型マイクロチップコンデンサの容量を変えることによっ
て調整するものである。
よる高周波半導体装置を示す。本実施例４では、高周波
電力の位相を低インピーダンス部に設けられた容量可変
型マイクロチップコンデンサの容量を変えることによっ
て調整するものである。
【００２３】即ち図４において、高誘電体基板３，５上
に形成された整合回路７，９において、低インピーダン
ス線路７ａ，７ｂに隣接して形成されたインピーダンス
線路７ｆ，９ｆ上に可変容量型マイクロチップコンデン
サ１５ａ，１５ｂが設けられ、このコンデンサの上面電
極は基板上に形成されたグランドパッド１６ａ，１６ｂ
と金ワイヤ１４によって接続されている。グランドパッ
ド１６ａ，１６ｂは、スルーホール（図示せず）によっ
て接地されている。コンデンサ部分の拡大図を図５に示
すように、コンデンサ上面電極としては、複数の面積の
異なる電極１５ａ1 〜１５ａ5 が設けられており、金ワ
イヤ１４によって、グランドパッド１６ａと接続される
電極を、これらのうちから選択することにより該線路７
ｆに負荷される容量を変えることができ、これにより高
周波電力の位相を調整することができる。なお上記の各
実施例では、いずれも金属製容器１内に１つのトランジ
スタ２を設けた場合を示したが、これは複数のトランジ
スタを設けるようにしてもよい。
に形成された整合回路７，９において、低インピーダン
ス線路７ａ，７ｂに隣接して形成されたインピーダンス
線路７ｆ，９ｆ上に可変容量型マイクロチップコンデン
サ１５ａ，１５ｂが設けられ、このコンデンサの上面電
極は基板上に形成されたグランドパッド１６ａ，１６ｂ
と金ワイヤ１４によって接続されている。グランドパッ
ド１６ａ，１６ｂは、スルーホール（図示せず）によっ
て接地されている。コンデンサ部分の拡大図を図５に示
すように、コンデンサ上面電極としては、複数の面積の
異なる電極１５ａ1 〜１５ａ5 が設けられており、金ワ
イヤ１４によって、グランドパッド１６ａと接続される
電極を、これらのうちから選択することにより該線路７
ｆに負荷される容量を変えることができ、これにより高
周波電力の位相を調整することができる。なお上記の各
実施例では、いずれも金属製容器１内に１つのトランジ
スタ２を設けた場合を示したが、これは複数のトランジ
スタを設けるようにしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高出
力，高周波の信号の増幅を行う高周波半導体装置におい
て、低インピーダンス整合回路部に位相調整回路を設け
たので、この位相調整回路を微調することにより信号の
位相を調整することができ、組立時のばらつき、及びト
ランジスタ等のばらつきによる特性のばらつきを調整す
ることができる効果がある。
力，高周波の信号の増幅を行う高周波半導体装置におい
て、低インピーダンス整合回路部に位相調整回路を設け
たので、この位相調整回路を微調することにより信号の
位相を調整することができ、組立時のばらつき、及びト
ランジスタ等のばらつきによる特性のばらつきを調整す
ることができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例による高周波半導体装置
の平面図である。
の平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例による高周波半導体装置
の平面図である。
の平面図である。
【図３】本発明の第３の実施例による高周波半導体装置
の平面図である。
の平面図である。
【図４】本発明の第４の実施例による高周波半導体装置
の平面図である。
の平面図である。
【図５】本発明の第４の実施例の一部拡大平面図であ
る。
る。
【図６】従来例による高周波半導体装置の平面図であ
る。
る。
１ 金属製容器 ２ 電界効果トランジスタ ３ 入力側高誘電体基板 ４ 入力側誘電体基板 ５ 出力側高誘電体基板 ６ 出力側誘電体基板 ７ａ 入力側整合回路 ７ｂ 入力側整合回路 ７ｃ 入力側整合回路 ７ｄ 入力側整合回路 ７ｅ 入力側整合回路 ７ｆ 入力側整合回路 ８ 入力側整合回路 ９ａ 出力側整合回路 ９ｂ 出力側整合回路 ９ｃ 出力側整合回路 ９ｄ 出力側整合回路 ９ｅ 出力側整合回路 ９ｆ 出力側整合回路 １０ 出力側整合回路 １１ 入力端子 １２ 出力端子 １３，１４ 金ワイヤ １５ａ，１５ｂ 容量可変型マイクロチップコンデンサ １６ａ，１６ｂ グランドパッド １７ａ 調整用島パターン １７ｂ 調整用島パターン １８ａ 調整用島パターン １８ｂ 調整用島パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 金属製容器と、 この容器内に設けられた、複数の入出力パッドをもつ高
周波電界効果トランジスタと、 該トランジスタに隣接して複数の基板上に形成された入
出力整合回路とを備え、 上記高周波電界効果トランジスタの近傍の基板上に形成
された低インピーダンスの整合回路は、該整合回路内に
位相調整回路を有するものであることを特徴とする高周
波半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波半導体装置におい
て、 上記低インピーダンス整合回路は、Ｕ字形線路で形成さ
れていることを特徴とする高周波半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の高周波半導体装置におい
て、 上記低インピーダンス整合回路は、Ｌ字形線路で形成さ
れていることを特徴とする高周波半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の高周波半導体装置におい
て、 上記低インピーダンス整合回路は、２本の線路で形成さ
れ、これらの線路はある長さ並行に配置されていること
を特徴とする高周波半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の高周波半導体装置におい
て、 上記低インピーダンス整合回路は、該整合回路の線路中
にその一方の表面電極のうち所要の面積のものを接地で
きる容量可変型マイクロチップコンデンサを備えたこと
を特徴とする高周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275266A JPH06104613A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275266A JPH06104613A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104613A true JPH06104613A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17553029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275266A Pending JPH06104613A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223929A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 携帯無線端末機のアンテナ装置 |
| KR101330853B1 (ko) * | 2011-01-27 | 2013-11-18 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전송 선로, 집적 회로 탑재 장치 및 통신기 모듈 |
| US20140014969A1 (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP4275266A patent/JPH06104613A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223929A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 携帯無線端末機のアンテナ装置 |
| KR101330853B1 (ko) * | 2011-01-27 | 2013-11-18 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전송 선로, 집적 회로 탑재 장치 및 통신기 모듈 |
| US20140014969A1 (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US8796697B2 (en) * | 2012-07-11 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including transistor chips having oblique gate electrode fingers |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4024572B2 (ja) | インタディジタルキャパシタを有するデバイス | |
| US7030715B2 (en) | High-frequency semiconductor device | |
| US5760650A (en) | Coplanar waveguide amplifier | |
| JP3616605B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0514069A (ja) | 高出力電界効果トランジスタ増幅器 | |
| JPH07297609A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100228754B1 (ko) | 고주파 증폭 집적-회로 장치 | |
| JPH06104613A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH06338712A (ja) | 高周波集積回路 | |
| JPH0786851A (ja) | 高周波集積回路 | |
| JP2650871B2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPH0645810A (ja) | マイクロ波増幅器及びその製造方法 | |
| JP3448833B2 (ja) | 伝送線路及び半導体装置 | |
| JP2005223473A (ja) | 高周波電力増幅モジュール、半導体集積回路装置、およびその製造方法 | |
| JP2880023B2 (ja) | 高周波トランジスタ回路 | |
| JPH0389605A (ja) | 高周波増幅回路 | |
| JPH03261202A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JPH02140969A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH08298307A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6056306B2 (ja) | マイクロ波ｉｃ装置とその製造方法 | |
| JPH04261206A (ja) | 増幅器 | |
| JPH07326909A (ja) | マイクロ波整合回路 | |
| JPH06224660A (ja) | マイクロ波増幅回路 | |
| JPH04271161A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0715215A (ja) | ハイブリッド集積回路 |