CN102556949A - 一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是以硅片为基底，将硅片表面清洗后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶，烘干光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制接触式掩模板，利用该掩模板对光刻胶层进行曝光获得样品B，取下样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；在样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将样品D置于丙酮中去光刻胶及其上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。本发明用以获得可控直径、长度、晶向的匀质硅单晶微/纳米线阵列，使其能够在器件中得到实际应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅微/纳米线阵列的制备方法，更具体地说是一种通过金属催化化学刻蚀硅的微/纳米线阵列的制备方法。
背景技术
近些年，一维硅微/纳米线的半导体性，机械性，光学性，以及纳米器件的前景应用引起了广泛的关注。硅微/纳米线已经成功地使用于场效应晶体管、生物化学传感器、集成逻辑器件、太阳能电池、锂电池阳极、p-n结等器件。合成硅微/纳米线很多方法，例如VLS生长法、氧辅助生长法(OAG)和SLS生长法，但这些合成的硅微/纳米线具有典型的随机方向性，(尺寸的问题)很难于在器件中使用。
发明内容
本发明是为避免上述现有技术所存在的不足之处，提供一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，以获得可控直径、长度、晶向的匀质硅单晶微/纳米线阵列，使其能够在器件中得到实际应用。
本发明为解决技术问题采用如下技术方案：
本发明尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法的特点是按如下步骤进行：
(1)、以硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗后，随后浸入在60-100℃的食人鱼洗液中，5-20分钟后取出晾干即为样品A，在所述样品A的表面旋涂光刻胶，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的形式制作接触式掩模板图形，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下所述样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；
(2)、利用微电子镀膜设备在所述样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将所述样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；
(3)、将所述样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成所述金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。
本发明中尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法的特点也在于：
所述光刻胶为AZ5206，所述显影液为MIF-300。
所述光刻胶为ARP-5350，所述显影液为AR3006。
所述食人鱼洗液中是质量百分比浓度不低于98％的浓H2SO4和质量百分比浓度为40％的双氧水H2O2按体积比为4∶1的配比。
所述刻蚀液是在1000ml的水溶液中含有4-5mol的HF和0.4-0.5mol的H2O2。
所述步骤(1)和步骤(2)中的丙酮质量百分比浓度为：99.5％。
本发明的理论基础是类似于传统的金属(Ag)辅助刻蚀法，金(Au)辅助刻蚀硅微纳米线阵列。在H2O2和HF酸溶液中，硅失去电子变成硅离子，H2O2得到电子生成氧气，这个电化学反应是在金催化下发生反应。
与已有技术相比，本发明有益效果体现在：
1、本发明通过微电子光刻技术，在硅片表面金辅助化学刻蚀出尺寸可控硅微/纳米线阵列。根据硅片本身类型的不同，可以相应获得掺杂，尺寸，晶向微/纳米线阵列。
2、通过控制显影时间的不同控制线的直径。通过控制刻蚀时间的不同控制线的长度。
3、本发明工艺简单，成本较低，耗能少，适合大规模生产应用。
附图说明
图1为本发明制备不同刻蚀时间的硅微/纳米线阵列扫描电子显微镜照片；
图2为本发明制备不同显影时间的硅微/纳米线阵列扫描电子显微镜照片；
图3为本发明制备不同硅片晶向的硅微/纳米线阵列扫描电子显微镜照片；
具体实施方式
具体实施中按以下步骤操作：
(1)、以硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗后，随后浸入在60℃的食人鱼洗液中，5分钟后取出晾干即为样品A，在所述样品A的表面旋涂光刻胶，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下所述样品B在显影液中经4分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；
(2)、利用微电子镀膜设备在所述样品C的表面镀厚度为20纳米的金膜得到样品D；将所述样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；
(3)、将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列；
具体实施中，光刻胶采用AZ5206，配套使用的显影液则采用MIF-300；或为：光刻胶采用ARP-5350，则显影液采用AR3006。
食人鱼洗液中是质量百分比浓度不低于98％的浓H2SO4和质量百分比浓度为40％的双氧水H2O2按体积比为4∶1的配比。
刻蚀液是在1000ml的水溶液中含有4-5mol的HF和0.4-0.5mol的H2O2。
步骤(1)和步骤(2)中丙酮的质量百分比浓度为：99.5％。
实施例1：
以晶向是(100)的n型和电阻率为5Ωcm硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗15分钟后，随后浸入在60℃的食人鱼洗液中，10分钟后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶AZ5206，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下样品B在显影液MIF-300中经4分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；
利用电子束热蒸发的方法或磁控溅射的方法直接在样品C的表面镀厚度为20纳米的金膜得到样品D；将样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；
将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，分别刻蚀20分钟。在完成金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列，用飞利浦XL30-FEG扫描电子显微镜观察并拍摄硅微/纳米线阵列图形；
按以上相同方式进行操作，所不同的是在1000ml的水溶液中含有5mol的HF和0.5mol的H2O2的刻蚀液中刻蚀，以及镀金膜厚度为50nm。得到扫描电子显微图片，通过比较，刻蚀出来的硅微/纳米线阵列没有明显区别。刻蚀条件在这些参数变化范围内都可以制备出硅微/纳米线阵列。
实施例2：
以晶向是(100)的n型和电阻率为5Ωcm硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗15分钟后，随后浸入在60℃的食人鱼洗液中，10分钟后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶AZ5206，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下样品B在显影液MIF-300中经4分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；
利用电子束热蒸发的方法或磁控溅射的方法直接在样品C的表面镀厚度为20纳米的金膜得到样品D；将样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与硅片接触的金即为样品E；
将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，分别刻蚀20分钟。在完成金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列，用飞利浦XL30-FEG扫描电子显微镜观察并拍摄硅微/纳米线阵列图形；
按以上相同方式进行操作，所不同的是刻蚀时间分别设置为50分钟和100分钟。得到扫描电子显微图片，如图1所示。
基于本实施例的刻蚀的扫描显微镜图像如图1所示，可以看出随着刻蚀时间加长，刻蚀的微/纳米线的长度也在增长，即刻蚀时间可以控制微/纳米线的长度。根据实验理论基础，刻蚀时间的加长，反应时间变长，所以刻蚀的微/纳米线要长。
实施例3：
以晶向是(100)的n型和电阻率为12Ωcm硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗15分钟后，随后浸入在60℃的食人鱼洗液中，10分钟后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶AZ5206，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光获得样品B，取下样品B在显影液中经4分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；
利用电子束热蒸发的方法或磁控溅射的方法直接在所述样品C的表面镀厚度为20纳米的金膜得到样品D；将所述样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；
将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，分别刻蚀20分钟。在完成所述金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列，用飞利浦XL30-FEG扫描电子显微镜观察并拍摄硅微纳米线阵列图形；
按以上相同方式进行操作，所不同的是显影时间分别设置为4分钟50秒和5分钟40秒。得到扫描电子显微图片，如图2所示。
基于本实施例的刻蚀的扫描显微镜图像如图2所示，可以看出随着过显影加长，刻蚀的纳米线的直径也在增长，即过显影时间可以控制微/纳米线的直径。实验中显影时间控制，调节超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金的大小。根据实验理论基础，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金下面硅被刻蚀，没有覆盖金膜的硅没有被刻蚀，留下来的硅即是硅微纳米线阵列。
实施例4：
以晶向是(110)的n型和电阻率为12Ωcm硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗15分钟后，随后浸入在60℃的食人鱼洗液中，10分钟后取出晾干即为样品A，在所述样品A的表面旋涂光刻胶AZ5206，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光获得样品B，取下所述样品B在显影液中经4分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；利用电子束热蒸发的方法或磁控溅射的方法直接在所述样品C的表面镀厚度为20纳米的金膜得到样品D；将所述样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触硅片的即为样品E；
将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，分别刻蚀20分钟。在完成所述金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列，用飞利浦XL30-FEG扫描电子显微镜观察并拍摄硅微纳米线阵列图形；
按以上相同方式进行操作，所不同的是选取硅片晶向为(111)和(113)。得到扫描电子显微图片，如图3所示。
基于本实施例的刻蚀的扫描显微镜图像如图3所示，可以看出选取不同的晶向的硅片，刻蚀的微/纳米线阵列的晶向跟选取的硅片晶向一致。实验中选取的硅片在刻蚀过程中硅的晶向不会改变，所以刻蚀留下来的硅微/纳米线阵列的晶向与选取硅片晶向一致。
Claims (6)
1.一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是按如下步骤进行：
(1)、以硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗后，随后浸入在60-100℃的食人鱼洗液中，5-20分钟后取出晾干即为样品A，在所述样品A的表面旋涂光刻胶，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下所述样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；
(2)、利用微电子镀膜设备在所述样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将所述样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；
(3)、将所述样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成所述金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。
2.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述光刻胶为AZ5206，所述显影液为MIF-300。
3.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述光刻胶为ARP-5350，所述显影液为AR3006。
4.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述食人鱼洗液中是质量百分比浓度不低于98％的浓H2SO4和质量百分比浓度为40％的双氧水H2O2按体积比为4∶1的配比。
5.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述刻蚀液是在1000ml的水溶液中含有4-5mol的HF和0.4-0.5mol的H2O2。
6.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述步骤(1)和步骤(2)中丙酮的质量百分比浓度为：99.5％。
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|---|---|
| CN (1) | CN102556949A (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104986723A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-10-21 | 中国科学技术大学先进技术研究院 | 一种适用纳米材料的电极的工业化生产设备及其控制方法 |
| WO2017045185A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | South University Of Science And Technology Of China | A method for three dimensional sculpturing of nanowire arrays |
| CN106629579A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-05-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 微机电器件的制备方法 |
| CN106653952A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-10 | 南京大学 | 一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法 |
| CN107193068A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-22 | 常州瑞丰特科技有限公司 | 利用电场操控空穴分布制造闪耀光栅的方法 |
| CN107777659A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-09 | 广东工业大学 | 金属折点纳米线阵列的制备方法及其金属折点纳米线阵列 |
| CN108529555A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-09-14 | 吉林大学 | 一种与循环肿瘤细胞尺寸匹配的微纳复合结构表面、制备方法及其应用 |
| CN112079328A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-12-15 | 广东工业大学 | 一种t型悬臂梁微结构及其加工方法和应用 |
| CN112079329A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-12-15 | 广东工业大学 | 一种基于马兰哥尼对流操控的纳米孔阵列及其可控加工方法和应用 |
| CN112358292A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-12 | 武汉理工大学 | 一种三维纳米结构的金属氧化物陶瓷的制备方法 |
| CN117658058A (zh) * | 2023-12-04 | 2024-03-08 | 广东工业大学 | 硅基宽阵列纳米通孔的制造方法及硅基宽阵列纳米通孔 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1693191A (zh) * | 2005-05-20 | 2005-11-09 | 清华大学 | 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法 |
| KR20060018466A (ko) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 비금속 나노선 제작방법 |
| CN101117208A (zh) * | 2007-09-18 | 2008-02-06 | 中山大学 | 一种制备一维硅纳米结构的方法 |
| CN101540348A (zh) * | 2008-12-12 | 2009-09-23 | 北京师范大学 | 一种多用途硅微纳米结构制备技术 |
-
2012
- 2012-01-13 CN CN2012100115379A patent/CN102556949A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060018466A (ko) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 비금속 나노선 제작방법 |
| CN1693191A (zh) * | 2005-05-20 | 2005-11-09 | 清华大学 | 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法 |
| CN101117208A (zh) * | 2007-09-18 | 2008-02-06 | 中山大学 | 一种制备一维硅纳米结构的方法 |
| CN101540348A (zh) * | 2008-12-12 | 2009-09-23 | 北京师范大学 | 一种多用途硅微纳米结构制备技术 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| H.S.SONG ET AL.: "Controllable Fabrication of Three-Dimensional Radial ZnO Nanowire/Silicon Microrod Hybrid Architectures", 《2010 AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 * |
| W.K.CHOI ET AL.: "Synthesis of Silicon Nanowires and Nanofin Arrays Using Interference Lithography and Catalytic Etching", 《2008 AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104986723A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-10-21 | 中国科学技术大学先进技术研究院 | 一种适用纳米材料的电极的工业化生产设备及其控制方法 |
| WO2017045185A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | South University Of Science And Technology Of China | A method for three dimensional sculpturing of nanowire arrays |
| CN107112234A (zh) * | 2015-09-17 | 2017-08-29 | 南方科技大学 | 纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 |
| CN106629579A (zh) * | 2015-11-03 | 2017-05-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 微机电器件的制备方法 |
| CN106653952B (zh) * | 2017-01-17 | 2018-05-08 | 南京大学 | 一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法 |
| CN106653952A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-10 | 南京大学 | 一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法 |
| CN107193068B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-04-10 | 常州瑞丰特科技有限公司 | 利用电场操控空穴分布制造闪耀光栅的方法 |
| CN107193068A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-22 | 常州瑞丰特科技有限公司 | 利用电场操控空穴分布制造闪耀光栅的方法 |
| CN107777659A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-09 | 广东工业大学 | 金属折点纳米线阵列的制备方法及其金属折点纳米线阵列 |
| CN108529555A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-09-14 | 吉林大学 | 一种与循环肿瘤细胞尺寸匹配的微纳复合结构表面、制备方法及其应用 |
| CN112079328A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-12-15 | 广东工业大学 | 一种t型悬臂梁微结构及其加工方法和应用 |
| CN112079329A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-12-15 | 广东工业大学 | 一种基于马兰哥尼对流操控的纳米孔阵列及其可控加工方法和应用 |
| CN112358292A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-12 | 武汉理工大学 | 一种三维纳米结构的金属氧化物陶瓷的制备方法 |
| CN112358292B (zh) * | 2020-11-11 | 2023-03-10 | 武汉理工大学 | 一种三维纳米结构的金属氧化物陶瓷的制备方法 |
| CN117658058A (zh) * | 2023-12-04 | 2024-03-08 | 广东工业大学 | 硅基宽阵列纳米通孔的制造方法及硅基宽阵列纳米通孔 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120711 |