CN102545401A - 音圈马达用永久磁铁部件及音圈马达 - Google Patents

Abstract

本发明涉及音圈马达用永久磁铁部件及音圈马达，能更加稳定地控制从磁盘上转离后的磁头。将具有从长边缘相对于圆周中心向相反侧突出的凸部的VCM用永久磁铁部件(10)放置于磁轭(15)之上的情况下，厚度之和(P1+P2)为最大值的端部P侧，也就是凸部侧的磁铁素体(111)的上表面侧比其他区域的磁铁素体的上表面侧都高。因此，凸部的磁铁素体(111)靠近锁销，锁销(21)和VCM用永久性磁铁部件(10)的磁吸引力变强，可以在磁头从磁盘上转离后(锁上时)，使锁止更加稳固，提高稳定性。

Description

音圈马达用永久磁铁部件及音圈马达

技术领域

本发明涉及音圈马达用永久磁铁部件以及音圈马达。

背景技术

作为电脑的数据存储单元的已普及的硬盘驱动(HDD)，具有在同轴上配置有单个或者多个磁盘、并用主轴电动机驱动这些磁盘的构造。此HDD中数据的读出和写入都是通过相对磁盘设置的磁头进行的，该磁头通过驱动器进行驱动，一般是由摆动型音圈电机(VCM)进行驱动的。

VCM具有通过摆动动作使磁头在磁盘上高速且稳定地扫描的功能。另外，现有技术中，虽然磁头因为伴随磁盘旋转的空气流从磁盘上浮起，但是在不管由什么原因导致的磁盘旋转停止的情况下，都有可能发生磁头和磁盘的碰撞，使磁盘上存储的信息破损。因此，在VCM上设置有使磁头从磁盘上快速转离的固定机构，即锁止机构。例如，在日本特开2006-073142号公报中，公开了为了VCM的磁头产生的摆动而在永久磁铁部件的特定位置设置突起部，通过磁头和此突起部的磁吸引使磁头从磁盘上转离的构造。

发明内容

近些年来，随着磁盘上的存储密度的提高，要求正在读取以及写入数据的磁头的动作精度进一步提高。因此，即使在上述锁止机构上也要求更高精度的控制，特别是要求磁头从磁盘上转离情况下的稳定控制。

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供能够更加稳定地控制从磁盘上转离的情况下的磁头的音圈马达用永久磁铁部件，以及使用了该音圈马达用永久磁铁部件的音圈马达。

为了达成上述目的，本发明所涉及的音圈马达用永久磁铁部件的特征在于，具备：磁铁素体，由稀土类磁铁构成，具有大致扇形的平面形状，该平面形状具有由短边缘、位于与所述短边缘隔开规定间隔的位置的长边缘、以及连接所述短边缘与所述长边缘的一对侧边缘所构成的边缘部，并设置有从所述长边缘相对于圆周中心向相反侧突出的凸部；以及包覆所述磁铁素体的表面的保护膜，其中所述磁铁素体的厚度与所述磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的所述保护膜的厚度之和在所述凸部成为最大值。

根据所述的音圈马达用永久磁铁部件，在用于锁止机构上的凸部中，使磁铁素体的厚度与磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的保护膜的厚度之和成为最大值，这样在磁轭上放置了永久磁铁部件的时候，凸部的磁铁素体相对于所述磁轭位置更高。因此，在使磁头从磁盘上转离了的时候，由该凸部的磁吸引可以使锁止机构在更加稳定的状态下发挥功能，可以更加稳定地控制磁头。

在此，优选为以下形态，所述凸部设置于所述长边缘的一端侧，在同一主面侧，在与所述长边缘上设置有所述凸部的一端侧不同的另一端侧的所述短边缘的端部的所述磁铁素体的厚度和所述磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的所述保护膜的厚度之和、与所述凸部的所述磁铁素体的厚度和所述磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的所述保护膜的厚度之和、的差为1～10μm。

通过具有上述的结构，磁头从磁盘上转离后能稳定控制磁头，并且，也能提高磁头在磁盘上面摆动时候的稳定性。

另外，包覆所述磁铁素体的所述一个主面的所述保护膜的厚度，在由所述边缘部包围的区域中存在其最小值，而且在所述凸部中存在其最大值，所述最大值和所述最小值的差可以为3～18μm。

这样，磁铁素体保护膜的厚度在由所述边缘部包围的区域中存在最小值，可以使音圈用永久磁铁部件相对于磁轭稳定地固定，同时，还能抑制对应于用于固定的粘结剂的厚度而产生的磁头共振的发生。

另外，所述保护膜可以由Ni或者Ni合金构成的电镀膜构成。

此外，本发明所涉及的音圈马达，其特征在于，具备：安装于以规定轴为中心自由转动的转动部件上的线圈；以夹着所述线圈的转动区域的方式隔着规定间隔相对配置的一对磁轭；以及如上所述的音圈马达用永久磁铁部件，所述部件在一对所述磁轭之间相对于所述磁轭固定，并与一对所述磁轭共同形成磁性空隙。

发明效果

通过本发明，提供可以更加稳定地控制从磁盘上转离了的磁头的音圈马达用永久磁铁部件，以及使用了此音圈马达用永久磁铁部件的音圈马达。

附图说明

图1是本实施方式所涉及的VCM的简要结构图。

图2是本实施方式所涉及的VCM简要结构图，说明磁头被锁住情况下的结构的图。

图3是本实施方式所涉及的VCM用永久磁铁部件的立体图。

图4是图3的IV-IV的向视图。

图5是说明图3的VCM用永久磁铁部件固定于磁轭上情况下结构的图，对应于图3的IV-IV向视图的图

图6是说明评价方法的图。

具体实施方式

以下参照附图，对实施本发明的方式进行详细说明。另外，在图上的说明中对同一要素标以同一符号，省略重复说明。

(音圈马达)

首先，使用图1，2，说明本实施方式中的音圈马达(VCM)。图1是说明本实施方式的VCM的结构的简要结构图，图2是说明图1的VCM中磁头被锁住情况下的结构的图。

如图1所示，本实施方式的VCM1是由相对配置的一对磁轭15、VCM用永久磁铁部件10、扇形线圈16和磁头托架17构成的，其中，所述VCM用永久磁铁部件10是在一对磁轭15之间通过粘结剂与一个磁轭15粘连而固定的，所述扇形线圈16是配置在这些磁轭15和VCM用永久磁铁部件10所形成的磁空隙中，以轴承18为中心转动的，所述磁头托架17连结于线圈16。

因此，如果扇形线圈16中通以规定的驱动电流，按照弗莱明左手定则在线圈16中产生驱动力，线圈16围绕轴承18沿着箭头A方向转动，其结果使磁头托架17以轴承18为中心沿箭头B方向转动。利用这个动作，使在磁头托架17的前端搭载的磁头19，沿着和线圈16的转动方向相反方向的箭头C方向移动，进行相对于磁盘20的定位。

进一步，在本实施方式所涉及的VCM1中，在扇型线圈16的外周侧安装有锁销21。另外，在VCM用永久磁铁部件10上，外周侧(图1中为图示中靠自己这边的方向)设有突出的凸部101。因此，在磁头19对磁盘20不进行读取或者写入的时候，也就是磁头19非工作时，如图2所示，磁头19从磁盘20上转离。这时锁销21受VCM用永久磁铁部件10的凸部101的吸引，具有使磁头19在磁盘20的外侧被锁住的结构。另外，磁轭15被设置为，含有线圈16的可动部在转动的时候，具有使VCM用永久磁铁部件10和可动部不接触的足够的距离。具体来说，从可动性的观点出发，可动部和磁轭15之间，以及可动部和VCM用永久磁铁部件10之间的距离优选为10μm～1mm。

针对此VCM1中所用的VCM用永久磁铁部件10在后面叙述。另外，作为在VCM1中的磁轭15，主要使用施有无电解镀Ni的硅钢板。此外，磁轭15和VCM用永久磁铁部件10一般通过粘结剂固定。而磁轭15和VCM用永久磁铁部件10优选稳固地粘结在一起。

(VCM用永久磁铁部件)

接下来，使用图3和图4对VCM用永久磁铁部件10进行详细的说明。如图3所示，VCM用永久磁铁部件10形成大致扇形的平面形状，该平面形状具有短边缘11、和短边缘11隔开规定间隔相对着的长边缘12、以及和短边缘11和长边缘12连结的侧边缘13和侧边缘14。在此，具有大致扇形的平面形状的一对面在VCM永久磁铁部件10中是具有最大面积的面，构成VCM用永久磁铁部件10的主面。于是，该VCM用永久磁铁部件10在长边缘12的一个端部具备相对于圆周中心向相反侧突出的凸部101。另外，在图3中，凸部101的形状为大致圆形，但也可以是例如大致四边形。即，凸部101的形状没有特别限定。

连接该VCM用永久磁铁部件10中凸部101的端部P，和与VCM用永久磁铁部件10中凸部101成对角方向的短边缘11的端部Q(短边缘11和侧边缘13的交点)的IV-IV向视图如图4所示。而且，在磁铁素体的端部的延长线上，将端部P和端部Q的中点作为点R。如图4所示，VCM用永久磁铁部件10具备由稀土类磁铁构成的磁铁素体111和在磁铁素体111表面上包裹的作为耐腐蚀保护膜的由Ni或者Ni合金镀膜(以下总称为Ni镀膜)构成的保护膜112。另外，在图4中，虽然在凸部101表面的保护膜112上标有端部P，Q，但是该端部P以及端部Q相当于在相对于磁铁素体111的端部的垂直方向的延长线上。

构成该磁铁素体111的稀土类磁铁，更加具体来说，是含有稀土类元素R、过渡金属元素T以及硼元素B的R-T-B类稀土类磁铁。稀土类元素R可以选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一种。特别地，稀土类磁铁中，作为稀土元素R优选含有Nd和Pr两者。另外，稀土类磁铁中作为过渡金属元素T优选含有Co和Fe。稀土类磁铁含有这些元素可以显著提高稀土类磁铁的剩余磁感应强度以及矫顽力。另外，根据必要，稀土类磁铁也可以进一步含有Mn、Nb、Zr、Ti、W、Mo、V、Ga、Zn、Si以及Bi等其他元素。保护膜112优选由电镀膜构成，所述电镀膜由Ni或者Ni合金构成。另外，针对永磁铁部件10的制造方法在后面叙述。

在此，在本实施方式的VCM用永久磁铁部件10中，磁铁素体111的厚度和磁铁素体111的一对主面中至少一个主面侧的保护膜112的厚度之和，在凸部101处构成最大值。具体来说，显示于图4的话，凸部101的端部P侧的磁铁素体的厚度P1与此端部P处一个主面侧(在图4中为下侧)的保护膜112的厚度P2之和(P1+P2)比其他区域中厚度之和更大，在端部P处取得最大值。

进一步，在VCM用永久磁铁部件10中，在同一主面侧，端部Q侧的磁铁素体的厚度Q1和在此端部Q处一个主面侧(在图4中为下侧)的保护膜112的厚度Q2之和(Q1+Q2)，与在端部P处的厚度和(P1+P2)之差优选为1～10μm。

用图5来解释如上所述的，由端部P侧的厚度之和(P1+P2)相比于其他区域取得厚度的最大值所产生的效果。

图5是显示将所述VCM用永久磁铁部件10放置于平板状的磁轭15上情况下的结构的图。在将本实施方式的VCM用永久磁铁部件10放置于磁轭15上的情况下，如图5所示，厚度之和(P1+P2)为最大值的端部P侧，即，凸部101侧的磁铁素体111的上表面侧比其他区域的磁铁素体111的上表面侧更高。具体来说，在磁铁素体111在P侧和Q侧为相同厚度的情况下，图5中的高度H相当于两者之差。因此，通过凸部101的磁铁素体111靠近锁销21，锁销21和VCM用永久磁铁部件10的磁吸引力变强，磁头从磁盘上转离的时候(上锁时)，可以使上锁更加稳固，提高稳定性。

但是，如上所述，将VCM用永久磁铁部件10的磁铁素体111相对于磁轭15倾斜的情况下，通过磁铁素体111使磁头19在磁盘20上转动的时候(摆动时)，左右对称性降低。这是由于将磁铁素体111相对于磁轭15带有倾斜而配置的话，由线圈16的位置产生磁场变动大。因此，为了同时实现抑制此磁头19的摆动动作时候左右对称性的降低和提高上锁时候的稳定性，端部Q处厚度之和(Q1+Q2)和端部P处的厚度之和(P1+P2)的差优选为1～10μm。通过使其在所述范围内，在发生锁止动作时(上锁时)扭矩仅仅在特定范围内变强，因此，可以在提高上锁时的稳定性，并且抑制摆动动作时候的左右对称性的降低。

另外，在本实施方式的VCM用永久磁铁部件10中，由边缘部(11～14)所包围的区域中保护膜112的厚度存在最小值，而且，在凸部101处优选存在其最大值。具体来说，和在图4所示的中点R一样，构成磁铁素体111内侧的部分的保护膜的厚度R2优选比其他区域的保护膜的厚度更小。这样，如图5所示，提高经由粘结剂将VCM用永久磁铁部件10相对于磁轭15固定时候的粘结性。另外，此最大值和最小值之差优选为3～18μm。通过使保护膜112的厚度的最大值和最小值之差为所述范围内，也可以抑制由于和磁轭15的粘结产生的共振。

这样，在本实施方式的VCM用永久磁铁部件10中，通过变换保护膜112的厚度可以实现上述的结构，因此，与例如改变磁铁素体的形状的情况，或者编入其他机构等的情况相比，可以更加容易地达成提高锁止机构的稳定性的目的。

(VCM用永久磁铁部件的制造方法)

接下来，针对上述VCM用永久磁铁部件10的制造方法进行说明。

首先，针对永久磁铁部件10的内部的磁铁素体111的制造方法进行说明。作为构成磁铁素体111的稀土类磁铁的制造方法，首先铸造原料合金，得到铸块。作为原料合金，可以使用含有稀土类元素R、Co以及B的合金。进一步可以根据必要含有Co以外的过渡金属元素T(例如Fe)，Cu、Ni、Mn、Al、Nb、Zr、Ti、W、Mo、V、Ga、Zn、Si以及Bi等的元素。铸块的化学组成可以根据最终希望得到的稀土类磁铁的主相的化学组成进行调整。

接下来，将铸块等用盘式磨粉机等粗粉碎得到10～100μm左右粒径的合金粉末。然后，将此合金粉末通过气流粉碎机等进行微粉碎得到0.5～5μm左右粒径的合金粉末之后，将该合金粉末在磁场中加压成形。在此，加压成形时外加于合金粉末上的磁场强度优选为800kA/m以上，成形时加在合金粉末上的压力优选为10～500MPa左右。另外，作为成型方法可以使用单轴加压法或者CIP等的等静压加压法(Isostatic Pressing)中的任意种。此后，烧结得到的成形体从而得到烧结体(磁铁素体)。烧结优选在真空中或者Ar气等惰性气体气氛中进行，烧成温度可以为1000～1200℃左右。另外，烧结时间可以为0.1～100小时左右。而且，烧结工序可以多次进行。

进一步，对于所述烧结得到的烧结体，优选施加时效处理。在时效处理中，优选将烧结体在450～950℃左右的温度下，惰性气体气氛中进行热处理0.1～100小时左右。通过这样的时效处理进一步提高稀土类磁铁的矫顽力。另外，时效处理可以由多阶段的热处理工序构成。例如，在由2阶段的热处理构成的时效处理中，有在第1阶段的热处理工序中将烧结体在700℃以上、不足烧结温度的温度下加热0.1～50小时，在第2阶段的热处理步骤中，将烧结体在450～700℃下加热0.1～100小时的方法。

进一步，可以根据必要将所述方法得到的烧结体加工成规定的形状。作为加工方法，例如可以列举切断、磨削等形状加工和滚筒研磨等倒角加工等。但是没有必要必须进行这样的操作。

对于这样得到的磁铁素体，为了除去表面的凹凸和表面上附着的杂质等，可以进行适当的清洗。作为清洗方法，例如，优选使用酸溶液进行酸清洗(腐蚀)。通过酸清洗，容易溶解除去磁铁素体表面的凹凸和杂质，而得到具有平滑表面的磁铁素体。

另外，将所述酸清洗之后的磁铁素体进行水洗，将酸清洗中使用的处理液从磁铁素体上除去之后，为了完全除去在磁铁素体表面残留的少量未溶解物和残留酸成分，优选对磁铁素体使用超声波进行清洗。超声波例如可以在使磁铁素体表面生锈的氯离子极少的纯水中或者在碱性溶液中等进行。超声波清洗之后，可以根据必要水洗磁铁素体。另外，用于脱脂处理的脱脂液，只要是通常的钢铁用途中使用的都没有特别限定。一般以NaOH作为主要成分，不特定其他添加剂。

作为酸清洗中所用的酸，优选生成氢少的氧化性酸的硝酸。一般在施加钢材镀膜处理的时候，多用盐酸、硫酸等非氧化性酸。处理液中的硝酸浓度优选为1当量(normal)以下，特别优选为0.5当量以下。

在含有稀土类元素的情况下，如果使用这些酸进行处理的话，由酸产生的氢被吸附于磁铁素体表面，吸附部位脆化产生大量的粉末状不溶物。这些粉末状不溶物会引起表面处理后的表面粗糙，缺陷以及附着力不良，所以优选在化学腐蚀处理液中不含有上述的非氧化性酸。

通过这样的酸清洗产生的磁铁素体的表面溶解量，换算成距离表面的平均厚度优选为5μm以上，更加优选为10～15μm。这样的话，可以基本完全除去由磁铁素体的表面加工形成的变质层和氧化层。

为了从进行了预处理的磁铁素体表面完全除去少量的未溶解物、残留酸成分，优选使用超声波进行清洗。此超声波清洗优选在使磁铁素体表面生锈的氯离子极少的离子交换水中进行。另外，也可以在所述超声波清洗前后，以及所述预处理的各过程中进行同样的水洗。

通过进行以上的处理，得到磁铁素体111。接下来，通过电镀，在磁铁素体111表面形成保护膜。

在电镀工序中，在所得到的磁铁素体表面上，形成含有选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu以及Zn中的至少一种金属或者含有该金属的合金的第1层。也可以使用溅射或者蒸镀法。此层为金属镀层的情况下，可以由通常的电解镀或者无电解镀形成层。具体来说，可以通过电解Ni镀、无电解Ni镀或者电解Cu镀形成由各镀膜构成的保护膜。更加具体来说，可以通过准备电镀浴、滚筒槽或者悬挂夹具将磁铁素体浸渍于电镀液中，再进行通电而形成。

另外，作为Ni电镀中使用的电镀浴，可以列举不含氯化镍的瓦兹镀镍浴(Watts bath)、氨基磺酸电镀浴(sulfamate bath)、氟硼酸盐电镀浴(Fluoroborate bath)、溴化镍浴等。

无电解Ni电镀层通过将磁铁素体10浸渍于镍化学电镀液(温度：80℃左右)中形成，所述镍化学电镀液在含有规定量的镍离子的同时还含有例如，次磷酸钠等还原剂、柠檬酸钠等络合剂，以及硫酸铵等。

作为电解铜电镀液，可以使用硫酸铜的浓度为20～150g/L，乙二胺四乙酸(EDTA)等螯合剂的浓度为30～250g/L的电镀液。在电解铜镀中，电流密度为0.1～1.5A/dm²，电解铜电镀浴的温度可以为10～70℃。

在此，本实施方式中的VCM用永久磁铁部件10中，通过控制电镀方法来实现控制保护膜112的厚度。例如，在电镀形成Ni镀膜的情况下，VCM用永久磁铁部件的边缘部，电场从多方向集中因此电流密度较大，相反，边缘部围绕的平面部，外加的电场仅在垂直方向，因此，电流密度较小。因此，通过利用此电流密度的关系可以使凸部101中保护膜的厚度比其他区域更大。

另外，在挂镀法(rack plating)中，直接在阴极端子上保持被镀物，相对于阳极进行电镀。除了被镀物与阳极的距离、位置关系之外，通过适当配置档板和牺牲阴极，可以控制被镀物上的电镀电流密度的分布，即，可以控制电镀保护膜厚度分布。

而在滚镀法中，将被镀物和导电性媒介在电镀滚筒中混合，将阴极端子插入其中，使电镀滚筒与阳极相对而进行电镀。通过组合被镀物的形状·数量和导电性媒介的形状·数量，通过导电性媒介充当牺牲阴极的作用，可以控制被镀物上的电镀电流密度的分布，即可以控制电镀保护膜厚度分布。

以上针对本实施方式所涉及的VCM用永久磁铁部件和音圈马达进行了说明，但是还可以对本发明所涉及的VCM用永久磁铁部件以及音圈马达进行种种改变。

例如，在本实施方式中，VCM用永久磁铁部件中凸部的位置在外边缘的一端侧，但是凸部的位置没有限定。另外，针对凸部的形状也没有特别的限定。

另外，在所述实施方式中，说明了磁铁素体外侧的保护膜的膜厚在一对主面的两侧是相同的结构，但也可以是在一对主面中只有一侧的保护膜满足上述条件。

[实施例]

下面，基于实施例和比较例进一步具体地说明本发明，但是本发明不受下面实施例的任何限制。

<实施例1>

(磁铁制法)

将通过粉末冶金法做成的27.4Nd-3Dy-1B-68.6Fe质量％的组成构成的铸块，通过捣碎机(stamp mill)和球磨机进行粉碎，得到上述组成的合金粉末。将此得到的合金粉末在磁场中，进行压制成型，得到成形体。然后，将此成形体在保持温度为1100℃、保持时间为1小时的条件下进行烧结之后，在1Ar气气氛下，以保持温度为600℃，保持时间为2小时的条件下进行时效处理得到烧结体。从此烧结体中，加工形成平面部面积为250mm²、厚度为1mm的，凸部为圆形状(图3所示形状：型号1)的大致扇形形状的平板，进一步通过滚筒研磨处理进行倒角得到磁铁素体。

(预处理)

接下来，对磁铁素体施加碱脱脂处理、水洗、由硝酸溶液进行的酸清洗处理、水洗、超声波清洗进行除污、水洗的进行准备的预处理。

(保护膜形成)

接下来，调制以下组成构成的电镀浴(液种：S1)。

S1：硫酸镍·六水合物：270g/L、氯化镍·六水合物：50g/L、硼酸：45g/L、糖精钠：5g/L、香豆素(coumarin)：0.3g/L。另外，该电镀浴的pH为4.5，温度为50℃。

然后，将进行了预处理的磁铁素体浸渍于所述电镀浴中，进行电镀处理。电镀处理通过挂镀法，在电流密度为0.2A/dm²下，进行电镀直至使磁铁素体表面的图3中的R区域上形成厚度为3.0μm的电镀保护膜。得到实施例1中的VCM用永久磁铁部件。

<实施例2～6以及比较例1～3>

和所述实施例1相比较，改变磁铁素体的凸部形状(型号1：圆形、型号2：方形)、电镀浴的液种(S1、S2、W1、W2)、pH、温度、电镀方法(以磁铁素体的凸部靠近阳极的方式调整的挂镀法/调整了媒介量使磁铁素体的凸部的电镀厚度变厚的滚镀法)的种种，制造实施例2～6以及比较例1～3的VCM用永久磁铁部件。

另外，电镀浴的各液种组成(S2、W1、W2)的组成如下所示。

S2：硫酸镍·六水合物：150g/L、氯化镍·六水合物：100g/L、硼酸：45g/L、糖精钠：5g/L、2-丁炔-1，4-二醇：0.1g/L

W1：氨基磺酸镍·四水合物：300g/L、氯化镍·六水合物：30g/L、硼酸：30g/L

W2：氨基磺酸镍·四水合物：200g/L、氯化镍·六水合物：50g/L、硼酸：30g/L

对于所述实施例1～6以及比较例1～3的制造方法，表示于表1。

[表1]

<永久磁铁部件评价>

(磁铁素体的厚度和保护膜厚度的评价)

用千分尺测量所述实施例1～6以及比较例1～3的VCM用磁铁部件的厚度，并用荧光X射线膜厚计测定所镀保护膜的厚度。测定部位为VCM用永久磁铁部件的4个角以及中间地点，具体来说，为图3所示的P、Q、R、S、T地点。另外，假定磁铁素体的厚度一样，算出(P-Q)/2，在P地点和Q地点处，对磁铁素体的厚度和磁铁素体的一对主面中一个主面侧的保护膜的厚度之和，算出P点和Q点处的差。

<VCM的组装>

接下来，使用所述得到的VCM用永久磁铁部件，通过以下方法制作VCM。

首先，使用厌氧性丙烯酸胶粘剂(日本LOCTITE(株)制造LOCTITE 638UV)，将所述得到的磁铁部件贴附在材质为SPCC，厚度为1mm的磁轭上。

然后，将具备线圈、锁销的驱动器一起组装图1所示的VCM。另外，设计为此VCM的驱动器可动域为14度～58度，摆动动作域为28度～57度(摆动动作中心角度：42.5度)，上锁动作点为17度。

<上锁动作的评价>

制成所述VCM之后，在VCM线圈不通电的状态下，测量上锁动作点附近(14度～25度)处驱动器上锁扭矩(单位：mN·m毫牛·米)的角度相关性。

接下来，相对于在上锁动作点θT0处的上锁扭矩LT0，求出显示其半值的上锁扭矩的高角侧角度θTh，将Δ＝θT0-θTh作为上锁动作性(参照图6)。相对于此结果得到的上锁动作性，将Δ＝不足3度的情况定为A，3～5度的情况定为B，超过5度的情况定为C。

<主扭矩对成性的评价>

向VCM线圈中通电，测量驱动器可动区域内驱动主扭矩(单位：mN·m/A毫牛·米/安培)的角度相关性。

然后，求出此摆动领域的低角度侧(28度～42.5度)处的主扭矩平均值MTL和高角侧(42.5度～57度)处的主扭矩的平均值MTH，算出其商对100％的偏离度，即，[MTH÷MTL-1]的绝对值，将此作为摆动动作对称性(参照图6；在图6中使用“MTH”“MTL”所示范围的驱动器主扭矩，分别算出MTH、MTL)。

所述结果得到的摆动对称性，不足3％的情况下为A，为3～5％的情况下为B，超过5％的情况下为C。

<共振的评价>

向VCM线圈中通入交流电使其高速往复振动驱动器，使用激光多普勒位移测量仪检测此时共振产生的磁轭弯曲量，使用快速傅立叶变换(FFT)分析仪确定其共振频率，测算其共振放大率(dB)。

将所述结果中得到的共振放大率不足-30dB的情况定为A，-30～20dB的情况下为B，超过-20dB的情况下为C。

<综合评价>

如上所述，针对3个项目进行评价之后，最优选全部为A，将其定为综合评价A。另外，也优选3个项目全部为A或者B的定为综合评价B。进一步，3个项目中有1个项目为C的为综合评价C。此外，3个项目中有2个以上的项目为C的为综合评价D。所述结果如表3所示。

表2

[表3]

	上锁动作	对称型	共振	综合评价
					实施例1	B	A	A	B
实施例2	A	A	A	A
					实施例3	A	A	A	A
实施例4	A	A	A	A
					实施例5	A	B	A	B
实施例6	A	B	B	B

比较例1	C	A	C	D
					比较例2	A	C	C	D
比较例3	C	A	A	C

符号说明

1      音圈马达

10     VCM用永久磁铁部件

101    凸部

111    磁铁素体

112    保护膜

Claims (9)

1.一种音圈马达用永久磁铁部件，其特征在于，

具备：

磁铁素体，由稀土类磁铁构成，具有大致扇形的平面形状，该平面形状具有由短边缘、位于与所述短边缘隔开规定间隔的位置的长边缘、以及连接所述短边缘与所述长边缘的一对侧边缘所构成的边缘部，并设置有从所述长边缘相对于圆周中心向相反侧突出的凸部；以及

包覆所述磁铁素体的表面的保护膜，

所述磁铁素体的厚度与所述磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的所述保护膜的厚度之和在所述凸部成为最大值。

2.如权利要求1所述的音圈马达用永久磁铁部件，其特征在于，

所述凸部设置于所述长边缘的一端侧，

在同一主面侧，在与所述长边缘上设置有所述凸部的一端侧不同的另一端侧的所述短边缘的端部的所述磁铁素体的厚度和所述磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的所述保护膜的厚度之和、与所述凸部的所述磁铁素体的厚度和所述磁铁素体的一对主面中的至少一个主面侧的所述保护膜的厚度之和、的差为1～10μm。

3.如权利要求1或2所述的音圈马达用永久磁铁部件，其特征在于，

包覆所述磁铁素体的所述一个主面的所述保护膜的厚度，在由所述边缘部包围的区域中存在其最小值，而且在所述凸部中存在其最大值，

所述最大值和所述最小值的差为3～18μm。

4.如权利要求1或2所述的音圈马达用永久磁铁部件，其特征在于，

所述保护膜由电镀膜构成，该电镀膜由Ni或者Ni合金构成。

5.如权利要求3所述的音圈马达用永久磁铁部件，其特征在于，

所述保护膜由电镀膜构成，该电镀膜由Ni或者Ni合金构成。

6.一种音圈马达，其特征在于，

具备：

线圈，安装于以规定轴为中心自由转动的转动部件上；

一对磁轭，以夹着所述线圈的转动区域的方式隔着规定间隔相对配置的；以及

如权利要求1或2所述的音圈马达用永久磁铁部件，在一对所述磁轭之间相对于所述磁轭固定，并与一对所述磁轭共同形成磁性空隙。

7.一种音圈马达，其特征在于，

具备：

线圈，安装于以规定轴为中心自由转动的转动部件上；

一对磁轭，以夹着所述线圈的转动区域的方式隔着规定间隔相对配置的；以及

如权利要求3所述的音圈马达用永久磁铁部件，在一对所述磁轭之间相对于所述磁轭固定，并与一对所述磁轭共同形成磁性空隙。

8.一种音圈马达，其特征在于，

具备：

线圈，安装于以规定轴为中心自由转动的转动部件上；

一对磁轭，以夹着所述线圈的转动区域的方式隔着规定间隔相对配置的；以及

如权利要求4所述的音圈马达用永久磁铁部件，在一对所述磁轭之间相对于所述磁轭固定，并与一对所述磁轭共同形成磁性空隙。

9.一种音圈马达，其特征在于，

具备：

线圈，安装于以规定轴为中心自由转动的转动部件上；

一对磁轭，以夹着所述线圈的转动区域的方式隔着规定间隔相对配置的；以及

如权利要求5所述的音圈马达用永久磁铁部件，在一对所述磁轭之间相对于所述磁轭固定，并与一对所述磁轭共同形成磁性空隙。

Images