CN102466934B - 高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法。该液晶显示设备包括：基板；在该基板上以水平方向设置的栅线；覆盖该栅线的栅绝缘层；在该栅绝缘层上以垂直方向设置的数据线；位于该数据线上并且与该数据线具有相同尺寸和形状的附加绝缘层；覆盖该附加绝缘层的钝化层；和在该钝化层上与该数据线交叠的公共电极。根据本发明，由寄生电容以及用于驱动显示面板的负载导致的不利得以减小，并且可以制造大尺寸和高分辨率的显示面板。

Description

高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法
本申请要求享有于2010年11月3日提交的韩国专利申请No.10-2010-0108586的优先权，这里将其并入作为参考，如同在此全部阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法。特别是，本发明涉及一种在数据线和公共电极之间的电容减小的边缘电场型液晶显示设备及其制造方法。
背景技术
液晶显示设备(LCD)通过在电场作用下控制液晶层的透光率来呈现视频数据。根据电场的方向，LCD可以分为两大类：一种是垂直电场型，另一种是水平电场型。
对于垂直电场型LCD，形成于上基板上的公共电极和形成于下基板上的像素电极彼此面对，用以形成其方向垂直于基板表面的电场。设在上基板和下基板之间的扭曲向列液晶层受到垂直电场的驱动。垂直电场型LCD具有开口率较高的优点，同时它具有大约90度的较窄视角的不足。
对于水平电场型LCD，公共电极和像素电极平行地形成于同一基板上。设置在上基板和下基板之间的液晶层在平行于基板表面的电场的作用下按照面内切换(IPS)模式驱动。水平电场型LCD具有超过170度的较宽视角的优点。但是目前，因为水平电场型LCD的开口率较低，所以需要开发先进的技术用以增加开口率。
发明内容
为了克服上述缺点，本发明的目的是提出一种高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法，其中通过以公共电极遮蔽数据线而使数据线和像素电极之间的边缘区域(marginalarea)最小化，从而增加开口率。本发明的另一目的是提出一种高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法，其中通过在数据线和公共电极之间插入具有低介电特性的附加绝缘层而减小寄生电容。本发明的又一目的是提出一种高透光率面内切换模式液晶显示设备及其制造方法，其中依靠所述具有低介电特性材料的附加绝缘层而使数据线材料免遭损坏。
为了实现上述目的，本发明提出一种高透光率面内切换模式液晶显示设备，其包括：基板；在该基板上以水平方向设置的栅线；覆盖该栅线的栅绝缘层；在该栅绝缘层上以垂直方向设置的数据线；位于该数据线上并且与该数据线具有相同尺寸和形状的附加绝缘层；覆盖该附加绝缘层的钝化层；和在该钝化层上与该数据线交叠的公共电极。
该附加绝缘层包含光丙烯；并且该钝化层包括硅氮化物和硅氧化物的至少其中之一。
该附加绝缘层具有1000～2000的厚度；并且该钝化层具有2000～3000的厚度。
该数据线包含铜材料。
上述液晶显示设备还包括：位于该数据线和该附加绝缘层之间并且与该数据线具有相同形状和尺寸的保护金属层。
该保护金属层包括钼、钛和铬的至少其中之一。
该保护金属层具有300～500的厚度。
上述液晶显示设备还包括：从该栅线分叉而来的栅极；在该栅绝缘层上与该栅极交叠的沟道层；从该数据线分叉而来且与该沟道层的第一侧接触的源极；与该源极面对且与该沟道层的第二侧接触的漏极；以及像素电极，与该漏极的多个部分接触且在由该栅线和该数据线限定的像素区域内具有矩形形状，其中该公共电极还包括梳齿图案，在该图案中，具有预定宽度的多个区段以预定的间隙平行地排布在该像素区域内。
本发明还提出一种高透光率面内切换模式液晶显示设备的制造方法，其包括：在透明基板上形成包括栅线的栅组件；形成覆盖该栅组件的栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成与该栅线交叉用以限定像素区域的数据线，和与该数据线具有相同尺寸和形状并且与该数据线接触的附加绝缘层；在该附加绝缘层上形成钝化层；以及在该钝化层上形成覆盖该数据线的公共电极，该公共电极包括梳齿图案，在该图案中，具有预定宽度的多个区段以预定的间隙平行地排布在该像素区域内。
形成该数据线还包括：形成位于该数据线和该附加绝缘层之间并且与该数据线具有相同形状和尺寸的保护金属层。
形成该栅线还包括：形成从该栅线分叉而来的栅极；形成该数据线还包括：形成在该栅绝缘层上与该栅极交叠的沟道层、从该数据线分叉而来且与该沟道层的第一侧接触的源极、以及与该源极面对且与该沟道层的第二侧接触的漏极；并且在形成该数据线之后，还包括：形成与该漏极的多个部分接触且在由该栅线和该数据线限定的像素区域内具有矩形形状的像素电极。
形成该栅线还包括：形成从该栅线分叉而来的栅极；在形成该栅绝缘层之后，还包括：形成在该栅绝缘层上与该栅极交叠的沟道层；以及在该栅绝缘层上形成在该像素区域内具有矩形形状的像素电极；并且其中形成该数据线还包括：形成从该数据线分叉而来且与该沟道层的第一侧接触的源极、和与该源极面对且与该沟道层的第二侧接触的漏极。
在根据本发明的液晶显示设备中，公共电极与数据线交叠，以遮蔽其电压时常发生改变的数据线。因此，液晶层不受数据线的电压改变的影响，因此像素电极区域能够具有最大化的面积，从而可以增大开口率。此外，通过使用具有低介电特性的光丙烯材料作为数据线和公共电极之间的附加绝缘层，使得寄生电容显著降低。因此，由于寄生电容以及液晶显示面板的负载带来的不利得以减少，由此就可以获得大尺寸和高分辨率的显示面板。此外，当使用铜材料作为数据线时，通过在该铜数据线上增加保护金属层，可以避免因低介电特性材料如光丙烯的附加绝缘层而带来的界面(intersurface)问题的产生。结果，就可以得到高透光率的面内切换模式液晶显示设备。此外，通过使用光丙烯，可以实施光掩模工艺，并可以通过一步工序(onestepprocess)而无需任何另外单独的工序来制成低介电特性的附加绝缘层。因此，能够获得一种制造工序简化且制造成本降低的制造方法。
附图说明
附图包括在本申请中以提供对于本发明的进一步的理解，它们被并入并构成本申请的一部分，附图示出本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是用于示出根据本发明的水平电场型液晶显示设备的平面图。
图2A到2F是用于示出根据本发明第一实施方式的制造水平电场型液晶显示面板的步骤，按照图1中的I-I”线剖开的截面图。
图3A到3G是用于示出根据本发明第二实施方式的制造水平电场型液晶显示面板的步骤，按照图1中的I-I”线剖开的截面图。
图4是用于示出根据本发明第一实施方式的水平电场液晶显示面板的数据线的结构，沿着图1中II-II”线剖开的放大的截面图。
图5是用于示出根据本发明第二实施方式的水平电场型液晶显示面板的数据线的结构，沿着图1的II-II”线剖开的放大的截面图。
图6是用于示出具有用于保护本发明第一实施方式中的数据线的附加金属层的水平电场型液晶显示面板的结构的截面图。
图7是用于示出具有用于保护本发明第二实施方式中的数据线的附加金属层的水平电场型液晶显示面板的结构的截面图。
具体实施方式
现在参照包括图1到图7在内的附图对本发明的优选实施方式进行解释。图1是用于示出根据本发明的水平电场型液晶显示设备的平面图。
参照图1，根据本发明的水平电场型液晶显示设备包括液晶显示面板，其具有两个玻璃基板以及插置在这两个玻璃基板之间的液晶层。液晶显示面板包括具有多个薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板，和具有多个滤色器的滤色器阵列基板。对于根据第一实施方式的液晶显示面板，主要使用薄膜晶体管阵列基板来进行解释。
根据本发明的薄膜晶体管阵列基板包括在玻璃基板SUB上沿着水平方向延伸的栅线GL和沿着垂直方向延伸的数据线DL。由栅线GL和数据线DL的交叉结构所形成的矩形形状限定多个像素区域。在每个像素区域的一角，形成薄膜晶体管T，其具有从栅线GL分叉而来的栅极G、从数据线DL分叉而来的源极S以及与该源极S面对且与源极S相隔预定距离的漏极D。
漏极D与对应于像素区域的内部区域的像素电极PXL相连。像素电极PXL被钝化层PAS覆盖，且与像素电极PXL交叠的公共电极COM形成于钝化层PAS上。特别是，公共电极COM具有梳齿图案，在该图案中，具有预定宽度的多个区段(segment)以预定的间隙平行地排布在像素区域内。像素电压根据薄膜晶体管T的操作，经由数据线DL而施加到每个像素电极PXL。并且，用于驱动液晶分子的参考电压施加到公共电极COM。因此，在像素电极PXL和公共电极COM之间形成边缘电场。由于水平边缘电场，液晶分子以面内切换模式被驱动。
特别是，为了使开口率最大化，根据本发明的液晶显示面板具有这样的结构，其中公共电极COM与其上的数据线交叠且将其覆盖。也即，具有恒定参考电压的公共电极COM遮蔽了其数据电压时常改变的数据线DL。因此，数据线DL的电压改变不能影响形成于像素电极PXL和公共电极COM之间的电场。此外，由于水平电场形成于位于像素区域周围、数据线DL上方的公共电极COM与位于像素区域内的像素电极PXL之间，因此在像素区域的整个区域都形成水平电场。
根据本发明，至少有两种方法用于制造上述液晶显示面板。首先，将参照图2A到2F解释用于制造液晶显示面板的第一实施方式。图2A到2F是用于示出根据本发明第一实施方式的制造水平电场型液晶显示面板的步骤，按照图1中的I-I”线剖开的截面图。
如图2A所示，在透明基板SUB上，沉积金属材料并使用第一掩模工序图案化金属材料，以形成栅组件。栅组件包括在基板SUB上沿着水平方向延伸的栅线GL，从栅线GL突出到像素区域内的栅极G，以及形成于栅线GL一端的栅焊盘GP。特别地，栅组件包括具有铜(Cu)的低电阻的第一金属层，和位于第一金属层上用于保护第一金属层的铜材料的第二金属层。
如图2B所示，在具有栅组件的基板SUB的整个表面上，依次沉积栅绝缘层GI、半导体材料SE和源-漏金属材料CU。在源-漏金属材料CU上，沉积光丙烯(photoacryl)材料。使用第二掩模工序，形成光丙烯图案PR。在第二掩模工序中，使用包括3个区域的半色调掩模。结果，以如下方式形成具有3个区域的光丙烯图案PR：使得第一区域具有最大的厚度，第三区域具有最小的厚度，而第二区域具有中间厚度。在第一区域①中，源-漏金属材料CU、半导体材料SE和光丙烯将被保留，在第二区域②中，源-漏金属材料CU、半导体材料SE将被保留，在第三区域③中，仅仅半导体材料SE将被保留。
使用光丙烯图案PR对源-漏金属材料CU和半导体材料SE进行图案化。之后，通过灰化光丙烯图案PR来使光丙烯图案PR变薄，以去掉第三区域③的厚度。然后，光丙烯图案PR的第一区域①和第二区域②具有减去第三区域③厚度的厚度。在第三区域③中，光丙烯图案PR被去除，使得源-漏金属材料CU暴露出来。在这种情形下，进一步实施蚀刻工序，以将暴露的源-漏金属材料CU去除。然后，形成源极S和漏极D，并且在源极S和漏极D之间产生沟道层。之后，使用进一步灰化工序，通过去掉剩余的第二区域②的厚度而使剩余的光丙烯图案PR变薄。也即，因减去了第二区域②的初始厚度，第一区域①的光丙烯图案具有比初始厚度要薄的厚度。
如图2C所示，在第一区域①，变薄的光丙烯图案PR仍然保留，而在第二区域②，部分漏极D暴露出来，并且在第三区域③，半导体层A暴露出来。结果，就形成了与栅极G交叠的半导体层A、在基板SUB上沿着垂直方向延伸的数据线DL、从数据线DL分叉而来并且与半导体层A的一侧接触的源极S、与源极面对且与半导体层A的另一侧接触的漏极D、以及形成于数据线DL一端的数据焊盘DP。在此期间，在数据线DL、源极S和部分漏极D上，保留变薄的光丙烯图案PR以形成附加绝缘层。这里，为了使附加绝缘层遮蔽数据线DL，优选使最终保留的变薄的光丙烯图案PR具有1000～2000的厚度。优选地，附加绝缘层位于数据线DL上并且与数据线DL具有相同的尺寸和形状且与数据线接触。
在具有薄膜晶体管T的基板SUB上，沉积透明导电材料诸如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，并通过第三掩模工序对其图案化，以形成像素电极PXL。像素电极PXL具有覆盖像素区域的整个区域的矩形形状。特别是，像素电极PXL直接接触被光丙烯图案PR暴露出的漏极D的上表面和被蚀刻的侧表面，如图2D所示。
在具有像素电极PXL的基板SUB上，沉积厚度为1000～3000的无机绝缘材料(诸如硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的至少其中之一)，以形成钝化层PAS。使用第四掩模工序，对钝化层PAS和栅绝缘层GI进行图案化。通过去除覆盖栅焊盘GP的部分钝化层PAS和栅绝缘层GI，形成暴露出栅焊盘GP的栅接触孔GPH。与此同时，去除覆盖数据焊盘DP的部分钝化层PAS，形成暴露出数据焊盘DP的数据焊盘接触孔DPH，如图2E所示。
参照图2F，在基板SUB的整个表面上，沉积透明导电材料诸如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，并使用第五掩模工序对其图案化，以形成公共电极COM、栅焊盘端子GPT和数据焊盘端子DPT。栅焊盘端子GPT通过栅焊盘接触孔GPH连接到栅焊盘GP。数据焊盘端子DPT通过数据焊盘接触孔DPH连接到数据焊盘DP。公共电极COM具有完全覆盖数据线DL的一个区段部分以及位于像素区域内的具有预定宽度并以预定间隙相互平行排布的多个区段。公共电极COM具有包括多个梳齿图案肋条的结构。此外，公共电极COM是从沿着平行于栅线GL的方向延伸的公共线CL分叉而来的。
在第一实施方式的解释中，用于制造边缘型水平电场液晶显示面板的方法包括五道掩模工序。特别是，光丙烯图案PR，即附加绝缘层，是用于光蚀刻工序中的光刻胶材料，因此该附加绝缘层能够无需任何附加制造步骤地形成。结果，制造工艺得以简化，且制造成本不会增加。
此外，现在对根据第一实施方式的水平电场型液晶显示面板中具有数据线DL的部分进行具体解释。图4是用于示出根据本发明第一实施方式的水平电场液晶显示面板的数据线的结构，沿着图1中II-II”线剖开的放大的截面图。
在基板SUB上的像素区域内，形成了其间夹有栅绝缘层GI的栅组件和源-漏组件。如图4所示，数据线DL形成于栅绝缘层GI上，并且像素电极PXL形成于数据线DL左侧和右侧的像素区域内。在第一实施方式中，由于通过同时对半导体材料SE和源-漏金属材料CU图案化而形成源-漏组件，因此数据线DL具有双层结构。具有光丙烯材料的光丙烯图案PR置于数据线DL的上表面上。在光丙烯图案PR上，形成了钝化层PAS以覆盖基板SUB的整个表面。在钝化层PAS上，形成了公共电极COM，其完全覆盖数据线DL。在像素区域内，公共电极COM与像素电极PXL交叠。因此，由于在公共电极COM和像素电极PXL之间形成的边缘场，因此在基板SUB上形成了水平电场。
以这种结构，在像素电极的外边缘部分，利用在与数据线DL交叠的公共电极COM与像素电极PXL之间形成的水平电场来驱动液晶分子。因此，可以使开口率最大化。此外，由于数据线DL被公共电极COM遮蔽，所以因数据线DL引起的电压信号波动不能影响液晶分子。因而，这也有助于使根据本发明的水平电场型液晶显示面板的开口率最大化。
当数据线DL和公共电极COM交叠时，在它们之间可能会形成寄生电容，所以用于驱动液晶显示面板的负载将会增加。由于负载的增加，因此难以应用于制造具有这种结构的较大的显示面板。为了减少寄生电容，插置在数据线DL和公共电极COM之间的钝化层PAS的厚度应该更厚。随着钝化层PAS厚度的增加，像素电极PXL和公共电极COM之间的距离也增加。因此驱动功率损耗将会增加。
在第一实施方式中，光丙烯图案PR置于数据线DL上。光丙烯具有3～4F/m的介电常数特性，其比钝化层PAS材料如SiNx的介电常数要低，也即光丙烯的介电常数大约是SiNx的一半。因此，厚度为3000的光丙烯图案PR具有与厚度为6000的钝化层PAS相同的性能。更优选地，光丙烯图案PR具有1000～2000的厚度，而钝化层PAS具有2000～3000的厚度。在这种情况下，数据线DL和公共电极COM之间的绝缘距离为3000～5000而净介电常数大约为4F/m，因此就可以使得寄生电容最小化。与此同时，像素电极PXL和公共电极COM之间的绝缘距离为相对较短的距离(2000～3000)。因而，第一实施方式提出了一种具有高开口率的水平电场型液晶显示面板，其中寄生电容最小化且驱动功率损耗得以降低。
以下，将参照图1和图3A到3G来解释本发明的第二实施方式。图3A到3G是用于示出根据本发明第二实施方式的制造水平电场型液晶显示面板的步骤，按照图1中的I-I”线剖开的截面图。在第二实施方式中，其平面结构与第一实施方式没有区别，但是由于制造步骤不同，因此在截面结构上存在区别。
如图3A所示，在透明基板SUB上，沉积金属材料，并使用第一掩模工序对其图案化，以形成栅组件。栅组件包括在基板SUB上沿着水平方向延伸的栅线GL、从栅线GL突出到像素区域中的栅极G、以及形成于栅线GL的一端的栅焊盘GP。特别是，栅组件包括具有铜的低电阻的第一金属层、和在第一金属层上用于保护第一金属层的铜材料的第二金属层。
如图3B所示，在具有栅组件的基板SUB的整个表面上，依次沉积栅绝缘层GI和半导体材料(或称“半导体层”)SE。采用第二掩模工序对半导体层SE图案化，以形成沟道层A。沟道层A与栅极G交叠，它们之间夹有栅绝缘层GI。
在具有沟道层A的基板SUB的整个表面上，沉积透明导电材料如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)并采用第三掩模工序对其图案化，以形成像素电极PXL。像素电极PXL具有覆盖像素区域的整个区域的矩形形状，如图3C所示。
在具有像素电极PXL的基板SUB上，沉积源-漏金属材料CU。在源-漏金属材料CU上，沉积光丙烯。采用第四掩模工序，形成光丙烯图案PR。在第四掩模工序中，使用具有两个区域的半色调掩模。结果，以如下方式形成了具有两个区域的光丙烯图案PR：使得第一区域①具有最大的厚度，而第二区域②具有最小的厚度。在第一区域①中，源-漏金属材料CU和光丙烯图案PR将被保留。在第二区域②中，仅仅源-漏金属材料CU将被保留，如图3D所示。
使用光丙烯图案PR对源-漏金属材料CU进行图案化。结果，形成了在基板SUB上沿着垂直方向延伸的数据线DL、从数据线DL分叉而来且与沟道层A的一侧接触的源极S、与源极S面对且与沟道层的另一侧以及像素电极PXL接触的漏极D、以及形成于数据线DL的一端的数据焊盘DP。在形成了薄膜晶体管T的源极S和漏极D后，通过灰化光丙烯图案PR使光丙烯图案PR变薄，以去掉第二区域②的厚度。也就是说，第一区域①具有减掉了第二区域②厚度的厚度。在第二区域②中，通过去除光丙烯图案PR而使源-漏金属材料CU暴露出来。此外，在数据线DL、源极S和漏极D上，光丙烯图案PR被保留，以形成附加绝缘层，如图3E所示。光丙烯图案PR优选具有1000～2000的厚度，以利用保留的光丙烯图案PR作为数据线DL的遮蔽层。
在具有薄膜晶体管T的基板SUB上，沉积厚度为2000～3000的无机绝缘材料如SiNx或者SiOx，以形成钝化层PAS。使用第五掩模工序，对钝化层PAS和栅绝缘层GI进行图案化。通过去除覆盖栅焊盘GP的部分钝化层PAS和栅绝缘层GI，形成用于暴露栅焊盘GP的栅接触孔GHP。与此同时，通过去除覆盖数据焊盘DP的部分钝化层PAS，形成用于暴露数据焊盘DP的数据焊盘接触孔DPH，如图3F所示。
在基板SUB的整个表面上，沉积透明导电材料如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，并通过第六掩模工序对其进行图案化，以形成公共电极COM、栅焊盘端子GPT和数据焊盘端子DPT。栅焊盘端子GPT通过栅焊盘接触孔GPH连接到栅焊盘GP。数据焊盘端子DPT通过数据焊盘接触孔DPH连接到数据焊盘DP。公共电极COM具有完全覆盖数据线DL的一个区段部分以及位于像素区域内具有预定宽度且以预定间隙互相平行排布的多个区段。公共电极COM包括梳齿图案，其具有包括多个梳齿图案肋条的结构。此外，公共电极COM是从平行于栅线GL延伸的公共线CL分叉而来的，如图3G所示。
在第二实施方式的解释中，用于制造边缘型水平电场液晶显示面板的方法包括六道掩模工序。特别是，光丙烯图案PR，即附加绝缘层，是用于光蚀刻工序中的光刻胶材料，因此该附加绝缘层能够无需任何附加的制造步骤地形成。结果，制造工序得以简化，并且制造成本不会增加。
此外，将对根据第二实施方式的水平电场型液晶显示面板中的具有数据线DL的部分进行具体解释。图5是用于示出根据本发明第二实施方式的水平电场型液晶显示面板的数据线的结构，沿着图1的II-II”线剖开的放大的截面图。
在基板SUB上的像素区域内，形成了其间夹有栅绝缘层GI的栅组件和源-漏组件。如图5所示，数据线DL形成于栅绝缘层GI上，并且像素电极PXL形成于数据线DL左侧和右侧的像素区域内。在第二实施方式中，数据线DL具有包含源-漏金属材料CU的单层结构。具有光丙烯材料的光丙烯图案PR置于数据线DL的上表面上。在光丙烯图案PR上，形成了钝化层PAS，以覆盖基板SUB的整个表面。在钝化层PAS上形成了公共电极COM，用于完全覆盖数据线DL。在像素区域内，公共电极COM与像素电极PXL交叠。因此，由于在公共电极COM和像素电极PXL之间形成的边缘场，因此在基板SUB上形成了水平电场。
以根据第二实施方式的结构，可以解决如第一实施方式中所解决的问题。特别是，为了解决该问题，在数据线DL上形成光丙烯图案PR。由于第二实施方式具有与第一实施方式基本相同的结构，数据线DL和公共电极COM之间的绝缘距离为3000～5000而净介电常数大约为4F/m，因此就可以使寄生电容最小化。与此同时，像素电极PXL和公共电极COM之间的绝缘距离为相对较短的2000～3000因而，第二实施方式也提出了一种具有高开口率的水平电场型液晶显示面板，其中寄生电容最小化且驱动功率损耗得以降低。
在根据本发明的水平电场型液晶显示面板中，为了降低功率损耗以及制造更大的显示面板，需要进一步减小数据线DL的线电阻。为此，优选使用铜材料或者铜合金材料制造数据线DL。然而，当数据线由具有铜的材料制造时，铜材料会与光丙烯材料直接接触。如果具有这种结构的显示面板长时间使用，那么数据线DL可能因与光丙烯反应而腐蚀。结果，可能会引起显示面板可靠性降低以及使用寿命将缩短的问题。
为了解决这个问题，优选使用双层结构来制造数据线。例如，当沉积源-漏金属材料时，首先沉积具有铜材料的第一金属层，然后继续沉积具有钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)的至少其中之一或者它们的任一合金的第二金属层。
在第一和第二实施方式中可以分别包括第二金属层。图6是用于示出具有用于保护本发明第一实施方式中的数据线的附加金属层的水平电场型液晶显示面板的结构的截面图。图7是用于示出具有用于保护本发明第二实施方式中的数据线的附加金属层的水平电场型液晶显示面板的结构的截面图。参照图6到图7，在数据线DL上，形成保护金属层(或称“保护层”)PL，用于防止数据线DL遭受腐蚀。特别是，由于保护层PL是用于保护具有铜材料的数据线DL的目的，因此对于保护层PL来说，其厚度为300～500就足够了。优选地，保护金属层PL位于数据线和附加绝缘层之间并且与数据线具有相同的形状和尺寸。
尽管参照附图对本发明的实施方式进行了具体描述，但是所属领域技术人员应该理解，在不改变本发明技术精神或者实质特征的情况下，本发明能够以其它具体的方式来实施。因此，应该注意，前述实施方式在所有方面都仅仅是示例性的，不应认为是对本发明的限制。本发明的范围是由所附权利要求书，而非本发明说明书来限定的。落入权利要求书含义和范围内的所有的改变或者修改及其等效变换都应认为落入本发明的范围内。

Claims (17)

1.一种水平电场型液晶显示设备，包括：
基板；
在该基板上以水平方向设置的栅线；
覆盖该栅线的栅绝缘层；和
在该栅绝缘层上以垂直方向设置的数据线，
所述水平电场型液晶显示设备的特征在于还包括：
位于该数据线上并且与该数据线具有相同尺寸和形状的附加绝缘层；
覆盖该附加绝缘层的钝化层；和
在该钝化层上与该数据线交叠并覆盖该数据线的公共电极，
其中利用在与该数据线交叠的公共电极与该液晶显示设备的像素电极之间形成的水平电场来驱动液晶分子，所述像素电极与漏极的一部分接触且形成在由该栅线和该数据线限定的像素区域内且具有矩形形状。
2.如权利要求1所述的水平电场型液晶显示设备，其中该附加绝缘层包含光丙烯；并且
该钝化层包括硅氮化物和硅氧化物的至少其中之一。
3.如权利要求1所述的水平电场型液晶显示设备，其中该附加绝缘层具有的厚度；并且
该钝化层具有的厚度。
4.如权利要求1所述的水平电场型液晶显示设备，其中该数据线包含铜材料。
5.如权利要求1所述的水平电场型液晶显示设备，还包括：
位于该数据线和该附加绝缘层之间并且与该数据线具有相同形状和尺寸的保护金属层。
6.如权利要求5所述的水平电场型液晶显示设备，其中该保护金属层包括钼、钛和铬的至少其中之一。
7.如权利要求5所述的水平电场型液晶显示设备，其中该保护金属层具有的厚度。
8.如权利要求1所述的水平电场型液晶显示设备，还包括：
从该栅线分叉而来的栅极；
在该栅绝缘层上与该栅极交叠的沟道层；
从该数据线分叉而来且与该沟道层的第一侧接触的源极；以及
与该源极面对且与该沟道层的第二侧接触的漏极，
其中该公共电极还包括梳齿图案，在该图案中，具有预定宽度的多个区段以预定的间隙平行地排布在该像素区域内。
9.一种高透光率面内切换模式液晶显示设备的制造方法，包括：
在透明基板上形成包括栅线、栅极和栅焊盘的栅组件；
形成覆盖该栅组件的栅绝缘层；和
在该栅绝缘层上形成与该栅线交叉用以限定像素区域的数据线，
所述制造方法的特征在于还包括：
形成与该数据线具有相同尺寸和形状并且与该数据线接触的附加绝缘层；
在该附加绝缘层上形成钝化层；以及
在该钝化层上形成与该数据线交叠并覆盖该数据线的公共电极，该公共电极包括梳齿图案，在该图案中，具有预定宽度的多个区段以预定的间隙平行地排布在该像素区域内，
其中利用在与该数据线交叠的公共电极与该液晶显示设备的像素电极之间形成的水平电场来驱动液晶分子，所述像素电极与漏极的一部分接触且形成在由该栅线和该数据线限定的像素区域内且具有矩形形状。
10.如权利要求9所述的制造方法，其中该附加绝缘层包含光丙烯；并且
该钝化层包括硅氮化物和硅氧化物的至少其中之一。
11.如权利要求9所述的制造方法，其中该附加绝缘层具有的厚度；并且
该钝化层具有的厚度。
12.如权利要求9所述的制造方法，其中该数据线包含铜材料。
13.如权利要求9所述的制造方法，其中形成该数据线还包括：形成位于该数据线和该附加绝缘层之间并且与该数据线具有相同形状和尺寸的保护金属层。
14.如权利要求13所述的制造方法，其中该保护金属层包括钼、钛和铬的至少其中之一。
15.如权利要求13所述的制造方法，其中该保护金属层具有的厚度。
16.如权利要求9所述的制造方法，其中形成该栅线还包括：形成从该栅线分叉而来的栅极；
形成该数据线还包括：形成在该栅绝缘层上与该栅极交叠的沟道层、从该数据线分叉而来且与该沟道层的第一侧接触的源极、以及与该源极面对且与该沟道层的第二侧接触的漏极；并且
在形成该数据线之后，还包括：
形成与该漏极的一部分接触且在由该栅线和该数据线限定的像素区域内具有矩形形状的所述像素电极。
17.如权利要求9所述的制造方法，其中形成该栅线还包括：形成从该栅线分叉而来的栅极；
在形成该栅绝缘层之后，还包括：形成在该栅绝缘层上与该栅极交叠的沟道层；以及在该栅绝缘层上形成在该像素区域内具有矩形形状的所述像素电极；并且
其中形成该数据线还包括：形成从该数据线分叉而来且与该沟道层的第一侧接触的源极、和与该源极面对且与该沟道层的第二侧接触的漏极。
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