CN111403423B - 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，提出一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该显示基板包括衬底基板，衬底基板设置有显示区和非显示区，在非显示区显示基板还包括数据线金属层、第一保护导体层、钝化层和连接导体层；数据线金属层设于衬底基板的一侧；第一保护导体层设于数据线金属层的远离衬底基板的一侧；钝化层设于第一保护导体层的远离衬底基板的一侧，钝化层上设置有第一过孔；连接导体层设于钝化层的远离衬底基板的一侧，连接导体层通过第一过孔与第一保护导体层连接以使数据线金属层与连接导体层导通连接。通过第一保护导体层可以保护数据线金属层避免暴露于空气中和与其他刻蚀剂直接接触产生氧化、腐蚀不良，改良金属跨接性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示基板的制备方法、包括该显示基板的显示面板和包括该显示面板的显示装置。
背景技术
随着科技的发展，人们对显示产品的要求越来越高。目前，在显示基板的外围区域，不同层的金属需通过跨接相互连通，但是在该区域数据线金属层和连接导体层的接触电阻存在异常增大的风险，影响金属跨接性能。
发明内容
本发明提供一种显示基板及显示基板的制备方法、包括该显示基板的显示面板和包括该显示面板的显示装置，旨在改善不同层金属间的信号跨接效果。
本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。
根据本公开的一个方面，提供一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板设置有显示区和非显示区，在所述非显示区所述显示基板还包括：
数据线金属层，设于所述衬底基板的一侧；
第一保护导体层，设于所述数据线金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一保护导体层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；
钝化层，设于所述第一保护导体层的远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层上设置有第一过孔；
连接导体层，设于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧，所述连接导体层通过所述第一过孔与所述第一保护导体层连接以使所述数据线金属层与所述连接导体层导通连接。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述非显示区所述显示基板还包括：
栅金属层，设于所述衬底基板的一侧，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影互不交叠；
栅绝缘层，设于所述栅金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅绝缘层上设置有第三过孔，所述数据线金属层位于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；
所述钝化层设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层上设置有第二过孔，所述连接导体层通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述栅金属层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述非显示区所述显示基板还包括：
栅金属层，设于所述衬底基板的一侧，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影互不交叠；
栅绝缘层，设于所述栅金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅绝缘层上设置有第三过孔，所述数据线金属层位于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；
所述第一保护导体层延伸至所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，且所述第一保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述非显示区所述显示基板还包括：
栅金属层，设于所述衬底基板的一侧，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影互不交叠；
栅绝缘层，设于所述栅金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅绝缘层上设置有第三过孔，所述数据线金属层位于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；
第二保护导体层，设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接；
所述钝化层设于所述第二保护导体层的远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层上设置有第二过孔，所述连接导体层通过所述第二过孔与所述第二保护导体层连接以使所述栅金属层与所述连接导体层导通连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一保护导体层与所述第二保护导体层同层同材料形成，且所述第一保护导体层与所述第二保护导体层连接为一体；或
所述第一保护导体层与所述第二保护导体层同层同材料形成，且所述第一保护导体层与所述第二保护导体层之间设置有间隔空间。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述显示区所述显示基板包括：
第一电极，设于所述衬底基板的一侧，且所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧设有所述钝化层；
第二电极，设于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧；
其中，所述第一电极与所述第一保护导体层同层同材料形成，所述第二电极与所述连接导体层同层同材料形成。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为狭缝电极，且用于与所述第一电极形成多维电场。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述显示区所述显示基板还包括：
栅极，设于所述衬底基板的一侧，且所述栅极的远离所述衬底基板的一侧设置有所述栅绝缘层；
有源层，设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；
源漏极，设于所述有源层的远离所述衬底基板的一侧，且位于所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧，所述源漏极包括源极和漏极，所述源极与所述第一电极直接搭接；
其中，所述源漏极与所述数据线金属层同层同材料形成；所述栅极与所述栅金属层同层同材料形成。
在本公开的一种示例性实施例中，所述数据线金属层和所述栅金属层的材质为金属铜。
根据本公开的一个方面，提供一种显示基板的制备方法，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板设有显示区和非显示区；
在所述衬底基板的非显示区形成数据线金属层；
在所述数据线金属层的远离所述衬底基板的一侧形成第一保护导体层，所述第一保护导体层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；
在所述第一保护导体层的远离所述衬底基板的一侧形成钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理形成第一过孔；
在所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧形成连接导体层，所述连接导体层通过所述第一过孔与所述第一保护导体层连接以使所述数据线金属层与所述连接导体层导通连接。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成数据线金属层之前，所述制备方法还包括：
在所述衬底基板的非显示区形成栅金属层，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影互不交叠；
在所述栅金属层的远离所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层，所述数据线金属层形成于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述钝化层还形成在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；在形成所述第一过孔的同时，在所述钝化层上形成第二过孔并在所述栅绝缘层上形成第三过孔，使连接导体层通过第二过孔和第三过孔与栅金属层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，形成栅绝缘层之后，所述制备方法还包括：
对所述栅绝缘层进行图案化处理形成第三过孔；
形成所述第一保护导体层的同时，在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第二保护导体层，所述第二保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接；
所述钝化层还形成在所述第二保护导体层的远离所述衬底基板的一侧；在形成所述第一过孔的同时，在所述钝化层上形成第二过孔，使连接导体层通过第二过孔与所述第二保护导体层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一保护导体层与所述第二保护导体层连接为一体，或所述第一保护导体层与所述第二保护导体层之间设置有间隔空间。
在本公开的一种示例性实施例中，形成栅绝缘层之后，所述制备方法还包括：
对所述栅绝缘层进行图案化处理形成第三过孔；
所述第一保护导体层还形成在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述第一保护导体层的同时，在所述衬底基板的显示区的一侧形成第一电极，所述第一电极为像素电极，且在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成有所述钝化层；
在形成所述连接导体层的同时，在所述显示区的所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极为公共电极。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括上述任意一项所述的显示基板。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。
由上述技术方案可知，本发明具备以下优点和积极效果中的至少之一：
本发明的显示基板，在非显示区显示基板包括衬底基板，设于衬底基板的一侧的数据线金属层，设于数据线金属层的远离所述衬底基板的一侧的第一保护导体层，设于第一保护导体层的远离衬底基板的一侧的钝化层，钝化层上设置有第一过孔；设于钝化层的远离衬底基板的一侧的连接导体层，连接导体层通过第一过孔与第一保护导体层连接以使数据线金属层与连接导体层导通连接。通过第一保护导体层可以保护数据线金属层避免暴露于空气中产生氧化的不良或者与其他刻蚀剂直接接触产生金属腐蚀的不良，避免连接导体层与数据线金属层之间的接触电阻异常增加，改良金属跨接性能。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是相关技术中显示基板非显示区的结构示意图；
图2是本发明显示基板非显示区一示例实施方式的结构示意图；
图3是图2中还未形成连接导体层和配向膜时的结构示意图；
图4是本发明显示基板非显示区又一示例实施方式的结构示意图；
图5是本发明显示基板非显示区另一示例实施方式的结构示意图；
图6是本发明显示基板非显示区再一示例实施方式的结构示意图；
图7是本发明显示基板显示区一示例实施方式的结构示意图；
图8是本发明显示基板的制备方法的一示例实施方式的流程示意框图。
图中主要元件附图标记说明如下：
1、衬底基板；
21、数据线金属层；221、源极；222、漏极；
31、第一保护导体层；32、第二保护导体层；33、第一电极；
4、钝化层；41、第一过孔；42、第二过孔；
51、连接导体层；52、第二电极；
61、栅金属层；62、栅极；
7、栅绝缘层；71、第三过孔；
8、有源层；9、配向膜。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
参照图1所示的相关技术中显示基板非显示区的结构示意图；在衬底基板1上的一侧设置有栅金属层61，在栅金属层61的远离衬底基板1的一侧设置有栅绝缘层7，在栅绝缘层7上设置有第三过孔71，在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有数据线金属层21，数据线金属层21在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影互不交叠。在数据线金属层21和栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有钝化层4，在钝化层4上设置有第一过孔41和第二过孔。在钝化层4的远离衬底基板1的一侧设置有连接导体层51，连接导体层51通过第一过孔41与数据线金属层21连接，连接导体层51通过第二过孔和第三过孔与栅金属层61连接。
在显示基板上形成数据线金属层21后，在形成钝化层4之前还需要形成其他膜层。在此过程中，位于非显示区的栅绝缘层7上的第三过孔71和钝化层4上的第二过孔42可以通过一次光刻工艺形成，因此，此过程中栅金属层61一直有栅绝缘层7的保护，降低了栅金属层出现氧化、腐蚀的可能。而数据线金属层21因为其远离衬底基板1的表面暴露在空气中，发生氧化的几率明显增加，并且在此过程中形成其他膜层时使用的洗液可与数据线金属层直接接触，增加了数据线金属层21被腐蚀的风险，从而导致数据线金属层21与连接导体层51之间的接触电阻异常增大，影响后续与栅金属层61的跨接性能。
在本发明的一些实施例中，提供了一种显示基板，参照图2～6所示的本发明显示基板非显示区一示例实施方式的结构示意图；该显示基板可以包括衬底基板1、数据线金属层21、第一保护导体层31、钝化层4以及连接导体层51；数据线金属层21设于所述衬底基板1的一侧；第一保护导体层31设于所述数据线金属层21的远离所述衬底基板1的一侧，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠；钝化层4设于所述第一保护导体层31的远离所述衬底基板1的一侧，所述钝化层4上设置有第一过孔41；连接导体层51设于所述钝化层4的远离所述衬底基板1的一侧，所述连接导体层51通过所述第一过孔41与所述第一保护导体层31连接。
下面将结合附图对本发明实施例作进一步地详细描述。
参照图2和图3所示的本发明显示基板非显示区一示例实施方式的结构示意图。
在本示例实施方式中，在衬底基板1上设置有栅金属层61，在栅金属层61的远离衬底基板1的一侧设置有栅绝缘层7，在栅绝缘层7上设置有第三过孔71，在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有数据线金属层21，数据线金属层21在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影互不交叠。在数据线金属层21的远离衬底基板1的一侧设置有第一保护导体层31，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，即第一保护导体层31至少部分覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域，进一步地，第一保护导体层31可以完全覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域。在第一保护导体层31和栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有钝化层4，在钝化层4上设置有第一过孔41和第二过孔43。第二过孔42和第三过孔71是相通的。在钝化层4的远离衬底基板1的一侧设置有连接导体层51，连接导体层51通过第一过孔41与第一保护导体层31连接，第一保护导体层31能够导电，从而使连接导体层51与数据线金属层21能够导通连接。连接导体层51通过第二过孔42和第三过孔71与所述栅金属层61连接。
在本示例的至少一个实施方式中，栅绝缘层7和钝化层4可以采用性质相近的材料，性质相近的材料可以通过同一种刻蚀液刻蚀形成图案，从而，可以仅通过一次光刻工艺在钝化层4上形成第二过孔42且在栅绝缘层7上形成第三过孔71。也因此，在形成此第二过孔42之前栅金属层61远离衬底基板1的表面被栅绝缘层7覆盖，所以无需对栅金属层61设置保护导体层进行保护，也即第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影无交叠。上述性质相近指的是可以通过相同的刻蚀剂进行刻蚀，例如，氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮化硅的混合物均为性质相近的材料。
但是，在本发明的其他示例实施方式中，形成栅绝缘层7和钝化层4的材料性质差异较大，无法通过同一刻蚀剂进行刻蚀，也即无法仅通过一次光刻工艺在栅绝缘层7上形成第三过孔71且在钝化层4上形成第二过孔42，而需要在栅绝缘层7上先形成第三过孔71，然后再在钝化层4上形成第二过孔44。此时，栅绝缘层7远离衬底基板1的部分表面因为已形成第三过孔71而暴露在空气中，也存在被氧化、腐蚀的可能，需要在栅金属层61上也引入保护导体层进行保护。下面三个示例实施方式即是这种情况下，对显示基板非显示区的结构进行的具体说明。
参照图4所示的本发明显示基板非显示区又一示例实施方式的结构示意图。
在本示例实施方式中，在衬底基板1上设置有栅金属层61，在栅金属层61的远离衬底基板1的一侧设置有栅绝缘层7，在栅绝缘层7上设置有第三过孔71，在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有数据线金属层21，数据线金属层21在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影互不交叠。在数据线金属层21的远离衬底基板1的一侧设置有第一保护导体层31，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，且在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧也设置有第一保护导体层31，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，即第一保护导体层31至少部分覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域，且第一保护导体层31通过第三过孔71与栅金属层61连接。进一步地，第一保护导体层31也可以完全覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域。
通过第一保护导体层31将数据线金属层21和栅金属层61连接。在第一保护导体层31的远离衬底基板1的一侧设置有钝化层4，在钝化层4上设置有第一过孔41。在钝化层4的远离衬底基板1的一侧设置有连接导体层51，连接导体层51通过第一过孔41与第一保护导体层31连接，第一保护导体层31能够导电，从而通过连接导体层51和第一保护导体层31将数据线金属层21和栅金属层61导通连接。
另外需要说明的是，参照图5所示的本发明显示基板非显示区另一示例实施方式的结构示意图。在图3中的示例实施方式的基础上，在钝化层4上设置第二过孔42，连接导体层51通过第二过孔42与第一保护导体层31连接，实现多处搭接模式，减小搭接电阻，提高搭接可靠性。
参照图6所示的本发明显示基板非显示区再一示例实施方式的结构示意图。
在本示例实施方式中，在衬底基板1上设置有栅金属层61，在栅金属层61的远离衬底基板1的一侧设置有栅绝缘层7，在栅绝缘层7上设置有第三过孔71，在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有数据线金属层21，数据线金属层21在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影互不交叠。在数据线金属层21的远离衬底基板1的一侧设置有第一保护导体层31，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠。在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有第二保护导体层32，且第二保护导体层32通过第三过孔71与栅金属层61连接，第二保护导体层32在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，即第二保护导体层32至少部分覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域，进一步地，第二保护导体层32也可以完全覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域。第一保护导体层31和第二保护导体层32通过同一次构图工艺形成。在第一保护导体层31和第二保护导体的远离衬底基板1的一侧设置有钝化层4，在钝化层4上设置有第一过孔41和第二过孔42。在钝化层4的远离衬底基板1的一侧设置有连接导体层51，连接导体层51通过第一过孔41与第一保护导体层31连接，第一保护导体层31能够导电，从而使连接导体层51与数据线金属层21能够导通连接。连接导体层51通过第二过孔42与第二保护导体层32连接，第二保护导体层32能够导电，从而使连接导体层51与栅金属层61能够导通连接。
在上述多个示例实施方式中，在连接导体层51的远离衬底基板1的一侧设置有配向膜9。
下面对本发明的显示基板的显示区的结构进行详细说明。
参照图7所示的本发明显示基板显示区一示例实施方式的结构示意图。
在本示例实施方式中，在显示区显示基板可以包括栅极62、栅绝缘层7、有源层8、源极221、漏极222、第一电极33、钝化层4以及第二电极52。具体为：在衬底基板1的一侧设置栅极62，在栅极62的远离衬底基板1的一侧和衬底基板1的一侧设置栅绝缘层7，在栅绝缘层7的远离衬底基板1的一侧设置有源层8，在有源层8的远离衬底基板1的一侧设置源极221和漏极222，源极221和漏极222分别与有源层电连接。在源极221的远离衬底基板1的一侧设置第一电极33，源极221和第一电极33直接搭接，漏极222与数据线电连接(图中未示出)向像素单元输入像素信号。在第一电极33的远离衬底基板1的一侧设置钝化层4，在钝化层4的远离衬底基板1的一侧设置有第二电极52，在第二电极52的远离衬底基板1的一面的一侧设置有配向膜9。需要说明的是，所述源极221和第一电极33直接搭接，指的是至少部分第一电极33形成在源极221远离衬底基板1的表面。
在一些实施例中，显示基板用于液晶显示面板，显示模式为高级超维场转换模式(Advanced Super Dimension Switch，简称ADS)，其中，第一电极33可以为狭缝电极，也可以为板状电极，第二电极52可以为狭缝电极，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而实现显示。在一些实施例中，源极221和漏极222与数据线金属层21同层同材料形成，栅极62和栅金属层61同层同材料形成。其中，第一电极33可以为像素电极，第二电极52可以为公共电极，为了减小信号连接所占用的空间，第一电极33与源极221可以直接搭接，例如如图7所示，第一电极33至少部分覆盖源极221远离衬底基板1的表面，以实现二者的有效电连接，同时还可以优化像素开口率，从而提升显示产品的透过率。由于源极221和漏极222与数据线金属层21同层同材料形成，而第一电极33直接形成于源漏极远离衬底基板1的表面，因此，第一电极33与第一保护导体层31和第二保护导体层32可以为同层同材料形成，类似的，第二电极52与连接导体层51也可以同层同材料形成。需要说明的是，此处所述的同层同材料形成指的是通过采用同一材料在同一次构图工艺形成图案。通过同一次构图工艺即可形成不同功能的多个结构，在不增加工艺流程的基础上即可满足产品的各项功能需求，不仅能够节省人力物力，而且能够提高产品性能。
在一些实施例中，栅极62、源极221、漏极222、数据线金属层21和栅金属层61的材质可以为金属铜。采用信号传输性能较好的铜来制作栅极62、源漏极22、数据线金属层21和栅金属层61，能够提高刷新率；但因为铜的性质更活泼，因此当其暴露于空气中或者与其他刻蚀剂直接接触时会发生金属腐蚀的不良。通过第一保护导体层31、栅绝缘层7、第二保护导体层32可以保护金属铜避免暴露于空气中或者与其他刻蚀剂直接接触生金属腐蚀的不良，避免连接导体层51与数据线金属层21和栅金属层61之间的接触电阻异常增加，改良金属跨接性能。
在本发明的一些实施例中，还提供了一种显示基板的制备方法，参照图8所示的本发明显示基板的制备方法的一示例实施方式的流程示意框图，该制备方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一衬底基板1，所述衬底基板1设有显示区和非显示区；
步骤S20，在所述衬底基板1的非显示区形成数据线金属层21；
步骤S30，在所述数据线金属层21的远离所述衬底基板1的一侧形成第一保护导体层31，所述第一保护导体层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；
步骤S40，在所述第一保护导体层31的远离所述衬底基板1的一侧形成钝化层4，并对所述钝化层4进行图案化处理形成第一过孔41；
步骤S50，在所述钝化层4的远离所述衬底基板1的一侧形成连接导体层51，所述连接导体层51通过所述第一过孔41与所述第一保护导体层31连接以使所述数据线金属层21与所述连接导体层51导通连接。
下面对本发明显示基板的制备方法的各个步骤进行详细说明。
提供一衬底基板1，衬底基板1可以为玻璃基板。衬底基板1设有显示区和非显示区；在显示区形成显示结构，在非显示区形成绑定结构、各种电路等等。
在衬底基板1上通过蒸镀或溅射等工艺形成栅极材料层，并对栅极材料层进行图案化处理，使栅极材料层在显示区形成栅极62，在非显示区形成栅金属层61。
在栅极62和栅金属层61远离衬底基板1的一侧形成栅绝缘层7。其中，若形成栅绝缘层7的材料与后续形成的钝化层4的材料性质差异较大，无法通过同一刻蚀剂进行刻蚀的话，需要对栅绝缘层7位于非显示区的部分进行图案化处理，以形成第三过孔71。
在栅绝缘层7远离衬底基板1的一侧形成有源层8，在有源层8远离衬底基板1的一侧通过蒸镀或溅射等工艺形成源漏极材料层，并对源漏极材料层进行图案化处理以在在显示区形成源极221和漏极222，其中，源极221和漏极222分别与有源层电连接。在栅绝缘层7远离衬底基板1的一侧形成数据线金属层21，当然，数据线金属层21与源极221和漏极222也可以同层同材料形成，即在显示区和非显示区均形成第一导电材料层，然后对第一导电材料层进行一次图案化处理，以同时形成源极221、漏极222和数据线金属层21。
在源极221和漏极222远离衬底基板1的一侧形成第一电极材料层，并对第一电极材料层进行图案化处理，以在显示区形成第一电极33。使源极221和第一电极33直接搭接，漏极222与数据线(图中未示出)电连接以向像素单元输入像素信号。在数据线金属层21远离衬底基板1的一侧形成第一保护导体层31，或者，在数据线金属层21远离衬底基板1的一侧形成第一保护导体层31和第二保护导体层32。需要说明的是，第一电极33、第一保护导体层31和第二保护导体层32也可以同层同材料形成，即在显示区和非显示区均形成第一电极材料层，然后对第一电极材料层进行一次图案化处理，以在显示区形成第一电极33，同时在非显示区形成第一保护导体层31和第二保护导体层32。
具体来说：对应于上述显示基板的非显示区的结构的多个示例实施方式，一种为仅在数据线金属层21远离衬底基板1的一侧设置有第一保护导体层31，即第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，第一保护导体层31至少部分覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域，进一步地，第一保护导体层31也可以完全覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域。
另一种为第一保护导体层31还延伸至栅金属层61所在区域，也即第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠的同时，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影还与栅金属层61在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，换言之，第一保护导体层31至少部分覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域，且至少部分覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域。进一步地，第一保护导体层31也可以完全覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域，类似地，第一保护导体层31还可以完全覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域。
再一种为在数据线金属层21远离衬底基板1的一侧设置有第一保护导体层31，且在栅金属层61远离衬底基板1的一侧设置有第二保护导体层32，第一保护导体层31与第二保护导体层32之间互不连接，即两者之间设置有间隔空间，在该种情况下，第一保护导体层31在衬底基板1上的正投影与数据线金属层21在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，即第一保护导体层31至少部分覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域，进一步地，第一保护导体层31也可以完全覆盖数据线金属层21的被第一过孔41裸露的区域；第二保护导体层32在衬底基板1上的正投影与栅金属层61在衬底基板1上的正投影至少部分交叠，即第二保护导体层32至少部分覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域，另外，第二保护导体层32也可以完全覆盖栅金属层61的被第三过孔71裸露的区域。
在第一保护导体层31远离衬底基板1的一侧，或者，在第一保护导体层31和第二保护导体层32远离衬底基板1的一侧形成钝化层4，对钝化层4进行图案化处理以形成第一过孔41，或者，对钝化层4进行图案化处理以分别形成第一过孔41和第二过孔42。
具体来说：对应于上述显示基板的非显示区的结构的多个示例实施方式，一种为仅在数据线金属层21的一侧设置有第一保护导体层31。另一种为在数据线金属层21的一侧设置有第一保护导体层31且在栅金属层61的一侧设置有第二保护导体层32。这两种情况下，可以在钝化层4上形成第一过孔41和第二过孔42，第一过孔41连通至第一保护导体层31，第二过孔42连通至第二保护导体层32或栅金属层61。再一种为第一保护导体层31还延伸至栅金属层61所在区域，这种情况下，可以在钝化层4上仅形成第一过孔41或第二过孔42，此时第一过孔41或第二过孔42连通至第一保护导体层31，当然，这种情况下也可以同时形成第一过孔41和第二过孔42，第一过孔41和第二过孔42均连通至第一保护导体层31，从而实现多处搭接模式，减小搭接电阻，提高搭接可靠性。
另外，需要说明的是，在形成栅绝缘层7的材料与形成钝化层4的材料材质相似的情况下，在钝化层4上形成第一过孔41和第二过孔42的同时，需要在栅绝缘层7上形成第三过孔。
在钝化层4远离衬底基板1的一侧形成第二电极材料层，并对第二电极材料层进行图案化处理，以在显示区形成第二电极，在非显示区形成连接导体层51。
具体来说：一种情况为连接导体层51通过第一过孔41与第一保护导体层31连接，且连接导体层51通过第二过孔42和第三过孔71与栅金属层61连接。另一种情况为连接导体层51通过第一过孔41与第一保护导体层31连接。再一种情况为连接导体层51通过第一过孔41与第一保护导体层31连接，且连接导体层51通过第二过孔42与第二保护导体层32连接。此外，连接导体层51也可以分别通过第一过孔41和第二过孔42与第一保护导体层31连接。
进一步的，本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述所述的显示基板。显示基板的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。
与现有技术相比，本发明实施例提供的显示面板的有益效果与上述实施例提供的显示基板的有益效果相同，在此不做赘述。
进一步的，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包上述所述的显示面板。而该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示器、OLED显示器、手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
与现有技术相比，本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述实施例提供的显示基板的有益效果相同，在此不做赘述。
上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明的各方面。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
应可理解的是，本发明不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本发明能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本发明的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本发明延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本发明的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本发明的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本发明。
Claims (17)
1.一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板设置有显示区和非显示区，其特征在于，在所述非显示区所述显示基板还包括：
栅金属层，设于所述衬底基板的一侧；
栅绝缘层，设于所述栅金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅绝缘层上设置有第三过孔；
数据线金属层，设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影互不交叠；
第一保护导体层，设于所述数据线金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一保护导体层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；
钝化层，设于所述第一保护导体层的远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层上设置有第一过孔；
连接导体层，设于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧，所述连接导体层通过所述第一过孔与所述第一保护导体层连接以使所述数据线金属层与所述连接导体层导通连接；
其中，所述连接导体层与所述栅金属层连接，以使所述栅金属层与所述数据线金属层导通连接；和/或，所述第一保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接，以使所述栅金属层与所述数据线金属层导通连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述钝化层设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层上设置有第二过孔，所述连接导体层通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述栅金属层连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一保护导体层延伸至所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，且所述第一保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述非显示区所述显示基板还包括：
第二保护导体层，设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接；
所述钝化层设于所述第二保护导体层的远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层上设置有第二过孔，所述连接导体层通过所述第二过孔与所述第二保护导体层连接以使所述栅金属层与所述连接导体层导通连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一保护导体层与所述第二保护导体层同层同材料形成，且所述第一保护导体层与所述第二保护导体层连接为一体；或
所述第一保护导体层与所述第二保护导体层同层同材料形成，且所述第一保护导体层与所述第二保护导体层之间设置有间隔空间。
6.根据权利要求2～5任意一项所述的显示基板，其特征在于，在所述显示区所述显示基板包括：
第一电极，设于所述衬底基板的一侧，且所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧设有所述钝化层；
第二电极，设于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧；
其中，所述第一电极与所述第一保护导体层同层同材料形成，所述第二电极与所述连接导体层同层同材料形成。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为狭缝电极，且用于与所述第一电极形成多维电场。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，在所述显示区所述显示基板还包括：
栅极，设于所述衬底基板的一侧，且所述栅极的远离所述衬底基板的一侧设置有所述栅绝缘层；
有源层，设于所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；
源漏极，设于所述有源层的远离所述衬底基板的一侧，且位于所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧，所述源漏极包括源极和漏极，所述源极与所述第一电极直接搭接；
其中，所述源漏极与所述数据线金属层同层同材料形成；所述栅极与所述栅金属层同层同材料形成。
9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述数据线金属层和所述栅金属层的材质为金属铜。
10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板设有显示区和非显示区；
在所述衬底基板的非显示区形成栅金属层；
在所述栅金属层的远离所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层，并对所述栅绝缘层进行图案化处理形成第三过孔；
在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成数据线金属层，所述栅金属层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影互不交叠；
在所述数据线金属层的远离所述衬底基板的一侧形成第一保护导体层，所述第一保护导体层在所述衬底基板上的正投影与所述数据线金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；
在所述第一保护导体层的远离所述衬底基板的一侧形成钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理形成第一过孔；
在所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧形成连接导体层，所述连接导体层通过所述第一过孔与所述第一保护导体层连接以使所述数据线金属层与所述连接导体层导通连接；
其中，所述连接导体层与所述栅金属层连接，以使所述栅金属层与所述数据线金属层导通连接；和/或，所述第一保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接，以使所述栅金属层与所述数据线金属层导通连接。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述钝化层还形成在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧；在形成所述第一过孔的同时，在所述钝化层上形成第二过孔，使连接导体层通过第二过孔和第三过孔与栅金属层连接。
12.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成栅绝缘层之后，所述制备方法还包括：
形成所述第一保护导体层的同时，在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第二保护导体层，所述第二保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接；
所述钝化层还形成在所述第二保护导体层的远离所述衬底基板的一侧；在形成所述第一过孔的同时，在所述钝化层上形成第二过孔，使连接导体层通过第二过孔与所述第二保护导体层连接。
13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一保护导体层与所述第二保护导体层连接为一体，或所述第一保护导体层与所述第二保护导体层之间设置有间隔空间。
14.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成栅绝缘层之后，所述制备方法还包括：
对所述栅绝缘层进行图案化处理形成第三过孔；
所述第一保护导体层还形成在所述栅绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一保护导体层通过所述第三过孔与所述栅金属层连接。
15.根据权利要求10～14任意一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在形成所述第一保护导体层的同时，在所述衬底基板的显示区的一侧形成第一电极，所述第一电极为像素电极，且在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成有所述钝化层；
在形成所述连接导体层的同时，在所述显示区的所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极为公共电极。
16.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～9任意一项所述的显示基板。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求16所述的显示面板。
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