CN100529925C - 共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100529925C
CN100529925C CNB200610168053XA CN200610168053A CN100529925C CN 100529925 C CN100529925 C CN 100529925C CN B200610168053X A CNB200610168053X A CN B200610168053XA CN 200610168053 A CN200610168053 A CN 200610168053A CN 100529925 C CN100529925 C CN 100529925C
Authority
CN
China
Prior art keywords
horizontal component
electrode
line
pixel electrode
public electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB200610168053XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1991549A (zh
Inventor
林柄昊
李炫揆
金度成
姜炳求
李道宁
金义泰
朴相旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN1991549A publication Critical patent/CN1991549A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100529925C publication Critical patent/CN100529925C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

本发明公开一种共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板，其包括基板，基板上沿第一方向的栅线，沿第二方向并与栅线相交叉以限定像素区域的数据线，基板上的公共线，与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管，位于像素区域内并与薄膜晶体管相连接的像素电极，该像素电极包括沿第一方向的水平部分，设置在像素区域内并与公共线相连接的公共电极，该公共电极包括沿第一方向的水平部分，其中像素电极和公共电极形成在相同的层上。所述像素电极的水平部分和公共电极的水平部分分别还包括在第一侧的第一端和第二侧的第二端处的凸起，其中第一端与第二端相对，其中凸起具有三角形形状。

Description

共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
本申请要求享有2005年12月29日在韩国递交的韩国专利申请No.2005-0133554的权益，在此为充分阐述的目的将该申请引作参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，尤其涉及一种共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件的阵列基板及其制造方法。
背景技术
根据液晶材料的电光特性驱动液晶显示(LCD)器件。液晶材料具有介于固态晶体和各向同性液体之间的中间状态。液晶材料为类似于各向同性液体的流体，且液晶材料的分子类似于固态晶体规则排列。液晶分子的排列方向依赖于对液晶分子施加的电场强度或方向。光沿着液晶分子的排列方向穿过LCD器件。通过控制电场的强度或方向，改变液晶分子的排列方向并显示图像。
包括用作多个像素的开关器件的薄膜晶体管的有源矩阵液晶显示(AMLCD)器件，因其高分辨率和显示快速移动图像的能力而被广泛使用。
LCD器件通常包括彼此分开并相对的两个基板，以及插入在两基板之间的液晶层。各基板都包括电极。各自基板的电极彼此相对。通过对各电极施加电压而在电极之间产生电场。液晶分子的排列方向根据电场的强度或方向的变化而改变。电场的方向垂直于基板。LCD器件具有相对高的透射率和大的孔径比。
然而，LCD器件具有窄的视角。为了增加视角，已经提出了各种模式。在这些模式中，参照附图描述现有技术的IPS模式。
图1为根据现有技术的IPS模式LCD器件的示意性截面图。
在图1中，现有技术的IPS模式LCD器件包括下基板10和上基板40，并在下基板10和上基板40之间插入液晶层LC。
在下基板10上的各像素P中形成有薄膜晶体管T、公共电极18和像素电极30。薄膜晶体管T包括栅极14、半导体层22以及源极24和漏极26。半导体层22设置在栅极14上方，并在二者之间具有栅绝缘层20。源极24和漏极26形成在半导体层22上并彼此分开。
公共电极18包括多个部分，并且像素电极30包括多个部分。公共电极18的上述部分和像素电极30的上述部分在下基板10上彼此平行并相互分开。公共电极18由与栅极14相同的材料形成并与其形成在同一层上。像素电极30由与源极24和漏极26相同的材料形成并与其形成在同一层上。
尽管图中未示出，沿着像素P的第一侧边形成栅线，并沿着像素P垂直于第一侧边的第二侧边形成数据线。在下基板10上还形成公共线。公共线为公共电极18提供电压。
在上基板40的内表面上形成黑色矩阵42和滤色片层44。黑色矩阵42设置在栅线、数据线和薄膜晶体管T上方。滤色片层44设置在像素P内。
借助公共电极18和像素电极30之间产生的水平电场35驱动液晶层LC的液晶分子。
具有薄膜晶体管T、公共电极18和像素电极30的下基板10被称作阵列基板。具有黑色矩阵42和滤色片层44的上基板40被称作滤色片基板。
图2为根据现有技术的IPS模式LCD器件的阵列基板的示意性平面图。
在图2中，栅线12形成在基板10上，并且数据线28与栅线12相交叉以限定像素区域P。公共线16与栅线12平行并与其分开。公共线16横穿过像素区域P。薄膜晶体管T形成在栅线12和数据线28的交叉点处。薄膜晶体管T包括栅极14、半导体层22、源极24和漏极26。栅极14与栅线12相连。半导体层22设置在栅极14上方。源极24和漏极26设置在半导体层22上并彼此分开。
公共电极18从公共线16延伸并形成在像素区域P内。公共电极18包括彼此平行并分开的多个部分。像素电极30形成在像素区域P内。像素电极30包括与公共电极18的多个部分平行且相互交替的多个部分。
具有上述结构的阵列基板的IPS模式LCD器件在器件的左右方向上具有相对宽的视角，但在器件的上下方向或对角方向上仍具有窄的视角。
为了增加上下或对角方向上的视角，提出了另一种结构。
图3为根据现有技术另一实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。
在图3中，沿着第一方向在基板50上形成栅线52。沿着第二方向形成数据线66。数据线66与栅线52相交叉以限定像素区域P。薄膜晶体管T形成在栅线52和数据线66的交叉点处。公共电极56和像素电极72形成在像素区域P内。
薄膜晶体管T包括栅极54、有源层60、源极62和漏极64。栅极54与栅线52相连。有源层60形成在栅极54上方，并在二者之间形成有栅绝缘层(未示出)。源极62和漏极64在有源层60上彼此分开。源极62与数据线66相连。
公共电极56由与栅线52相同的材料形成并与其处在相同的层上。栅绝缘层(未示出)和钝化层(未示出)形成在公共电极56和像素电极72之间以防止像素电极72与公共电极56接触。像素电极72由透明导电材料形成以增加孔径比。像素电极72由与源极62和漏极64相同的材料形成并与其处于相同的层上。
公共电极56包括水平部分56a、第一垂直部分56b和第二垂直部分56c。水平部分56a沿着第一方向形成并相互分开。第一垂直部分56b与水平部分56a的一端相连接，而第二垂直部分56c与水平部分56a的另一端相连接。像素电极72包括水平部分72a、第一垂直部分72b和第二垂直部分72c。水平部分72a沿第一方向形成并与公共电极的水平部分56a交错。第一垂直部分72b与水平部分72a的一端相连接，而第二垂直部分72c与水平部分72a的另一端相连接。
因为公共电极56和像素电极72沿着第一方向设置，即基本水平地设置，故视角在上下方向上增加。如果公共电极56和像素电极72相对于第一方向倾斜预定角，则视角在对角方向上增加。
然而，公共电极56和像素电极72形成在不同的层中，并且公共电极56和像素电极72在各自的工序中会发生未对准。这种未对准降低了器件的图像质量。
图4为根据现有技术另一实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的截面图。
在图4中，公共电极的水平部分56a形成在基板50上。栅绝缘层58和钝化层68顺序形成在公共电极的水平部分56a上。像素电极的水平部分72a形成在钝化层68上。各水平部分72a设置在相邻的水平部分56a之间。
在通过掩模工序构图水平部分56a后，通过另一掩模工序构图像素电极的水平部分72a。各掩模工序包括曝光步骤。对基板重复地曝光，相对于掩模移动，因为掩模相比于基板相对地非常小。因此，在曝光步骤中，掩模会与基板未对准。
如图4所示，在第一区域NA中没有未对准。然而，当第二区域ANA曝光以形成像素电极时，掩模与基板50未对准。第一区域NA中公共电极和像素电极之间的距离L1不等于公共电极和像素电极之间的距离L2。因此，显示的图像质量在一些区域中不均匀。
而且，由于公共电极由不透明材料形成，故器件的亮度相对低。
发明内容
因此，本发明的实施例涉及一种共平面开关模式液晶显示器件，其基本消除了由于现有技术的限制和缺陷所引起的一个或多个问题。
在第一方面，一种共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板，包括：基板，基板上沿第一方向的栅线，沿第二方向并与栅线相交叉以限定像素区域的数据线，基板上的公共线，与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管，位于像素区域内并与薄膜晶体管相连接的像素电极；基板上第二方向的金属图案。像素电极包括沿第一方向的水平部分，其中金属图案接触像素电极的所述水平部分。公共电极设置在像素区域内并与公共线相连接。公共电极包括沿第一方向的水平部分。像素电极和公共电极形成在相同的层上。公共线还包括第二方向的垂直部分，其中金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边。金属图案和公共线形成在与栅线相同的层上。金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，以及公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分。像素电极的水平部分和公共电极的水平部分分别还包括在第一侧的第一端和第二侧的第二端处的凸起，其中第一端与第二端相对，其中凸起具有三角形形状。
在第二方面，一种制造共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在基板上沿第一方向形成栅线，沿第二方向形成数据线，数据线与栅线相交叉以限定像素区域，在基板上形成公共线，形成与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管，在像素区域中形成与薄膜晶体管相连接的像素电极，在基板上形成第二方向的金属图案。像素电极包括第一方向的水平部分，金属图案与像素电极的水平部分接触。公共电极形成在像素区域内并与公共线相连接。公共电极包括水平部分。像素电极与公共电极同时形成。所述形成公共线还包括形成公共线的垂直部分，其中公共线的垂直部分沿第二方向延伸，并且金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边；形成公共线的步骤和形成金属图案的步骤与形成栅线的步骤同时执行；所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，以及所述公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分；所述形成公共电极还包括在公共电极的各水平部分的第一侧的第一端和公共电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第一凸起；所述形成像素电极还包括在像素电极的各水平部分的第一侧的第一端和在像素电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第二凸起；并且第一凸起和第二凸起具有三角形形状。
在第三方面，一种制造共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在基板上形成栅线、栅极和公共线。栅线沿第一方向延伸并且栅极与栅线相连接。公共线设置在相邻的栅线之间。有源层和欧姆接触层形成在栅极上方。数据线、源极和漏极形成在欧姆接触层上。数据线沿第二方向延伸并与栅线相交叉以限定像素区域。源极与数据线相连接，而漏极与源极分开。覆盖数据线、源极和漏极形成钝化层。钝化层包括暴露漏极的第一接触孔以及暴露公共线的至少一个第二接触孔。像素电极和公共电极形成在钝化层上，像素电极包括第一方向的水平部分，而公共电极包括水平部分。其中所述形成栅线、栅极和公共线还包括形成第二方向的金属图案，其中该金属图案接触所述像素电极的水平部分，所述形成栅线、栅极和公共线还包括形成公共线的垂直部分，其中公共线的垂直部分沿第二方向延伸，并且该金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边；所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，并且公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分；所述形成公共电极还包括在公共电极的各水平部分的第一侧的第一端和公共电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第一凸起；其中所述形成像素电极还包括在像素电极的各水平部分的第一侧的第一端和像素电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第二凸起；并且第一凸起和第二凸起具有三角形形状。
在第四方面，一种制造共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在基板上沿第一方向形成栅线；沿第二方向形成数据线，该数据线与栅线相交叉以限定像素区域；在基板上形成公共线；形成与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管；在像素区域中形成与薄膜晶体管相连接的像素电极，该像素电极包括沿第一方向的水平部分；在像素区域内在与像素电极相同的层上形成公共电极，该公共电极与公共线相连接，并且该公共电极包括沿第一方向的水平部分；和在基板上形成第二方向的金属图案，其中金属图案与像素电极的水平部分接触，其中所述形成公共线还包括形成公共线的垂直部分，其中公共线的垂直部分沿第二方向延伸，并且金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边；形成公共线的步骤和形成金属图案的步骤与形成栅线的步骤同时执行；所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，以及所述公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分；所述形成公共电极还包括在公共电极的各水平部分的第一侧的第一端和公共电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第一凸起；所述形成像素电极还包括在像素电极的各水平部分的第一侧的第一端和在像素电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第二凸起；并且第一凸起和第二凸起具有三角形形状。
应当明白，前述总体描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并意欲提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包含用以提供对实施例的进一步理解并包含在说明书中且构成其一部分的附图，示出了所公开的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1为根据现有技术的IPS模式LCD器件的示意性截面图；
图2为根据现有技术的IPS模式LCD器件的阵列基板的示意性平面图；
图3为根据现有技术另一实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图；
图4为根据现有技术另一实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的截面图；
图5为根据本发明第一实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图；
图6A至6D和图7A至7D为制造根据本发明第一实施例的阵列基板的过程中阵列基板的截面图；
图8为根据本发明第二实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图；
图9A至9D和图10A至10D示出了制造根据本发明第二实施例的阵列基板的过程中的阵列基板；以及
图11为根据本发明第三实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。
具体实施方式
现详细参照本发明的实施例，在附图中示出了实施例的实例。
图5为根据本发明第一实施例的共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件的阵列基板的平面图。在第一实施例中，像素电极和公共电极由透明导电材料形成并形成在同一层中。像素电极的部分和公共电极的部分基本平行于栅线。
在图5中，在基板100上沿第一方向形成栅线102，而数据线118沿与第一方向相交叉的第二方向形成。栅线102和数据线118彼此相交叉以限定像素区域P。薄膜晶体管T形成在栅线102和数据线118的各交叉点处。薄膜晶体管T与栅线102和数据线118相连接。薄膜晶体管T包括栅极104、有源层110、源极114和漏极116。
公共线106形成在基板100上。公共线106与栅线102形成在同一层中。公共线106包括各像素区域P内的环形部分。该部分沿着像素区域P的外围设置，并且该部分基本为方形。相邻像素区域P的这些部分沿着第一方向彼此相连接。公共线106可具有其他形状。
公共电极128和像素电极126形成在各像素区域P内。公共电极128与公共线106相连接，并且像素电极126与漏极116相连接。公共电极128由垂直部分128a和水平部分128b构成。垂直部分128a沿第二方向设置在像素区域P的第一侧边处，而水平部分128b沿第一方向从垂直部分128a延伸。像素电极126由垂直部分126a和水平部分126b构成。垂直部分126a沿第二方向设置在像素区域P的第二侧边处，该侧边与像素区域P的第一侧边相对，而水平部分126b沿第一方向从垂直部分126a延伸。水平部分126b与水平部分128b交替形成。
在此，像素电极126和公共电极128形成在同一层中。因此，尽管用于形成像素电极126和公共电极128的掩模与基板100未对准，但水平部分126b和水平部分128b之间的距离可保持一致。
同时，像素电极126和公共电极128由透明导电材料形成。增加了孔径比，并提高了器件的亮度。
另外，如果水平部分128b和水平部分126b相对于第一方向倾斜预定角，则能沿着器件的对角方向增加视角。
以下参照附图描述制造根据本发明第一实施例的阵列基板的方法。
图6A至6D和图7A至7D为制造根据本发明第一实施例的阵列基板的过程中阵列基板的截面图。图6A至6D对应于图5的线VI-VI。图7A至7D对应于图5的线VII-VII。
在图6A和图7A中，在基板100上限定开关区域S和像素区域P。像素区域P包括开关区域S。图5的栅线102和栅极104形成在基板100上。图5的栅线102沿着第一方向延伸，并且栅极104与图5的栅线102相连接。在基板100上还形成公共线106。公共线106包括沿着各像素区域P的外围的部分。公共线106处于相邻于像素区域P的部分彼此相连接。
栅绝缘层108通过沉积从包含氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料组中选出的一种材料而基本形成在包括图5的栅线102、栅极104和公共线106的基板100的整个表面上。
通过在包含栅绝缘层108的基板100的基本整个表面上沉积本征(intrinsic)非晶硅(a-Si:H)和掺杂非晶硅(例如，n+a-Si:H)并对其进行构图，在栅极104上方的栅绝缘层108上形成有源层110和欧姆接触层112。
在图6B和图7B中，通过在包含有源层110和欧姆接触层112的基板100的基本整个表面上沉积金属材料并随后对其构图，在欧姆接触层112上形成源极114和漏极116。源极114和漏极116彼此分开。数据线118与源极114和漏极116同时形成。数据线118与源极114相连接。尽管图中未示出，数据线118沿第二方向延伸并与图5的栅线102相交叉以限定像素区域P。所述金属材料可选自包含铝(Al)、诸如钕化铝(AlNd)的铝合金、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨化钼(MoW)的导电材料组中的一种或多种材料。
接着，移除源极114和漏极116之间的部分欧姆接触层112，进而暴露有源层110。
在图6C和图7C中，通过沉积从包含氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料组选出的一种材料或利用从包含苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机绝缘材料中选出的一种或多种材料涂覆基板100，在包含源极114和漏极116的基板100的基本整个表面上形成钝化层120。构图钝化层120以便进而形成漏接触孔122和公共线接触孔124。漏接触孔122暴露部分漏极116，而公共线接触孔124暴露部分公共线106。
在图6D和图7D中，通过在包含钝化层120的基板100的基本整个表面上沉积透明导电材料并随后对其构图，在钝化层120上形成像素电极126和公共电极128。透明导电材料选自包含铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电金属材料组。像素电极126通过漏接触孔122与漏极116相连接，而公共电极128通过公共线接触孔124与公共线106相连接。
如上所述，像素电极126包括垂直部分126a和水平部分126b。公共电极128包括垂直部分128a和水平部分128b。垂直部分126a和垂直部分128a设置在像素区域P的相对侧边处并覆盖部分公共线106。垂直部分126a和垂直部分128a分别在相邻的公共线106接近。水平部分126b从垂直部分126a延伸，而水平部分128b从垂直部分128a延伸。
通过根据第一实施例的上述4轮掩模工序制造阵列基板。在第一实施例中，像素电极和公共电极是透明的，并增加了器件的亮度。由于像素电极的上述部分和公共电极的上述部分基本平行于栅线，所以提高了器件上下方向的视角。
在第二实施例中，与公共电极的水平部分相连的垂直部分以及与像素电极的水平部分相连的垂直部分形成在不同于公共电极的水平部分和像素电极的水平部分的层上。
图8为根据本发明第二实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。在图8中，在基板200上沿第一方向形成栅线202，而数据线220沿与第一方向相交叉的第二方向形成。栅线202和数据线220彼此相交叉以限定像素区域P。薄膜晶体管T形成在栅线202和数据线220的各交叉点处。薄膜晶体管T与栅线202和数据线220相连接。薄膜晶体管T包括栅极204、有源层212、源极216和漏极218。
在基板200上形成公共线208和金属图案206。公共线208和金属图案206与栅线202形成在同一层中。公共线208包括各像素区域P内第二方向的垂直部分。金属图案206和公共线208的垂直部分彼此平行并设置在各像素区域P的相对侧边处。相邻像素区域的公共线208的垂直部分沿第一方向彼此相连接。相邻于像素区域P的金属图案206彼此断开。
公共电极232和像素电极230形成在各像素区域P内。公共电极232与公共线208相连接，并且像素电极230与漏极218和金属图案206相连接。像素电极230和公共电极232形成在同一层上并由透明导电材料形成。
更特别地，公共电极232包括多个水平部分。像素电极230包括多个水平部分。公共电极的水平部分和像素电极的水平部分彼此交替。公共电极的水平部分覆盖金属图案206和公共线208的垂直部分并接触公共线208的垂直部分。像素电极的水平部分覆盖金属图案206和公共线208的垂直部分并接触金属图案206。
如果金属图案206和公共线208的垂直部分与公共电极232和像素电极230形成在同一层上，为了防止像素电极230和公共电极232之间的短路，应该在各水平部分和用以接触水平部分的金属图案206之间以及各水平部分和用以接触水平部分的公共线208的垂直部分之间存在水平分开的区域。另外，在上述区域与其他区域中引发不同的电场。因为液晶分子由于不同的电场而在上述区域中不规则地分布，这些区域会减小器件的亮度和孔径比。
然而，在第二实施例中，金属图案206和公共线208的垂直部分形成在与像素电极230和公共电极232的不同层上并覆盖公共电极232的水平部分和像素电极230的水平部分。在各水平部分和金属图案206之间以及各水平部分和公共线208的垂直部分之间没有水平分开的区域。因此，能够防止像素电极230和公共电极232之间的短路，并提高器件的孔径比和亮度。
以下参照附图描述制造根据第二实施例的阵列基板的方法。
图9A至9D和图10A至10D示出了制造根据第二实施例的阵列基板的工序中的阵列基板。图9A至9D为对应于图8的IX-IX线的截面图。图10A至10D为对应于图8的X-X线的截面图。
在图9A和图10A中，在基板200上限定开关区域S和像素区域P。像素区域P包括开关区域S。在基板200上形成图8的栅线202和栅极204。图8的栅线202沿第一方向延伸，而栅极204与图8的栅线202相连接。金属图案206和公共线208也形成在基板200上的像素区域P内。公共线208包括设置在像素区域P第一侧边处的垂直部分。金属图案206设置在像素区域P中与第一侧边相对的第二侧边处。尽管图中未示出，金属图案206和公共线208的垂直部分沿与第一方向相交叉的第二方向延伸。公共线208的垂直部分与相邻像素区域P的相应部分相连接。
通过沉积选自包含氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料组中的一种材料，在包含栅线202、栅极204、金属图案206和公共线208的基板200的基本整个表面上形成栅绝缘层210。
通过在包含栅绝缘层210的基板200的基本整个表面上沉积本征非晶硅(a-Si:H)和掺杂非晶硅(例如，n+a-Si:H)并对其构图，在栅极204上方的栅绝缘层210上形成有源层212和欧姆接触层214。
在图9B和图10B中，通过在包含有源层212和欧姆接触层214的基板200的基本整个表面上沉积金属材料并随后对其构图，在欧姆接触层214上形成源极216和漏极218。源极216和漏极218彼此分开。数据线220与源极216和漏极218同时形成。数据线220与源极216相连接。尽管图中未示出，数据线220沿第二方向延伸并与图8的栅线202相交叉以限定像素区域P。所述金属材料可选自包含铝(Al)、诸如钕化铝(AlNd)的铝合金、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨化钼(MoW)的导电材料组中的一种或多种材料。
接着，移除源极216和漏极218之间的部分欧姆接触层214，进而暴露有源层212。
在图9C和图10C中，通过沉积从包含氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料组中选出的一种材料或利用从包含苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机绝缘材料组中选出的一种或多种材料涂覆基板200，在包含源极216和漏极218的基板200的基本整个表面上形成钝化层222。构图钝化层222以便进而形成第一接触孔224、第二接触孔226和第三接触孔228。第一接触孔224暴露部分的漏极218，第二接触孔226暴露部分的金属图案206，以及第三接触孔228暴露部分的公共线208。
在图9D和图10D中，通过在包含钝化层222的基板200的基本整个表面上沉积透明导电材料并随后对其构图，在钝化层222上形成像素电极230和公共电极232。透明导电材料选自包含铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电金属材料组。像素电极230通过第一接触孔224与漏极218相连接并通过第二接触孔226与金属图案206相连接。公共电极232通过第三接触孔228与公共线208相连接。
如上所述，像素电极230包括沿第一方向并平行于图8的栅线202延伸的水平部分。公共电极232包括沿第一方向并平行于图8的栅线202延伸的水平部分。像素电极230的水平部分与公共电极232的水平部分交替。像素电极230的水平部分覆盖金属图案206和公共线208。公共电极232的水平部分覆盖金属图案206和公共线208。公共电极232的水平部分覆盖金属图案206和公共线208。像素电极230的水平部分分别通过第二接触孔226接触金属图案206。公共电极232的水平部分分别通过第三接触孔228接触公共线208。
在第二实施例中，由于在公共电极和金属图案之间以及像素电极和公共线之间没有水平分开的区域，所以增加了孔径比并提高了器件的亮度。
为了防止显示图像的旋转位移(disclination)，在图11中示出了根据第三实施例的阵列基板。图11为根据本发明第三实施例的IPS模式LCD器件的阵列基板的平面图。
在图11中，在基板200上沿第一方向形成栅线202，并沿与第一方向相交叉的第二方向形成数据线220。栅线202和数据线220彼此相交叉以限定像素区域P。薄膜晶体管T形成在栅线202和数据线220的各交叉点处。薄膜晶体管T与栅线202和数据线220相连接。薄膜晶体管T包括栅极204、有源层212、源极216和漏极218。
公共线208和金属图案206形成在基板200上。公共线208和金属图案206可以形成在与栅线202相同的层中。公共线208包括各像素区域P处的第二方向的垂直部分。金属图案206和公共线208的垂直部分彼此平行并设置在相邻栅线202之间的各像素区域P的相对侧处。相邻像素区域处公共线208的垂直部分沿第一方向彼此连接。相邻像素区域P处金属图案206彼此断开。
公共电极232和像素电极230形成在各像素区域P内。公共电极232与公共线208相连接，并且像素电极230与漏极218和金属图案206相连接。像素电极230和公共电极232形成在同一层上并由透明导电材料形成。
更特别地，公共电极232包括多个水平部分。像素电极230包括多个水平部分。公共电极的水平部分和像素电极的水平部分彼此交替。公共电极的水平部分覆盖金属图案206和公共线208的垂直部分并接触公共线208的垂直部分。像素电极的水平部分覆盖金属图案206和公共线208的垂直部分并接触金属图案206。
公共电极232还包括位于各水平部分的第一侧边的第一端以及各水平部分的第二侧边的第二端的凸起DP，其中第一端与第二端相对。像素电极230还包括位于各水平部分的第一侧边的第一端和各水平部分的第二侧边的第二端的凸起DP，其中第一端与第二端相对。公共电极232和像素电极230的凸起DP具有三角形形状。公共电极232和像素电极230的凸起DP控制电场以便在公共电极232和像素电极230与金属图案206和公共线208相接(meet)的一些区域附近规则地产生电场。因此，由于凸起DP而防止了显示图像的旋转位移。
在本发明中，公共电极和像素电极是透明的。另外，公共电极和像素电极覆盖金属图案和公共线，并增加了开口区域。因此，增加了孔径比并提高了亮度。
同时，由于公共电极和像素电极的凸起DP，防止了显示图像的旋转位移。提高了图像的质量。
而且，像素电极和公共电极基本平行于栅线，提高了器件的上下方向上的视角。
本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对本发明的液晶显示器件进行各种修改和改变。因此，本发明倾向于覆盖本发明所提供的修改和改变，这些修改和改变处于所附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (9)

1.一种共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板，包括：
基板；
基板上沿第一方向的栅线；
沿第二方向并与栅线相交叉以限定像素区域的数据线；
基板上的公共线；
与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管；
位于像素区域内并与薄膜晶体管相连接的像素电极，该像素电极包括沿第一方向的水平部分；和
位于像素区域内并与公共线相连接的公共电极，该公共电极包括沿第一方向的水平部分，
基板上第二方向的金属图案，其中金属图案接触像素电极的所述水平部分；
其中像素电极和公共电极形成在相同的层上，其中所述公共线还包括第二方向的垂直部分，其中金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边，所述金属图案和公共线形成在与栅线相同的层上，所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，以及公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，所述像素电极的水平部分和公共电极的水平部分分别还包括在第一侧的第一端和第二侧的第二端处的凸起，其中第一端与第二端相对，其中凸起具有三角形形状。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和公共电极由透明导电材料形成。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的水平部分与像素电极的水平部分交替。
4.一种制造共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：
在基板上沿第一方向形成栅线；
沿第二方向形成数据线，该数据线与栅线相交叉以限定像素区域；
在基板上形成公共线；
形成与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管；
在像素区域中形成与薄膜晶体管相连接的像素电极，该像素电极包括沿第一方向的水平部分；
在像素区域中形成与公共线相连接的公共电极，该公共电极包括沿第一方向的水平部分；以及
在基板上形成第二方向的金属图案，其中金属图案与像素电极的水平部分接触，
其中像素电极与公共电极同时形成，其中所述形成公共线还包括形成公共线的垂直部分，其中公共线的垂直部分沿第二方向延伸，并且金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边；形成公共线的步骤和形成金属图案的步骤与形成栅线的步骤同时执行；所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，以及所述公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分；所述形成公共电极还包括在公共电极的各水平部分的第一侧的第一端和公共电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第一凸起；所述形成像素电极还包括在像素电极的各水平部分的第一侧的第一端和在像素电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第二凸起；并且第一凸起和第二凸起具有三角形形状。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述像素电极和公共电极由透明导电材料形成。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述公共电极的水平部分与像素电极的水平部分交替。
7.一种制造共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：
在基板上形成栅线、栅极和公共线，栅线沿第一方向延伸，栅极与栅线相连接，并且公共线设置在相邻的栅线之间；
在栅极上方形成有源层和欧姆接触层；
在欧姆接触层上形成数据线、源极和漏极，数据线沿第二方向延伸并与栅线相交叉以限定像素区域，源极与数据线相连接，而漏极与源极分开；
形成覆盖数据线、源极和漏极的钝化层，该钝化层包括暴露漏极的第一接触孔以及暴露公共线的至少一个第二接触孔；和
在钝化层上形成像素电极和公共电极，该像素电极包括沿第一方向的水平部分，而公共电极包括沿第一方向的水平部分，
其中所述形成栅线、栅极和公共线还包括形成第二方向的金属图案，其中该金属图案接触所述像素电极的水平部分，所述形成栅线、栅极和公共线还包括形成公共线的垂直部分，其中公共线的垂直部分沿第二方向延伸，并且该金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边；所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，并且公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分；所述形成公共电极还包括在公共电极的各水平部分的第一侧的第一端和公共电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第一凸起；其中所述形成像素电极还包括在像素电极的各水平部分的第一侧的第一端和像素电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第二凸起；并且第一凸起和第二凸起具有三角形形状。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述像素电极和公共电极由透明导电材料形成。
9.一种制造共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：
在基板上沿第一方向形成栅线；
沿第二方向形成数据线，该数据线与栅线相交叉以限定像素区域；
在基板上形成公共线；
形成与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管；
在像素区域中形成与薄膜晶体管相连接的像素电极，该像素电极包括沿第一方向的水平部分；
在像素区域内在与像素电极相同的层上形成公共电极，该公共电极与公共线相连接，并且该公共电极包括沿第一方向的水平部分；和
在基板上形成第二方向的金属图案，其中金属图案与像素电极的水平部分接触，
其中所述形成公共线还包括形成公共线的垂直部分，其中公共线的垂直部分沿第二方向延伸，并且金属图案和公共线的垂直部分设置在像素区域的相对侧边；形成公共线的步骤和形成金属图案的步骤与形成栅线的步骤同时执行；所述金属图案覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分，以及所述公共线的垂直部分覆盖像素电极的水平部分和公共电极的水平部分；所述形成公共电极还包括在公共电极的各水平部分的第一侧的第一端和公共电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第一凸起；所述形成像素电极还包括在像素电极的各水平部分的第一侧的第一端和在像素电极的各水平部分的第二侧的第二端处形成第二凸起；并且第一凸起和第二凸起具有三角形形状。
CNB200610168053XA 2005-12-29 2006-12-15 共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 Expired - Fee Related CN100529925C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050133554 2005-12-29
KR1020050133554A KR101255782B1 (ko) 2005-12-29 2005-12-29 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1991549A CN1991549A (zh) 2007-07-04
CN100529925C true CN100529925C (zh) 2009-08-19

Family

ID=38213893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200610168053XA Expired - Fee Related CN100529925C (zh) 2005-12-29 2006-12-15 共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8130351B2 (zh)
KR (1) KR101255782B1 (zh)
CN (1) CN100529925C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210327868A1 (en) * 2020-04-16 2021-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101249774B1 (ko) * 2005-12-29 2013-04-09 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR101016281B1 (ko) * 2007-07-10 2011-02-22 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 어레이
CN101398581B (zh) * 2007-09-28 2010-09-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
JP2013080185A (ja) * 2011-10-05 2013-05-02 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
CN102654703B (zh) 2012-03-31 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN102723308B (zh) * 2012-06-08 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
US9046722B2 (en) 2012-09-20 2015-06-02 Shanghai Avic Optoelectronics Co., Ltd. Method of fabricating In-Plane Switching (IPS) screen electrode
CN103178119B (zh) * 2013-03-25 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置
JP2014209213A (ja) * 2013-03-29 2014-11-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及び電子機器
KR102087197B1 (ko) * 2014-01-13 2020-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103869558B (zh) * 2014-03-31 2017-02-15 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置及其制作方法
RU2731258C1 (ru) * 2019-11-19 2020-08-31 Павел Владимирович Елфимов Модуль энергосберегающего устройства для генерации электрической энергии, способ его изготовления и энергосберегающее устройство

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-08-29 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
JP3383205B2 (ja) * 1997-12-26 2003-03-04 シャープ株式会社 液晶表示パネル
US6803979B2 (en) * 2000-04-19 2004-10-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching LCD panel with transverse dielectric protrusions
KR100393642B1 (ko) * 2000-09-14 2003-08-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
KR20040085583A (ko) * 2003-04-01 2004-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100959367B1 (ko) 2003-10-13 2010-05-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치
KR100560400B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100689312B1 (ko) * 2003-11-11 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20050087552A (ko) 2004-02-27 2005-08-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050091291A (ko) 2004-03-11 2005-09-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101191442B1 (ko) * 2004-04-29 2012-10-16 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100603835B1 (ko) 2004-05-24 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
KR100930363B1 (ko) * 2005-12-28 2009-12-08 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
KR20070070726A (ko) * 2005-12-29 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210327868A1 (en) * 2020-04-16 2021-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20120135552A1 (en) 2012-05-31
US20070153206A1 (en) 2007-07-05
KR101255782B1 (ko) 2013-04-17
US8130351B2 (en) 2012-03-06
KR20070070725A (ko) 2007-07-04
CN1991549A (zh) 2007-07-04
US8253918B2 (en) 2012-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100529925C (zh) 共平面开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN100504559C (zh) 用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN100523971C (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN102033376B (zh) 用于边缘场开关模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
US6788356B2 (en) Thin film transistor substrate for a liquid crystal display and a method for repairing the substrate
CN100544005C (zh) 水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法
CN101093329B (zh) 用于共平面开关模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN100447645C (zh) 水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN101202287B (zh) 阵列基板及其制造方法以及修复该阵列基板中的线的方法
CN100416364C (zh) 面内切换型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN100422831C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN101169565A (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN101241278A (zh) 边缘场开关模式lcd
JP2015092295A (ja) 液晶表示装置アレイ基板及びその製造方法
CN103809340A (zh) 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
US7995182B2 (en) Array substrate for a liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN102540604A (zh) 用于ffs模式液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
US8730418B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
US7652738B2 (en) Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR20070070726A (ko) 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN100464235C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
KR20120076181A (ko) 액정표시장치의 어레이기판 및 이의 제조방법
KR20050063016A (ko) 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
KR20080051366A (ko) 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20090073772A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090819

Termination date: 20211215