JP3383205B2

JP3383205B2 - 液晶表示パネル

Info

Publication number: JP3383205B2
Application number: JP35904597A
Authority: JP
Inventors: 睦中島
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 2003-03-04
Anticipated expiration: 2017-12-26
Also published as: US6281958B1; JPH11190860A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、テレビ
ジョンセット、パーソナルコンピュータ、ワードプロセ
ッサまたはＯＡ機器等に用いられるマトリクス型の液晶
表示パネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示パネルは、薄型、軽量である特
長を生かし、たとえばテレビジョンセット、パーソナル
コンピュータ、または、ＯＡ機器等に広く用いられてい
る。

【０００３】この液晶表示パネルにおける表示モードと
しては、従来よりＴＮ型が多く用いられてきたが、最近
では、画面の大型化に際して視野角特性を向上させた横
電界方式の開発も盛んに行なわれるようになっている。

【０００４】横電界方式の電極構造については、特開平
７−３６０５８号公報において、幾つかのタイプが開示
されている。以下、上記公報に記載された従来の横電界
方式の液晶表示パネルの一例を、図面を用いて説明す
る。

【０００５】図６は、従来の横電界方式の液晶表示パネ
ル一画素部分の平面図である。図示しないが、この液晶
表示パネルは対向配置された２枚の絶縁性基板の間に液
晶が封入されてなるものである。図６において、第１の
絶縁性基板（図示せず）上に、ゲートライン９１とコモ
ンライン９２とが平行に形成され、これらゲートライン
９１及びコモンライン９２と直交する方向に、ソースラ
イン９３が配設されている。ゲートライン９１上にはＴ
ＦＴ９４が設けられており、このＴＦＴ９４を介してソ
ースライン９３に接続された画素電極９５がソースライ
ン９３に平行に配置されている。また、他方のソースラ
イン９３’側には、コモンライン９２から分岐したコモ
ン電極９６がソースライン９３’と平行に配設されてい
る。

【０００６】図示しないが、これらの電極配線を被覆す
るように、基板表面には配向膜が設けられている。この
基板は、同様に表面に配向膜を有する第２の絶縁性基板
と対向配置され、これら２枚の基板間には液晶が封入さ
れている。また、この液晶は、互いに平行な画素電極９
５とコモン電極９６に挟まれた表示部９７において、光
学変調される。

【０００７】すなわち、画素電極９５に映像信号に応じ
た電圧がＴＦＴ９４を介して与えられると、画素電極９
５とコモン電極９６との間に横方向の電界が発生する。
このとき、表示部９７内の液晶が駆動され、光学変調さ
れる。

【０００８】また、上記した配向膜には、ラビング法等
で配向処理が施されている。配向処理は、液晶分子の誘
電率異方性によってそれぞれ異なるものであるが、例え
ば、正の誘電率異方性を有する液晶分子を駆動する場合
には、液晶分子の初期配向方向９８を、画素電極９５と
コモン電極９６に対してほぼ平行になるように処理を行
なう。これにより、画素電極９５とコモン電極９６の間
に電圧を印加した時に、液晶分子が回転し光学変調を得
ることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、画素の
表示部９７及びその周辺には、液晶分子を駆動するため
の電圧を与える画素電極９５及びコモン電極９６以外に
も、ゲートライン９１、コモンライン９２、ソースライ
ン９３、９３’が存在するため、横方向の電界を一様に
することは非常に難しい。これは、表示部９７の近傍の
各電極・配線にそれぞれ電圧が印加されることによっ
て、それぞれに生じた電界が互いに影響し合うためであ
る。

【００１０】このように、横方向の電界の不均一化に伴
う電気力線の状態と液晶分子の配向方向との関係につい
て以下に説明する。ゲートライン９１には、書き込み期
間中に、コモンライン９２及びコモン電極９６の電位を
基準としてプラス電位の信号が入力され、それ以外の保
持期間中は、マイナス電位が印加されている。このよう
に、画素電極９５にプラス電位の信号が印加されている
場合の保持期間中の電気力線の方向を模式的に記せば、
電気力線９９のようになる。

【００１１】図６において、正の誘電率異方性の液晶分
子の長軸方向には、電圧印加時に電気力線９９の方向に
沿うようなトルクが働くので、画素電極９５及びコモン
電極９６に対して電気力線９９がほぼ直交する領域Ａで
は、画素電極にプラス電位の信号を印加すると、例えば
領域Ａの画素電極側に存在する液晶分子９８は、図６に
示すような初期配向方向に従い右回転する。この時、同
一画素において領域Ｂでも同様に電圧印加時に液晶分子
が右回転するが、領域Ｃでは左回転してしまい、部分的
に逆回転となる領域が発生する。このような現象をリバ
ースツイストと呼ぶ。その結果、液晶分子が右回転する
領域と左回転する領域との境界において、ディスクリネ
ーションライン１００が発生する。このディスクリネー
ションライン１００の付近の光学特性は、信号電圧に制
御されておらず、画面のざらつきの発生や明るさの低下
を引き起こす原因となっている。

【００１２】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、画面のざらつきや明る
さが低下することのない液晶表示パネルを良品率の低下
を招くことなく提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
は、対向する一対の基板の間に液晶層が挟持され、該一
対の基板上に複数のゲートラインと複数のコモンライン
が略平行に配設され、該ゲートラインに略直交するよう
に複数のソースラインが設けられ、該ゲートライン及び
ソースラインに囲まれて画素が構成されている横電界方
式の液晶表示パネルにおいて、前記画素には、アクティ
ブ素子と、該アクティブ素子を介して前記ソースライン
に接続され該ソースラインに平行な配線を有する画素電
極と、該画素電極に略平行に配設されると共に前記コモ
ンラインに略直交する二方向へ該コモンラインから分岐
するコモン電極とが設けられ、前記画素電極とコモン電
極またはコモンラインによって包囲される領域を表示部
とし、該表示部が、電圧印加時の液晶分子の回転方向が
該表示部内で一様となるような電気力線を生じるよう
に、前記画素電極及びコモン電極のうち、少なくとも一
方において、前記ゲートラインに対向する先端部が、前
記表示部及びゲートラインの間で鍵状に屈曲されている
ことを特徴とし、そのことにより上記目的が達成され
る。

【００１４】

【００１５】また、前記画素電極は前記コモンラインの
端辺を覆うように形成されており、前記隣り合う表示部
の何れか一方において、近接するコモンラインの端辺よ
りも表示部側に画素電極が設けられていることが望まし
い。

【００１６】また、同一画素内部において、前記先端部
の屈曲方向が、前記コモンラインを境界として互いに逆
方向であることが望ましい。

【００１７】好ましくは、前記表示部内において、電圧
印加時に形成される電気力線の接線方向の角度分布の幅
が９０°以内である。

【００１８】さらに好ましくは、前記表示部内におい
て、電圧印加時に形成される電気力線と液晶分子の初期
配向方向のなす角度分布の幅が９０°以内である。

【００１９】以下、上記構成による作用を説明する。

【００２０】本発明に従えば、前記画素電極とコモン電
極またはコモンラインに包囲された領域を表示部とし、
該表示部が、電圧印加時の液晶分子の回転方向が該表示
部内で一様となるような電気力線を生じるよう、前記画
素電極とコモン電極またはコモンラインにより規定され
ているので、従来、問題となっていた横方向の電界の不
均一化に伴う液晶分子の配向方向乱れを抑制することが
できる。その結果、画面のざらつきや明るさが低下する
ことのない液晶表示パネルを提供することができる。

【００２１】また、画素電極とコモン電極の少なくとも
一方において、表示部とゲートラインの間でゲートライ
ンに対向する先端部を屈曲させているので、ゲートライ
ンからの電界が表示部に及んで電気力線の乱れが生じる
のを防止できる。

【００２２】また、ほぼ直交した二方向にコモンライン
より分岐したコモン電極を有した構造であるので、コモ
ンラインとゲートラインとの間隔を広くすることがで
き、コモンラインとゲートライン間のリーク不良の発生
を防止できる。

【００２３】また、隣り合う表示部のどちらか一方にお
いて、近接するコモンラインの端辺よりも表示部の内側
に画素電極を形成するので、表示部のコモンラインに近
接した領域の電気力線のゆがみを同一方向にすることが
できる。

【００２４】また、画素電極またはコモン電極の屈曲し
た先端部の屈曲方向が、コモンラインを境界として互い
に逆方向にすることで、画素電極とコモン電極の屈曲し
た先端部付近の領域において、電気力線のゆがみ（傾
き）を同一方向にすることができる。

【００２５】また、電圧印加時に形成される電気力線の
接線方向の角度分布の幅が、表示部内で９０°以内であ
るので、表示部内の液晶分子の電圧印加時の回転方向を
同一方向となるように液晶分子の初期配向方向を設定で
きる。

【００２６】また、電圧印加時に形成される電気力線と
液晶分子の初期配向方向のなす角度分布の幅が、表示部
内で９０°以内であるため、表示部内の液晶分子の電圧
印加時の回転方向を同一方向とすることができ、このこ
とによりリバースツイストによるディスクリネーション
ラインの発生を防止できる。

【００２７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施形態について、図面に基づき以下に説明を行なう。

【００２８】図１は本実施形態の一画素部分の平面図で
あり、図２は図１のＡ−Ａ’断面図である。図１及び図
２において、アクティブマトリクス基板１２には、絶縁
性基板２０上にゲートライン１と、ゲートライン１に平
行して画素中央部を横断するコモンライン２が形成され
ている。また、コモンライン２からは、画素内部の複数
箇所において、コモンライン２に垂直な二方向にコモン
電極３が分岐形成されており、さらにそれぞれのコモン
電極３の先端部は屈曲してゲートライン１に沿うように
形成されている。また、上記ゲートライン１、コモンラ
イン２、コモン電極３を被覆するようにゲート絶縁膜４
が形成されている。

【００２９】ゲートライン１と直交する方向にはソース
ライン９が設けられ、これらゲートライン１とソースラ
イン９との交差部近傍のゲートライン１上には、ソース
ライン９に接続されたＴＦＴ８が形成されている。この
ＴＦＴ８は同時に画素電極１０に接続されていて、ゲー
トライン１及びソースライン９に印加された電圧はＴＦ
Ｔ８を介して画素電極１０に伝達される。

【００３０】以下、本実施形態の液晶表示パネルの製造
方法について、引続き図１及び２を参照しながら説明を
行なう。アクティブマトリクス基板１２には、スパッタ
で成膜したＴａをパターニングし、ゲートライン１、コ
モンライン２と、コモンライン２より分岐したコモン電
極３を形成する。その上に、プラズマＣＶＤ法にて成膜
したＳｉＮｘをパターニングすることによりゲート絶縁
膜４を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ法にてＳｉ膜
を成膜した後にパターニングを行ない、ａ−Ｓｉ層６と
ｎ⁺−Ｓｉ層７を形成すると、ＴＦＴ８が完成する。次
に、スパッタリング法により成膜したＴｉをパターニン
グすることによって、ゲートライン１とコモンライン２
と直交する方向に延在するソースライン９と、さらに画
素電極１０を設ける。

【００３１】続いて、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘ
を成膜して保護膜１１と、印刷法により配向膜３０を形
成し、配向膜３０をラビング法により配向処理するとア
クティブマトリクス基板１２が完成する。

【００３２】他方、このアクティブマトリクス基板１２
と貼り合せるための対向基板１３は、絶縁性基板２１上
に遮光膜１４、カラーフィルタ１５と、上記と同様の配
向膜３０を設けることにより作製する。

【００３３】最後に、アクティブマトリクス基板１２と
対向基板１３とを貼り合わせ、その隙間に正の誘電率異
方性を有した液晶１６を封入すれば液晶表示パネルが完
成する。

【００３４】尚、本実施形態では、コモンライン２及び
コモン電極３を画素電極１０と同一基板に形成している
が、これに限らず、対向基板１３側に形成しても良い。

【００３５】以下、画素電極１０とコモン電極３の構成
についてさらに詳細に説明する。画素電極１０は、ゲー
トライン１上に形成されたＴＦＴ８を介してソースライ
ン９に接続されている。さらに、画素電極１０は、コモ
ンライン２上の二ヶ所で分岐し（図１中ａ）て、画素を
囲む２本のゲートライン１それぞれに対して（紙面上下
方向へ）延出する２本の分岐配線を有している。。

【００３６】一方、コモンライン２から分岐したコモン
電極３は、画素電極１０の分岐配線を挟む様に複数設け
られる。本実施形態では、コモンライン２から３カ所で
分岐し、紙面上下方向へ延出している。

【００３７】これら画素電極１０及び、コモン電極３ま
たはコモンライン２によって囲まれた領域が、表示部１
７に相当する。

【００３８】ここで、画素電極１０及びコモン電極３
の、ゲートライン１に対向している先端部分はいずれも
鍵状に屈曲し（図１中ｂ）ており、また、その屈曲方向
はコモンライン２よりも上側と下側とでは互いに逆方向
となっている。

【００３９】さらに、画素電極１０とコモンライン２と
が交差する部分の近傍では、コモンライン２の端辺を覆
うように画素電極１０を形成している（図１中ｃ）。

【００４０】したがって、画素電極１０及びコモン電極
３を上記の構成とすることによって、ゲートライン１に
よる電界は、画素電極１０及びコモン電極３の屈曲部分
でシールドされる。さらに各表示部１７においては、電
気力線１８（図１中に模式的に示す）の方向が画素電極
１０及びコモン電極３に対して同じ方向に傾いており、
液晶分子１９の初期配向方向（図１中に示す方向）と、
画素電極１０及びコモン電極３の間で生じる電気力線１
８とを画素全体において略等しい方向とすることができ
るため、従来のように、電気力線が液晶分子の初期配向
方向に対して同一画素内で部分的に異なることはない。
つまり、電気力線１８の傾き方向を同一画素内で統一
し、さらに、液晶分子１９の初期配向方向と電気力線１
８の傾き方向とを同様に設定することで、電圧印加時の
液晶分子１９の回転方向が、例えば、本実施形態におい
ては画素全体で右回転方向となるため、従来に比べ表示
品位を著しく向上することが可能となる。尚、電圧印加
時の液晶分子の回転状態については後述する。

【００４１】上述したように、液晶分子１９の初期配向
角度は、表示部１７の電気力線１８の傾き方向と同様に
設定しており、例えば、その角度は画素電極１０及びコ
モン電極３に対して０〜４５°の範囲であれば十分なコ
ントラストが得られる。尚、本実施形態では２°とし
た。

【００４２】本実施形態の液晶表示パネルではディスク
リネーションラインの発生がなく、画面のざらつきや明
るさの低下は認められなかった。

【００４３】また、本実施形態では、ゲートライン１と
コモンライン２を同一レイヤーで形成しているが、ゲー
トライン１とコモンライン２はほぼ等間隔で形成し十分
大きな距離をもってパターニングしているので、ゲート
ライン１とコモンライン２のリーク不良をほぼなくすこ
とができた。コモン電極３とゲートライン１は部分的に
近接しているが近接した部分（互いに対向する部分）の
長さは短いためリーク確率は小さく、たとえリークした
としてもレーザー照射によりコモン電極３の一部を切断
すればリーク不良を修正することが容易なので良品率の
低下を防止できる。

【００４４】（実施形態２）本発明の第２の実施形態に
ついて、図面に基づき以下に説明を行なう。

【００４５】図３は本実施形態の一画素部分の平面図で
ある。本実施形態と実施形態１との主な相違は、画素電
極とコモン電極の構造にある。以下に、本実施形態の液
晶表示パネルについて詳細に説明する。

【００４６】画素電極４０は、ゲートライン３１上に形
成されたＴＦＴ３８を介してソースライン３９に接続さ
れている。構成としては、画素内部においてソースライ
ン３９に平行に２本の配線が設けられ、それぞれの配線
は、コモンライン３２上でゲートライン３１と平行な方
向（紙面左右方向）へ分岐する２本の分岐配線を有して
いる。また、上記ソースライン３９に平行な配線はゲー
トライン３１の近傍で互いに向かって屈曲するような形
で接続されている（図３中ａ）。

【００４７】一方、コモンライン３２から分岐したコモ
ン電極３３は、画素電極４０を挟む様にコモンライン３
２から３カ所でゲートライン３１方向（紙面上下方向）
に分岐している。

【００４８】これら画素電極４０と、コモン電極３３ま
たはコモンライン３２で囲まれた領域が表示部４７に相
当する。

【００４９】また、画素電極４０には、ゲートライン３
１に近接した部分の一部を屈曲させて突起部分を形成し
（図３中ｂ）、コモン電極３３のゲートライン３１近傍
の先端部は鍵状に屈曲されている（図３中ｃ）。

【００５０】さらに、画素電極４０の、ゲートライン３
１に近接した部分では画素電極４０がコモン電極３３を
覆う。但し、コモン電極３３の鍵状に屈曲した部分が、
上方の画素電極４０よりも表示部４７に対して内側とな
るようにずらせて重ね合せている（図３中ｄ）。

【００５１】ここで、コモン電極３３先端の屈曲方向は
コモンライン３２の上側と下側では逆方向となってい
る。

【００５２】さらに、画素電極４０の分岐配線がコモン
ライン３２上に重畳する部分では、画素電極４０がコモ
ンライン３２の一端を被覆し（図３中ｅ）、コモン電極
３３または画素電極４０を隔てて隣り合う表示部４７で
は、画素電極がコモンライン３２の他方の端辺を覆って
いる。

【００５３】以上のような構成より、ゲートライン３１
からの電界は、画素電極４０及びコモン電極３３の鍵状
の部分でシールドされるので表示部４７へ影響すること
はなく、また、画素電極４０及びコモン電極３３間の電
気力線４８の方向が画素電極４０及びコモン電極３３に
対して同じ方向に傾いているので、以下のような効果が
得られる。

【００５４】つまり、液晶分子４９の初期配向角度が、
図３に示すように、表示部４７の端に生じる電界のゆが
みによる電気力線の傾き方向と同様の方向に設定されて
いると、電圧印加時の液晶分子の回転方向は、画素全体
で右回転方向となるので、ディスクリネーションライン
の発生がなく、画面のざらつきや明るさの低下のない、
高い表示品位を有する液晶表示パネルを得ることができ
る。

【００５５】尚、液晶分子４９の初期配向角度は、画素
電極４０及びコモン電極３３に対して０〜４５°の範囲
であれば十分なコントラストが得られるが、本実施形態
では２°とした。

【００５６】以上説明したように、本実施形態で得られ
た液晶表示パネルにおいても、電界のゆがみで生じる電
気力線の傾き方向を統一し、液晶分子の初期配向角度を
電気力線の傾き方向と同様に設定することで、電圧印加
時の液晶分子の回転方向が画素全体で右回転方向となる
ので、ディスクリネーションラインの発生がなく、画面
のざらつきや明るさの低下は認められなかった。

【００５７】尚、本実施形態では、ゲートライン３１と
コモンライン３２を同一レイヤーで形成しているが、ゲ
ートライン３１とコモンライン３２はほぼ等間隔で形成
し十分大きな距離をもってパターニングしているので、
ゲートライン３１とコモンライン３２のリーク不良をほ
ぼなくすことができた。コモン電極３３とゲートライン
３１は部分的に近接しているが近接した部分（互いに対
向する部分）の長さは短いためリーク確率は小さく、た
とえリークしたとしてもレーザー照射によりコモン電極
３３の一部を切すればリーク不良を修正することが容易
である。

【００５８】また、本実施形態では画素電極４０とコモ
ンライン３２との重なり部、または、画素電極４０とコ
モン電極３３との重なり部でリーク欠陥が生じても、リ
ーク欠陥部付近の画素電極４０もしくはコモン電極３３
をレーザー照射により切断すれば、リーク不良を修正す
ることができ良品率の低下を防止できる。

【００５９】（実施形態３）本発明の第３の実施形態に
ついて、図面に基づき以下に説明を行なう。

【００６０】図４は本実施形態の一画素部分の平面図で
ある。本実施形態と上記実施形態との相違も、画素電極
とコモン電極の構造にある。以下に、本実施形態の液晶
表示パネルについて詳細に説明する。

【００６１】画素電極７０は、ゲートライン６１上に形
成されたＴＦＴ６８を介してソースライン６９に接続さ
れており、ソースライン６９に平行な方向に延在する２
本の配線が、コモンライン６２上で接続される（図４中
ａ）ような構成となっている。

【００６２】一方、コモンライン６２から分岐したコモ
ン電極６３は、画素電極７０を挟む様にコモンライン６
２から３カ所で分岐され、分岐部から２本のゲートライ
ン６１方向へ配線が延出している。ここで、画素電極７
０と、コモン電極６３またはコモンライン６２で囲まれ
た領域が表示部７７に相当する。

【００６３】また、画素電極７０及びコモン電極６３の
ゲートライン６１近傍の先端部は鍵状に屈曲している
（図４中ｂ）。また、この屈曲方向はコモンライン６２
より上側と下側では逆方向となっている。

【００６４】さらに、画素電極７０がコモンライン６２
と重畳する部分では、画素電極７０がコモンライン６２
の一端を覆うように形成されている（図４中ｃ）。さら
に、その表示部７７と、コモン電極７３または画素電極
７０を隔てて隣り合う表示部７７においては、画素電極
７０が覆うコモンライン６２の端辺は互いに逆側となっ
ている。

【００６５】次に、画素電極７０とコモン電極６３の間
で生じる電気力線７８の方向を図４に模式的に示す。こ
のように、ゲートライン６１からの電界は、画素電極７
０及びコモン電極６３の鍵状の部分でシールドされて表
示部７７へ影響することはなく、表示部７７の端に生じ
る電界のゆがみについても、電気力線の方向７８が画素
電極７０及びコモン電極６３に対して同じ方向に傾いて
いる。

【００６６】液晶分子７９の初期配向角度は、表示部７
７の端に生じる電気力線７８の傾き方向と同様に設定し
ている。液晶分子７９の初期配向角度は画素電極７０及
びコモン電極６３に対して０〜４５°の範囲であれば十
分なコントラストが得られるが、本実施形態では２°と
した。

【００６７】本実施形態では、電界のゆがみにより生じ
る電気力線７８の傾き方向を統一し、液晶分子７９の初
期配向角度を電気力線７８の傾き方向と同様に設定する
ことで、電圧印加時の液晶分子７９の回転方向は、画素
全体で右回転方向となる。本実施形態の液晶表示パネル
ではディスクリネーションラインの発生なく、画面のざ
らつきや明るさの低下は認められなかった。

【００６８】また、本発明では、ゲートライン６１とコ
モンライン６２を同一レイヤーで形成している。コモン
電極６３とゲートライン６１がリークしたとしてもレー
ザー照射によりコモン電極６３の一部を切すればリーク
不良を修正することが容易である。

【００６９】さらに、本実施形態では画素電極７０とコ
モンライン６２との重なり部でリーク欠陥が生じても、
リーク欠陥部付近の画素電極７０もしくはコモン電極６
３をレーザー照射により切断すれば、リーク不良を修正
することができ良品率の低下を防止できる。

【００７０】このように、横電界で駆動する方式では、
表示部全体にわたる電気力線の方向を十分考慮して電極
形状を設計することが大切である。以下、リバースツイ
ストを起こさないための液晶分子と電気力線の関係につ
いての詳細を図５にて説明する。

【００７１】正の誘電率異方性を有する液晶を例に示せ
ば、液晶分子が電圧印加時に回転する方向は、液晶分子
１１０の長軸方向と電気力線１１１のなす角度の小さい
側にトルクが働く。液晶分子１１０の長軸方向と電気力
線１１１のなす角度αが０°＜α＜９０°の場合は右回
転し、液晶分子１１０の長軸方向と電気力線１１１のな
す角度αが−９０°＜α＜０°の場合は左回転する（図
５（ａ））。

【００７２】したがって、表示部における電気力線１１
１と液晶分子１１０のなす角度の分布の幅が９０°以内
であれば、表示部内の液晶分子１１０を同一方向に回転
させることが可能である。

【００７３】さらに、表示部における電気力線１１１と
液晶分子１１０のなす角度の分布の幅を９０°以内にす
るためには、表示部における電気力線１１１の接線方向
の角度分布の幅βを表示部内において９０°以内にすれ
ばよい（図５（ｂ））。

【００７４】したがって、画素電極及びコモン電極は、
上記実施形態に限らず本発明の主旨に応じた形状であれ
ばよい。

【００７５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、表示部内における画素電極とコモン電極の間
の横電界がゲートライン及びソースラインの信号により
乱れることを防止し、さらに、表示部の端で生じる横電
界のゆがみの電気力線の傾き方向を同一方向にして、液
晶分子の初期配向方向を電気力線の傾き方向と同一方向
にすることで、リバースツイストによるディスクリネー
ションラインの発生がなく、ざらつきのない表示品位が
得られる。

【００７６】また、ゲートラインとコモンラインの間隔
が広くできるので、ゲートラインとコモンラインのリー
ク欠陥の発生を低減でき、ゲートラインとコモン電極と
のリーク欠陥やコモンラインと画素電極等のリーク欠陥
が発生してもレーザー切断によりリーク不良を修正でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１を説明するための画素平面
図である。

【図２】本発明の実施形態１を説明するための断面図で
ある。

【図３】本発明の実施形態２を説明するための画素平面
図である。

【図４】本発明の実施形態３を説明するための画素平面
図である。

【図５】液晶分子と電気力線の関係について説明するた
めの模式図である。

【図６】従来技術を説明するための画素平面図である。

【符号の説明】

１、３１、６１、９１ゲートライン２、３２、６２、９２コモンライン３、３３、６３、９６コモン電極４ゲート絶縁膜６ａ−Ｓｉ層７ｎ⁺−Ｓｉ層８、３８、６８、９４ＴＦＴ９、３９、９３、９３‘ ソースライン１０、４０、７０、９５画素電極１１保護膜１２アクティブマトリクス基板１３対向基板１４遮光膜１５カラーフィルタ１６液晶１７、４７、７７、９７表示部１８、４８、７８、９９、１１１電気力線１９、４９、７９、９８、１１０液晶分子２０、２１絶縁性基板３０配向膜１００ディスクリネーションライン

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する一対の基板の間に液晶層が挟持さ
れ、該一対の基板上に複数のゲートラインと複数のコモ
ンラインが略平行に配設され、該ゲートラインに略直交
するように複数のソースラインが設けられ、該ゲートラ
イン及びソースラインに囲まれて画素が構成されている
横電界方式の液晶表示パネルにおいて、前記画素には、アクティブ素子と、該アクティブ素子を
介して前記ソースラインに接続され該ソースラインに平
行な配線を有する画素電極と、該画素電極に略平行に配
設されると共に前記コモンラインに略直交する二方向へ
該コモンラインから分岐するコモン電極とが設けられ、
前記画素電極とコモン電極またはコモンラインによって
包囲される領域を表示部とし、該表示部が、電圧印加時の液晶分子の回転方向が該表示
部内で一様となるような電気力線を生じるように、前記
画素電極及びコモン電極のうち、少なくとも一方におい
て、前記ゲートラインに対向する先端部が、前記表示部
及びゲートラインの間で鍵状に屈曲されていることを特
徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】前記画素電極は前記コモンラインの端辺を
覆うように形成されており、前記隣り合う表示部の何れか一方において、近接するコ
モンラインの端辺よりも表示部側に画素電極が設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネ
ル。
【請求項３】同一画素内部において、前記先端部の屈曲
方向が、前記コモンラインを境界として互いに逆方向で
あることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示
パネル。
【請求項４】前記表示部内において、電圧印加時に形成
される電気力線の接線方向の角度分布の幅が９０°以内
であることを特徴とする請求項１から３の何れか記載の
液晶表示パネル。
【請求項５】前記表示部内において、電圧印加時に形成
される電気力線と液晶分子の初期配向方向のなす角度分
布の幅が９０°以内であることを特徴とする請求項１か
ら４の何れか記載の液晶表示パネル。