JPH07318944A - 液晶表示素子及びこの素子を用いた液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示素子及びこの素子を用いた液晶表示装置Info
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- JPH07318944A JPH07318944A JP11325294A JP11325294A JPH07318944A JP H07318944 A JPH07318944 A JP H07318944A JP 11325294 A JP11325294 A JP 11325294A JP 11325294 A JP11325294 A JP 11325294A JP H07318944 A JPH07318944 A JP H07318944A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 画素電極５ごとに、液晶分子ＬＭが水平方向
に配向するように規制する配向処理方向を異にする２領
域を有しており、これら２領域が隣接している境界ライ
ンの画素電極上に沿って、絶縁層６を介して配向分割電
極７が設けられる。配向分割電極は対向電極２に対して
独立に電圧が印加可能であり、素子駆動中に、所定の電
圧を印加して境界ライン上の液晶分子を電極に対して垂
直方向に再配向させ、この部分をディスクリネーション
ラインの生じない暗状態に保持する。 【効果】 一画素領域上の２つの異なる配向処理領域の
境界にディスクリネーションラインが生じないので、こ
れを隠すためのＢＭなどを必要とせず、開口率を向上さ
せることができる。
に配向するように規制する配向処理方向を異にする２領
域を有しており、これら２領域が隣接している境界ライ
ンの画素電極上に沿って、絶縁層６を介して配向分割電
極７が設けられる。配向分割電極は対向電極２に対して
独立に電圧が印加可能であり、素子駆動中に、所定の電
圧を印加して境界ライン上の液晶分子を電極に対して垂
直方向に再配向させ、この部分をディスクリネーション
ラインの生じない暗状態に保持する。 【効果】 一画素領域上の２つの異なる配向処理領域の
境界にディスクリネーションラインが生じないので、こ
れを隠すためのＢＭなどを必要とせず、開口率を向上さ
せることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子、特にアク
ティブマトリクス駆動型液晶表示素子及びその装置に関
する。
ティブマトリクス駆動型液晶表示素子及びその装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄型軽量、低消費電力という大き
な利点を持つ液晶表示素子（以下、ＬＣＤ）は、パーソ
ナルＯＡ機器の表示装置として急速に普及しつつある。
特に、各画素毎に能動素子を持ち各画素毎に独立して駆
動するアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤは、高精細、
高画質可能なＬＣＤとして用いられている。
な利点を持つ液晶表示素子（以下、ＬＣＤ）は、パーソ
ナルＯＡ機器の表示装置として急速に普及しつつある。
特に、各画素毎に能動素子を持ち各画素毎に独立して駆
動するアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤは、高精細、
高画質可能なＬＣＤとして用いられている。
【０００３】ところで液晶表示素子は、見る方向により
コントラスト比や表示色が変化するという視角依存性が
ある。この視角依存性を改善する方法として一画素内で
液晶分子の配向が異なる領域を複数設ける配向分割法が
提案されている。
コントラスト比や表示色が変化するという視角依存性が
ある。この視角依存性を改善する方法として一画素内で
液晶分子の配向が異なる領域を複数設ける配向分割法が
提案されている。
【０００４】この配向分割法を利用して液晶表示素子を
得る方法としては、K.H.Yang(1991,IDRC,p.68)が提案し
た、一画素内に液晶分子の起き上がる方向が１８０°異
なる二領域を設ける方法(Two Domain TN。以下、ＴＤＴ
Ｎと称する）や、一度のラビングによって一画素内にプ
レチルト角の異なる領域を設けることを特徴とするドメ
イン分割ＴＮ(Y.Koike, et.al 1992,SID,p.798。以下、
ＤＤＴＮと称する）などが提案されている。しかし、こ
れらの配向分割法を用いた液晶表示素子では表示画素内
の分割された配向分割領域の境界にディスクリネーショ
ンラインが発生する。また、このディスクリネーション
ラインは入射光を散乱しコントラストや表示品位を低下
させる。従って従来、光吸収帯（ＢＭ）や不透明な補助
容量線（Ｃｓ）等を表示画素領域中に故意に設けてディ
スクリネーションラインを隠していた。そのために有効
画素領域の面積が減り開口率が大幅に下がる原因となっ
ていた。
得る方法としては、K.H.Yang(1991,IDRC,p.68)が提案し
た、一画素内に液晶分子の起き上がる方向が１８０°異
なる二領域を設ける方法(Two Domain TN。以下、ＴＤＴ
Ｎと称する）や、一度のラビングによって一画素内にプ
レチルト角の異なる領域を設けることを特徴とするドメ
イン分割ＴＮ(Y.Koike, et.al 1992,SID,p.798。以下、
ＤＤＴＮと称する）などが提案されている。しかし、こ
れらの配向分割法を用いた液晶表示素子では表示画素内
の分割された配向分割領域の境界にディスクリネーショ
ンラインが発生する。また、このディスクリネーション
ラインは入射光を散乱しコントラストや表示品位を低下
させる。従って従来、光吸収帯（ＢＭ）や不透明な補助
容量線（Ｃｓ）等を表示画素領域中に故意に設けてディ
スクリネーションラインを隠していた。そのために有効
画素領域の面積が減り開口率が大幅に下がる原因となっ
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように配向分割法
が用いられている液晶表示素子では配向分割領域の境界
にディスクリネーションラインが現れる。そこに入射し
た光は散乱され、黒（暗）表示とした場合に輝線として
現れコントラストや表示品位を低下させる原因となる。
従ってこれらのディスクリネーションラインは従来アレ
イ基板に配置した補助容量線（Ｃｓ）やゲート線あるい
は、ＢＭ等で遮蔽し光漏洩を防いでいた。しかしながら
ディスクリネーションラインはかなり幅をとって発生
し、これを隠すためのＢＭあるいは補助容量線の面積を
広くする必要があり開口率を著しく低下させる原因とな
っている。
が用いられている液晶表示素子では配向分割領域の境界
にディスクリネーションラインが現れる。そこに入射し
た光は散乱され、黒（暗）表示とした場合に輝線として
現れコントラストや表示品位を低下させる原因となる。
従ってこれらのディスクリネーションラインは従来アレ
イ基板に配置した補助容量線（Ｃｓ）やゲート線あるい
は、ＢＭ等で遮蔽し光漏洩を防いでいた。しかしながら
ディスクリネーションラインはかなり幅をとって発生
し、これを隠すためのＢＭあるいは補助容量線の面積を
広くする必要があり開口率を著しく低下させる原因とな
っている。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
ディスクリネーションラインの発生を抑制すると同時
に、配向分割境界上を黒（暗）状態とすることでＢＭや
Ｃｓ線等でディスクリネーションラインを隠す必要がな
くなり開口率を向上できる。
ディスクリネーションラインの発生を抑制すると同時
に、配向分割境界上を黒（暗）状態とすることでＢＭや
Ｃｓ線等でディスクリネーションラインを隠す必要がな
くなり開口率を向上できる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アクティブマ
トリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板の一主
面上に、マトリクス状に設けられた信号線およびゲート
線と、前記信号線とゲート線の交差部に対応して設けら
れた能動素子と、前記能動素子ごとに前記信号線とゲー
ト線で区画された領域に設けられ画素領域を形成する画
素電極と、前記信号線、ゲート線、能動素子および画素
電極上に設けられ液晶分子配向処理を施した配向膜と、
前記アクティブマトリクス基板と対向し、一主面上に対
向電極が設けられ、この対向電極上に液晶分子配向処理
を施した配向膜が形成された対向基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板と前記対向基板との間に狭持された液
晶層とからなり、前記アクティブマトリクス基板上の電
極と前記対向基板の対向電極が重なり合う領域を画素領
域とし、この画素領域の各一画素領域内において液晶層
の液晶分子の配向が異なる領域が複数ある液晶表示素子
において、前記画素電極上に絶縁層を介して、前記対向
電極に対して異なる電圧が印加可能な配向分割電極が設
けてあり、前記配向分割電極上に前記液晶分子の配向が
異なる領域の配向境界が配置されていることを特徴とす
る液晶表示素子を得るものである。
トリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板の一主
面上に、マトリクス状に設けられた信号線およびゲート
線と、前記信号線とゲート線の交差部に対応して設けら
れた能動素子と、前記能動素子ごとに前記信号線とゲー
ト線で区画された領域に設けられ画素領域を形成する画
素電極と、前記信号線、ゲート線、能動素子および画素
電極上に設けられ液晶分子配向処理を施した配向膜と、
前記アクティブマトリクス基板と対向し、一主面上に対
向電極が設けられ、この対向電極上に液晶分子配向処理
を施した配向膜が形成された対向基板と、前記アクティ
ブマトリクス基板と前記対向基板との間に狭持された液
晶層とからなり、前記アクティブマトリクス基板上の電
極と前記対向基板の対向電極が重なり合う領域を画素領
域とし、この画素領域の各一画素領域内において液晶層
の液晶分子の配向が異なる領域が複数ある液晶表示素子
において、前記画素電極上に絶縁層を介して、前記対向
電極に対して異なる電圧が印加可能な配向分割電極が設
けてあり、前記配向分割電極上に前記液晶分子の配向が
異なる領域の配向境界が配置されていることを特徴とす
る液晶表示素子を得るものである。
【０００８】さらに、アクティブマトリクス基板と、こ
の基板の一主面上に、マトリクス状に設けられた信号線
およびゲート線と、前記信号線とゲート線の交差部に対
応して設けられた能動素子と、前記能動素子ごとに前記
信号線とゲート線で区画された領域に設けられ画素領域
を形成する画素電極と、前記信号線、ゲート線、能動素
子および画素電極上に設けられ液晶分子配向処理を施し
た配向膜と、前記アクティブマトリクス基板と対向し、
一主面上に対向電極が設けられ、この電極上に液晶分子
配向処理を施した配向膜が形成された対向基板と、前記
アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に狭持
された液晶層とを具備し、前記画素領域はアクティブマ
トリクス基板上の電極と前記対向基板の対向電極が重な
り合う領域であり、画素領域の各一画素領域内において
液晶分子の配向が異なる領域が複数ある液晶表示素子
と、この液晶表示素子に電圧を印加する電圧印加手段と
を有する液晶表示装置において、前記液晶表示素子はア
クティブマトリクス基板の画素電極上に絶縁層を介して
画素領域を分割して前記対向電極に対して異なる電圧が
印加可能な配向分割電極を形成し、前記配向分割電極上
に前記液晶層の液晶分子の配向が異なる領域の配向境界
が配置されており、前記電圧印加手段により前記配向分
割電極に対向基板電極の電位を基準として実質的に液晶
飽和電圧以上の電圧が液晶表示素子を駆動中に印加され
ることを特徴とする液晶表示装置を得るものである。
の基板の一主面上に、マトリクス状に設けられた信号線
およびゲート線と、前記信号線とゲート線の交差部に対
応して設けられた能動素子と、前記能動素子ごとに前記
信号線とゲート線で区画された領域に設けられ画素領域
を形成する画素電極と、前記信号線、ゲート線、能動素
子および画素電極上に設けられ液晶分子配向処理を施し
た配向膜と、前記アクティブマトリクス基板と対向し、
一主面上に対向電極が設けられ、この電極上に液晶分子
配向処理を施した配向膜が形成された対向基板と、前記
アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に狭持
された液晶層とを具備し、前記画素領域はアクティブマ
トリクス基板上の電極と前記対向基板の対向電極が重な
り合う領域であり、画素領域の各一画素領域内において
液晶分子の配向が異なる領域が複数ある液晶表示素子
と、この液晶表示素子に電圧を印加する電圧印加手段と
を有する液晶表示装置において、前記液晶表示素子はア
クティブマトリクス基板の画素電極上に絶縁層を介して
画素領域を分割して前記対向電極に対して異なる電圧が
印加可能な配向分割電極を形成し、前記配向分割電極上
に前記液晶層の液晶分子の配向が異なる領域の配向境界
が配置されており、前記電圧印加手段により前記配向分
割電極に対向基板電極の電位を基準として実質的に液晶
飽和電圧以上の電圧が液晶表示素子を駆動中に印加され
ることを特徴とする液晶表示装置を得るものである。
【０００９】
【作用】本発明は配向分割法を用いた液晶表示素子にお
いて、画素電極上に絶縁層を介して配置した配向分割電
極に、配向分割境界ライン上の液晶層に常時、飽和電圧
またはそれ以上の電圧を印加し、画素領域内の液晶分子
とは独立に配向分割境界ライン付近に存在する液晶分子
の例えば長軸方向を常に基板に対し垂直に再配向させ
る。すなわち正の誘電異方性を示すネマティック液晶の
液晶層は両基板に水平配向処理がなされていると、液晶
分子は配向方向に沿ってほぼ水平に分子配列する。基板
間に所定の電圧を印加すると、液晶分子は垂直方向に再
配向する。電圧無印加時に光を透過（明状態）するノー
マリーホワイト駆動では、電圧印加時に上記液晶分子の
垂直方向再配向によって、配向分割境界ラインの分子を
表示素子駆動中、常に垂直配向しておくことによりディ
スクリネーションラインの発生が抑えられ、しかも配向
分割境界ライン付近の暗状態が保持されるので、ＢＭ等
のマスクでディスクリネーションラインを隠す必要がな
くなる。
いて、画素電極上に絶縁層を介して配置した配向分割電
極に、配向分割境界ライン上の液晶層に常時、飽和電圧
またはそれ以上の電圧を印加し、画素領域内の液晶分子
とは独立に配向分割境界ライン付近に存在する液晶分子
の例えば長軸方向を常に基板に対し垂直に再配向させ
る。すなわち正の誘電異方性を示すネマティック液晶の
液晶層は両基板に水平配向処理がなされていると、液晶
分子は配向方向に沿ってほぼ水平に分子配列する。基板
間に所定の電圧を印加すると、液晶分子は垂直方向に再
配向する。電圧無印加時に光を透過（明状態）するノー
マリーホワイト駆動では、電圧印加時に上記液晶分子の
垂直方向再配向によって、配向分割境界ラインの分子を
表示素子駆動中、常に垂直配向しておくことによりディ
スクリネーションラインの発生が抑えられ、しかも配向
分割境界ライン付近の暗状態が保持されるので、ＢＭ等
のマスクでディスクリネーションラインを隠す必要がな
くなる。
【００１０】以下に本発明の原理をツイストネマティッ
ク形（ＴＮ）のＴＦＴ液晶表示素子について説明する。
ク形（ＴＮ）のＴＦＴ液晶表示素子について説明する。
【００１１】図１に示すように画素電極５上に絶縁層６
を介して液晶駆動可能な配向分割電極７を設け、この電
極上に配向の境界ラインＢが来るように配向分割を行
う。この配向分割電極７と対向電極２の間に液晶分子Ｌ
Ｍが再配列するのに十分な大きさの実効電圧が常時印加
された状態にし、液晶表示素子を駆動中は配向分割電極
上の液晶分子を基板に対して垂直に再配列した状態にす
る。このような構成とすることで、隣りあう領域間の液
晶分子配列の不連続性が緩和されディスクリネーション
ラインの発生を抑えることができる。また、配向分割電
極７上の液晶分子ＬＭが基板１，４主面に対し垂直に再
配列しているためにその領域では光の旋光性が失われ暗
状態となる。これによってディスクリネーションライン
による光の散乱が無くなりコントラストの低下を無くす
ことができ、さらに従来ディスクリネーションラインを
隠すために必要なＢＭ等を設ける必要がなくなるため開
口率を大幅に向上できる。
を介して液晶駆動可能な配向分割電極７を設け、この電
極上に配向の境界ラインＢが来るように配向分割を行
う。この配向分割電極７と対向電極２の間に液晶分子Ｌ
Ｍが再配列するのに十分な大きさの実効電圧が常時印加
された状態にし、液晶表示素子を駆動中は配向分割電極
上の液晶分子を基板に対して垂直に再配列した状態にす
る。このような構成とすることで、隣りあう領域間の液
晶分子配列の不連続性が緩和されディスクリネーション
ラインの発生を抑えることができる。また、配向分割電
極７上の液晶分子ＬＭが基板１，４主面に対し垂直に再
配列しているためにその領域では光の旋光性が失われ暗
状態となる。これによってディスクリネーションライン
による光の散乱が無くなりコントラストの低下を無くす
ことができ、さらに従来ディスクリネーションラインを
隠すために必要なＢＭ等を設ける必要がなくなるため開
口率を大幅に向上できる。
【００１２】以上は正の誘電異方性を示すネマティック
液晶を用いる場合であるが、ＤＡＰ型液晶素子のように
負の誘電異方性を示すＮｎ液晶を使用する素子について
も同様に適用できる。この場合、基板は垂直配向処理さ
れ電圧無印加の状態で液晶分子は基板にほぼ垂直に配列
するが、一画素領域を垂直方向から僅かに傾けた２方向
のベント分子配列の領域に形成して配向分割型表示素子
とする。境界ラインに設けた配向分割電極に常に飽和電
圧以上の電圧を印加することにより、液晶分子は水平状
態に再配列して保持されるから、この状態を暗状態にす
ることによりディスクリネーションラインによる光透過
の発生が抑制される。
液晶を用いる場合であるが、ＤＡＰ型液晶素子のように
負の誘電異方性を示すＮｎ液晶を使用する素子について
も同様に適用できる。この場合、基板は垂直配向処理さ
れ電圧無印加の状態で液晶分子は基板にほぼ垂直に配列
するが、一画素領域を垂直方向から僅かに傾けた２方向
のベント分子配列の領域に形成して配向分割型表示素子
とする。境界ラインに設けた配向分割電極に常に飽和電
圧以上の電圧を印加することにより、液晶分子は水平状
態に再配列して保持されるから、この状態を暗状態にす
ることによりディスクリネーションラインによる光透過
の発生が抑制される。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【００１４】図１乃至図４は本発明の実施例を示すもの
で、図１は一画素領域を示し、図２は図１の画素領域を
マトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板を示
し、図３は対向電極を含めた等価回路図、図４は画素領
域の液晶分子の配向方向を示す。 まず、ガラスのアク
ティブマトリクス基板４と、一主面全面にＩＴＯの透明
対向電極２を形成した対向基板１を用意した。アクティ
ブマトリクス基板４上にマトリクス状の信号線９、ゲー
ト線１０を配置し、これら線９，１０でマトリクス区画
される領域内で、その交差部分に能動素子（ＴＦＴ）１
１と、能動素子ごとにＩＴＯの透明画素電極５を設け
た。次にアクティブマトリクス基板全面にプラズマＣＶ
ＤによりＳｉＮｘ膜を２０００オングストローム厚で形
成し、そして信号線９、ゲート線１０、能動素子１１お
よび、画素電極５上の中央に５μｍ幅でＳｉＮｘ膜を残
して絶縁層６を形成し、図１に示すＳｉＮｘを取り除い
た部分を窓として画素電極５上に形成した。すなわち、
画素電極５は３３０μｍ×１１０μｍの大きさを有して
おり、この画素電極５と対向電極２の重なり合う領域で
形成した画素領域を左右に２分する中央ラインＢ上に絶
縁層６を形成する。なお、ここで画素電極中央に残した
ＳｉＮｘ絶縁層の幅は必ずしも５μｍである必要は無
い。また形成する位置も画素領域中央にする必要は無
く、配向分割の領域比率を幾らにするかによって変えれ
ばよい。次に全画素電極上ほぼ中央に残されたＳｉＮｘ
絶縁層６上に、光を透過しないＡｌによる電極ラインす
なわち配向分割電極７をゲート線１０と平行なストライ
プ状に３０００オングストローム厚で形成し（図１
（ａ）、図２参照）、配向分割電極７の一端を短絡し、
くし型状として、その電極を信号線９やゲート線１０と
同様に他の電極から独立に電圧が印加可能に液晶セルの
パッド部（図示しない）に引き出し、図３の配向電極電
源２０から配向分割電極に電圧を印加した場合に全配向
分割電極が同電位になるような構造とした。
で、図１は一画素領域を示し、図２は図１の画素領域を
マトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板を示
し、図３は対向電極を含めた等価回路図、図４は画素領
域の液晶分子の配向方向を示す。 まず、ガラスのアク
ティブマトリクス基板４と、一主面全面にＩＴＯの透明
対向電極２を形成した対向基板１を用意した。アクティ
ブマトリクス基板４上にマトリクス状の信号線９、ゲー
ト線１０を配置し、これら線９，１０でマトリクス区画
される領域内で、その交差部分に能動素子（ＴＦＴ）１
１と、能動素子ごとにＩＴＯの透明画素電極５を設け
た。次にアクティブマトリクス基板全面にプラズマＣＶ
ＤによりＳｉＮｘ膜を２０００オングストローム厚で形
成し、そして信号線９、ゲート線１０、能動素子１１お
よび、画素電極５上の中央に５μｍ幅でＳｉＮｘ膜を残
して絶縁層６を形成し、図１に示すＳｉＮｘを取り除い
た部分を窓として画素電極５上に形成した。すなわち、
画素電極５は３３０μｍ×１１０μｍの大きさを有して
おり、この画素電極５と対向電極２の重なり合う領域で
形成した画素領域を左右に２分する中央ラインＢ上に絶
縁層６を形成する。なお、ここで画素電極中央に残した
ＳｉＮｘ絶縁層の幅は必ずしも５μｍである必要は無
い。また形成する位置も画素領域中央にする必要は無
く、配向分割の領域比率を幾らにするかによって変えれ
ばよい。次に全画素電極上ほぼ中央に残されたＳｉＮｘ
絶縁層６上に、光を透過しないＡｌによる電極ラインす
なわち配向分割電極７をゲート線１０と平行なストライ
プ状に３０００オングストローム厚で形成し（図１
（ａ）、図２参照）、配向分割電極７の一端を短絡し、
くし型状として、その電極を信号線９やゲート線１０と
同様に他の電極から独立に電圧が印加可能に液晶セルの
パッド部（図示しない）に引き出し、図３の配向電極電
源２０から配向分割電極に電圧を印加した場合に全配向
分割電極が同電位になるような構造とした。
【００１５】次に、このアクティブマトリクス基板４と
対向基板１の電極側に液晶配向膜３としてポリイミドを
８５０オングストロームでオフセット印刷法により形成
した。次に、図４に示すように、アクティブマトリクス
基板上の配向膜３面上には各画素電極５において画素電
極端５ａから能動素子１１に向う方向でかつ基板端辺に
対し４５°の角度で方向Ｍ1 のラビング法により液晶分
子配向処理を施した。一方、アクティブマトリクス基板
４と対向基板１とが対向した状態で、対向基板１の配向
膜３面上にはアクティブマトリクス基板に施した配向処
理方向Ｍ1 と９０°異なる角度で、配向処理を行った。
対向基板１の電極側に液晶配向膜３としてポリイミドを
８５０オングストロームでオフセット印刷法により形成
した。次に、図４に示すように、アクティブマトリクス
基板上の配向膜３面上には各画素電極５において画素電
極端５ａから能動素子１１に向う方向でかつ基板端辺に
対し４５°の角度で方向Ｍ1 のラビング法により液晶分
子配向処理を施した。一方、アクティブマトリクス基板
４と対向基板１とが対向した状態で、対向基板１の配向
膜３面上にはアクティブマトリクス基板に施した配向処
理方向Ｍ1 と９０°異なる角度で、配向処理を行った。
【００１６】次に、この配向処理された２枚の基板１，
４上にポジ型レジストを塗布した。そして露光、現像を
行って、レジスト膜により１６５μｍピッチのストライ
プパターンを配向膜上に形成した。ここでレジストパタ
ーンの１６５μｍ幅は予めアクティブマトリクス基板４
上に設けた配向分割電極７のほぼ中央から隣接するゲー
ト線１０の中央までの幅で等しくなっており、そのため
画素電極の半分の領域がレジスト膜により覆われてい
る。
４上にポジ型レジストを塗布した。そして露光、現像を
行って、レジスト膜により１６５μｍピッチのストライ
プパターンを配向膜上に形成した。ここでレジストパタ
ーンの１６５μｍ幅は予めアクティブマトリクス基板４
上に設けた配向分割電極７のほぼ中央から隣接するゲー
ト線１０の中央までの幅で等しくなっており、そのため
画素電極の半分の領域がレジスト膜により覆われてい
る。
【００１７】ここで、レジスト膜によりマスクした領域
は、アクティブマトリクス基板では配向分割電極中央付
近からその画素に付随したＴＦＴ１１のゲート電極１１
ｇ（図４）に接触した走査線（ゲート線）１０中央まで
の領域、対向基板ではアクティブマトリクス基板に対応
した領域とした。そして、この上を一度目のラビング方
向と１８０°異なる方向Ｍ2 に２度目の液晶分子配向処
理を施し、両基板上のレジストを剥離した。従って得ら
れた２枚の基板は一画素内のラビング配向処理の方向が
配向分割電極を境にして１８０°異なっている。
は、アクティブマトリクス基板では配向分割電極中央付
近からその画素に付随したＴＦＴ１１のゲート電極１１
ｇ（図４）に接触した走査線（ゲート線）１０中央まで
の領域、対向基板ではアクティブマトリクス基板に対応
した領域とした。そして、この上を一度目のラビング方
向と１８０°異なる方向Ｍ2 に２度目の液晶分子配向処
理を施し、両基板上のレジストを剥離した。従って得ら
れた２枚の基板は一画素内のラビング配向処理の方向が
配向分割電極を境にして１８０°異なっている。
【００１８】このようにして得られた２枚の基板を液晶
配向膜３上で液晶分子が９０°ねじれのユニホーム配列
になるように配向膜を内側にしてスペーサ（図示しな
い）を介して配置しシール材により封着して液晶セルと
した。この液晶セルに正の誘電異方性を示すネマティッ
ク液晶を注入して液晶層８とし液晶表示素子を作製し
た。 なお、図３で示したように、マトリクス基板と各
画素電極との間に補助容量を形成する補助容量線１５が
設けられるが、図１、２では省略した。
配向膜３上で液晶分子が９０°ねじれのユニホーム配列
になるように配向膜を内側にしてスペーサ（図示しな
い）を介して配置しシール材により封着して液晶セルと
した。この液晶セルに正の誘電異方性を示すネマティッ
ク液晶を注入して液晶層８とし液晶表示素子を作製し
た。 なお、図３で示したように、マトリクス基板と各
画素電極との間に補助容量を形成する補助容量線１５が
設けられるが、図１、２では省略した。
【００１９】図３に示すように、この液晶表示素子を駆
動する場合にアクティブマトリクス基板上に配置した配
向分割電極７には配向分割電源２０を接続し、対向電極
２に接続されたコモン電源２１の電位（例えば接地電
位）を基準として例えば±５Ｖの液晶飽和電圧程度また
はそれ以上の矩形波信号を印加し、配向分割電極７と対
向電極２間の液晶分子ＬＭが常に基板に対して垂直に再
配列した状態とする。
動する場合にアクティブマトリクス基板上に配置した配
向分割電極７には配向分割電源２０を接続し、対向電極
２に接続されたコモン電源２１の電位（例えば接地電
位）を基準として例えば±５Ｖの液晶飽和電圧程度また
はそれ以上の矩形波信号を印加し、配向分割電極７と対
向電極２間の液晶分子ＬＭが常に基板に対して垂直に再
配列した状態とする。
【００２０】この液晶表示素子を信号駆動源２２、ゲー
ト駆動源２３により駆動して配向分割境界を観察したと
ころ配向分割電極７上の配向分割境界は暗状態となって
おり、通常配向境界に発生するディスクリネーションラ
インは発生していなかった。
ト駆動源２３により駆動して配向分割境界を観察したと
ころ配向分割電極７上の配向分割境界は暗状態となって
おり、通常配向境界に発生するディスクリネーションラ
インは発生していなかった。
【００２１】なお、本発明は上記実施例のＴＮ型ばかり
でなく、ＳＴＮ型素子その他の液晶表示素子にも適用で
きるものであり、また、能動素子に２端子ＭＩＭ素子等
を用いることができ、本発明で述べたゲート線は２端子
ＭＩＭの場合は走査線を意味するものである。
でなく、ＳＴＮ型素子その他の液晶表示素子にも適用で
きるものであり、また、能動素子に２端子ＭＩＭ素子等
を用いることができ、本発明で述べたゲート線は２端子
ＭＩＭの場合は走査線を意味するものである。
【００２２】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子は画素内の配向が
分割された液晶表示素子において、配向分割境界下の基
板上に液晶駆動用の配向分割電極を配置し、その配向分
割電極と対向電極間に概ね液晶飽和電圧程度の矩形波を
印加して配向境界付近の液晶を常に再配列させて暗状態
にすることで、通常配向分割領域の境界付近に現れるデ
ィスクリネーションラインの発生を無くすことができ
る。従って従来の配向分割法を用いた液晶表示素子のよ
うに、ＢＭや不透明補助容量線でディスクリネーション
ラインを隠す必要が無く開口率を大幅に向上できる。
分割された液晶表示素子において、配向分割境界下の基
板上に液晶駆動用の配向分割電極を配置し、その配向分
割電極と対向電極間に概ね液晶飽和電圧程度の矩形波を
印加して配向境界付近の液晶を常に再配列させて暗状態
にすることで、通常配向分割領域の境界付近に現れるデ
ィスクリネーションラインの発生を無くすことができ
る。従って従来の配向分割法を用いた液晶表示素子のよ
うに、ＢＭや不透明補助容量線でディスクリネーション
ラインを隠す必要が無く開口率を大幅に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の一画素領域を説明するもの
で、（ａ）は断面略図、（ｂ）は平面図。
で、（ａ）は断面略図、（ｂ）は平面図。
【図２】図１の画素領域をマトリクス状に複数配置した
アクティブマトリクス基板を示す平面図。
アクティブマトリクス基板を示す平面図。
【図３】本実施例の液晶表示素子を駆動する装置の等価
回路図。
回路図。
【図４】図１に示す画素領域の配向処理方向を示す平面
図。
図。
１… 対向基板 ２… 対向電極 ３… 配向膜 ４… アクティブマトリクス基板 ５… 画素電極 ６… 絶縁層 ７… 配向分割電極 ８… 液晶層 ９… 信号線 １０…ゲート線 １１…能動素子 １５…補助容量線 ２０…配向分割電源 ２１…コモン電源 ２２…信号駆動源 ２３…ゲート駆動源
Claims (2)
- 【請求項１】 アクティブマトリクス基板と、前記アク
ティブマトリクス基板の一主面上に、マトリクス状に設
けられた信号線およびゲート線と、前記信号線と、ゲー
ト線の交差部に対応して設けられた能動素子と、前記能
動素子ごとに前記信号線とゲート線で区画された領域に
設けられ画素領域を形成する画素電極と、前記信号線、
ゲート線、能動素子および画素電極上に設けられ液晶分
子配向処理を施した配向膜と、前記アクティブマトリク
ス基板と対向し、一主面上に対向電極が設けられ、この
対向電極上に液晶分子配向処理を施した配向膜が形成さ
れた対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記
対向基板との間に狭持された液晶層とからなり、前記ア
クティブマトリクス基板上の電極と前記対向基板の対向
電極が重なり合う領域を画素領域とし、この画素領域の
各一画素領域内において液晶層の液晶分子の配向が異な
る領域が複数ある液晶表示素子において、前記画素電極
上に絶縁層を介して、前記対向電極に対して異なる電圧
が印加可能な配向分割電極が設けてあり、前記配向分割
電極上に前記液晶分子の配向が異なる領域の配向境界が
配置されていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 アクティブマトリクス基板と、この基板
の一主面上に、マトリクス状に設けられた信号線および
ゲート線と、前記信号線とゲート線の交差部に対応して
設けられた能動素子と、前記能動素子ごとに前記信号線
とゲート線で区画された領域に設けられ画素領域を形成
する画素電極と、前記信号線、ゲート線、能動素子およ
び画素電極上に設けられ液晶分子配向処理を施した配向
膜と、前記アクティブマトリクス基板と対向し、一主面
上に対向電極が設けられ、この電極上に液晶分子配向処
理を施した配向膜が形成された対向基板と、前記アクテ
ィブマトリクス基板と前記対向基板との間に狭持された
液晶層とを具備し、前記画素領域はアクティブマトリク
ス基板上の電極と前記対向基板の対向電極が重なり合う
領域であり、画素領域の各一画素領域内において液晶分
子の配向が異なる領域が複数ある液晶表示素子と、この
液晶表示素子に電圧を印加する電圧印加手段とを有する
液晶表示装置において、前記液晶表示素子はアクティブ
マトリクス基板の画素電極上に絶縁層を介して画素領域
を分割して前記対向電極に対して異なる電圧が印加可能
な配向分割電極を形成し、前記配向分割電極上に前記液
晶層の液晶分子の配向が異なる領域の配向境界が配置さ
れており、前記電圧印加手段により前記配向分割電極に
対向基板電極の電位を基準として実質的に液晶飽和電圧
以上の電圧が液晶表示素子を駆動中に印加されることを
特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11325294A JPH07318944A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 液晶表示素子及びこの素子を用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11325294A JPH07318944A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 液晶表示素子及びこの素子を用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318944A true JPH07318944A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14607445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11325294A Pending JPH07318944A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 液晶表示素子及びこの素子を用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07318944A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462012B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2005-04-13 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터형액정표시소자 |
| KR100659794B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2006-12-19 | 가부시끼가이샤 어드번스트 디스플레이 | 액정 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100580387B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP11325294A patent/JPH07318944A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462012B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2005-04-13 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터형액정표시소자 |
| KR100580387B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100659794B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2006-12-19 | 가부시끼가이샤 어드번스트 디스플레이 | 액정 표시장치 및 그의 제조방법 |
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