CN102446912A - 金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 - Google Patents
金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102446912A CN102446912A CN2010105054743A CN201010505474A CN102446912A CN 102446912 A CN102446912 A CN 102446912A CN 2010105054743 A CN2010105054743 A CN 2010105054743A CN 201010505474 A CN201010505474 A CN 201010505474A CN 102446912 A CN102446912 A CN 102446912A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- esd
- metal oxide
- oxide semiconductor
- injection region
- semiconductor transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010505474 CN102446912B (zh) | 2010-10-13 | 2010-10-13 | 金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010505474 CN102446912B (zh) | 2010-10-13 | 2010-10-13 | 金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102446912A true CN102446912A (zh) | 2012-05-09 |
CN102446912B CN102446912B (zh) | 2013-09-11 |
Family
ID=46009267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010505474 Active CN102446912B (zh) | 2010-10-13 | 2010-10-13 | 金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102446912B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103035637A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-04-10 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Rfldmos工艺中的esd器件及制造方法 |
CN103050510A (zh) * | 2012-06-04 | 2013-04-17 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Rfldmos工艺中的esd器件及其制造方法 |
CN103730498A (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN104269400A (zh) * | 2014-08-30 | 2015-01-07 | 电子科技大学 | 一种新型栅极接地nmos结构esd保护器件及其制作方法 |
CN106206548A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-12-07 | 新唐科技股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
CN106252282A (zh) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 |
CN107887379A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 静电放电保护结构及其形成方法 |
WO2018121131A1 (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 结型场效应晶体管及其制作方法 |
CN108321117A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-07-24 | 西安科技大学 | 基于mos管的tsv转接板及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020076876A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Ming-Dou Ker | Method for manufacturing semiconductor devices having ESD protection |
US6514839B1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | ESD implantation method in deep-submicron CMOS technology for high-voltage-tolerant applications with light-doping concentrations |
US20050051848A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-10 | Ming-Dou Ker | Method of manufacturing an ESD protection device with the same mask for both LDD and ESD implantation |
CN101740616A (zh) * | 2008-11-27 | 2010-06-16 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种ggnmos器件及其制造方法 |
-
2010
- 2010-10-13 CN CN 201010505474 patent/CN102446912B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020076876A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Ming-Dou Ker | Method for manufacturing semiconductor devices having ESD protection |
US6514839B1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | ESD implantation method in deep-submicron CMOS technology for high-voltage-tolerant applications with light-doping concentrations |
US20050051848A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-10 | Ming-Dou Ker | Method of manufacturing an ESD protection device with the same mask for both LDD and ESD implantation |
CN101740616A (zh) * | 2008-11-27 | 2010-06-16 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种ggnmos器件及其制造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103035637B (zh) * | 2012-05-16 | 2015-10-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Rfldmos工艺中的esd器件及制造方法 |
CN103035637A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-04-10 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Rfldmos工艺中的esd器件及制造方法 |
CN103050510B (zh) * | 2012-06-04 | 2015-04-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Rfldmos工艺中的esd器件及其制造方法 |
CN103050510A (zh) * | 2012-06-04 | 2013-04-17 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Rfldmos工艺中的esd器件及其制造方法 |
WO2014059563A1 (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN103730498A (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN103730498B (zh) * | 2012-10-16 | 2017-12-12 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN104269400A (zh) * | 2014-08-30 | 2015-01-07 | 电子科技大学 | 一种新型栅极接地nmos结构esd保护器件及其制作方法 |
CN106206548A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-12-07 | 新唐科技股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
CN106252282A (zh) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 |
CN106252282B (zh) * | 2015-06-12 | 2019-04-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 |
CN107887379A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 静电放电保护结构及其形成方法 |
CN107887379B (zh) * | 2016-09-30 | 2020-07-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 静电放电保护结构及其形成方法 |
WO2018121131A1 (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 结型场效应晶体管及其制作方法 |
CN108321117A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-07-24 | 西安科技大学 | 基于mos管的tsv转接板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102446912B (zh) | 2013-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102446912B (zh) | 金属氧化物半导体晶体管esd保护结构及其制备方法 | |
CN101924131B (zh) | 横向扩散mos器件及其制备方法 | |
CN102130164A (zh) | Ldmos的埋层 | |
CN101752347B (zh) | 一种防静电保护结构及其制作方法 | |
CN102832213B (zh) | 一种具有esd保护功能的ligbt器件 | |
CN204632762U (zh) | 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构 | |
CN101452851A (zh) | Esd栅接地nmos晶体管制造方法 | |
CN102104026B (zh) | 集成有肖特基二极管的功率mos晶体管器件的制造方法 | |
CN102790087B (zh) | 一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件 | |
CN103606544A (zh) | 一种抗静电释放的ldmos器件 | |
CN103915433A (zh) | 一种嵌有环形栅mosfet的抗辐射scr静电防护器件 | |
CN106711209A (zh) | 一种用于esd保护的新型vscr器件 | |
CN104332499A (zh) | 一种vdmos器件及其终端结构的形成方法 | |
CN110277384B (zh) | 防静电金属氧化物半导体场效应管结构 | |
CN103050510B (zh) | Rfldmos工艺中的esd器件及其制造方法 | |
CN102054835B (zh) | 一种用于静电放电的晶闸管 | |
CN103325834B (zh) | 晶体管及其沟道长度的形成方法 | |
CN103035637B (zh) | Rfldmos工艺中的esd器件及制造方法 | |
CN101179026A (zh) | 一种降低hvldnmos截止电流的方法 | |
CN204966494U (zh) | 一种用于增强esd管放电能力的电路结构 | |
CN203883004U (zh) | 嵌有环形栅mosfet的抗辐射scr静电防护器件 | |
CN102623352A (zh) | P-ldmos的制造方法 | |
CN105514167A (zh) | 半导体结构及nldmos器件 | |
CN101673684A (zh) | 高压工艺中静电放电保护二极管的制作方法 | |
CN102386102A (zh) | 改善mos晶体管击穿电压的方法以及mos晶体管制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI Effective date: 20131226 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI |
|
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20131226 Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399 Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd. |