CN102441838A - 加工装置 - Google Patents

加工装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102441838A
CN102441838A CN2011103064764A CN201110306476A CN102441838A CN 102441838 A CN102441838 A CN 102441838A CN 2011103064764 A CN2011103064764 A CN 2011103064764A CN 201110306476 A CN201110306476 A CN 201110306476A CN 102441838 A CN102441838 A CN 102441838A
Authority
CN
China
Prior art keywords
processing
chuck table
wafer
chuck
rotary table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103064764A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102441838B (zh
Inventor
山中聪
力石利康
高田畅行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN102441838A publication Critical patent/CN102441838A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102441838B publication Critical patent/CN102441838B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

本发明提供加工装置,其具备:可旋转地配设的旋转工作台;在旋转工作台上配设于正多边形的顶点位置并具备保持面的五个卡盘工作台;贯穿旋转工作台的开口地竖立设置的支承座;四个加工构件支承机构,其包括在旋转工作台周围分别竖立设置于正方形的角部的第一支承柱、竖立设置于支承座上的第二支承柱、以及安装在第一支承柱和第二支承柱的支承部件;与至少五个卡盘工作台中的四个卡盘工作台对应地配设于四个加工构件支承机构的四个加工构件;使四个加工构件分别在与卡盘工作台的保持面垂直的方向移动的四个加工进给构件;以及在将四个卡盘工作台定位于四个加工进给构件的加工区域的状态下,相对于余下的卡盘工作台搬入搬出被加工物的搬入搬出区域。

Description

加工装置
技术领域
本发明涉及对半导体晶片、光器件晶片等被加工物实施多种加工的加工装置。
背景技术
在半导体器件制造工序中,利用呈格子状地排列的、被称作间隔道的切断预定线在大致圆板形状的半导体晶片的表面划分出大量的矩形区域,在所述各个矩形区域形成半导体电路。通过使如此地形成有大量的半导体电路的半导体晶片沿间隔道分离,从而形成一个个的半导体芯片。此外,光器件晶片利用呈格子状地形成的间隔道在蓝宝石基板等的表面划分出多个区域,并在所述划分出的区域中形成有层叠氮化镓类化合物半导体等而成的光器件,这样的光器件晶片被沿分割预定线分割为一个个的发光二极管、激光二极管等光器件,并被广泛应用于电气设备中。
为了实现如上所述地分割为一个个的芯片的小型化和轻量化,通常在将晶片沿间隔道切断而分割为一个个芯片之前,对晶片的背面进行磨削以形成为预定的厚度。晶片的背面的磨削一般由磨削装置实施,该磨削装置具备用于磨削保持于卡盘工作台的被加工物的粗磨削构件和精磨削构件。然而,由于由粗磨削构件进行的粗磨削加工和由精磨削构件进行的精磨削加工的加工时间不同,因此难以使两项磨削作业同步。为了解决这样的问题,提出了除了粗磨削构件和精磨削构件之外还具备半精磨削构件的磨削装置。(例如,参考专利文献1。)
此外,在磨削晶片的背面时,在晶片的背面产生微裂纹等加工畸变,由此使得被分割为一个个的芯片的抗弯强度显著降低。为了除去该在磨削过的晶片的背面产生的加工畸变,提出有除了上述粗磨削构件、半精磨削构件以及精磨削构件之外还具备研磨构件的加工装置。(例如,参考专利文献2。)
专利文献1:日本实开平2-15257号公报
专利文献2:日本实开平4-2776号公报
然而,上述的专利文献2公开的加工装置沿着旋转工作台的外周配设有由粗磨削构件、半精磨削构件、精磨削构件和研磨构件构成的四个加工构件,其中所述旋转工作台配设有用于保持被加工物的多个卡盘工作台,因此加工装置整体变得大型,需要较广的设置面积,存在着压迫设备成本的问题。
发明内容
本发明正是鉴于上述事实而作出的,其主要的技术课题在于提供一种加工装置,该加工装置能够将具备四个加工构件的加工装置构成得小型。
为了解决上述技术课题,根据本发明,加工装置具备:旋转工作台,所述旋转工作台以能够旋转的方式配设,并具有开口;至少五个卡盘工作台,所述至少五个卡盘工作台在所述旋转工作台上配设于正多边形的顶点的位置,并具备保持被加工物的保持面;支承座,所述支承座以贯穿插入所述旋转工作台的所述开口的方式竖立设置;四个加工构件支承机构,所述四个加工构件支承机构包括在所述旋转工作台的周围分别竖立设置于正方形的角部的四个第一支承柱、竖立设置于所述支承座上的第二支承柱、以及安装在所述各个第一支承柱和所述第二支承柱的四个支承部件;四个加工构件,所述四个加工构件与至少五个卡盘工作台中的四个卡盘工作台对应地配设于所述四个加工构件支承机构;四个加工进给构件,所述四个加工进给构件使所述四个加工构件分别在相对于卡盘工作台的保持面垂直的方向移动;以及搬入搬出区域,在使所述旋转工作台转动而将所述四个卡盘工作台定位于利用所述四个加工构件进行加工的加工区域的状态下,在所述搬入搬出区域将被加工物相对于余下的卡盘工作台搬入、搬出。
优选的是,上述四个加工进给构件以连结搬入搬出区域和旋转工作台的旋转中心而成的线为对称轴配设成线对称。
此外,上述四个加工进给构件中的三个是用于磨削被加工物的磨削构件,上述四个加工进给构件中的一个是用于研磨被加工物的研磨构件。
在本发明涉及的加工装置中,配设在配设有至少五个卡盘工作台的旋转工作台的周围的四个加工构件支承机构分别包括在旋转工作台的周围分别竖立设置于正方形的角部的第一支承柱、竖立设置于以贯穿插入旋转工作台的开口的方式竖立设置的支承座上的第二支承柱、以及安装于第一支承柱和第二支承柱的支承部件,因此能够形成为最小的设置面积。因此,装置整体变得小型,无需较广的设置面积,因而能够抑制设备成本。
附图说明
图1是按照本发明构成的加工装置的立体图。
图2是示出图1所示的加工装置的除去加工构件支承机构和加工构件后的状态的主要部分立体图。
图3是示出构成图1所示的加工装置的加工构件支承机构和加工构件的立体图。
图4是示出构成图1所示的加工装置的配设于旋转工作台的五个卡盘工作台与四个加工构件的关系的说明图。
标号说明
2:装置壳体;
3:旋转工作台;
4a、4b、4c、4d、4e:卡盘工作台;
5:支承座;
6a、6b、6c、6d:加工构件支承机构;
61:第一支承柱;
62:第二支承柱;
63:支承部件;
7a:粗磨削构件;
7b:半精磨削构件;
7c:精磨削构件;
7d:研磨构件;
72:主轴壳体;
73:旋转主轴;
76:加工工具;
8a、8b、8c、8d:加工进给构件;
10:晶片;
11:第一盒;
12:第二盒;
13:中心对准构件;
14:旋转清洗构件;
15:被加工物搬送构件;
16:被加工物搬入构件;
17:被加工物搬出构件。
具体实施方式
下面,参照附图详细地说明按照本发明构成的加工装置的优选的实施方式。
图1示出了按照本发明构成的加工装置的立体图。
图1所示的加工装置具备整体以标号2表示的装置壳体。该装置壳体2形成为细长地延伸的长方体形状。在如此形成的装置壳体2的作业区域21以能够旋转的方式配设有旋转工作台3。该旋转工作台3如图2所示地形成为在中心部设有开口31的圆环状,并借助未图示的工作台转动构件向箭头A所示的方向适当旋转。在如此形成的旋转工作台3,如图2所示地配设有在上表面具备保持被加工物的保持面的五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e。所述五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e在开口31的周围配设于正五边形的顶点的位置。贯穿插入如此构成的旋转工作台3的开口31地竖立设置有支承座5。
如图1、图2和图4所示,图示的实施方式中的加工装置具备用于支承后述的四个加工构件的四个加工构件支承机构6a、6b、6c、6d,所述四个加工构件对保持在五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的被加工物实施加工,所述五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e配设于旋转工作台3。四个加工构件支承机构6a、6b、6c、6d分别包括:第一支承柱61,其在上述旋转工作台3的周围分别竖立设置在正方形的角部;第二支承柱62,其竖立设置于上述支承座5上;以及支承部件63,其安装在所述第一支承柱61和第二支承柱62的上部。在第一支承柱61和第二支承柱62的下端分别设有安装部611和621,贯穿插入设于所述安装部611和621的贯穿孔611a和621a地配设有紧固螺栓60,通过将所述紧固螺栓60与分别设在装置壳体2的作业区域211和支承座5上的内螺纹孔211a和51a螺合,从而将第一支承柱61和第二支承柱62竖立设置于装置壳体2的作业区域211和支承座5。这样,由于四个加工构件支承机构6a、6b、6c、6d将配设于旋转工作台3的周围的第一支承柱61分别竖立设置在正方形的角部,因此能够形成为最小的设置面积。
构成加工构件支承机构6a、6b、6c、6d的支承部件63分别具备呈直角地形成的两个装配部631、632。在所述两个装配部631、632分别设有沿上下方向(相对于卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的上表面即保持面垂直的方向)延伸的引导槽631a、632a。在构成如此构成的加工构件支承机构6a、6b、6c、6d的支承部件63,分别以能够沿引导槽631a、632a移动的方式配设加工构件7a、7b、7c、7d。另外,图示的实施方式中的加工构件7a为粗磨削构件,加工构件7b为半精磨削构件,加工构件7c为精磨削构件,加工构件7d为研磨构件。粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d分别具备:移动基座71、装配于所述移动基座71的主轴壳体72、旋转自如地配设于所述主轴壳体72的旋转主轴73、以及用于驱动所述旋转主轴73旋转的伺服电动机74。旋转主轴73的下端部越过主轴壳体72的下端并向下方突出,在其下端设有安装座75。在该安装座75的下表面装配加工工具76。另外,粗磨削构件7a的加工工具76由具备粗磨削磨具的粗磨削轮构成,半精磨削构件7b的加工工具76由具备半精磨削磨具的半精磨削轮构成,精磨削构件7c的加工工具76由具备精磨削磨具的精磨削轮构成,研磨构件7d的加工工具76由具备研磨垫的研磨轮构成。
在如此构成的粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d的移动基座71分别形成有被引导轨道711、711,所述被引导轨道711、711与分别设于构成上述加工构件支承机构6a、6b、6c、6d的支承部件63的装配部631、632上的引导槽631a、632a嵌合,通过将所述被引导轨道711、711与引导槽631a、632a嵌合,从而将粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d分别构成为能够沿引导槽631a、632a移动。另外,如此装配于支承部件63的装配部631、632的粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d在图示的实施方式中分别将旋转主轴73的旋转轴的轴心定位于连结第一支承柱61和第二支承柱62的线上。
图示的实施方式中的加工装置具备四个加工进给构件8a、8b、8c、8d,所述四个加工进给构件8a、8b、8c、8d使上述粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d分别在相对于卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的上表面即保持面垂直的方向移动。四个加工进给构件8a、8b、8c、8d由未图示的公知的滚珠丝杠式的移动机构构成。所述四个加工进给构件8a、8b、8c、8d分别通过使脉冲电动机81正转和反转驱动来使移动基座71即粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d沿引导槽631a、632a向下方(接近卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的上表面即保持面的方向)和上方(远离卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的上表面即保持面的方向)移动。
在此,参考图4说明粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d的加工工具76与五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的关系。在配设于旋转工作台3的五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e定位于图2所示的位置的状态下,卡盘工作台4b定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a,卡盘工作台4c定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b,卡盘工作台4d定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c,卡盘工作台4e定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d。并且,余下的卡盘工作台4a定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e。在如此定位的五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e中,卡盘工作台4b的中心定位于粗磨削构件7a的加工工具76通过的位置,卡盘工作台4c的中心定位于半精磨削构件7b的加工工具76通过的位置,卡盘工作台4d的中心定位于精磨削构件7c的加工工具76通过的位置,卡盘工作台4e的中心定位于研磨构件7d的加工工具76通过的位置。
在如上所述地构成的加工装置中,配设在配设有五个卡盘工作台4a、4b、4c、4d、4e的旋转工作台3周围的四个加工构件支承机构6a、6b、6c、6d分别包括:第一支承柱61,其在旋转工作台3的周围分别竖立设置在正方形的角部;第二支承柱62,其竖立设置在上述支承座5上;以及支承部件63,其安装于所述第一支承柱61和第二支承柱62的上部,因此能够形成为最小的设置面积。因此,装置整体变得小型,无需较广的设置面积,因而能够抑制设备成本。
此外,在图示的实施方式中的加工装置中,由配设在旋转工作台3周围的四个加工构件支承机构6a、6b、6c、6d支承的四个加工构件即粗磨削构件7a、半精磨削构件7b、精磨削构件7c、研磨构件7d如图4所示地以连结被加工物的搬入搬出区域70e和旋转工作台3的旋转中心而成的线B为对称轴配设成线对称。因此,刚性的平衡良好,加工精度提高,并且能够实现左右的部件的通用化,能够减少部件数量。
回到图1继续说明,在装置壳体2的作业区域21的前端部(图1中的左下端部)配设有第一盒11、第二盒12、中心对准构件13、旋转清洗构件14、被加工物搬送构件15、被加工物搬入构件16以及被加工物搬出构件17。第一盒11收纳作为加工前的被加工物的蓝宝石晶片、碳化硅晶片、半导体晶片等品片10,该第一盒11被载置于装置壳体2的盒搬入区。另外,收纳在第一盒11中的晶片10以在表面粘贴有保护带T的状态背面朝上地被收纳。第二盒12载置在装置壳体2的盒搬出区,用于收纳加工后的晶片10。中心对准构件13配设于第一盒11与被加工物的搬入搬出区域70e之间,用于进行加工前的晶片10的中心对准。旋转清洗构件14配设在被加工物的搬入搬出区域70e与第二盒12之间,用于清洗加工后的晶片10。被加工物搬送构件15配设于第一盒11和第二盒12之间,用于将收纳在第一盒11内的作为被加工物的晶片10搬出到中心对准构件13,并且将由旋转清洗构件14清洗过的晶片10搬送至第二盒12。
上述被加工物搬入构件16配设在中心对准构件13与被加工物的搬入搬出区域70e之间,用于将载置于中心对准构件13上的加工前的晶片10搬送至定位于被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4(4a、4b、4c、4d、4e)上。被加工物搬出构件17配设于被加工物的搬入搬出区域70e与旋转清洗构件14之间,用于将定位于搬入搬出区域70e的卡盘工作台4(4a、4b、4c、4d、4e)上载置的加工后的晶片10搬送至清洗构件14。
另外,收纳有预定数量的加工前的晶片10的第一盒11被载置在装置壳体2的预定的盒搬入区。并且,当载置于盒搬入区的第一盒11所收纳的加工前的晶片10被全部搬出时,通过手动将收纳有预定数量的加工前的多个晶片10的新的盒11载置于盒搬入区以替代空的盒11。另一方面,当向载置于装置壳体2的预定的盒搬出区的第二盒12搬入了预定数量的加工后的晶片10时,通过手动将所述第二盒12搬出,并载置新的空的第二盒12。
图示的实施方式中的加工装置如上所述地构成,以下主要参考图1说明其作用。
收纳于上述第一盒11中的作为加工前的被加工物的晶片10通过被加工物搬送构件15的上下动作和进退动作而被搬送,并且,所述晶片10被载置于中心对准构件13并通过六根销的朝向中心的径向运动来对准中心。在中心对准构件13上使晶片10对准中心后,使被加工物搬入构件16工作,对在中心对准构件13上对准了中心的晶片10进行吸引保持,并搬送至定位于被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4a上。这样被搬送至卡盘工作台4a上的晶片10通过使未图示的吸引构件工作而被吸引保持在卡盘工作台4a上。接着,借助未图示的旋转驱动机构使旋转工作台3向箭头A所示的方向转动预定量,将吸引保持有晶片10的卡盘工作台4a定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a。另外,通过上述旋转工作台3的转动,卡盘工作台4b被定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b,卡盘工作台4c被定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c,卡盘工作台4d被定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d,卡盘工作台4e被定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e。
在由定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a的卡盘工作台4a保持的晶片10的背面(上表面),利用粗磨削构件7a实施粗磨削加工。另外,在此过程中,将加工前的晶片10载置于定位在搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4e。接着,通过使未图示的吸引构件工作,来将载置在卡盘工作台4e上的晶片10吸引保持在卡盘工作台4e上。
接着,借助未图示的旋转驱动机构使旋转工作台3向箭头A所示的方向转动预定量。其结果是,在搬入搬出区域70e吸引保持了加工前的晶片10的卡盘工作台4e被定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a,吸引保持有如上所述地实施了粗磨削加工的晶片10的卡盘工作台4a被定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b,卡盘工作台4b被定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c,卡盘工作台4c被定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d,卡盘工作台4d被定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e。
如上所述,在定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a且保持于卡盘工作台4e的晶片10的背面(上表面),借助粗磨削构件7a实施粗磨削加工。并且,在由定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b的卡盘工作台4a保持并实施了粗磨削加工的晶片10的背面(上表面),借助半精磨削构件7b实施半精磨削加工。另外,在此过程中,将加工前的晶片10载置于定位在搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4d。接着,通过使未图示的吸引构件工作,来将载置在卡盘工作台4d上的晶片10吸引保持在卡盘工作台4d上。
接着,借助未图示的旋转驱动机构使旋转工作台3向箭头A所示的方向转动预定量。其结果是,在搬入搬出区域70e吸引保持了加工前的晶片10的卡盘工作台4d被定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a,吸引保持有如上所述地实施了粗磨削加工的晶片10的卡盘工作台4e被定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b,吸引保持有如上所述地实施了半精磨削的晶片10的卡盘工作台4a被定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c,卡盘工作台4b被定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d,卡盘工作台4c被定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e。
如上所述,在定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a且保持于卡盘工作台4d的晶片10的背面(上表面),借助粗磨削构件7a实施粗磨削加工。并且,在定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b且保持于卡盘工作台4e并实施了粗磨削加工的晶片10的背面(上表面),借助半精磨削构件7b实施半精磨削加工。并且,在定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c且保持于卡盘工作台4a并实施了半精磨削加工的晶片10的背面(上表面),借助精磨削构件7c实施精磨削加工。另外,在此过程中,将加工前的晶片10载置于定位在搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4c。接着,通过使未图示的吸引构件工作,来将载置在卡盘工作台4c上的晶片10吸引保持在卡盘工作台4c上。
接着,借助未图示的旋转驱动机构使旋转工作台3向箭头A所示的方向转动预定量。其结果是,在搬入搬出区域70e吸引保持了加工前的晶片10的卡盘工作台4c被定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a,吸引保持有如上所述地实施了粗磨削加工的晶片10的卡盘工作台4d被定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b,吸引保持有如上所述地实施了半精磨削加工的晶片10的卡盘工作台4e被定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c,吸引保持有如上所述地实施了精磨削加工的晶片10的卡盘工作台4a被定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d,卡盘工作台4b被定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e。
如上所述,在定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a且保持于卡盘工作台4c的晶片10的背面(上表面),借助粗磨削构件7a实施粗磨削加工。并且,在由定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b的卡盘工作台4d保持并实施了粗磨削加工的晶片10的背面(上表面),借助半精磨削构件7b实施半精磨削加工。并且,在由定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c的卡盘工作台4e保持并实施了半精磨削加工的晶片10的背面(上表面),借助精磨削构件7c实施精磨削加工。并且,在由定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d的卡盘工作台4a保持并实施了精磨削加工的晶片10的背面(上表面),借助研磨构件7d实施研磨加工,除去由磨削加工产生的磨削畸变。另外,在此过程中,将加工前的晶片10载置于定位在搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4b。接着,通过使未图示的吸引构件工作,来将载置在卡盘工作台4b上的晶片10吸引保持在卡盘工作台4b上。
接着,借助未图示的旋转驱动机构使旋转工作台3向箭头A所示的方向转动预定量。其结果是,在搬入搬出区域70e吸引保持了加工前的晶片10的卡盘工作台4b被定位于粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a,吸引保持有如上所述地实施了粗磨削加工的晶片10的卡盘工作台4c被定位于半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b,吸引保持有如上所述地实施了半精磨削加工的晶片10的卡盘工作台4d被定位于精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c,吸引保持有如上所述地实施了精磨削加工的晶片10的卡盘工作台4e被定位于研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d,吸引保持有如上所述地实施了研磨加工的晶片10的卡盘工作台4a被定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e。
如上所述,经过粗磨削构件7a的加工工具76所在的加工区域70a、半精磨削构件7b的加工工具76所在的加工区域70b、精磨削构件7c的加工工具76所在的加工区域70c以及研磨构件7d的加工工具76所在的加工区域70d而回到被加工物搬入搬出区域70e的卡盘工作台4a在此解除对研磨加工后的半导体晶片的吸引保持。接着,使被加工物搬出构件17工作,将定位于搬入搬出被加工物的搬入搬出区域70e的卡盘工作台4a上载置的研磨加工后的晶片10搬送至旋转清洗构件14。被搬送至清洗构件14的晶片10在此被清洗后借助被加工物搬送构件15而收纳在第二盒12的预定位置。
以上,基于图示的实施方式对本发明进行了说明,然而本发明并不仅限于实施方式,可以在本发明的主旨的范围内进行各种变形。例如,在图示的实施方式中,作为四个加工构件,示出了采用三个磨削构件和一个研磨构件的例子,然而通过使四个加工构件全部由磨削构件构成,能够高效地将蓝宝石等硬质部件磨削至预定的厚度。
此外,在上述实施方式中,示出了将配设于旋转工作台的卡盘工作台配置于正五边形的顶点的位置的例子,然而根据需要也可以将卡盘工作台配置于正六边形、正七边形的顶点的位置。

Claims (3)

1.一种加工装置,其特征在于,
该加工装置具备:
旋转工作台,所述旋转工作台以能够旋转的方式配设,并具有开口;
至少五个卡盘工作台,所述至少五个卡盘工作台在所述旋转工作台上配设于正多边形的顶点的位置,并具备保持被加工物的保持面;
支承座,所述支承座以贯穿插入所述旋转工作台的所述开口的方式竖立设置;
四个加工构件支承机构,所述四个加工构件支承机构包括在所述旋转工作台的周围分别竖立设置于正方形的角部的四个第一支承柱、竖立设置于所述支承座上的第二支承柱、以及安装在所述各个第一支承柱和所述第二支承柱的四个支承部件;
四个加工构件,所述四个加工构件与至少五个卡盘工作台中的四个卡盘工作台对应地配设于所述四个加工构件支承机构;
四个加工进给构件,所述四个加工进给构件使所述四个加工构件分别在相对于卡盘工作台的保持面垂直的方向移动;以及
搬入搬出区域,在使所述旋转工作台转动而将所述四个卡盘工作台定位于利用所述四个加工构件进行加工的加工区域的状态下,在所述搬入搬出区域将被加工物相对于余下的卡盘工作台搬入、搬出。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工装置,其中,
所述四个加工进给构件以连结所述搬入搬出区域和所述旋转工作台的旋转中心而成的线为对称轴配设成线对称。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工装置,其中,
所述四个加工进给构件中的三个是用于磨削被加工物的磨削构件,所述四个加工进给构件中的一个是用于研磨被加工物的研磨构件。
CN201110306476.4A 2010-10-12 2011-10-11 加工装置 Active CN102441838B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-229901 2010-10-12
JP2010229901A JP5619559B2 (ja) 2010-10-12 2010-10-12 加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102441838A true CN102441838A (zh) 2012-05-09
CN102441838B CN102441838B (zh) 2016-06-08

Family

ID=45925502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110306476.4A Active CN102441838B (zh) 2010-10-12 2011-10-11 加工装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8657648B2 (zh)
JP (1) JP5619559B2 (zh)
KR (1) KR101692563B1 (zh)
CN (1) CN102441838B (zh)
TW (1) TWI534878B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104339087A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 株式会社迪思科 加工装置
CN104369097A (zh) * 2014-12-10 2015-02-25 苏州市诚品精密机械有限公司 一种外圆磨装置
CN104551975A (zh) * 2014-12-02 2015-04-29 浙江安统汽车部件有限公司 立式研磨机及研磨方法
CN107030902A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 株式会社迪思科 切削装置
CN108000267A (zh) * 2017-12-26 2018-05-08 北京中电科电子装备有限公司 减薄机
CN109590884A (zh) * 2019-01-11 2019-04-09 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 多载盘晶圆传送设备及传送系统
CN113059453A (zh) * 2019-12-31 2021-07-02 浙江芯晖装备技术有限公司 一种抛光设备

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6147974B2 (ja) * 2012-09-12 2017-06-14 株式会社ディスコ 研削装置
JP6214901B2 (ja) * 2013-04-04 2017-10-18 株式会社ディスコ 切削装置
JP2014217924A (ja) * 2013-05-09 2014-11-20 株式会社ディスコ 研削方法
JP2016081991A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 株式会社ディスコ 表面加工装置
JP6425505B2 (ja) * 2014-11-17 2018-11-21 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP6403601B2 (ja) * 2015-02-16 2018-10-10 株式会社ディスコ 加工装置
CN105161397B (zh) * 2015-05-13 2019-02-05 北京通美晶体技术有限公司 一种异形半导体晶片、制备方法及晶片支承垫
JP6540430B2 (ja) * 2015-09-28 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN105598827B (zh) * 2016-01-05 2018-05-22 天津华海清科机电科技有限公司 化学机械抛光机
CN105965358A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 盐城工学院 多工位抛光机
JP6283081B1 (ja) * 2016-09-28 2018-02-21 株式会社東京精密 加工装置のセッティング方法
JP6858539B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-14 株式会社ディスコ 研削装置
JP2018114573A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ 研削装置
JP6976745B2 (ja) * 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP6906859B2 (ja) * 2017-09-13 2021-07-21 株式会社ディスコ 加工装置
US11120985B2 (en) * 2017-11-22 2021-09-14 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing system, substrate processing method and computer-readable recording medium
JP7184620B2 (ja) * 2018-12-11 2022-12-06 株式会社ディスコ 切削装置
JP2022123325A (ja) * 2021-02-12 2022-08-24 株式会社ディスコ 研削装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005021993A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Honda Motor Co Ltd 金属リングの反転装置
JP2005153090A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工装置
JP2006344878A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置および加工方法
CN101121237A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 株式会社迪思科 晶片磨削装置
CN101468443A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 株式会社迪思科 磨削装置
JP2010172999A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4852079A (zh) * 1971-11-01 1973-07-21
JPS57156157A (en) * 1981-03-16 1982-09-27 Hitachi Seiko Ltd Grinding method and device
JPH042776Y2 (zh) * 1986-03-04 1992-01-30
JPH0215257A (ja) 1988-07-04 1990-01-18 Fuji Photo Film Co Ltd カラー画像形成方法
JPH0215257U (zh) * 1988-07-05 1990-01-30
JPH042776A (ja) 1990-04-20 1992-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不純物原子注入装置
JPH042776U (zh) * 1990-04-23 1992-01-10
US5174067A (en) * 1990-10-19 1992-12-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic wafer lapping apparatus
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
JP3076291B2 (ja) * 1997-12-02 2000-08-14 日本電気株式会社 研磨装置
JP2928218B1 (ja) * 1998-03-03 1999-08-03 株式会社スーパーシリコン研究所 平面加工装置
US20010029158A1 (en) * 1998-07-30 2001-10-11 Yoshitaka Sasaki Polishing apparatus and polishing method, and method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing thin film magnetic head
US6193588B1 (en) * 1998-09-02 2001-02-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing and cleaning microelectronic substrates
US6626744B1 (en) * 1999-12-17 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Planarization system with multiple polishing pads
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
US6991524B1 (en) * 2000-07-07 2006-01-31 Disc Go Technologies Inc. Method and apparatus for reconditioning digital discs
JP4455750B2 (ja) * 2000-12-27 2010-04-21 株式会社ディスコ 研削装置
KR100472959B1 (ko) * 2002-07-16 2005-03-10 삼성전자주식회사 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비
JP2004233651A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Samsung Oled Co Ltd 電界発光ディスプレイパネルの駆動方法
EP1598146B1 (en) * 2003-02-10 2013-09-18 Honda Motor Co., Ltd. Method and device for polishing endless belt metal rings for continuously variable transmission
US6966823B2 (en) * 2003-11-12 2005-11-22 Azuradisc, Inc. Buffing head and method for reconditioning an optical disc
JP4041107B2 (ja) * 2004-09-22 2008-01-30 株式会社東芝 研磨方法
WO2009131945A2 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Applied Materials, Inc. High throughput chemical mechanical polishing system
JP2009285738A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP5196169B2 (ja) * 2008-12-16 2013-05-15 株式会社Ihi ワークの加工装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005021993A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Honda Motor Co Ltd 金属リングの反転装置
JP2005153090A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工装置
JP2006344878A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置および加工方法
CN101121237A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 株式会社迪思科 晶片磨削装置
CN101468443A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 株式会社迪思科 磨削装置
JP2010172999A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104339087A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 株式会社迪思科 加工装置
CN104551975A (zh) * 2014-12-02 2015-04-29 浙江安统汽车部件有限公司 立式研磨机及研磨方法
CN104551975B (zh) * 2014-12-02 2017-04-26 浙江安统汽车部件有限公司 立式研磨机及研磨方法
CN104369097A (zh) * 2014-12-10 2015-02-25 苏州市诚品精密机械有限公司 一种外圆磨装置
CN104369097B (zh) * 2014-12-10 2017-03-15 东莞市天合机电开发有限公司 一种外圆磨装置
CN107030902A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 株式会社迪思科 切削装置
CN108000267A (zh) * 2017-12-26 2018-05-08 北京中电科电子装备有限公司 减薄机
CN109590884A (zh) * 2019-01-11 2019-04-09 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 多载盘晶圆传送设备及传送系统
CN113059453A (zh) * 2019-12-31 2021-07-02 浙江芯晖装备技术有限公司 一种抛光设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012081556A (ja) 2012-04-26
KR20120037884A (ko) 2012-04-20
TWI534878B (zh) 2016-05-21
US20120088441A1 (en) 2012-04-12
KR101692563B1 (ko) 2017-01-03
TW201216344A (en) 2012-04-16
CN102441838B (zh) 2016-06-08
JP5619559B2 (ja) 2014-11-05
US8657648B2 (en) 2014-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102441838A (zh) 加工装置
CN101161411B (zh) 晶片的磨削加工方法
CN102085639A (zh) 晶片的加工装置
CN101043015A (zh) 晶片保持垫
JP2006326785A (ja) ガラス基板の端面加工装置及び端面加工方法
CN102117758A (zh) 搬送机构
CN101552222A (zh) 晶片搬送方法和搬送装置
KR20120015992A (ko) 연삭반
KR102117718B1 (ko) 사파이어 기판의 가공 방법
CN102456600A (zh) 晶片搬送机构
CN100509223C (zh) 切削刀片及切削刀片的制造方法
JP6858539B2 (ja) 研削装置
JP4833629B2 (ja) ウエーハの加工方法および研削装置
KR20140133451A (ko) 웨이퍼 절삭 방법
CN108074859A (zh) 凸缘机构
CN101811273A (zh) 工件加工方法和工件加工装置
CN107030902A (zh) 切削装置
JP2009202323A (ja) 板状物の保持面の加工方法
TWI717467B (zh) 吸盤台
JP6720043B2 (ja) 加工方法
CN102837372B (zh) 多线切割机工作台
TW202224839A (zh) 輔助裝置
CN102962747A (zh) 磨削装置
CN202764052U (zh) 加工硬脆材料曲面的多线切割机
JP2007206783A (ja) メモリーカード成型装置及びメモリーカードの成型方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant