CN102412017A - 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 - Google Patents
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 231
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 44
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 26
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 abstract description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 31
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 19
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 17
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 17
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 13
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 13
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 13
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 206010063401 primary progressive multiple sclerosis Diseases 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 229910001074 Lay pewter Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 5
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002505 iron Chemical class 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- OVMJVEMNBCGDGM-UHFFFAOYSA-N iron silver Chemical class [Fe].[Ag] OVMJVEMNBCGDGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004413 SrSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，在铁基超导体块材或线带材的先驱粉或原料粉中添加锡、含锡化合物或含锡合金，混合均匀后，将先驱粉压制成块，或填入金属管、复合金属管或合金管中拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛或者真空条件下，经200-1300℃焙烧1秒钟-100小时。本发明制备的铁基超导体具有优异的超导特性：高的临界电流特性、高的上临界场和不可逆场。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高铁基超导体性能的方法。
背景技术
2008年1月初，日本东京工业大学的H.Hosono研究组在JASC杂志上报导了对LaO1-xFxFeAs材料的研究，并发现温度在26K时该材料表现超导电性，这一突破性进展开启了科学界新一轮的高温超导研究热潮[Kamihara Y.et al.，Iron-based layered superconductorLaO1-xFxFeAs(x＝0.05-0.12)with Tc＝26K.J.Am.Chem.Sco.130，3296-3297(2008)].在新超导体发现的浪潮中，发现了一系列具有代表性和高临界转变温度的铁基超导体。目前，根据母体化合物的组成比和晶体结构，新型铁基超导材料大致可以分为以下四大体系：(1)“1111”体系，成员包括LnOFePn(Ln＝La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Y；Pn＝P，As)以及DvFeAsF(Dv＝Ca，Sr)等；(2)“122”体系，成员包括AFe2As2(A＝Ba，Sr，K，Cs，Ca，Eu)等和BxFe2Se2(B＝Cs、Rb、K、Na)；(3)“111”体系，成员包括AFeAs(A＝Li，Na)等；(4)“11”体系，成员包括FeSe(Te)等。
铁基超导体是一种新发现的高温超导体，其最高超导转变温度目前已达到到55K，并有可能继续提高。与传统超导材料向比，铁基超导体有转变温度高、上临界场大、临界电流的强磁场依赖性小等优点，是一种在20-30K范围内具有极大应用前景的新型超导材料。与氧化物高温超导材料相比，铁基超导体的晶体结构更为简单、相干长度大、各向异性小、制备工艺简单，因此铁基超导材料的制备受到国际上的广泛关注。科学家们在关注其超导机理的同时，也十分重视其潜在的应用前景。目前，将铁基超导体制备成块材和线带材的工作也已经展开，对如何提高铁基超导体的临界电流密度和不可逆场的研究也在逐渐深入。这对于发展新型铁基超导体具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术制备的铁基超导体临界电流密度低的缺点，提出一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法。本发明通过旋锻、拉拔、轧制以及在铁基超导体前驱粉中添加适量的锡或锡化合物或锡合金的方法，有效提高铁基超导体的晶粒连接性，进而提高不可逆场以及临界电流密度。
本发明的特征在于，将适量的锡粉或含锡化合物或焊锡合金与铁基超导材料A1-xBxFe2As2，A＝Ba、Sr、Eu或Ca，B＝Cs、Rb、K、Na，x＝0-0.7，或者铁基超导材料BxFe2Se2，B＝Cs、Rb、K、Na，x＝0-0.7，或者铁基超导材料LnFeAsO1-δFδ，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一种或多种元素，δ＝0-0.4，的前驱粉或者原料粉混合均匀，所述的锡粉或含锡化合物或含锡合金与上述铁基超导体前驱粉的质量比为0～0.4∶1，然后将掺有锡粉或含锡化合物或焊锡合金的前驱粉压制成块，或填入金属管、复合金属管或合金管中，进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到线材或带材。如果以生粉作为前驱粉，压制成块或填入金属管的过程须在氩保护气氛下进行。
再将加工成型的块材或线带材置于氩保护气氛或真空环境中，经200-1300℃烧结1秒钟-100小时。
本发明的优点是：1、通过旋锻、拉拔、轧制一系列机械加工，可以得到具有晶粒取向的铁基超导体，提高超导晶粒连接性。2、锡粉或含锡化合物或含锡合金的添加不改变超导体的临界转变温度，可有效提高超导体晶粒连接性，进而提高不可逆场和临界电流密度。在4.2K，10T下，可以将临界电流从200A/cm2提高到5000A/cm2以上。
说明书附图
图1本发明样品在磁场下的临界电流密度；
图2具有晶粒取向的带材截面扫描电镜图。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本发明。
实施例1
在氩气氛手套箱中，将Ba屑，K块，Fe粉，As粉末按照化学式Ba0.5K0.5Fe2As2所示的摩尔比，称量Ba 1.963克、K 0.559克，Fe 3.193克，As 4.284克，充分均匀混合，制得先驱粉。再在先驱粉中添加质量比为Sn∶Ba0.5K0.5Fe2As2＝0.01∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀后，将添加了Sn的先驱粉装入磨具压制成块，装入石英管，将石英管抽真空后密封。将密封好的石英管置于退火炉中，在500℃保温0.5小时，再升温至1100℃保温0.5小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国Qunatum Design公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于10T(30K)的Ba0.5K0.5Fe2As2超导块材。
实施例2
在氩气氛手套箱中，将固态反应法烧结好的Ba0.6K0.4Fe2As2称量5克，研磨均匀，再添加质量比为Sn∶Ba0.6K0.4Fe2As2＝0.05∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀，将混合均匀后的粉末装入10cm长的铁管中，管内径5mm，外径7mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。将密封好的铁管置于退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，升温至1000℃保温5小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国Qunatum Design公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于10T(30K)的Ba0.6K0.4Fe2As2超导块材。
实施例3
在氩气氛手套箱中，将Ba屑，K块，FeAs粉末按照化学式Ba0.7K0.3Fe2As2所示的摩尔比，称量Ba 2.602克、K 0.318克，FeAs 7.080克，充分均匀混合，制得先驱粉。再在先驱粉中添加质量比为Sn∶Ba0.7K0.3Fe2As2＝0.1∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀后，将混合均匀后的粉末装入8cm长的铌管中，管内径8mm，外径10mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铌管两端。将密封好的铌管置于退火炉中，抽真空后，在500℃保温10小时，再升温至900℃保温20小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国Qunatum Design公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于10T(30K)的Ba0.7K0.3Fe2As2超导块材。
实施例4
在氩气氛手套箱中，将固态反应法烧结好的Ba0.8K0.2Fe2As2称量10克，研磨均匀，再添加质量比为SnS∶Ba0.8K0.2Fe2As2＝0.1∶1的SnS粉，经再次研磨混合均匀，将混合均匀后的粉末装入8cm长的钽管中，管内径8mm，外径10mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭钽管两端。将密封好的钽管置于退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，在500℃保温15小时，再升温至800℃保温50小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国QunatumDesign公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于12000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于8T(30K)的Ba0.8K0.2Fe2As2超导块材。
实施例5
在氩气氛手套箱中，将BaAs，KAs，Fe粉，As粉末按照化学式Ba0.9K0.1Fe2As2所示的摩尔比，称量BaAs 4.478克、KAs 0.601克，Fe 2.945克，As 1.976克，充分均匀混合，制得先驱粉。再在先驱粉中添加质量比为Sn∶Ba0.9K0.1Fe2As2＝0.5∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀后，将混合均匀后的粉末装入8cm长的银管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。将密封好的银管置于退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，在500℃保温20小时，再升温至700℃保温100小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国Qunatum Design公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于10000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于5T(30K)的Ba0.9K0.1Fe2As2超导块材。
实施例6
在氩气氛手套箱中，将固态反应法烧结好的Sr0.55K0.45Fe2As2称量10克，研磨均匀，再添加质量比为Sn∶Sr0.55K0.45Fe2As2＝0.4∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀，将添加了锡的先驱粉装入磨具压制成块，装入石英管，将石英管抽真空后密封。将密封好的石英管置于退火炉中，升温至850℃保温80小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国QunatumDesign公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，10T)，不可逆场大于10T(30K)的Sr0.55K0.45Fe2As2超导块材。
实施例7
在氩气氛手套箱中，将Sr屑，K块，Fe粉，As粉末按照化学式Sr0.65K0.35Fe2As2所示的摩尔比，称量Sr 1.715克、K 0.412克，Fe 3.362克，As 4.511克，充分均匀混合，制得先驱粉。再在先驱粉中添加质量比为Sn∶Sr0.65K0.35Fe2As2＝0.15∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀后，将混合均匀后的粉末装入8cm长的锆管中，管内径6mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭锆管两端。将密封好的锆管置于退火炉中，抽真空后，在500℃保温10小时，再升温至950℃保温35小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国QunatumDesign公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于10T(30K)的Sr0.65K0.35Fe2As2超导块材。
实施例8
在氩气氛手套箱中，将Sr屑，K块，FeAs粉末按照化学式Sr0.75K0.25Fe2As2所示的摩尔比，称量Sr 1.950克、K 0.920克，FeAs 7.760克，充分均匀混合，制得先驱粉。再在先驱粉中添加质量比为Sn∶Sr0.75K0.25Fe2As2＝0.15∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀后，将混合均匀后的粉末装入8cm长的铜管中，管内径7mm，外径9mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铜管两端。将密封好的铜管置于退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，在500℃保温20小时，再升温至850℃保温20小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国QunatumDesign公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于10000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于5T(30K)的Sr0.75K0.25Fe2As2超导块材。
实施例9
在氩气氛手套箱中，将Ba屑，K块，Fe粉，As粉末按照化学式Ba0.5K0.5Fe2As2所示的摩尔比，称量Ba 1.963克、K 0.559克，Fe 3.193克，As 4.284克，充分均匀混合，制得先驱粉。再在先驱粉中添加质量比为SnPb∶Ba0.5K0.5Fe2As2＝0.01∶1的锡铅合金粉，经再次研磨混合均匀后，将添加了锡铅合金的先驱粉装入磨具压制成块，装入石英管，将石英管抽真空后密封。将密封好的石英管置于退火炉中，在500℃保温0.5小时，再升温至1100℃保温0.5小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国Qunatum Design公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于10T(30K)的Ba0.5K0.5Fe2As2超导块材。
实施例10
在氩气氛手套箱中，将固态反应法烧结好的CeFeAsO0.6F0.4称量10克，研磨均匀，再添加质量比为SnF4∶Ba0.6K0.4Fe2As2＝0.05∶1的SnF4粉，经再次研磨混合均匀，将混合均匀后的粉末装入10cm长的铁管中，管内径5mm，外径7mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。将密封好的铁管置于退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，升温至1000℃保温5小时。炉冷至室温后，通过综合物性测量系统(PPMS-9，美国Qunatum Design公司制造)对样品的磁性和电阻进行测量，可以得到磁化临界电流密度大于15000A/cm2(4.2K，0T)，不可逆场大于10T(30K)的超导块材。
实施例11
在Ar保护气氛下，称量5克LaFeAsO0.9F0.1粉末，研磨均匀，再添加质量比为Sn∶LaFeAsO0.9F0.1＝0.05∶1的锡粉，经再次研磨混合均匀，将混合均匀后的粉末装入10cm长的铁管中，管内径5mm，外径7mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。将密封好的铁管置于退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，升温至1000℃保温5小时。炉冷至室温后，即可得到高临界电流密度的LaFeAsO0.9F0.1超导块材。
实施例12
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的SmFeAsO0.9F0.1粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨2小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶SmFeAsO0.9F0.1＝0.1∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入10cm长的银管中，管内径6.5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。将装入超导先驱粉的银管装入内径8.2mm，外径10mm的铁管中，两端压紧。继而对这一铁银符合管进行旋锻至3mm，然后拉拔至1mm，加工成线材。将加工后的线材置于真空退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，升温至900℃保温50小时。最后随炉子冷却至室温，通过超导线带材临界电流测试系统(日本东北大学强磁场实验室自制设备)对样品的临界电流进行测量，可以得到传输临界电流密度大于1500A/cm2(4.2K，0T)的SmFeAsO0.9F0.1超导线材。
实施例13
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的SmFeAsO0.8F0.2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶SmFeAsO0.8F0.2＝0.1∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入10cm长的铁管中，管内径6.5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。继而对这一铁管进行旋锻至3mm，然后拉拔至1mm，最后轧制成0.5mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1100℃中，保温5分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于10000A/cm2(4.2K，0T)的SmFeAsO0.8F0.2超导带材。
实施例14
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的Sr0.6K0.4Fe2As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶Sr0.6K0.4Fe2As2＝0.05∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入10cm长的铁管中，管内径6.5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。继而对这一铁管进行旋锻至3mm，然后拉拔至1mm，最后轧制成0.7mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1100℃中，保温0.5分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到如图1所示传输临界电流密度大于20000A/cm2(4.2K，0T)、具有晶粒取向的Sr0.6K0.4Fe2As2超导带材。
实施例15
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的Sr0.6K0.5Fe2As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶Sr0.6K0.5Fe2As2＝0.15∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的镍管中，管内径6mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭镍管两端。继而对这一镍管进行旋锻至3mm，然后拉拔至1mm，最后轧制成0.6mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1200℃中，保温10秒钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于10000A/cm2(4.2K，0T)、如图2所示的具有晶粒取向的铁基超导带材。
实施例16
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的Sr0.4K0.6Fe2As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨0.5小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶Sr0.4K0.6Fe2As2＝0.1∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的铜管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铜管两端。继而对这一铜管进行旋锻至4mm，然后拉拔至1.8mm，最后轧制成0.2mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1050℃中，保温30秒钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于12000A/cm2(4.2K，0T)的铁基超导带材。
实施例17
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的Ba0.4K0.6Fe2As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨0.5小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为SnPb∶Ba0.4K0.6Fe2As2＝0.1∶1锡铅合金粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的铜管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。继而对这一银管进行旋锻至4mm，然后拉拔至1.8mm，最后轧制成0.6mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于900℃中，保温2分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于12000A/cm2(4.2K，0T)、具有晶粒取向的铁基超导带材。
实施例18
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的BaFe1.6Co0.4As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨0.5小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶BaFe1.6Co0.4As2＝0.1∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的铜管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。继而对这一银管进行旋锻至4mm，然后拉拔至1.8mm，最后轧制成0.6mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于850℃中，保温15分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于12000A/cm2(4.2K，0T)的铁基超导带材。
实施例19
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的Sr0.6K0.4Fe2As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为SrSn4∶Sr0.6K0.4Fe2As2＝0.05∶1SrSn4粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入10cm长的铁管中，管内径6.5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。继而对这一铁管进行旋锻至3mm，然后拉拔至1mm，最后轧制成0.1mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1100℃中，保温0.5分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于10000A/cm2(4.2K，10T)、具有晶粒取向的Sr0.6K0.4Fe2As2超导带材。
实施例20
表1 A1-xBxFe2As2(A为取自Ba、Sr、Eu或Ca中的任意一种)
| X | A1-xKxFe2As2 | A1-xNaxFe2As2 | A1-xRbxFe2As2 | A1-xCsxFe2As2 |
| 0 | AFe2As2 | AFe2As2 | AFe2As2 | AFe2As2 |
| 0.2 | A0.8K0.2Fe2As2 | A0.8Na0.2Fe2As2 | A0.8Rb0.2Fe2As2 | A0.8Cs0.2Fe2As2 |
| 0.5 | A0.5K05Fe2As2 | A0.5Na0.5Fe2As2 | A0.5Rb0.5Fe2As2 | A0.5Cs0.5Fe2As2 |
| 0.7 | A0.3K0.7Fe2As2 | A0.3Na0.7Fe2As2 | A0.3Rb0.7Fe2As2 | A0.3Cs0.7Fe2As2 |
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的表1中的一种粉末放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨0.5小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为SnPb∶A1-xBxFe2As2＝0.1∶1锡铅合金粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的铜管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。继而对这一银管进行旋锻至4mm，然后拉拔至1.8mm，最后轧制成0.6mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1000℃中，保温2分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于50000A/cm2(4.2K，0T)、具有如图2所示的晶粒取向的铁基超导带材。
实施例21
表2 BxFe2Se2
| X | KxFe2Se2 | NaxFe2Se2 | RbxFe2Se2 | CsxFe2Se2 |
| 0 | Fe2Se2 | Fe2Se2 | Fe2Se2 | Fe2Se2 |
| 0.2 | K0.2Fe2Se2 | Na0.2Fe2Se2 | Rb0.2Fe2Se2 | Cs0.2Fe2Se2 |
| 0.5 | K0.5Fe2Se2 | Na0.5Fe2Se2 | Rb0.5Fe2Se2 | Cs0.5Fe2Se2 |
| 0.7 | K0.7Fe2Se2 | Na0.7Fe2Se2 | Rb0.7Fe2Se2 | Cs0.7Fe2Se2 |
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的表2中的一种粉末放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为SnPb∶BxFe2Se2＝0.15∶1锡铅合金粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的铁管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。继而对这一银管进行旋锻至4mm，然后拉拔至1.8mm，最后轧制成0.1mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1100℃中，保温1分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于10000A/cm2(4.2K，10T)的铁基超导带材。
实施例22
表3LnFeAsO1-δFδ，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一种或多种元素
| δ | LnFeAsO1-δFδ |
| 0 | LnFeAsO |
| 0.1 | LnFeAsO0.9F0.1 |
| 0.2 | LnFeAsO0.8F0.2 |
| 0.4 | LnFeAsO0.6F0.4 |
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的表3中的一种粉末放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨0.5小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶LnFeAsO1-δFδ＝0.1∶1锡铅合金粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入8cm长的铜管中，管内径5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。继而对这一银管进行旋锻至4mm，然后拉拔至1.8mm，最后轧制成0.2mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1200℃中，保温2分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到传输临界电流密度大于50000A/cm2(4.2K，0T)、具有如图2所示晶粒取向的铁基超导带材。
实施例23
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的SmFeAsO0.7F0.3粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，制成先驱粉。在氩气保护的手套箱中，将质量比为Sn∶SmFeAsO0.9F0.1＝0.2∶1锡粉添加到先驱粉中，再次混合均匀。将混合均匀后的粉末装入10cm长的银管中，管内径6.5mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭银管两端。将装入超导先驱粉的银管装入内径8.2mm，外径10mm的铁管中，两端压紧。继而对这一铁银符合管进行旋锻至3mm，然后拉拔至1mm，加工成线材。将加工后的线材置于真空退火炉中，抽真空后充入高纯氩气，升温至900℃保温1小时。最后随炉子冷却至室温，通过超导线带材临界电流测试系统(日本东北大学强磁场实验室自制设备)对样品的临界电流进行测量，可以得到传输临界电流密度大于1500A/cm2(4.2K，0T)、且具有晶粒取向的SmFeAsO0.7F0.3超导线材。
实施例24
在Ar保护气氛下，将固态反应法烧结好的Sr0.6K0.4Fe2As2粉放入球磨罐，在氩保护气氛下球磨1小时，将原料研磨均匀，在氩气保护的手套箱中将粉末装入10cm长的铁管中，管内径6mm，外径8mm，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭铁管两端。继而对这一铁管进行旋锻至3mm，然后拉拔至0.6mm，最后轧制成0.1mm厚的带材。在Ar保护气氛下，将该超导线材置于1100℃中，保温0.5分钟。待保温结束后，立即将样品取出置于室温中冷却。可以得到如图1所示传输临界电流密度大于4000A/cm2(4.2K，0T)、具有晶粒取向的Sr0.6K0.4Fe2As2超导带材。
Claims (2)
1.一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，其特征是：所述的提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法的步骤如下：
首先将铁基超导材料A1-xBxFe2As2，A＝Ba、Sr、Eu或Ca，B＝Cs、Rb、K、Na，x＝0-0.7，或者是将铁基超导材料BxFe2Se2，B＝Cs、Rb、K、Na，x＝0-0.7，或者是铁基超导材料LnFeAsO1-δFδ，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一种或多种元素；δ＝0-0.4，合成铁基超导体前驱粉；
再将锡粉或含锡化合物或含锡合金添加到所述的铁基超导体前驱粉中，混合均匀，所述的锡粉或含锡化合物或含锡合金与所述铁基超导体前驱粉的质量比为0～0.4∶1，然后将掺有锡粉或含锡化合物或焊锡合金的铁基超导体前驱粉压制成块，或填入金属管、复合金属管或合金管中，进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到块材、线材或带材；
最后，将加工成型的块材或线材或带材置于真空或氩气保护气氛中，在200-1300℃的温度下烧结1秒钟-100小时。
2.一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，其特征是：将锡粉或含锡化合物或含锡合金与铁基超导材料A1-xBxFe2As2，A＝Ba、Sr、Eu或Ca，B＝Cs、Rb、K、Na，x＝0-0.7，或者是铁基超导材料BxFe2Se2，B＝Cs、Rb、K、Na，x＝0-0.7，或者是铁基超导材料LnFeAsO1-δFδ，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一种或多种元素；δ＝0-0.4，的原料粉末混合，在氩气或者氮气保护气氛下压制成块或填入金属管中，进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到块材、线材或带材；
最后，将加工成型的块材或线材或带材置于真空或氩气保护气氛中，在200-1300℃的温度下烧结1秒钟-100小时。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110318140.XA CN102412017B (zh) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 |
| PCT/CN2012/071849 WO2013056526A1 (zh) | 2011-10-19 | 2012-03-02 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110318140.XA CN102412017B (zh) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102412017A true CN102412017A (zh) | 2012-04-11 |
| CN102412017B CN102412017B (zh) | 2014-06-04 |
Family
ID=45914052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110318140.XA Active CN102412017B (zh) | 2011-10-19 | 2011-10-19 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102412017B (zh) |
| WO (1) | WO2013056526A1 (zh) |
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-
2011
- 2011-10-19 CN CN201110318140.XA patent/CN102412017B/zh active Active
-
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102412017B (zh) | 2014-06-04 |
| WO2013056526A1 (zh) | 2013-04-25 |
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