CN102365003A - Des的加工工艺 - Google Patents

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张俊
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Abstract

DES的加工工艺，涉及高端电子产品，特别是电路板制生产技术领域。本发明将显影蚀刻去模经两道显影，冲去污水、水洗吹干水分、蚀刻处理、盐酸清洗、洗涤、退膜、去除污水、再水洗，然后以体积百分比浓度为5～7%的硫酸和过硫酸钠40～60g/l组成的混合酸液进行洗涤；再经清洗制成。本发明以硫酸和过硫酸钠形成混合酸液进行酸洗，可以达到既中和氢氧化钠，又可将铜面进行进一步的清洗保证铜面清洁度。

Description

DES的加工工艺
技术领域
本发明涉及高端电子产品，特别是电路板制生产技术领域。
背景技术
目前业内在DES生产线中采用体积百分比浓度为3-5%的硫酸溶液进行酸洗，其缺陷是单一中和去膜后，在PCB板上残余有氢氧化钠，在氢氧化钠的作用下，无法进一步保证铜面清洁度和粗糙度。
发明内容
  本发明目的在于提出一种能克服以上缺陷的DES的加工工艺。
    本发明包括以下工艺步骤：
1）将显影蚀刻去模经两道显影后，冲去污水；
2）采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3）蚀刻处理；
4）以体积百分比浓度为3～5%的盐酸清洗；
5）洗涤；
6）退膜；
7）冲洗去除污水；
8）水洗；
9）以体积百分比浓度为5～7%的硫酸和过硫酸钠40～60g/l组成的混合酸液进行洗涤；
10）清洗。
上述显影蚀刻去模可以为干模或湿模。
DES线原来采用的浓度为3-5%的硫酸溶液进行酸洗目的是为了中和去膜后PCB板上残余的氢氧化钠。本发明以硫酸和过硫酸钠形成混合酸液进行酸洗，可以达到既中和氢氧化钠，又可将铜面进行进一步的清洗保证铜面清洁度。
具体实施方式
1）将显影蚀刻去模（干膜或湿膜）经两道显影后，冲去污水；
2）采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3）经三次蚀刻处理；
4）补偿蚀刻；
5）以体积百分比浓度为3～5%的盐酸洗；
6）采用溢流方式水洗；
7）清水洗涤；
8）三次退膜；
9）冲洗去除污水；
10）采用溢流方式水洗；
11）以体积百分比浓度为5～7%的硫酸和过硫酸钠40～60g/l组成的混合酸液进行洗涤；
12）采用溢流方式水洗；
13）干板组合；
14）出板。

Claims (2)

1.DES的加工工艺，其特征在于包括以下步骤：
1）将显影蚀刻去模经两道显影后，冲去污水；
2）采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3）蚀刻处理；
4）以体积百分比浓度为3～5%的盐酸清洗；
5）洗涤；
6）退膜；
7）冲洗去除污水；
8）水洗；
9）以体积百分比浓度为5～7%的硫酸和过硫酸钠40～60g/l组成的混合酸液进行洗涤；
10）清洗。
2.根据权利要求1所述DES的加工工艺，其特征在于所述显影蚀刻去模为干模或湿模。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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