CN102334287B - 封装件、封装件的制造方法以及压电振动器的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的封装件，接合包含第一基板与第二基板的多个基板而在所述多个基板之间形成有空腔，其中包括：耐腐蚀性接合膜，在所述第一基板与所述第二基板的对置的表面上围绕所述空腔而配置；以及高接合性接合膜，在所述第一基板与所述第二基板的对置的表面上配置于所述耐腐蚀性接合膜的内方，其接合力比所述耐腐蚀性接合膜高。

Description

封装件、封装件的制造方法以及压电振动器的制造方法

技术领域

本发明涉及封装件(package)、封装件的制造方法以及压电振动器的制造方法。 

背景技术

近年来，封装件制品得到广泛的应用，其包括：基底基板和盖基板，以相互层叠的状态阳极接合并且两者间形成有空腔；以及致动片，装配在基底基板中位于空腔内的部分。作为这种封装件制品，众所周知的有例如安装在便携电话或便携信息终端设备上，且利用水晶等作为时刻源或控制信号等的定时源、参考信号源等的压电振动器。 

作为这样的封装件制品中的封装件及其制造方法，例如专利文献1中记述了通过重叠并接合基板而制造的封装件。根据该专利文献1所述的封装件，能气密地密封封装件的空间内部。 

另外，专利文献1记述了能使用铝、钛、钽、硅等的金属或半导体作为接合层。 

专利文献1：日本专利第3621435号公报 

发明内容

在专利文献1所述的封装件及其制造方法中，用上述金属或半导体作为接合层，沿着形成于接合层的宽度方向的中间部的沟切出封装件。因此，在切出封装件的切断面上会露出接合层。 

然而，在专利文献1所述的封装件中，接合层与外部环境特别是与酸或碱接触时会被腐蚀。例如，在用接合性高的铝构成接合层的情况下，一般在大气中，露出在大气中的接合层的表面会产生被膜状的 氧化铝(矾土(alumina))，所以接合层的较深部位的腐蚀得到抑制。这里，若在大气的湿度高的情况下或者是接合层与酸性溶液接触的环境，由于铝的离子化倾向高，接合层中产生局部电池，从而接合层容易被腐蚀到较深部位。当接合层被腐蚀时，大气从其空隙流入，故难以将封装件的内部维持在既定的环境中，对封装件制品的性能造成影响。 

为了抑制这样的接合层的腐蚀，已知有在封装件的外周设置覆盖接合层的涂层的技术。然而，为了实施这样的涂层，需要为了涂敷涂料而设置特别的工序。而且，为了可靠地在接合层上覆盖涂料，例如不在电极等部位附着涂料，需要较高的加工精度。 

另外，若以耐腐蚀性高为优先来构成接合层，则存在基板彼此的接合性变得不充分的情况，存在难以维持封装件制品的质量的情况。 

本发明是鉴于上述的情况而提出的，其目的在于提供能兼顾基板彼此的接合性与耐腐蚀性的封装件。 

另外，本发明的第二个目的在于，提供能够高效地制造能兼顾基板彼此的接合性与耐腐蚀性的封装件的封装件的制造方法以及压电振动器的制造方法。 

本发明的一种封装件，接合包含第一基板与第二基板的多个基板而在所述多个基板之间形成有空腔，其特征在于，包括：耐腐蚀性接合膜，在所述第一基板与所述第二基板的对置的表面上围绕所述空腔而配置；以及高接合性接合膜，在所述第一基板与所述第二基板的对置的表面上配置于所述耐腐蚀性接合膜的内方，其接合力比所述耐腐蚀性接合膜高。 

依据本发明，在第一基板与第二基板接合的状态下，在第一基板与第二基板的对置的表面上，在封装件的外部露出耐腐蚀性接合膜，在空腔侧露出高接合性接合膜。因此，高接合性接合膜对外部的露出因耐腐蚀性接合膜而得到抑制，从而在封装件的外部的大气、酸性溶液或碱性溶液等中的暴露得到抑制。通过用上述的位置关系组合侧重 接合性的接合膜与侧重耐腐蚀性的接合膜，能兼顾封装件的接合强度与耐腐蚀性。 

另外，本发明的封装件优选所述高接合性接合膜含有铝。 

在此情况下，高接合性接合膜的腐蚀因耐腐蚀性接合膜而得到抑制，所以高接合性接合膜能够不考虑耐腐蚀性而选择侧重接合性的铝。铝是离子化倾向高的材料，具有在与其他种类金属接触的状态下若附着酸性溶液等则溶解的性质，但因耐腐蚀性接合膜的保护而免受封装件的外部环境的影响，所以腐蚀得到抑制。通过使用铝能够提高第一基板与第二基板的接合性，可靠地实现空腔的密封。 

另外，本发明的封装件优选所述第一基板以及所述第二基板含有玻璃，且所述耐腐蚀性接合膜具有配置成在所述第一基板的表面上接触的铬层，以及配置成与所述铬层和所述第二基板接触的硅层。 

在此情况下，第一基板与第二基板都是玻璃类基板，在第一基板上配置铬层。铬层与玻璃的粘接性高，此外能在玻璃类的第一基板上容易地形成为期望的图案。另外，由于铬层与第二基板之间具有硅层，铬层与硅层因金属彼此而牢固地结合，硅层与玻璃类的第二基板通过阳极接合来适宜接合。 

本发明的封装件的制造方法，制造接合包含第一基板与第二基板的多个基板而在所述多个基板之间形成有空腔的封装件，其特征在于包括：第一圆片(wafer)成形工序，成形一体地成形有多个所述第一基板的第一圆片；第二圆片成形工序，成形以能与所述第一基板重叠的位置关系一体地成形有多个所述第二基板的第二圆片；第一工序，在所述第一圆片的表面上以既定宽度以上的带状形成具有既定厚度的第一接合膜，使其围绕所述空腔；除去工序，继所述第一工序，按照比所述既定宽度窄的带状除去所述第一接合膜的宽度方向的中间部，形成露出所述第一圆片的表面的沟部；第二工序，继所述除去工序，在所述沟部露出的所述第一圆片的表面上形成离子化倾向比所述第一接合膜低且具有所述既定厚度的耐腐蚀性接合膜；接合工序， 重叠并接合所述第一圆片与所述第二圆片，以夹住所述第一接合膜和所述耐腐蚀性接合膜；以及切割(dicing)工序，继所述接合工序，在所述耐腐蚀性接合膜的宽度方向的中间部切断接合了所述第一圆片与上述第二圆片的接合体。 

依据本发明，在第一工序中形成带状的第一接合膜，其后在除去工序中，在第一接合膜的宽度方向的中间部形成沟部。之后在第二工序中，沿着沟部形成耐腐蚀性接合膜后，在第一圆片上空腔与接合膜的排列顺序按照空腔、第一接合膜、耐腐蚀性接合膜、第一接合膜的顺序重复。其后，由于在切割工序中耐腐蚀性接合膜的宽度方向的中间部被切断，所以第一接合膜位于耐腐蚀性接合膜的内方，从而能通过耐腐蚀性接合膜抑制腐蚀的进行。 

另外，本发明的压电振动器的制造方法，制造接合包含第一基板与第二基板的多个基板而在所述多个基板之间形成有空腔的压电振动器，其特征在于包括：第一圆片成形工序，成形一体地成形有多个所述第一基板的第一圆片；第二圆片成形工序，成形以能与所述第一基板重叠的位置关系一体地成形有多个所述第二基板的第二圆片；布线工序，在所述第一圆片的表面上形成多个具有所述第一基板中的既定的电路形状的布线；第一工序，在所述第一圆片的表面上以既定宽度以上的带状形成具有既定厚度的第一接合膜，使其围绕所述空腔；除去工序，继所述第一工序，按照比所述既定宽度窄的带状除去所述第一接合膜的宽度方向的中间部，形成露出所述第一圆片的表面的沟部；第二工序，继所述除去工序，在所述沟部露出的所述第一圆片的表面上形成离子化倾向比所述第一接合膜低且具有所述既定厚度的耐腐蚀性接合膜；连接工序，在所述第二工序之后将压电振动片连接到所述布线；接合工序，重叠并接合所述第一圆片与所述第二圆片，以夹住所述第一接合膜和所述耐腐蚀性接合膜；以及切割工序，继所述接合工序，在所述耐腐蚀性接合膜的宽度方向的中间部切断接合了所述第一圆片与所述第二圆片的接合体。 

依据本发明，第一接合膜位于耐腐蚀性接合膜的内方，能通过耐腐蚀性接合膜抑制腐蚀的进行。因此，空腔内的气密变得可靠，能够维持配置于空腔内部的压电振动片的稳定动作而不受压电振动器的外部环境影响。 

依据本发明的封装件，能够兼顾基板彼此的接合性与耐腐蚀性。 

另外，依据本发明的封装件的制造方法，能够高效地制造能兼顾基板彼此的接合性与耐腐蚀性的封装件。 

另外，依据本发明的压电振动器的制造方法，能够高效地制造能够兼顾基板彼此的接合性与耐腐蚀性、且能维持压电振动片的稳定动作而不受压电振动器的外部环境影响的压电振动器。 

附图说明

图1是示出本发明的一种实施方式的封装件的立体图。 

图2A是示出本发明的一种实施方式的封装件的制造方法的制造的一个过程的剖视图。 

图2B是示出同一封装件的制造方法的一个过程的剖视图。 

图3A是示出同一封装件的制造方法的一个过程的剖视图。 

图3B是示出同一封装件的制造方法的一个过程的剖视图。 

图3C是示出同一封装件的制造方法的一个过程的剖视图。 

图4A是示出同一封装件的制造方法的一个过程的剖视图。 

图4B是示出同一封装件的制造方法的一个过程的剖视图。 

图5是示出同一封装件的制造方法的流程图。 

图6是示出本发明的一种实施方式的压电振动器的制造方法的一个过程的立体图。 

图7是示出同一压电振动器的制造方法的一个过程的立体图。 

图8是部分截断用同一压电振动器的制造方法制造的压电振动器并示出的立体图。 

图9是示出同一压电振动器的制造方法的流程图。 

具体实施方式

以下，参考图1至图5说明本发明的一种实施方式的封装件以及封装件的制造方法。 

图1是部分截断本实施方式的封装件1并示出的立体图。如图1所示，封装件1中，接合了包含基底基板2(第一基板)与盖基板3(第二基板)的多个基板，在基底基板2与盖基板3之间形成有空腔C。 

在本实施方式中，基底基板2与盖基板3都是含有玻璃材料的玻璃类基板，具体地说，能采用例如由钠钙玻璃构成的玻璃基板。 

进而，在基底基板2与盖基板3的对置的表面上，形成围绕空腔C配置的耐腐蚀性接合膜24，以及配置于耐腐蚀性接合膜24的内方的高接合性接合膜21。 

高接合性接合膜21与耐腐蚀性接合膜24都是接合基底基板2与盖基板3的接合膜。高接合性接合膜21是侧重接合基底基板2与盖基板3的接合力的强度而被采用的接合膜，本实施方式中能采用含有铝的金属材料。 

另外，高接合性接合膜21可以采用铝合金与铝单质的任一种。而且，高接合性接合膜21能采用除铝以外的例如钛等其他金属材料或半导体材料，能根据基底基板2与盖基板3的各自的组成适宜地选择用于提高其接合力的最佳材料并予以采用。 

耐腐蚀性接合膜24是耐腐蚀性比高接合性接合膜21高的接合膜。在本实施方式中，选择采用在酸或碱条件下耐腐蚀性高的接合膜，含有在附着酸性溶液或碱性溶液时溶解速度比高接合性接合膜21低的材料。 

本实施方式的耐腐蚀性接合膜24是2层构造，包括：配置成在基底基板2的表面上接触的铬层22，以及配置成与铬层22和盖基板3接触的硅层23。 

铬层22含有铬，对作为玻璃类基板的基底基板2的粘接性高。 而硅层23含有硅，对作为玻璃类基板的盖基板3具有阳极接合的高接合性。 

在本实施方式中，具有铬层22与硅层23的耐腐蚀性接合膜24，离子化倾向比含有铝的高接合性接合膜21低。因此，即使在酸或碱环境下铝容易腐蚀之类的环境中，高接合性接合膜21周围被含有铬和硅的耐腐蚀性接合膜24围绕而得到保护，以免暴露在酸或碱环境中。 

此外，高接合性接合膜21与耐腐蚀性接合膜24的组合，能够是离子化倾向的大小关系满足上述的关系的其他组合。另外，对于耐腐蚀性接合膜24，着眼于离子化倾向以外的因素，能选择采用在以各种条件改变耐腐蚀性接合膜24所暴露的外部环境来进行的加速试验等中腐蚀的程度小的材料。 

另外，高接合性接合膜21与耐腐蚀性接合膜24形成为都在垂直于基底基板2的表面的方向的厚度相等，高接合性接合膜21与耐腐蚀性接合膜24都紧贴盖基板3。 

因此，在封装件1中，空腔C被高接合性接合膜21与耐腐蚀性接合膜24密封。另外，在空腔C的内部中能构成传感器电路或振荡电路等各种电路，另外也可以是以真空状态密封空腔C内部的结构。 

接着，参考图2A至图5说明本实施方式的封装件的制造方法。图2A至图4B是示出封装件1的制造方法的剖视图，图5是示出封装件1的制造方法的流程图。 

首先，说明本实施方式的封装件的制造方法的概略。在本实施方式的封装件的制造方法中，通过接合作为基底基板2的母体的基底圆片20(第一圆片)与作为盖基板3的母体的盖圆片30，成批地制造多个封装件1。 

图2A及图2B是示出封装件1的制造的一个过程的剖视图，示出将基底圆片20与盖圆片30形成为既定形状的圆片形成工序S1(参考图5)。图2A示出基底圆片20。虽然未予详细图示，但在基底圆 片20，进行开孔加工或布线加工等向着一体地成形有多个基底基板2的形状而进行成形(第一圆片形成工序S11、参考图5)。另外，图2B示出盖圆片30。在盖圆片30，在封装件1制造完成后成为空腔C的位置形成凹部3a，形成既定宽度W1的接合区域以隔开凹部3a。这样，盖圆片30被成形为一体地成形有多个盖基板3的形状(第二圆片形成工序S12、参考图5)。 

图3A至图3C是示出封装件1的制造的一个过程的剖视图，示出将高接合性接合膜21与耐腐蚀性接合膜24形成为既定形状的接合膜形成工序S2(参考图5)。如图3A所示，在接合膜形成工序S2中，首先在基底圆片20的表面上，在与盖圆片30的既定宽度W1的接合区域对应的位置上以既定宽度W1的带状形成具有既定厚度H的第一接合膜21(上述的高接合性接合膜21)(第一工序S21、参考图5)。第一接合膜21的形成方法能采用溅射法。通过第一工序S21，在第一圆片20的表面上形成围绕当封装件1制造完成时成为空腔C的区域的第一接合膜21。在圆片(基底圆片20、盖圆片30)上排列多处成为空腔C的区域，将第一接合膜21在基底圆片20上形成为格子状。 

接着，如图3B所示，继第一工序S21，按照具有比既定宽度W1窄的宽度W2的带状除去第一接合膜21的宽度方向的中间部，从而形成露出基底圆片20的表面的沟部G1(除去工序S22、参考图5)。沟部G1沿着第一接合膜21的中央线形成，将第一接合膜21分割为高接合性接合膜21a、21b。此外，优选沟部G1的宽度W2相对第一接合膜21的既定宽度W1的比值在1/2以下。这是因为，通过使封装件1制造完成后高接合性接合膜21的宽度较宽，能使基底基板2与盖基板3的接合变得可靠。 

如图3C所示，继除去工序S22，在沟部G1中露出的基底圆片20的表面上，形成如上所述的离子化倾向比高接合性接合膜21低的耐腐蚀性接合膜24(第二工序S23、参考图5)。在第二工序S23中，首先，在基底圆片20上层叠铬层22，进而在铬层22的上表面层叠地形成硅层23。耐腐蚀性接合膜24的形成能采用与形成第一接合膜21的方法相同的方法(溅射法)。此外，虽然通过使第一接合膜21(高接合性接合膜21)与耐腐蚀性接合膜24的形成方法为相同的手法，具有简化制造工序的效果，但高接合性接合膜21的形成方法与耐腐蚀性接合膜24的形成方法也可以不同。 

优选耐腐蚀性接合膜24的厚度形成为与高接合性接合膜21的既定厚度H相等。此外，铬层22和硅层23各自的总计厚度能设定为相当于既定厚度H的适宜的厚度。 

此外，虽然图3C示出向沟G1的全部填充耐腐蚀性接合膜24的情况，但耐腐蚀性接合膜24与高接合性接合膜21之间也可以有间隙。 

图4A及图4B是示出封装件1的制造的一个过程的剖视图，示出接合基底圆片20与盖圆片30并分割为封装件的封装件形成工序S3(参考图5)。如图4A所示，在第二工序S23完成后，重叠并接合基底圆片20与盖圆片30(接合工序S31、参考图5)，以夹住第一接合膜(高接合性接合膜21)和耐腐蚀性接合膜24。 

在本实施方式中，通过阳极接合法进行接合工序S31，首先对重叠的基底圆片20与盖圆片30在其压缩方向上加压。接着，以基底圆片20为阳极侧、盖圆片30为阴极侧的方式施加既定的直流电压。于是，高接合性接合膜21与硅层23分别对于盖圆片30阳极接合，在基底圆片20与盖圆片30之间产生作为空隙的空腔C。 

如图4B所示，在接合工序S31完成后，在耐腐蚀性接合膜24的宽度方向的中间部切断接合了基底圆片20与盖圆片30的接合体(切割工序S32、参考图5)。在切割工序S32中，将基底圆片20与盖圆片30的接合体切断，以包含单个的空腔C，从而成为多个封装件1。 

如上所述，依据本实施方式的封装件1，基底基板2与盖基板3通过高接合性接合膜21可靠地接合起来。而且高接合性接合膜21向封装件1的外部的露出因耐腐蚀性接合膜24而得到抑制，从而在封装件1的外部的大气、酸性溶液或碱性溶液等中的暴露得到抑制。因此，能兼顾封装件的接合强度与耐腐蚀性。 

另外，高接合性接合膜21的腐蚀因耐腐蚀性接合膜24而得到抑制，所以高接合性接合膜21不用考虑耐腐蚀性，能够选择侧重接合性的铝。由于高接合性接合膜21采用含有铝的材料，所以能牢固地接合玻璃类基板的基底基板2与盖基板3，可靠地密封空腔C。 

另外，依据本实施方式的封装件的制造方法，在从第一工序S21至第二工序S23的工序中，先形成高接合性接合膜21，其后再用耐腐蚀性接合膜24置换高接合性接合膜21的宽度方向的中间部来进行形成。因此，能在基底基板2与盖基板3都是圆片状的阶段完成防止接合膜腐蚀的结构。因此，在被切断成封装件1后，高接合性接合膜21已经被耐腐蚀性接合膜24可靠地保护起来。 

另外，由于能这样地在圆片的阶段完成防止接合膜腐蚀的结构，所以不需要如以往那样个别地覆盖露出在封装件1的外面的接合膜。结果能高效地制造封装件。 

接着，参考图6至图9说明本发明的一种实施方式的压电振动器的制造方法。此外，在以下说明的各实施方式中，用相同的标号标记与上述的封装件的制造方法相同的部位，并省略其说明。 

图6及图7是示出本实施方式的压电振动器的制造方法中的制造的一个过程的立体图。另外，图8是部分截断本实施方式的压电振动器并示出的立体图。 

如图8所示，本实施方式的压电振动器100，在与图1所示的封装件相同的封装件的空腔C配置有压电振动片4。压电振动器100通过对压电振动片4通电使其以既定的频率振荡。 

以下详述压电振动器100的制造方法。 

图9是示出压电振动器100的制造方法的流程图。如图9所示，在本实施方式的压电振动器的制造方法中，在上述的封装件的制造方 法的基础上还具备布线工序S101与连接工序S102。 

如图6所示，布线工序S101是在被高接合性接合膜21围绕的区域即空腔C的内侧形成布线电路10的工序。布线电路10具有通到封装件1的外面的电极。 

如图7所示，连接工序S102是电连接布线工序S101中形成于基底圆片20的表面上的布线电路10与压电振动片4的工序。压电振动片4虽未做详细图示，但能采用例如由水晶、钽酸锂或铌酸锂等的压电材料形成的音叉型振动片，在施加既定电压时振动。 

进而，继连接工序S102，进行与上述相同的接合工序S31，接合与压电振动片4连接的基底圆片20和盖圆片30。 

继接合工序S31，通过进行切割工序S32切断气密地密封有压电振动片4的压电振动器100并完成加工。 

这样，在本实施方式的压电振动器的制造方法中，与上述的封装件的制造方法相同，在切断为压电振动器后，高接合性接合膜21已经被耐腐蚀性接合膜24可靠地保护。因此，空腔内的气密变得可靠，能够维持配置于空腔的内部的压电振动片的稳定动作而不受压电振动器的外部环境影响。 

以上，参考附图详细说明了本发明的实施方式，但具体结构并不限定于该实施方式，还包含在不脱离本发明的思想的范围内的设计变更等。 

产业上的利用可能性 

本发明的封装件能够适宜用于，在接合多个基板而在多个基板之间形成有空腔的封装件中，在接合膜容易被腐蚀的环境下维持空腔的气密性，并维持配置于空腔的内部的致动片的稳定动作。 

标号说明 

1封装件 

2基底基板(第一基板) 

4压电振动片 

20基底圆片(第二圆片) 

21、21a、21b高接合性接合膜(第一接合膜) 

22铬层 

23硅层 

24耐腐蚀性接合膜 

3盖基板(第二基板) 

3a凹部 

30盖圆片(第二圆片) 

100压电振动器 

C空腔 

W1既定宽度 

H既定厚度 

S11第一圆片形成工序 

S12第二圆片形成工序 

S21第一工序 

S22除去工序 

S23第二工序 

S31接合工序 

S32切割工序 

Claims (5)

1.一种封装件，接合包含多个第一基板与多个第二基板的多个基板而在所述第一基板和所述第二基板之间形成有空腔，其中包括：

耐腐蚀性接合膜，分别与所述第一基板和所述第二基板的对置的表面接触并且围绕所述空腔而配置，所述耐腐蚀性接合膜由金属形成；以及

高接合性接合膜，分别与所述第一基板和所述第二基板的对置的表面接触,并且所述高接合性接合膜周围被所述耐腐蚀性接合膜围绕而配置于所述耐腐蚀性接合膜的内方，其接合力比所述耐腐蚀性接合膜高，所述高接合性接合膜由金属形成并且与所述耐腐蚀性接合膜接触。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，

所述高接合性接合膜含有铝。

3.根据权利要求1或2所述的封装件，其中，

所述第一基板以及所述第二基板含有玻璃，

所述耐腐蚀性接合膜具有：

配置成在所述第一基板的表面上接触的铬层，以及

配置成与所述铬层和所述第二基板接触的硅层。

4.一种封装件的制造方法，制造接合包含第一基板与第二基板的多个基板而在所述多个基板之间形成有空腔的封装件，其中包括：

第一圆片成形工序，成形第一圆片，该第一圆片一体地成形有多个所述第一基板；

第二圆片成形工序，成形第二圆片，该第二圆片以能与所述第一基板重叠的位置关系一体地成形有多个所述第二基板；

第一工序，在所述第一圆片的表面上以既定宽度以上的带状形成具有既定厚度的高接合性接合膜，使其围绕所述空腔；

除去工序，继所述第一工序，按照比所述既定宽度窄的带状除去所述高接合性接合膜的宽度方向的中间部，形成露出所述第一圆片的表面的沟部；

第二工序，继所述除去工序，在所述沟部中露出的所述第一圆片的表面上形成离子化倾向比所述高接合性接合膜低且具有所述既定厚度的耐腐蚀性接合膜；

接合工序，重叠并接合所述第一圆片与所述第二圆片，以夹住所述高接合性接合膜和所述耐腐蚀性接合膜；以及

切割工序，继所述接合工序，在所述耐腐蚀性接合膜的宽度方向的中间部切断接合了所述第一圆片与所述第二圆片的接合体。

5.一种压电振动器的制造方法，制造接合包含第一基板与第二基板的多个基板而在所述多个基板之间形成有空腔的压电振动器，其中包括：

第一圆片成形工序，成形第一圆片，该第一圆片一体地成形有多个所述第一基板；

第二圆片成形工序，成形第二圆片，该第二圆片以能与所述第一基板重叠的位置关系一体地成形有多个所述第二基板；

布线工序，在所述第一圆片的表面上形成多个具有所述第一基板中的既定的电路形状的布线；

第一工序，在所述第一圆片的表面上以既定宽度以上的带状形成具有既定厚度的高接合性接合膜，使其围绕所述空腔；

除去工序，继所述第一工序，按照比所述既定宽度窄的带状除去所述高接合性接合膜的宽度方向的中间部，形成露出所述第一圆片的表面的沟部；

第二工序，继所述除去工序，在所述沟部中露出的所述第一圆片的表面上形成离子化倾向比所述高接合性接合膜低且具有所述既定厚度的耐腐蚀性接合膜；

连接工序，在所述第二工序之后将压电振动片连接到所述布线；

接合工序，重叠并接合所述第一圆片与所述第二圆片，以夹住所述高接合性接合膜和所述耐腐蚀性接合膜；以及

切割工序，继所述接合工序，在所述耐腐蚀性接合膜的宽度方向的中间部切断接合了所述第一圆片与所述第二圆片的接合体。