JP4938478B2 - 圧電振動子 - Google Patents
圧電振動子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4938478B2 JP4938478B2 JP2007021374A JP2007021374A JP4938478B2 JP 4938478 B2 JP4938478 B2 JP 4938478B2 JP 2007021374 A JP2007021374 A JP 2007021374A JP 2007021374 A JP2007021374 A JP 2007021374A JP 4938478 B2 JP4938478 B2 JP 4938478B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate body
- array
- piezoelectric
- frame
- vibration element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 66
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 19
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Description
本発明は、電子機器に用いられる圧電振動子に関する。
従来より携帯電話等の電子機器には圧電振動子が用いられている。この圧電振動子は、基板部と枠部とで凹部が形成された基体と圧電振動素子と蓋体とから主に構成されており、凹部内に圧電振動素子を搭載し、その後、凹部を塞ぐように蓋体を基体に接合して製造されている。以下、基体に蓋体を接合したものを容器体という。
このような圧電振動子は、ウェハの状態で製造される。例えば、セラミックからなる基体はマトリックス状に配列されウェハとなっている。複数の基体が設けられたウェハには複数の凹部が形成されており、この凹部内に圧電振動素子を一つずつ搭載していく。その後、凹部を金属製の蓋体で塞ぎ、凹部を気密封止する（例えば、特許文献１参照）。
このように製造される圧電振動子は、電子機器の小型化に伴い、平面形状の小型化や低背化などが求められている。
このような圧電振動子は、ウェハの状態で製造される。例えば、セラミックからなる基体はマトリックス状に配列されウェハとなっている。複数の基体が設けられたウェハには複数の凹部が形成されており、この凹部内に圧電振動素子を一つずつ搭載していく。その後、凹部を金属製の蓋体で塞ぎ、凹部を気密封止する（例えば、特許文献１参照）。
このように製造される圧電振動子は、電子機器の小型化に伴い、平面形状の小型化や低背化などが求められている。
しかしながら、圧電振動子を小型化する場合、基体及び蓋体を薄くすることが必要となるが、セラミックを主体とした基体では、強度的に限界がある。また、蓋体に金属製のものを用いた場合、基体に用いられるセラミックと蓋体に用いられる金属とで膨張係数が異なるので、蓋体を基体に接合した場合に熱ストレスが接合部に残留し、容器体の強度が保てなくなる恐れがある。
そこで、本発明は、前記した問題を解決し、小型低背化を行っても容器体の強度の低下を防ぎ、歩留まりを向上させる圧電振動子を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、本発明は、圧電振動子であって、圧電片に励振電極が設けられた圧電振動素子と、ガラスからなる枠体と、ガラスの膨張係数に近い膨張係数を有する樹脂フィルムからなり前記枠体と接合する位置に成膜されるアルミニウム層と前記圧電振動素子の先端部と向かい合う位置に外部から押し込んで形成された先端部接触凸部とを備えた基板体と、ガラスの膨張係数に近い膨張係数を有する樹脂フィルムからなり前記枠体と接合する位置に成膜されるアルミニウム層を備えた蓋体とを備え、前記圧電振動素子が前記枠体に囲まれた状態で前記基板体に搭載され、前記枠体と前記基板体と前記蓋体とが接合されて構成されることを特徴とする。
また、本発明は、前記基板体の前記圧電振動素子を搭載する位置に外部から押し出されて形成された搭載用凸部を備えても良い。
また、本発明は、圧電振動子であって、前記ガラスの膨張係数に近い樹脂フィルムがアラミド基材であることを特徴とする。
また、本発明は、圧電振動子であって、前記基板体と前記アルミニウム層との間及び前記蓋体と前記アルミニウム層との間にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層を有することを特徴とする。
また、本発明は、圧電振動子であって、前記下地層が３０〜２００オングストロームの膜厚となっていることを特徴とする。
このように、枠体をガラスとし、基板体をガラスの膨張係数に近い樹脂フィルムで圧電振動子を構成したので、接合したときに接合部における熱ストレスが少なくなり、容器体の強度の低下を防ぐことができる。
また、基板体の圧電振動素子の先端部と向かい合う位置に先端部接触凸部を設けたので、圧電振動素子の圧電片がベベル加工されていても励振部分となる圧電片の中央部が基板体に接触することがないので、接触による圧電振動素子の励振特性の不具合が生じず、小型化しても歩留の低下を防ぐことができる。また、この先端部接触凸部を基板体の外側から押し込んで形成したので、フォトリソグラフィやマスク印刷等を用いて凸部を形成するよりも容易に先端部接触凸部の形成を行うことができる。また、基板体の圧電振動素子を搭載する位置に搭載用凸部を設けたので、圧電振動素子の支持位置を高くして、さらに圧電片の中央部が基板体に接触するのを防ぐことができる。
また、基板体の圧電振動素子の先端部と向かい合う位置に先端部接触凸部を設けたので、圧電振動素子の圧電片がベベル加工されていても励振部分となる圧電片の中央部が基板体に接触することがないので、接触による圧電振動素子の励振特性の不具合が生じず、小型化しても歩留の低下を防ぐことができる。また、この先端部接触凸部を基板体の外側から押し込んで形成したので、フォトリソグラフィやマスク印刷等を用いて凸部を形成するよりも容易に先端部接触凸部の形成を行うことができる。また、基板体の圧電振動素子を搭載する位置に搭載用凸部を設けたので、圧電振動素子の支持位置を高くして、さらに圧電片の中央部が基板体に接触するのを防ぐことができる。
また、基板体をアラミド基材にしたことにより、枠体のガラスの膨張係数と近くすることができるので、接合の際の接合部に熱ストレスの影響を軽減することができる。
また、基板体及び蓋体にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層を設けたことで、成膜されるアルミニウム層との結合力を強固にすることができる。
また、この下地層の膜厚を３０〜２００オングストロームで成膜したので、アルミニウム層との接合状態を良好にすることができる。
また、基板体及び蓋体にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層を設けたことで、成膜されるアルミニウム層との結合力を強固にすることができる。
また、この下地層の膜厚を３０〜２００オングストロームで成膜したので、アルミニウム層との接合状態を良好にすることができる。
次に、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」という。）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各実施形態において、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第一の実施形態）
図１は本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。
図１は本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。
図１に示すように、本発明の実施形態に係る圧電振動子１０は、圧電振動素子４と枠体２と基板体１と蓋体３とから主に構成されている。この圧電振動子１０は、枠体２と基板体１と蓋体３とを接合した状態で容器体となる。
圧電振動素子４は、例えば水晶からなる圧電片４Ａの両主面に励振電極４Ｂが対向して設けられており、所定の周波数で振動するようになっている。この圧電振動素子４は、後述する基板体１に設けられた搭載パッドＰ上に導電性接着剤Ｄにより電気的に接合されることで搭載される。このとき、圧電振動素子４は、後述する基板体１と枠体２とを接合したときに、枠体２に囲まれた状態となるように、基板体１に搭載される。
なお、圧電振動素子４は、励振電極４Ｂの範囲内において振動のエネルギが閉じ込められているものとし、片持ちで用いられた場合に、励振電極４Ｂが設けられていない先端部にエネルギがもれていないものとする。
なお、圧電振動素子４は、励振電極４Ｂの範囲内において振動のエネルギが閉じ込められているものとし、片持ちで用いられた場合に、励振電極４Ｂが設けられていない先端部にエネルギがもれていないものとする。
枠体２は、ガラスから成り、所定幅、所定厚さで平面視矩形となる環状形状で形成されている。
基板体１は、枠体２のガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムが用いられる。ここで、この樹脂フィルムをアラミド基材として説明する。
この基板体１はアラミド基材であるので、ガラスの膨張係数と近い膨張係数となっている。ここで、基板体１の一方の主面であって枠体２と接合する部分にアルミニウム層１Ａが成膜されおり、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部には、圧電振動素子４を搭載されるための搭載パッドＰが形成され、この搭載パッドＰと引き回しパターンと外部接続端子Ｇとで配線パターンＨが形成されている。アルミニウム層１Ａが基板体１に成膜されていることにより、後述する枠体２と容易に陽極接合により接合することができる。
なお、引き回しパターンは、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部に設けられたスルーホールＳを介して搭載パッドＰと外部接続端子Ｇとに接続される。
なお、アラミド基材からなる基板体１の厚みは、例えば、１０〜２０μｍとなっている。これにより圧電振動子１０の低背化を行うことができる。
この基板体１はアラミド基材であるので、ガラスの膨張係数と近い膨張係数となっている。ここで、基板体１の一方の主面であって枠体２と接合する部分にアルミニウム層１Ａが成膜されおり、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部には、圧電振動素子４を搭載されるための搭載パッドＰが形成され、この搭載パッドＰと引き回しパターンと外部接続端子Ｇとで配線パターンＨが形成されている。アルミニウム層１Ａが基板体１に成膜されていることにより、後述する枠体２と容易に陽極接合により接合することができる。
なお、引き回しパターンは、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部に設けられたスルーホールＳを介して搭載パッドＰと外部接続端子Ｇとに接続される。
なお、アラミド基材からなる基板体１の厚みは、例えば、１０〜２０μｍとなっている。これにより圧電振動子１０の低背化を行うことができる。
また、基板体１は、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４を搭載パッドＰに搭載した場合に、この圧電振動素子４の固定される先端部とは反対側の先端部、つまり自由端部と向かい合う位置に先端部接触凸部１Ｃが設けられている。この先端部接触凸部１Ｃは、基板体１を外部から押し込んで形成される。つまり、アルミニウム層１Ａが設けられている面とは反対側の面よりプレス加工により凸状物を押し込んで形成される。
先端部接触凸部１Ｃは、圧電振動素子４に設けた励振電極４Ｂが基板体１に接触しない程度の高さで出っ張っている。
先端部接触凸部１Ｃは、圧電振動素子４に設けた励振電極４Ｂが基板体１に接触しない程度の高さで出っ張っている。
蓋体３は、基板体１と同様に、枠体２のガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムが用いられる。ここで、この樹脂フィルムをアラミド基材として説明する。
この蓋体３はアラミド基材であるので、ガラスの膨張係数と近い膨張係数となっている。ここで、蓋体３の一方の主面にアルミニウム層３Ａが成膜されている。アルミニウム層３Ａが蓋体３に成膜されていることにより、後述する枠体２と容易に陽極接合により接合することができる。後述するが、この蓋体３は、枠体２に接合されることにより基板体１と枠部２とが接合されて形成された凹部を気密封止する役割を果たす。
なお、アラミド基材からなる蓋体３の厚みは、例えば、１０〜２０μｍとなっている。これにより圧電振動子１０の低背化を行うことができる。
この蓋体３はアラミド基材であるので、ガラスの膨張係数と近い膨張係数となっている。ここで、蓋体３の一方の主面にアルミニウム層３Ａが成膜されている。アルミニウム層３Ａが蓋体３に成膜されていることにより、後述する枠体２と容易に陽極接合により接合することができる。後述するが、この蓋体３は、枠体２に接合されることにより基板体１と枠部２とが接合されて形成された凹部を気密封止する役割を果たす。
なお、アラミド基材からなる蓋体３の厚みは、例えば、１０〜２０μｍとなっている。これにより圧電振動子１０の低背化を行うことができる。
この本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子１０は、基板体１のアルミニウム層１Ａを枠体２に向けた状態で陽極接合により接合され、蓋体３のアルミニウム層３Ａを枠体２に向けた状態で陽極接合により接合されており、枠体２に囲まれた状態、つまり、枠体２の内部であって基板体１に設けられた搭載パッドＰに圧電振動素子４が搭載されている。
このように、本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子１０を構成したので、基板体１と枠体２の接合の際、および蓋体３と枠体２との接合の際に接合部に熱ストレスが少なくなり、容器体の強度の低下を防ぐことができる。
また、基板体１をアラミド基材にしたことにより、ガラスの膨張係数と近くすることができるので、接合の際の接合部に熱ストレスの影響を軽減することができる。
また、基板体１をアラミド基材にしたことにより、ガラスの膨張係数と近くすることができるので、接合の際の接合部に熱ストレスの影響を軽減することができる。
次に、本発明の第一の実施形態に係る圧電振動子の製造方法について説明する。
図２は配列枠体の一例を示す斜視図である。図３は配列基板体の一例を示す斜視図である。図４は配列枠体と配列基板体とを接合した状態の一例を示す斜視図である。図５は配列基板体に圧電振動素子を搭載する状況を示す模式図である。図６は配列蓋体と圧電振動素子が搭載された配列基板体と配列枠体との一例を示す図である。図７は配列枠体に配列蓋体を接合した状態の一例を示す図である。図８は個片化した状態の一例を示す斜視図である。
図２は配列枠体の一例を示す斜視図である。図３は配列基板体の一例を示す斜視図である。図４は配列枠体と配列基板体とを接合した状態の一例を示す斜視図である。図５は配列基板体に圧電振動素子を搭載する状況を示す模式図である。図６は配列蓋体と圧電振動素子が搭載された配列基板体と配列枠体との一例を示す図である。図７は配列枠体に配列蓋体を接合した状態の一例を示す図である。図８は個片化した状態の一例を示す斜視図である。
まず、本発明の実施形態に係る圧電振動子１０を製造するに際し、圧電振動素子４と配列枠体Ｗ２と配列基板体Ｗ１と配列蓋体Ｗ３とを準備する。なお、圧電振動素子４は、水晶などの圧電片４Ａの両主面に励振電極４Ｂが設けられたものとする。
（配列枠体の形成）
図２に示すように、配列枠体Ｗ２とは、前記した枠体２がマトリックス状に配列されてウェハの状態となっているものをいう。この配列枠体Ｗ２はガラスからなり、平板状のガラス板に矩形形状の開口部Ｋを所定の間隔を空けてマトリックス状に設け、配列枠体Ｗ２を形成する。なお、隣り合う開口部Ｋ，Ｋの間を切断することにより平面視矩形形状で環状形状の枠体２となる。
図２に示すように、配列枠体Ｗ２とは、前記した枠体２がマトリックス状に配列されてウェハの状態となっているものをいう。この配列枠体Ｗ２はガラスからなり、平板状のガラス板に矩形形状の開口部Ｋを所定の間隔を空けてマトリックス状に設け、配列枠体Ｗ２を形成する。なお、隣り合う開口部Ｋ，Ｋの間を切断することにより平面視矩形形状で環状形状の枠体２となる。
（配列基板体の形成）
図３に示すように、配列基板体Ｗ１とは、前記した基板体１がマトリックス状に配列されてウェハの状態となっているものをいう。
この配列基板体Ｗ１は、枠体２に用いられるガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムが用いられる。ここで、この樹脂フィルムをアラミド基材として説明する。配列基板体Ｗ１は配列枠体Ｗ２とウェハの状態で接合されるため、配列基板体Ｗ１であるこのアラミド基材の配列枠体Ｗ２と接合する部分にアルミニウム層１Ａを成膜する。つまり、配列枠体Ｗ２のパターン（図２参照）に沿って配列基板体Ｗ１にアルミニウム層１Ａが成膜される。このアルミニウム層１Ａの成膜は、配列基板体Ｗ１の一方の主面にフォトリソグラフィにより行われる。このようにして配列基板体を形成する。
図３に示すように、配列基板体Ｗ１とは、前記した基板体１がマトリックス状に配列されてウェハの状態となっているものをいう。
この配列基板体Ｗ１は、枠体２に用いられるガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムが用いられる。ここで、この樹脂フィルムをアラミド基材として説明する。配列基板体Ｗ１は配列枠体Ｗ２とウェハの状態で接合されるため、配列基板体Ｗ１であるこのアラミド基材の配列枠体Ｗ２と接合する部分にアルミニウム層１Ａを成膜する。つまり、配列枠体Ｗ２のパターン（図２参照）に沿って配列基板体Ｗ１にアルミニウム層１Ａが成膜される。このアルミニウム層１Ａの成膜は、配列基板体Ｗ１の一方の主面にフォトリソグラフィにより行われる。このようにして配列基板体を形成する。
なお、配列基板体Ｗ１の製造においては、アルミニウム層１Ａの成膜の前に、外部から圧電振動素子４に電圧を加えるための配線パターンＨ（図１参照）の形成が行われる。例えば、配列基板体Ｗ１のアルミニウム層１Ａが形成される面であって、配列枠体Ｗ２の開口部Ｋ内に位置するように、圧電振動素子４が搭載される搭載パッドＰやこの搭載パッドＰと接続する引き回しパターン（図示せず）などが金属膜で形成される。また、配列基板体Ｗ１のアルミニウム層１Ａが形成される面とは反対側の面であって、個片にされたときに四隅に位置するように金属膜からなる外部接続端子Ｇ（図１参照）が設けられる。この搭載パッドＰ又は引き回しパターンと外部接続端子Ｇとを電気的に接続するために、当該配列基板体Ｗ１にサンドブラスト等によりスルーホールＳ（図１参照）を形成する。そしてこのスルーホールＳの表面に金属膜を形成し、搭載パッドＰ又は引き回しパターンと外部接続端子Ｇとを電気的に接続する。この状態で、フォトリソグラフィによりアルミニウム層１Ａを配列基板体Ｗ１の搭載パッドＰ等が形成された面に成膜して、配列基板体Ｗ１を完成させる。
（先端部接触凸部の形成）
先端部接触凸部１Ｃをアラミド基材からなるウェハ状の配列基板体Ｗ１に形成する。この場合、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４の先端部と向かい合う位置に、アルミニウム層１Ａが設けられる面とは反対側の面、つまり外部から凸状物（図示せず）を押し込んで形成される。なお、凸状物は、ウェハ状の配列基板体Ｗ１の外形に合わせた治具（図示せず）が用いられ、その治具に基板体１（図１参照）の先端部接触凸部１Ｃを形成する位置に対応して複数設けられている。
なお、この先端部接触凸部１Ｃは、アルミニウム層１Ａを設ける前に形成される。
先端部接触凸部１Ｃをアラミド基材からなるウェハ状の配列基板体Ｗ１に形成する。この場合、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４の先端部と向かい合う位置に、アルミニウム層１Ａが設けられる面とは反対側の面、つまり外部から凸状物（図示せず）を押し込んで形成される。なお、凸状物は、ウェハ状の配列基板体Ｗ１の外形に合わせた治具（図示せず）が用いられ、その治具に基板体１（図１参照）の先端部接触凸部１Ｃを形成する位置に対応して複数設けられている。
なお、この先端部接触凸部１Ｃは、アルミニウム層１Ａを設ける前に形成される。
（配列蓋体の形成）
図６に示すように、配列蓋体Ｗ３とは、前記した蓋体３がマトリックス状に配列されてウェハの状態となっているものをいう。
この配列蓋体Ｗ３は、枠体２に用いられるガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムが用いられる。ここで、この樹脂フィルムをアラミド基材として説明する。配列蓋体Ｗ３は配列枠体Ｗ２とウェハの状態で接合されるため、配列蓋体Ｗ３の一方の主面にアルミニウム層３Ａを成膜する。なお、配列枠体Ｗ２のパターン（図２参照）に沿って配列蓋体Ｗ３にアルミニウム層３Ａが成膜しても良い。このアルミニウム層３Ａの成膜は、配列蓋体Ｗ３の一方の主面にフォトリソグラフィにより行われる。このようにして配列蓋体Ｗ３を形成する。
図６に示すように、配列蓋体Ｗ３とは、前記した蓋体３がマトリックス状に配列されてウェハの状態となっているものをいう。
この配列蓋体Ｗ３は、枠体２に用いられるガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムが用いられる。ここで、この樹脂フィルムをアラミド基材として説明する。配列蓋体Ｗ３は配列枠体Ｗ２とウェハの状態で接合されるため、配列蓋体Ｗ３の一方の主面にアルミニウム層３Ａを成膜する。なお、配列枠体Ｗ２のパターン（図２参照）に沿って配列蓋体Ｗ３にアルミニウム層３Ａが成膜しても良い。このアルミニウム層３Ａの成膜は、配列蓋体Ｗ３の一方の主面にフォトリソグラフィにより行われる。このようにして配列蓋体Ｗ３を形成する。
これら配列枠体Ｗ２と配列基板体Ｗ１と配列蓋体Ｗ３とを、それぞれ、同時に形成しても良いし、別工程で別々に形成しても良いし、配列枠体Ｗ２と配列基板体Ｗ１と配列蓋体Ｗ３を製造する順番は限定されない。
（配列基板体と配列枠体との接合）
図４に示すように、搭載パッドＰ、引き回しパターン（図示せず）、外部接続端子Ｇ（図１参照）などの配線パターンＨとアルミニウム層１Ａと先端部接触凸部１Ｃとがそれぞれの基板体１となる位置に形成された配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合する。
配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合する際に、配列枠体Ｗ２を配列基板体Ｗ１に形成、つまり、成膜したアルミニウム層１Ａに接触させた状態で陽極接合を行うことにより配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合する。
図４に示すように、搭載パッドＰ、引き回しパターン（図示せず）、外部接続端子Ｇ（図１参照）などの配線パターンＨとアルミニウム層１Ａと先端部接触凸部１Ｃとがそれぞれの基板体１となる位置に形成された配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合する。
配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合する際に、配列枠体Ｗ２を配列基板体Ｗ１に形成、つまり、成膜したアルミニウム層１Ａに接触させた状態で陽極接合を行うことにより配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合する。
（配列基板体に圧電振動素子を搭載）
図５及び図６に示すように、配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合したことにより、配列枠体Ｗ２に形成されている各開口部Ｋがそれぞれ凹部となる。この凹部内に圧電振動素子４を搭載する。この圧電振動素子４には励振電極４Ｂから圧電片４Ａの固定端となる端部まで引き回された引出しパターンが配列基板体Ｗ１に設けられた搭載パッドＰと対応して形成されており、圧電振動素子４を先端部接触凸部１Ｃに接触させた状態で、圧電振動素子４の先端部を基板体１に設けられたこの搭載パッドＰと引出しパターンとを導電性接着剤Ｄ（図１参照）により接合して搭載される。
図５及び図６に示すように、配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２とを接合したことにより、配列枠体Ｗ２に形成されている各開口部Ｋがそれぞれ凹部となる。この凹部内に圧電振動素子４を搭載する。この圧電振動素子４には励振電極４Ｂから圧電片４Ａの固定端となる端部まで引き回された引出しパターンが配列基板体Ｗ１に設けられた搭載パッドＰと対応して形成されており、圧電振動素子４を先端部接触凸部１Ｃに接触させた状態で、圧電振動素子４の先端部を基板体１に設けられたこの搭載パッドＰと引出しパターンとを導電性接着剤Ｄ（図１参照）により接合して搭載される。
（配列蓋体と配列基板体が接合されている配列枠体との接合）
図６及び図７に示すように、圧電振動素子４を搭載した配列基板体Ｗ１と接合している配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とを接合する。
配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とを接合する際に、配列枠体Ｗ２を配列蓋体Ｗ３に形成、つまり、成膜したアルミニウム層３Ａに接触させた状態で陽極接合を行うことにより配列蓋体Ｗ３と配列枠体Ｗ２とを接合する。
この配列蓋体Ｗ３を配列枠体Ｗ２に接合することにより、前記各凹部が気密封止される。
図６及び図７に示すように、圧電振動素子４を搭載した配列基板体Ｗ１と接合している配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とを接合する。
配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とを接合する際に、配列枠体Ｗ２を配列蓋体Ｗ３に形成、つまり、成膜したアルミニウム層３Ａに接触させた状態で陽極接合を行うことにより配列蓋体Ｗ３と配列枠体Ｗ２とを接合する。
この配列蓋体Ｗ３を配列枠体Ｗ２に接合することにより、前記各凹部が気密封止される。
ここで、配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とがそれぞれウェハの状態で接合されており、内部に圧電振動素子４が搭載された圧電振動子１０をマトリックス状に配列した状態となっている。
（個片化）
この配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とが接合されて圧電振動子１０をマトリックス状に配列した状態で図８に示すように個片化する。個片化はダイシング等により行われる。この個片化は、図７に示すようなカットラインに沿って切断される。つまり、配列枠体Ｗ２の隣り合う開口部Ｋ、Ｋの間を切断することによって個片化が行われる。いうまでもないが、端部側に位置する圧電振動子１０となる部分は、配列枠体Ｗ２の接合代部分を切断する。これにより個片化が完了し、圧電振動子１０を得ることができる。
この配列基板体Ｗ１と配列枠体Ｗ２と配列蓋体Ｗ３とが接合されて圧電振動子１０をマトリックス状に配列した状態で図８に示すように個片化する。個片化はダイシング等により行われる。この個片化は、図７に示すようなカットラインに沿って切断される。つまり、配列枠体Ｗ２の隣り合う開口部Ｋ、Ｋの間を切断することによって個片化が行われる。いうまでもないが、端部側に位置する圧電振動子１０となる部分は、配列枠体Ｗ２の接合代部分を切断する。これにより個片化が完了し、圧電振動子１０を得ることができる。
なお、個片化の前に気密漏れがないかを検査するリーク検査、印字、各種検査を行ってもよい。また、個片化後も検査を行い、良品か否かを出荷前に調べてもよい。
このように、本発明の実施形態に係る圧電振動子１０の製造方法を構成したので、配列枠体Ｗ２をガラスとし、配列基板体Ｗ１をガラスの膨張係数に近い樹脂フィルムとしたことにより、接合したときに接合部における熱ストレスが少なくなり、容器体の強度の低下を防ぐことができる。また、配列基板体Ｗ１をアラミド基材にしたことにより、ガラスの膨張係数と近くすることができるので、接合の際の接合部に熱ストレスの影響を軽減することができる。
また、基板体１の圧電振動素子４の自由端となる先端部と向かい合う位置に先端部接触凸部１Ｃを設けたので、圧電振動素子４の圧電片がベベル加工されていても励振部分となる圧電片の中央部が基板体１に接触することがないので、小型化しても歩留の低下を防ぐことができる。また、この先端部接触凸部１Ｃを基板体１の外側から一括して押し込んで形成したので、フォトリソグラフィやマスク印刷等を用いて凸部を形成するよりも容易に先端部接触凸部１Ｃの形成を行うことができる。
また、配列蓋体Ｗ３、蓋体３にアルミニウム層３Ａの金属を成膜するため、アラミド基材の樹脂フィルムを用いても金属の蓋体と同様の気密性、耐湿性を持たせることができる。また、配列枠体Ｗ２、枠体２にガラスを用いたので、セラミックと比較して加工精度を向上させることができる。
ウェハの状態で一括で製造するため、ポケットが無く、接着剤塗布、圧電振動素子の実装にスペースの制約を受けることが無く、設備設計の自由度を向上させることができる。また、ウェハの状態で一括封止が可能となるため生産性が向上し、コストを低くすることができる。
ウェハの状態で一括で製造するため、ポケットが無く、接着剤塗布、圧電振動素子の実装にスペースの制約を受けることが無く、設備設計の自由度を向上させることができる。また、ウェハの状態で一括封止が可能となるため生産性が向上し、コストを低くすることができる。
（第二の実施形態）
図９は本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。
図９に示すように、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０は、基板体１及び蓋体３にアルミニウム層１Ａ、３Ａを成膜する前に下地層１Ｂ、３Ｂを設けた点で第一の実施形態と異なる。
図９は本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。
図９に示すように、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０は、基板体１及び蓋体３にアルミニウム層１Ａ、３Ａを成膜する前に下地層１Ｂ、３Ｂを設けた点で第一の実施形態と異なる。
基板体１にアルミニウム層１Ａを成膜する際に、予めアルミニウム層１Ａを成膜する部分にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層１Ｂ（図９参照）を設ける。図９に示すように、この場合の圧電振動子２０は、基板体１に下地層１Ｂが設けられていることにより、下地層１Ｂとアルミニウム層１Ａとの結合が強力になり、基板体１と枠体２との接合を強力にすることができる。
また、この下地層１Ｂは３０〜２００オングストロームで成膜されている。下地層１Ｂが３０オングストロームを下回る場合は、下地層１Ｂにムラが生じ、アルミニウム層１Ａとの均一な結合が困難になる。また、下地層１Ｂが２００オングストロームを超える場合は、枠体２との接合時に余分となった下地層１Ｂが圧電振動素子４に付着し、圧電振動素子４の振動特性を変化させてしまう。したがって、下地層１Ｂは３０〜２００オングストロームの厚さとなるのが最適である。
蓋体３にアルミニウム層３Ａを成膜する際に、予めアルミニウム層３Ａを成膜する部分にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層３Ｂ（図９参照）を設ける。図９に示すように、この場合の圧電振動子２０は、蓋体３に下地層３Ｂが設けられていることにより、下地層３Ｂとアルミニウム層３Ａとの結合が強力になり、蓋体３と枠体２との接合を強力にすることができる。
また、基板体１と同様に、下地層３Ｂは３０〜２００オングストロームで成膜されている。下地層３Ｂが３０オングストロームを下回る場合は、下地層３Ｂにムラが生じ、アルミニウム層３Ａとの均一な結合が困難になる。また、下地層３Ｂが２００オングストロームを超える場合は、枠体２との接合時に余分となった下地層３Ｂが圧電振動素子４に付着し、圧電振動素子４の振動特性を変化させてしまう。したがって、下地層３Ｂは３０〜２００オングストロームの厚さとなるのが最適である。
このように本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０を構成しても第一の実施形態と同様の効果を奏する。また、基板体１及び蓋体３にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層１Ｂ、３Ｂを設けたことで、成膜されるアルミニウム層１Ａ、３Ａとの結合力を強固にすることができる。
また、この下地層１Ｂ、３Ｂの膜厚を３０〜２００オングストロームで成膜したので、アルミニウム層１Ａ、３Ａとの接合状態を良好にすることができる。
このように、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子の製造方法を用いれば、例えば、周波数が２４ＭＨｚ以上のＡＴ水晶振動子の厚さが最大で０．２ｍｍとすることができる。
また、この下地層１Ｂ、３Ｂの膜厚を３０〜２００オングストロームで成膜したので、アルミニウム層１Ａ、３Ａとの接合状態を良好にすることができる。
このように、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子の製造方法を用いれば、例えば、周波数が２４ＭＨｚ以上のＡＴ水晶振動子の厚さが最大で０．２ｍｍとすることができる。
次に、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０の製造方法について説明する。
本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０は、基板体１にアルミニウム層１Ａの成膜の前に、このアルミニウム層１Ａを成膜する位置にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層１Ｂ（図９参照）を設ける。下地層１Ｂを配列基板体Ｗ１に設けた後にアルミニウム層１Ａを成膜し、配列基板体Ｗ１を形成する。
本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０は、基板体１にアルミニウム層１Ａの成膜の前に、このアルミニウム層１Ａを成膜する位置にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層１Ｂ（図９参照）を設ける。下地層１Ｂを配列基板体Ｗ１に設けた後にアルミニウム層１Ａを成膜し、配列基板体Ｗ１を形成する。
また、蓋体３にアルミニウム層３Ａの成膜する前に、このアルミニウム層３Ａを成膜する位置にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層３Ｂ（図９参照）を設ける。下地層３Ｂを配列蓋体Ｗ３に設けた後にアルミニウム層３Ａを成膜し、配列蓋体を形成する。
このように、配列基板体Ｗ１及び配列蓋体Ｗ３にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層１Ｂ、３Ｂを設けたことで、成膜されるアルミニウム層１Ａ、３Ａとの結合力を強固にすることができる。また、この下地層１Ｂ、３Ｂの膜厚を３０〜２００オングストロームで成膜したので、アルミニウム層１Ａ、３Ａとの接合状態を良好にすることができる。
また、アルミニウム層３Ａや下地層３Ｂの金属を成膜する配列蓋体Ｗ３、蓋体３に、アラミド基材の樹脂フィルムを用いても金属の蓋体と同様の気密性、耐湿性を持たせることができる。また、配列枠体Ｗ２、枠体２にガラスを用いたので、セラミックと比較して加工精度を向上させることができる。
ウェハの状態で一括で製造するため、ポケットが無く、接着剤塗布、圧電振動素子の実装にスペースの制約を受けることが無く、設備設計の自由度を向上させることができる。また、ウェハの状態で一括封止が可能となるため生産性が向上し、コストを低くすることができる。
さらに、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０の製造方法を用いれば、例えば、周波数が２４ＭＨｚ以上のＡＴ水晶振動子の厚さが最大で０．２ｍｍとすることができる。
ウェハの状態で一括で製造するため、ポケットが無く、接着剤塗布、圧電振動素子の実装にスペースの制約を受けることが無く、設備設計の自由度を向上させることができる。また、ウェハの状態で一括封止が可能となるため生産性が向上し、コストを低くすることができる。
さらに、本発明の第二の実施形態に係る圧電振動子２０の製造方法を用いれば、例えば、周波数が２４ＭＨｚ以上のＡＴ水晶振動子の厚さが最大で０．２ｍｍとすることができる。
（第三の実施形態）
図１０は本発明の第三の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。図１１（ａ）は配列基板体Ｗ１の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図である。
図１０に示すように、本発明の第三の実施形態に係る圧電振動子３０は、基板体１の圧電振動素子４が搭載される位置に搭載用凸部１Ｄが設けられている点で第一の実施形態と異なる。
図１０は本発明の第三の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。図１１（ａ）は配列基板体Ｗ１の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図である。
図１０に示すように、本発明の第三の実施形態に係る圧電振動子３０は、基板体１の圧電振動素子４が搭載される位置に搭載用凸部１Ｄが設けられている点で第一の実施形態と異なる。
この搭載用凸部１Ｄは、先端部接触凸部１Ｃと同様に、基板体１の外部から押し込んで、つまり、アルミニウム層１Ａが設けられている面とは反対側の面よりプレス加工により凸状物を押し込んで形成される。なお、搭載用凸部１Ｄの上に搭載パッドＰが形成されることとなる。
このように、基板体１の圧電振動素子４を搭載する位置に搭載用凸部１Ｄを設けたので、圧電振動素子４の圧電片にベベル加工がされている場合、圧電振動素子４の支持位置を高くして、さらに圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
このように、基板体１の圧電振動素子４を搭載する位置に搭載用凸部１Ｄを設けたので、圧電振動素子４の圧電片にベベル加工がされている場合、圧電振動素子４の支持位置を高くして、さらに圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
（搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部の形成）
搭載用凸部１Ｄは、先端部接触凸部１Ｃと同時に形成される。搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとは、アラミド基材からなるウェハ状の配列基板体Ｗ１にアルミニウム層１Ａを設ける前に、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４の自由端となる先端部と向かい合う位置及び圧電振動素子４を搭載する位置、つまり、搭載パッドＰの内部に位置するように、アルミニウム層１Ａが設けられる面とは反対側の面、つまり外部から凸状物（図示せず）を押し込んで形成される。なお、凸状物は、ウェハ状の配列基板体Ｗ１の外形に合わせた治具（図示せず）が用いられ、その治具に基板体１（図１参照）の搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとを形成する位置に対応して複数設けられている。
これにより、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、配列基板体Ｗ１に、基板体１の位置と対応して搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部とが形成される。
このように構成しても第一の実施形態と同様の効果を奏し、さらに、圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
搭載用凸部１Ｄは、先端部接触凸部１Ｃと同時に形成される。搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとは、アラミド基材からなるウェハ状の配列基板体Ｗ１にアルミニウム層１Ａを設ける前に、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４の自由端となる先端部と向かい合う位置及び圧電振動素子４を搭載する位置、つまり、搭載パッドＰの内部に位置するように、アルミニウム層１Ａが設けられる面とは反対側の面、つまり外部から凸状物（図示せず）を押し込んで形成される。なお、凸状物は、ウェハ状の配列基板体Ｗ１の外形に合わせた治具（図示せず）が用いられ、その治具に基板体１（図１参照）の搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとを形成する位置に対応して複数設けられている。
これにより、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、配列基板体Ｗ１に、基板体１の位置と対応して搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部とが形成される。
このように構成しても第一の実施形態と同様の効果を奏し、さらに、圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
（第四の実施形態）
図１２は本発明の第四の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。
図１２に示すように、本発明の第四の実施形態に係る圧電振動子４０は、基板体１の圧電振動素子４が搭載される位置に搭載用凸部１Ｄが設けられている点で第二の実施形態と異なる。
図１２は本発明の第四の実施形態に係る圧電振動子の一例を示す断面図である。
図１２に示すように、本発明の第四の実施形態に係る圧電振動子４０は、基板体１の圧電振動素子４が搭載される位置に搭載用凸部１Ｄが設けられている点で第二の実施形態と異なる。
この搭載用凸部１Ｄは、先端部接触凸部１Ｃと同様に、外部から押し込んで、つまり、アルミニウム層１Ａが設けられている面とは反対側の面よりプレス加工により凸状物を押し込んで形成される。
このように、基板体１の圧電振動素子４を搭載する位置に搭載用凸部１Ｄを設けたので、圧電振動素子４の圧電片にベベル加工がされている場合、圧電振動素子４の支持位置を高くして、さらに圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
このように、基板体１の圧電振動素子４を搭載する位置に搭載用凸部１Ｄを設けたので、圧電振動素子４の圧電片にベベル加工がされている場合、圧電振動素子４の支持位置を高くして、さらに圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
（搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部の形成）
搭載用凸部１Ｄは、先端部接触凸部１Ｃと同時に形成される。搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとは、アラミド基材からなるウェハ状の配列基板体Ｗ１にアルミニウム層１Ａ及び下地層１Ｂを設ける前に、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４の自由端となる先端部と向かい合う位置及び圧電振動素子４を搭載する位置、つまり、搭載パッドＰの内部に位置するように、アルミニウム層１Ａが設けられる面とは反対側の面、つまり外部から凸状物（図示せず）を押し込んで形成される。なお、凸状物は、ウェハ状の配列基板体Ｗ１の外形に合わせた治具（図示せず）が用いられ、その治具に基板体１（図１参照）の搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとを形成する位置に対応して複数設けられている。
このように構成しても第二の実施形態と同様の効果を奏し、さらに、圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
搭載用凸部１Ｄは、先端部接触凸部１Ｃと同時に形成される。搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとは、アラミド基材からなるウェハ状の配列基板体Ｗ１にアルミニウム層１Ａ及び下地層１Ｂを設ける前に、アルミニウム層１Ａで囲まれた内部であって圧電振動素子４の自由端となる先端部と向かい合う位置及び圧電振動素子４を搭載する位置、つまり、搭載パッドＰの内部に位置するように、アルミニウム層１Ａが設けられる面とは反対側の面、つまり外部から凸状物（図示せず）を押し込んで形成される。なお、凸状物は、ウェハ状の配列基板体Ｗ１の外形に合わせた治具（図示せず）が用いられ、その治具に基板体１（図１参照）の搭載用凸部１Ｄと先端部接触凸部１Ｃとを形成する位置に対応して複数設けられている。
このように構成しても第二の実施形態と同様の効果を奏し、さらに、圧電片の中央部が基板体１に接触するのを防ぐことができる。
（第五の実施形態）
図１３は配列基板体に圧電振動素子を搭載する前の状態を示す図である。図１４は圧電振動素子が搭載された配列基板体に配列蓋体が接合された配列枠体を接合する前の状態を示す図である。
図１３に示すように、本発明の第五の実施形態に係る圧電振動子は、配列基板体Ｗ１の搭載パッドＰに圧電振動素子４を搭載しておき、この状態の配列基板体Ｗ１に配列蓋体Ｗ３が接合された配列枠体Ｗ２を接合した点で第一の実施形態と異なる。なお、この製造方法を用いても第一の実施形態と同様の圧電振動子１０を製造することができる。
図１４に示すように、配列枠体Ｗ２が配列蓋体Ｗ３に接合された状態であって圧電振動素子４が配列基板体Ｗ１に接合された状態で本発明の第五の実施形態に係る圧電振動素子を製造しても第一の実施形態と同様の効果を奏する。
図１３は配列基板体に圧電振動素子を搭載する前の状態を示す図である。図１４は圧電振動素子が搭載された配列基板体に配列蓋体が接合された配列枠体を接合する前の状態を示す図である。
図１３に示すように、本発明の第五の実施形態に係る圧電振動子は、配列基板体Ｗ１の搭載パッドＰに圧電振動素子４を搭載しておき、この状態の配列基板体Ｗ１に配列蓋体Ｗ３が接合された配列枠体Ｗ２を接合した点で第一の実施形態と異なる。なお、この製造方法を用いても第一の実施形態と同様の圧電振動子１０を製造することができる。
図１４に示すように、配列枠体Ｗ２が配列蓋体Ｗ３に接合された状態であって圧電振動素子４が配列基板体Ｗ１に接合された状態で本発明の第五の実施形態に係る圧電振動素子を製造しても第一の実施形態と同様の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態には限定されない。例えば、配列枠体Ｗ２、配列基板体Ｗ１、配列蓋体Ｗ３は、ｎ行ｍ列（ｎ、ｍは整数）となっていれば良い。また、円形形状を基本としたウェハとする場合は、直径方向を基準として段階的に個数が減っていく配列としても良い。
また、配列蓋体Ｗ３、蓋体３に設けられるアルミニウム層３Ａは、蓋体３の一方の主面であって枠体２と接合する部分のみに成膜してもよい。
また、圧電片は、外周がベベル加工されたものであっても良い。
本発明は、圧電振動子の大きさが、特に、２ｍｍ×１．６ｍｍ以下となる場合に有効である。
また、配列蓋体Ｗ３、蓋体３に設けられるアルミニウム層３Ａは、蓋体３の一方の主面であって枠体２と接合する部分のみに成膜してもよい。
また、圧電片は、外周がベベル加工されたものであっても良い。
本発明は、圧電振動子の大きさが、特に、２ｍｍ×１．６ｍｍ以下となる場合に有効である。
１０、２０、３０、４０ 圧電振動子
１ 基板体
１Ａ、３Ａ アルミニウム層
１Ｂ、３Ｂ 下地層
１Ｃ 先端部接触凸部
１Ｄ 搭載用凸部
２ 枠体
３ 蓋体
４ 圧電振動素子
４Ａ 圧電片
４Ｂ 励振電極
Ｐ 搭載パッド
Ｓ スルーホール
Ｇ 外部接続端子
Ｈ 配線パターン
Ｋ 開口部
Ｗ１ 配列基板体
Ｗ２ 配列枠部
Ｗ３ 配列蓋体
１ 基板体
１Ａ、３Ａ アルミニウム層
１Ｂ、３Ｂ 下地層
１Ｃ 先端部接触凸部
１Ｄ 搭載用凸部
２ 枠体
３ 蓋体
４ 圧電振動素子
４Ａ 圧電片
４Ｂ 励振電極
Ｐ 搭載パッド
Ｓ スルーホール
Ｇ 外部接続端子
Ｈ 配線パターン
Ｋ 開口部
Ｗ１ 配列基板体
Ｗ２ 配列枠部
Ｗ３ 配列蓋体
Claims (5)
- 圧電片に励振電極が設けられた圧電振動素子と、
ガラスからなる枠体と、
ガラスの膨張係数に近い膨張係数を有する樹脂フィルムからなり前記枠体と接合する位置に成膜されるアルミニウム層と前記圧電振動素子の先端部と向かい合う位置に外部から押し込んで形成された先端部接触凸部とを備えた基板体と、
ガラスの膨張係数に近い膨張係数を有する樹脂フィルムからなり前記枠体と接合する位置に成膜されるアルミニウム層を備えた蓋体とを備え、
前記圧電振動素子が前記枠体に囲まれた状態で前記基板体に搭載され、
前記枠体と前記基板体と前記蓋体とが接合されて構成されることを特徴とする圧電振動子。 - 前記基板体に前記圧電振動素子を搭載する位置に外部から押し出されて形成された搭載用凸部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の圧電振動子。
- 前記ガラスの膨張係数に近い樹脂フィルムがアラミド基材であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧電振動子。
- 前記基板体と前記アルミニウム層との間及び前記蓋体と前記アルミニウム層との間にＮｉ−Ｃｒ合金（ニクロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）のいずれか１つの下地層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の圧電振動子。
- 前記下地層が３０〜２００オングストロームの膜厚となっていることを特徴とする請求項４に記載の圧電振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007021374A JP4938478B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 圧電振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007021374A JP4938478B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 圧電振動子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008187639A JP2008187639A (ja) | 2008-08-14 |
| JP4938478B2 true JP4938478B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=39730352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007021374A Expired - Fee Related JP4938478B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 圧電振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4938478B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8895362B2 (en) * | 2012-02-29 | 2014-11-25 | Corning Incorporated | Methods for bonding material layers to one another and resultant apparatus |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125483A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振器 |
| JP2006339896A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 |
| JP2007013628A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 |
-
2007
- 2007-01-31 JP JP2007021374A patent/JP4938478B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008187639A (ja) | 2008-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4588753B2 (ja) | 電子素子パッケージの製造方法および電子素子パッケージ | |
| JP4707725B2 (ja) | パッケージ型圧電振動子及びパッケージ型圧電振動子の製造方法 | |
| TWI517310B (zh) | Manufacturing method of electronic device package | |
| TWI506737B (zh) | A manufacturing method of an electronic device package, an electronic device package, and an oscillator | |
| JP5085240B2 (ja) | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 | |
| JP4647671B2 (ja) | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 | |
| US20100207696A1 (en) | Piezoelectric vibrator, method for manufacturing piezoelectric vibrator, and oscillator | |
| US10523173B2 (en) | Quartz crystal resonator and method for manufacturing the same, and quartz crystal resonator unit and method for manufacturing the same | |
| US8664837B2 (en) | Piezoelectric device and method for fabricating the same | |
| US8319404B2 (en) | Surface-mountable quartz-crystal devices and methods for manufacturing same | |
| KR20100092914A (ko) | 글래스 밀봉형 패키지의 제조 방법, 글래스 밀봉형 패키지의 제조 장치 및 발진기 | |
| JP2007081613A (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
| JP2007013636A (ja) | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 | |
| US20130049541A1 (en) | Surface mount type piezoelectric device | |
| EP2355343A2 (en) | Method of manufacturing package and method of manufacturing piezoelectric vibrator | |
| JP4938478B2 (ja) | 圧電振動子 | |
| US20130278114A1 (en) | Piezoelectric device and method for fabricating the same | |
| JP4830071B2 (ja) | 圧電振動装置及び圧電振動装置の製造方法 | |
| JP6429266B2 (ja) | 電子部品装置 | |
| JP4986611B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JP6383138B2 (ja) | 電子デバイス | |
| JP4916874B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JP5432533B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| JP2007013608A (ja) | 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子 | |
| JP2010177984A (ja) | 圧電振動子および圧電デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120110 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120131 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4938478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |