CN102334152A - 有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

有源矩阵基板，具备：多个开关元件，其设于绝缘性基板上；配线，其在绝缘性基板上设有多个，与开关元件连接；层间绝缘膜，其覆盖多个开关元件及配线；多个像素电极，其形成于层间绝缘膜上；以及多个端子，其从多个配线引出并以规定间隔配置。多个端子的至少一部分以从层间绝缘膜露出的状态设置。从绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的端子彼此之间的至少一部分区域且包含层间绝缘膜的端缘的区域设有反射光的反射层。

Description

有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的显示装置
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的显示装置。
背景技术
目前，已知有液晶显示装置、有机EL显示装置、及电泳显示装置等显示装置使用在玻璃基板上形成有多个TFT(Thin-FilmTransistor：薄膜晶体管)等开关元件的有源矩阵基板。
此外，通常，在具备有源矩阵基板的显示装置中，为提高显示画面的开口率，在该有源矩阵基板的最上层形成像素电极。
即，在构成有源矩阵基板的玻璃基板上，形成多个TFT、栅极配线及源极配线等，并且，以覆盖这些TFT及配线等的方式形成有层间绝缘膜。而且，在该层间绝缘膜的表面形成有像素电极。
由此，由于可将层间绝缘膜上的像素电极扩展形成至栅极配线上及源极配线上，因此，可增大像素电极的面积。此外，通过用旋涂厚地形成层间绝缘膜，降低像素电极和栅极配线及源极配线之间的寄生电容。因此，可得到抑制了串扰的发生且开口率大的液晶显示装置。
但是，在有源矩阵基板的端部区域形成上述层间绝缘膜的端部，并且，配置有在上述配线的端部形成的多个端子。该多个端子以规定的间隔并排配置，安装IC驱动器或FPC等外部电路构件。
但是，上述层间绝缘膜的端部由于在玻璃基板上构成大的台阶，因此，在该层间绝缘膜的端部附近，用于将像素电极图案化的抗蚀剂不被完全曝光而容易作为残渣产生。其结果是，因被抗蚀剂残渣覆盖的像素电极材料的残渣而有时相邻的端子间发生短路。
与之相对，专利文献1中公开有在端子间形成有机薄膜图案。由此，迅速地蚀刻有机薄膜图案上的像素电极材料，在端子间不残留像素电极材料。
专利文献2中公开有在端子间设置与层间绝缘膜相同的绝缘膜。此外，专利文献3中公开有沿层间绝缘膜的端部形成覆盖各端子的防短路用的绝缘膜。
此外，专利文献4中公开有边以不产生抗蚀剂残渣的方式过曝光抗蚀剂，边降低透射过抗蚀剂的光的配线带来的反射，由此适宜地形成像素电极。
专利文献5中公开有，通过将层间绝缘膜的端部的边界线从基板表面的法线方向看形成为凹凸状，使该层间绝缘膜的端部的倾斜角圆滑，抑制抗蚀剂残渣的产生。
此外，专利文献6中公开的有源矩阵基板，如平面图即图18所示，具有：形成于玻璃基板上的栅极绝缘膜101、形成于栅极绝缘膜101上且以规定的间隔配置有多个的端子102、以覆盖各端子102的一部分的方式形成于栅极绝缘膜101上的层间绝缘膜103。
而且，在层间绝缘膜103的端部形成有向各端子102间突出的凸部104。凸部104相对于玻璃基板表面的倾斜角度比未形成凸部104的层间绝缘膜103的端部的倾斜角度小。由此，在凸部104上不会产生抗蚀剂残渣，可以防止抗蚀剂残渣引起的端子102间的短路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平9-90397号公报
专利文献2：特开平10-153770号公报
专利文献3：特开平10-20339号公报
专利文献4：特开2000-2887号公报
专利文献5：特开平11-153809号公报
专利文献6：特开平11-24101号公报
发明内容
发明要解决的问题
上述专利文献6中记载有将凸部104的尺寸设为宽度70μm且突出长度50μm的例子、和宽度20μm且突出长度30μm的例子。但是，在该有源矩阵基板用于小型且进行高清晰显示的显示装置的情况下，端子间的间隔非常窄，因此，难以配置上述凸部104。
例如，在构成显示全HD(分辨率1920×1080条)的16.4吋的液晶显示装置并且安装有FPC的有源矩阵基板中，源极端子间的间距为25μm，其源极端子间的空间为13μm，非常窄。此外，对于构成3吋宽屏QVGA的液晶显示装置并且安装有COG的有源矩阵基板，也是栅极端子及源极端子的间距为17μm，该各端子间的空间分别为13μm，极窄。
此外，在各端子上安装FPC(Flexible Printed Circuit：柔性印刷基板)的情况下，由于凸部104的膜厚较大，所以该凸部104成为障碍物，也存在FPC的端子难以与基板侧的端子接触的问题。
本发明是鉴于这样几点而完成的，其目的在于抑制端子间的短路，并且使外部电路向端子的连接变得容易。
用于解决问题的方案
为实现上述目的，本发明的有源矩阵基板，具备：绝缘性基板；多个开关元件，其设于上述绝缘性基板上；配线，其在上述绝缘性基板上设有多个，与上述开关元件连接；层间绝缘膜，其覆盖多个上述开关元件及多个上述配线；多个像素电极，其形成于上述层间绝缘膜上；多个端子，其从多个上述配线引出并以规定的间隔配置，其中，多个上述端子的至少一部分以从上述层间绝缘膜露出的状态设置，从上述绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的上述端子彼此之间的至少一部分区域且包含上述层间绝缘膜的端缘的区域设有将光向与上述绝缘性基板相反的一侧反射的反射层。
上述反射层也可以各自独立地配置于相邻的上述端子彼此之间。
上述反射层也可以跨过上述各端子而形成，上述跨过的方向是该端子的宽度方向。
优选上述反射层包含金属层。
外部电路也可以连接于上述多个端子。
此外，本发明的显示装置，具备：有源矩阵基板；相对基板，其与上述有源矩阵基板相对配置；显示介质层，其设于上述有源矩阵基板和相对基板之间，其中，上述有源矩阵基板具备：绝缘性基板、设于上述绝缘性基板上的多个开关元件、在上述绝缘性基板上设有多个且与上述开关元件连接的配线、覆盖多个上述开关元件及多个上述配线的层间绝缘膜、形成于上述层间绝缘膜上的多个像素电极、以及从多个上述配线引出并以规定的间隔配置的多个端子，多个上述端子的至少一部分以从上述层间绝缘膜露出的状态设置，从上述绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的上述端子彼此之间的至少一部分区域且包含上述层间绝缘膜的端缘的区域设有将光向与上述绝缘性基板相反的一侧反射的反射层。
上述反射层也可以各自独立地配置于相邻的上述端子彼此之间。
上述反射层也可以跨过上述各端子而形成，上述跨过的方向是该端子的宽度方向。
优选上述反射层包含金属层。
外部电路也可以连接于上述多个端子。
上述显示介质层也可以为液晶层。
-作用-
其次，对本发明的作用进行说明。
在制造上述有源矩阵基板时，首先，在绝缘性基板上形成多个开关元件和多个配线。此外，将多个端子以从上述各配线引出的状态以规定的间隔配置于绝缘性基板上。
而且，从绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的端子彼此之间的至少一部分区域且包含层间绝缘膜的端缘的区域形成反射光的反射层。反射层例如可以包含金属层。反射层可以容易地薄膜化而形成，且可以通过光刻形成为高精度且微细的形状。
之后，在绝缘性基板上形成覆盖上述各开关元件及配线的层间绝缘膜。此时，以上述各端子的至少一部分从层间绝缘膜露出的方式形成上述层间绝缘膜。
像素电极可以通过光刻形成于层间绝缘膜上。该情况下，将覆盖层间绝缘膜的像素电极材料一样地形成于绝缘性基板上。之后，经由光掩模对以覆盖上述像素电极材料的方式形成的抗蚀剂进行曝光。通过除去曝光的区域，形成在未形成像素电极的区域开口的抗蚀剂的掩模。其次，通过蚀刻等除去从掩模露出的像素电极材料，由此，在层间绝缘膜上形成规定形状的像素电极。
本发明中，即使在层间绝缘膜的端缘附近的区域加厚抗蚀剂，也可以通过设于该区域的反射层反射透射过抗蚀剂的曝光的光，将该厚的抗蚀剂充分曝光。
反射层例如可以通过光刻微细地形成为例如数μm程度的宽度，因此，即使在端子间隔比较窄的情况下，也能够高精度地在端子间形成上述反射层。此外，由于反射层可以薄膜化且例如形成为0.1～0.5μm程度，因此，在安装外部电路的情况下，该外部电路也可以不与反射层发生干涉而容易地与端子连接。
这样，在设有反射层的区域，由于防止抗蚀剂残渣的产生，所以也可以防止像素电极材料的残渣的产生。其结果是端子间的短路被抑制。
发明效果
根据本发明，从绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的端子彼此之间的至少一部分区域且包含层间绝缘膜的端缘的区域设有反射层，因此，利用该反射层能防止层间绝缘膜的端缘附近区域的抗蚀剂残渣的产生，能防止像素电极材料的残渣的产生。其结果，能抑制端子间的短路，并且能使外部电路向端子的连接变得容易。
附图说明
图1是将本实施方式1的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图2是包含图1的II-II线截面的截面图。
图3是包含图1的III-III线截面的截面图。
图4是表示被曝光的抗蚀剂的截面图。
图5是表示本实施方式1的液晶显示装置的概略构造的截面图。
图6是表示本实施方式1的TFT基板的电路构成的电路图。
图7是表示在反射层上分断的像素电极材料的平面图。
图8是将本实施方式2的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图9是包含图8的IX-IX线截面的截面图。
图10是将本实施方式3的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图11是包含图10的XI-XI线截面的截面图。
图12是包含图10的XII-XII线截面的截面图。
图13是将本实施方式4的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图14是将本实施方式5的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图15是将本实施方式6的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图16是将本实施方式7的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图17是将本实施方式8的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
图18是将现有的有源矩阵基板的一部分放大表示的平面图。
具体实施方式
下面，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，本发明不限于以下的实施方式。
《发明的实施方式1》
图1～图7表示本发明的实施方式1。
图1是将本实施方式1的TFT基板的一部分放大表示的平面图。图2是包含图1的II-II线截面的截面图。图3是包含图1的III-III线截面的截面图。图4是表示被曝光的抗蚀剂的截面图。图5是表示本实施方式1的液晶显示装置的概略构造的截面图。图6是表示本实施方式1的TFT基板的电路构成的电路图。图7是表示在反射层上分断的像素电极材料的平面图。
本实施方式中，作为本发明的显示装置之一例，对液晶显示装置进行说明。
如图5所示，液晶显示装置1具备：作为有源矩阵基板的TFT基板11、与TFT基板11相对配置的相对基板12、设于TFT基板11及相对基板12之间的显示介质层即液晶层13。
在相对基板12上分别形成有图示省略的彩色滤光片、共用电极及黑矩阵等。此外，液晶层13通过设于上述TFT基板11和相对基板12之间的框状的密封构件23密封。
另一方面，如图2及图3所示，TFT基板11具备绝缘性基板即玻璃基板10，如图6所示具有矩阵状配置的多个像素16。在该玻璃基板10上，对每个像素16形成有作为开关元件的TFT(Thin-Film Transistor：薄膜晶体管)19。此外，在玻璃基板10上形成有与上述TFT19连接的多个栅极配线17及多个源极配线18。
多个栅极配线17彼此平行地延伸。此外，在玻璃基板10上形成有从基板表面的法线方向看配置于各栅极配线17之间且与该栅极配线17平行地延伸的电容配线20。这些栅极配线17及电容配线20由栅极绝缘膜14覆盖。
多个源极配线18形成于栅极绝缘膜14上且彼此平行地延伸，并且与上述栅极配线17交叉。即，包括栅极配线17及源极配线18的配线组作为整体形成为格子状。在该格子状的区域形成有上述像素16。此外，TFT19与这些栅极配线17及源极配线18连接。
此外，在玻璃基板10上形成有覆盖上述栅极配线17、源极配线18、电容配线20、及TFT 19的保护膜26及层间绝缘膜25。保护膜26例如包含无机膜，在其表面以较大的厚度(例如1～4μm程度的厚度)形成例如包含有机膜的层间绝缘膜25。此外，保护膜26未必为必要的构成。
在层间绝缘膜25上形成有用于对液晶层13施加电压进行驱动的多个像素电极15。像素电极15对每个像素16设置，经由形成于层间绝缘膜25的接触孔(未图示)与TFT 19连接。像素电极15例如通过作为透明导电膜的ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)及IZO(indium zinc oxide：铟锌氧化物)等形成。此外，像素电极15从基板表面的法线方向看，与配置于该像素电极15的周围的配线(栅极配线17及源极配线18)的一部分重合。
此外，在像素电极15和上述电容配线20重合的区域形成有均称为辅助电容的电容元件21。电容元件21对于各像素16分别设置，将各像素16的显示电压维持在大致一定。
在此，如图5所示，在TFT基板11上形成有设有上述多个像素16的显示区域51、和设于其周围的非显示区域52。如图6所示，在非显示区域52上形成有从上述栅极配线17引出并按规定的间隔配置的多个栅极端子17a、从源极配线18引出并按规定的间隔配置的多个源极端子18a。
此外，上述各端子17a、18a也可以分别由与栅极配线17相同的材料或与源极配线18相同的材料任一种形成。
在源极端子18a上，经由ACF(Anisotropic Conductive Film：各向异性导电膜)连接作为外部电路的源极驱动器的输出端子(未图示)，另一方面，在栅极端子17a上，同样经由ACF连接作为外部电路的栅极驱动器的输出端子(未图示)。
上述栅极端子17a及源极端子18a以其至少一部分从上述层间绝缘膜25露出的状态设置。即，如图1～图3所示，层间绝缘膜25的端部以从玻璃基板10表面的法线方向看横穿多个栅极端子17a及源极端子18a的方式形成。此外，层间绝缘膜25由于其厚度较大，所以在玻璃基板10上构成台阶。
如图1及图3所示，栅极端子17a包括形成于玻璃基板10上的第1焊盘31、一部分层叠于第1焊盘31的表面的第2焊盘32。
第1焊盘31包含与上述栅极配线17相同的材料，例如包含按顺序层叠了Ti、Al、及TiN的金属层、按顺序层叠了Cr或Mo和Al或包含Al的合金的金属层、或由Al或包含Al的合金构成的单层的金属层等。另一方面，第2焊盘32包含与像素电极15相同的材料即ITO等，沿上述第1焊盘31延伸。
如图2及图3所示，在玻璃基板10上以覆盖第1焊盘31的方式形成有栅极绝缘膜14。如图1所示，在栅极绝缘膜14上贯通形成有在第1焊盘31上沿该第1焊盘31延伸的缝隙状的接触部33。这样，设于栅极绝缘膜14上的第2焊盘32经由接触部33与第1焊盘31连接。
在栅极绝缘膜14上，在包含层间绝缘膜25的端缘的区域层叠有第1半导体层28。上述保护膜26的一部分从栅极绝缘膜14上跨上、层叠于第1半导体层28的表面。而且，如图3所示，保护膜26及层间绝缘膜25的各侧面作为整体构成连续的一个侧面。
另一方面，在与设有上述保护膜26的一侧相反的侧的端部，上述第2焊盘32的端部从第1焊盘31上跨上、层叠于第1半导体层28的表面。此外，在第2焊盘32和层间绝缘膜25的端缘之间设有数μm～数十μm程度的间隙。
而且，作为本发明的特征，如图1及图2所示，从玻璃基板10表面的法线方向看，在相邻的栅极端子17a彼此之间的至少一部分区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域分别设有将光向与玻璃基板10相反的一侧反射的反射层40。
本实施方式1的反射层40包含与源极配线18相同的材料，被各自分别独立地配置于相邻的栅极端子17a彼此之间。即，反射层40以不与栅极端子17a重合的方式配置。之后，对配置于栅极端子17a彼此之间的反射层40进行说明。
如图2所示，在玻璃基板10上的栅极端子17a彼此之间的区域形成有栅极绝缘膜14，其一部分与层间绝缘膜25重合。反射层40包括：层叠于该栅极绝缘膜14的表面的第1金属层41、和层叠于该第1金属层41的表面一部分的第2金属层42。第1金属层41例如包含Ti层，第2金属层42例如包含Al层。
第2金属层42被配置于第1金属层41的表面的与层间绝缘膜25重合的区域。而且，上述保护膜26的一部分从玻璃基板10上跨上、层叠于第2金属层42的表面。由此，如图2所示，第2金属层42、保护膜26、及层间绝缘膜25的各侧面作为整体构成连续的一个侧面。
此外，第2金属层42未必是必要的构成，也可以仅设置第1金属层41。此外，第1金属层41也可以为按顺序层叠了Cr或Mo和Al或包含Al的合金的金属层、或由Al或包含Al的合金构成的单层的金属层。此外，从进一步提高反射层40的反射效果的观点出发，优选将反射率高的Al层设于最上层。
这样，反射层40被配置于与第1焊盘31不同的层。
-制造方法-
其次，对具有上述TFT基板11的液晶显示装置1的制造方法进行说明。
液晶显示装置1通过隔着液晶层13及密封构件23将预先形成的TFT基板11及相对基板12贴合来制造。
在制造TFT基板11时，首先，通过光刻在玻璃基板10上形成多个TFT 19和多个配线17、18、20。即，在玻璃基板10的表面分别以规定的间隔形成栅极配线17、栅极端子17a的第1焊盘31。栅极配线17及第1焊盘31是例如按顺序层叠形成Ti、Al、及TiN的各层。
其次，在玻璃基板10上以覆盖上述栅极配线17及第1焊盘31的一部分的方式形成栅极绝缘膜14。之后，如图3所示，在覆盖第1焊盘31的栅极绝缘膜14的端部表面，通过光刻及蚀刻形成第1半导体层28。
另一方面，如图2所示，在设于相邻的第1焊盘31彼此之间的栅极绝缘膜14的表面，以与源极配线18相同的工序同时形成反射层40。反射层40的第1金属层41是通过光刻及蚀刻岛状地形成例如Ti层。
之后，在第1金属层41的表面形成构成第2金属层42的例如Al层。其次，以覆盖这些Al层及第1半导体层28的方式沉积构成保护膜26的无机膜、及构成层间绝缘膜25的有机膜。之后，通过光刻及蚀刻将这些Al层、无机膜、有机膜图案化。
由此，形成第2金属层42、保护膜26、层间绝缘膜25。此时，如图1所示，在层间绝缘膜25上形成横穿各栅极端子17a的端缘，并且，第1焊盘31、第1金属层41的一部分、及第1半导体层28的一部分从层间绝缘膜25露出。这样，在相邻的各第1焊盘31(栅极端子17a)彼此之间的区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域形成反射层40。
其次，通过光刻及蚀刻形成像素电极15。首先，如图4所示，以覆盖层间绝缘膜25的方式在玻璃基板10上同样地形成包含ITO等的像素电极材料35。之后，将以覆盖上述像素电极材料35的方式形成的抗蚀剂36经由光掩模进行曝光。接着，通过除去上述曝光的区域，形成在未形成像素电极15及第2焊盘32的区域开口的抗蚀剂36的掩模。
接着，通过蚀刻除去从上述抗蚀剂36的掩模露出的像素电极材料35，由此，在层间绝缘膜25的表面形成规定形状的像素电极15，并且，在第1焊盘31的表面形成第2焊盘32。
在本实施方式1中，在层间绝缘膜25的端缘附近区域，通过反射层40将透射过抗蚀剂36的曝光的光向与玻璃基板10相反的一侧反射，因此，该反射层40上的抗蚀剂36相比其它部分被充分地曝光。
之后，形成覆盖上述像素电极15及层间绝缘膜25的取向膜(未图示)，制造TFT基板11。
-实施方式1的效果-
因此，根据本实施方式1，从玻璃基板10的表面的法线方向看，在相邻的端子17a彼此之间的区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域设置反射层40，因此，通过该反射层40将在层间绝缘膜25的端缘附近区域透射过抗蚀剂36的曝光的光向与玻璃基板10相反的一侧反射，可以将设有该反射层40的区域的抗蚀剂36充分曝光。因此，在设有该反射层40的区域可以防止产生抗蚀剂36的残渣。
因此，如图7所示，即使假如在端子17a彼此之间的区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域产生像素电极材料35的残渣，在设有反射层40的区域也能够可靠地除去抗蚀剂36，使得像素电极35的残渣不会产生。因此，在端子17a间产生的像素电极材料35由于在反射层40上被分断，所以在层间绝缘膜25的端缘附近区域可以抑制相邻的各端子17a间的短路。
此外，与将较厚的层间绝缘膜25的一部分配置于相邻的各端子17a间的构成不同，可以容易地将反射层40形成得薄，因此，可以防止反射层40和外部电路的干涉，使外部电路向各端子17a的连接变得容易。
此外，反射层40由于可以包含金属层等，所以即使在相邻的端子17a的间隔比较窄的情况下，也能够通过光刻等形成高精度且微细的形状。即，对于小型且进行高清晰显示的液晶显示装置1及用于其的TFT基板11，也可以适宜地抑制该各端子17a间的短路。
此外，由于在与第1焊盘31不同的层形成反射层40，所以能够可靠地防止这些反射层40和第1焊盘31之间的短路。
因此，即使对于配线17、18及端子17a的间隔窄的TFT基板11，也能够抑制端子17a间的短路，并且能够使外部电路向端子17a的连接变得容易。此外，不限于第1半导体层28，通过配置其它高电阻膜，也能够得到同样的效果。
此外，由于将反射层40层叠设置于栅极绝缘膜14上，所以可以使层间绝缘膜25的端部附近的台阶形状比较圆滑，可以通过反射层40高效地进行抗蚀剂36的曝光。
此外，第2焊盘32不是必须的构成，但通过设置第2焊盘32，可以抑制第1焊盘31的腐蚀。
此外，由于在第2焊盘32和层间绝缘膜25的端缘之间设置数μm～数十μm程度的间隙，所以在各端子17a上连接FPC等外部电路时，可以避免数μm程度的导电性粒子沿层间绝缘膜25的端缘并排引起的漏电不良的产生。因此，能够确保对于连接FPC等外部电路时的错位的余量。
《发明的实施方式2》
图8及图9表示本发明的实施方式2。
图8是将本实施方式2的TFT基板的一部分放大表示的平面图。图9是包含图8的IX-IX线截面的截面图。此外，在之后的各实施方式中，对于与图1～图6相同的部分标注相同的符号，省略其详细的说明。
上述实施方式1中，仅在相邻的端子17a之间设有反射层40，与之相对，在本实施方式2中，在端子17a上还配置反射层40。
即，如图8所示，本实施方式2的反射层40与上述实施方式1相同，沿层间绝缘膜25的端缘断续地配置，并且，跨端子17a的宽度方向分别形成各端子17a。相邻的反射层40彼此的间隔优选设为例如3μm以上。由此，能够确保对于连接FPC等的外部电路时的错位的余量。
在上述玻璃基板10的表面，与上述实施方式1相同，第1焊盘31按规定的间隔形成，并且，以覆盖第1焊盘31的一部分的方式形成有栅极绝缘膜14。如图8所示，在栅极绝缘膜14上贯通形成有在第1焊盘31上沿该第1焊盘31延伸的缝隙状的接触部33。这样，设于栅极绝缘膜14上的第2焊盘32经由接触部33与第1焊盘31连接。
此外，在栅极绝缘膜14上形成有第1半导体层28。第1半导体层28的一部分与层间绝缘膜25重合。
在第1半导体层28的表面层叠有第2半导体层29及第1金属层41，该第2半导体层29及第1金属层41的各一部分与层间绝缘膜25重合。此外，在第1金属层41的表面的与层间绝缘膜25重合的区域层叠有第2金属层42。
此外，保护膜26的一部分从栅极绝缘膜14上跨上、层叠于第2金属层42的表面。这样，如图9所示，第2金属层42、保护膜26、及层间绝缘膜25的各侧面作为整体构成连续的一个侧面。
另一方面，在与设置上述保护膜26的一侧相反的一侧的端部，上述第2焊盘32的端部从第1焊盘31上跨上、层叠于第1半导体层28的表面。
在制造本实施方式2的TFT基板11的情况下，在栅极绝缘膜14上形成了第1半导体层28及第2半导体层29后，在该第2半导体层29的表面形成例如包含Ti层的第1金属层41。其次，在第1金属层41的一部分表面形成包含Al层的第2金属层42。第2金属层42与上述实施方式1相同，通过光刻及蚀刻与保护膜26及层间绝缘膜25一同形成。
之后，与上述实施方式1相同，一样地沉积ITO等像素电极材料35及抗蚀剂36，将抗蚀剂36曝光。此时，在层间绝缘膜25的端缘附近区域，透射过抗蚀剂36的曝光的光通过反射层40被反射，因此，该反射层40上的抗蚀剂36相比其它部分被充分曝光。
然后，在层间绝缘膜25上形成像素电极15，并且，在第1焊盘31上形成第2焊盘32，制造TFT基板11。
-实施方式2的效果-
因此，根据本实施方式2，由于也将反射层40的一部分配置于相邻的各端子17a间，所以与上述实施方式1相同，在设有反射层40的层间绝缘膜25的端缘附近区域，能够防止抗蚀剂36的残渣及像素电极材料35的残渣产生，因此，能够抑制相邻的各端子17a间的短路。而且，由于可以容易地减薄形成反射层40，所以可以使外部电路向各端子17a的连接变得容易。
《发明的实施方式3》
图10～图12表示本发明的实施方式3。
图10是将本实施方式3的TFT基板的一部分放大表示的平面图。图11是包含图10的XI-XI线截面的截面图。图12是包含图10的XII-XII线截面的截面图。
上述实施方式1中，在相邻的栅极端子17a彼此之间形成有包含与源极配线18相同的材料的反射层40，与之相对，在本实施方式3中，在相邻的栅极端子17a彼此之间形成包含与栅极配线17相同的材料的反射层40。
栅极端子17a为与上述实施方式1相同的构成，如图10及图12所示，其包括：形成于玻璃基板10上的第1焊盘31、一部分层叠于第1焊盘31的表面的第2焊盘32。第1焊盘31包含与栅极配线17相同的材料，另一方面，第2焊盘62包含与像素电极15相同的材料即ITO等。而且，第2焊盘32经由形成于栅极绝缘膜14的接触部33与第1焊盘31连接。
在栅极绝缘膜14上，在包含层间绝缘膜25的端缘的区域层叠有第1半导体层28。第1半导体层28形成为例如0.2μm以下的厚度。上述保护膜26的一部分从栅极绝缘膜14上跨上、层叠于第1半导体层28的表面。在保护膜26的表面，以较大的厚度(例如1～4μm程度的厚度)形成有例如包含有机膜的层间绝缘膜25。
另一方面，在与设有上述保护膜26的一侧相反的一侧的端部，上述第2焊盘62的端部从第1焊盘61上跨上、层叠于第1半导体层28的表面。此外，在第2焊盘62和层间绝缘膜25的端缘之间设有数μm～数十μm程度的间隙。
而且，如图10及图11所示，从玻璃基板10表面的法线方向看，在相邻的栅极端子17a彼此之间的至少一部分区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域分别设有反射光的反射层40。
本实施方式3的反射层40包含与栅极配线17相同的材料，如图11所示，形成于玻璃基板10的表面，并且由栅极绝缘膜14覆盖。而且，反射层40与栅极端子17a不重合地配置，并且，各自分别独立地设于相邻的栅极端子17a彼此之间。
在制造具有上述TFT基板11的液晶显示装置1时，通过光刻及蚀刻进行形成于玻璃基板10的例如包含Ti、Al、及TiN各层的金属层，由此，可以以相同的工序同时形成栅极配线17、第1焊盘31、及反射层40。
在此，金属层不限于Ti、Al、及TiN的层叠膜。也可以是按顺序层叠有Cr或Mo和Al或包含Al的合金的金属层、或由Al或包含Al的合金构成的单层的金属层等。此外，从进一步提高反射层40的反射效果的观点考虑，优选在最上层设置反射率高的Al层。
其次，在以覆盖上述栅极配线17、第1焊盘31、及反射层40的方式形成栅极绝缘膜14后，在该栅极绝缘膜14上形成第1半导体层28及接触部33。之后，与上述实施方式1相同，在栅极绝缘膜14上形成保护膜26及层间绝缘膜25。
其次，通过光刻及蚀刻形成像素电极15。即，与上述实施方式1相同，以覆盖层间绝缘膜25的方式在整个玻璃基板10上沉积包含ITO等的像素电极材料35，进而，以覆盖该像素电极材料35整体的方式形成抗蚀剂36(参照图4)。然后，经由光掩模(未图示)对该抗蚀剂36进行曝光，通过显影，形成抗蚀剂36的掩模。
之后，通过蚀刻除去从抗蚀剂36的掩模露出的像素电极材料35，由此，在层间绝缘膜25的表面形成规定形状的像素电极15，并且，在第1焊盘31的表面形成第2焊盘32。
本实施方式3中，在层间绝缘膜25的端缘附近区域，由反射层40反射透射过抗蚀剂36、第1半导体层28及栅极绝缘膜14的曝光的光，因此，该反射层40上的抗蚀剂36相比其它部分被充分曝光。这样制造TFT基板11。
-实施方式3的效果-
因此，根据本实施方式3，从玻璃基板10的表面的法线方向看，在相邻的栅极端子17a彼此之间的区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域配置反射层40，因此，通过由反射层40反射的光可以将设有当该反射层40的层间绝缘膜25的端缘附近区域的抗蚀剂36充分曝光，因此，可以得到与上述实施方式1相同的效果。
而且，由于由栅极绝缘膜14覆盖反射层40整体，因此，假如外部电路等其它构件接触，也能够防止经由反射层40的电短路。
《发明的实施方式4》
图13表示本发明的实施方式4。
图13是将本实施方式4的TFT基板的一部分放大表示的平面图。此外，图13的XI-XI线截面图相当于图11。此外，图13的XII-XII线截面图相当于图12。
上述实施方式3中，将反射层40在相邻的栅极端子17a彼此之间岛状地形成，与之相对，本实施方式4中，将反射层40与栅极端子17a一体形成。
即，如图13所示，反射层40与第1焊盘31一体形成，并且，以在包含层间绝缘膜25的端缘的区域沿该端缘延伸的方式在栅极端子17a的宽度方向两侧突出形成。此外，在相邻的反射层40彼此之间分别设有间隙。
-实施方式4的效果-
因此，在本实施方式4中，在相邻的栅极端子17a彼此之间，以被栅极绝缘膜14覆盖的状态配置反射层40整体，因此，可以得到与上述实施方式3相同的效果。
《发明的实施方式5》
图14表示本发明的实施方式5。
图14是将本实施方式5的TFT基板的一部分放大表示的平面图。此外，图14的XI-XI线截面图相当于图11。此外，图14的XII-XII线截面图相当于图12。
上述实施方式4中，将反射层40在栅极端子17a的宽度方向两侧突出形成，与之相对，本实施方式5中，将反射层40向栅极端子17a的宽度方向一侧突出形成。
-实施方式5的效果-
因此，本实施方式5中，在相邻的栅极端子17a彼此之间以被栅极绝缘膜14覆盖的状态配置反射层40整体，因此，可以得到与上述实施方式3相同的效果。
《发明的实施方式6》
图15表示本发明的实施方式6。
图15是将本实施方式6的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
上述实施方式1中，在相邻的栅极端子17a彼此之间形成有包含与源极配线18相同的材料的反射层40，与之相对，本实施方式6中，在相邻的源极端子18a彼此之间形成包含与栅极配线17相同的材料的反射层40。
如图15所示，源极端子18a，与栅极端子17a相同，包括形成于玻璃基板10上的第1焊盘61、和一部分层叠于第1焊盘61的表面的第2焊盘62。
第1焊盘61包含与源极配线18相同的材料，例如包含Al等金属层。另一方面，第2焊盘62包含与像素电极15相同的材料即ITO等，沿上述第1焊盘61延伸。
在玻璃基板10上，以覆盖第1焊盘61的方式形成有栅极绝缘膜(未图示)。如图15所示，在栅极绝缘膜上贯通形成有在第1焊盘61上沿该第1焊盘61延伸的缝隙状的接触部63。而且，设于栅极绝缘膜14上的第2焊盘62经由接触部63与第1焊盘61连接。
在栅极绝缘膜14上，与上述实施方式1相同，在包含层间绝缘膜25的端缘的区域层叠有第1半导体层(未图示)。保护膜(未图示)的一部分从栅极绝缘膜上跨上、层叠于第1半导体层的表面。另一方面，在与设有保护膜26的一侧相反的一侧的端部，第2焊盘62的端部从第1焊盘61上跨上、层叠于第1半导体层的表面。
而且，如图15所示，从玻璃基板10表面的法线方向看，在相邻的源极端子18a彼此之间的至少一部分区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域分别设有反射光的反射层40。
本实施方式6的反射层40，与上述实施方式3相同，包含与栅极配线17相同的材料，形成于玻璃基板10的表面。此外，反射层40由栅极绝缘膜覆盖。而且，反射层40与源极端子18a不重合地配置，并且，各自分别独立地设于相邻的源极端子18a彼此之间。
在制造具有上述TFT基板11的液晶显示装置1时，与上述实施方式3相同，以相同的工序同时形成栅极配线17及反射层40。其次，在以覆盖上述栅极配线17及反射层40的方式形成栅极绝缘膜后，在该栅极绝缘膜形成第1半导体层及接触部63。之后，与上述实施方式1相同，在栅极绝缘膜上形成保护膜及层间绝缘膜25。
其次，与上述实施方式3相同，通过光刻及蚀刻形成像素电极15。即，在玻璃基板10整体上按顺序沉积像素电极材料35及抗蚀剂36，且对抗蚀剂36进行曝光及显影，形成光掩模。
此时，在层间绝缘膜25的端缘附近区域，透射过抗蚀剂36等的曝光的光由反射层40反射，因此，该反射层40上的抗蚀剂36相比其它部分被充分曝光。
-实施方式6的效果-
因此，根据本实施方式6，从玻璃基板10的表面的法线方向看，在相邻的源极端子18a彼此之间的区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域配置了反射层40，因此，可以通过由反射层40反射的光将设有该反射层40的层间绝缘膜25的端缘附近区域的抗蚀剂36充分曝光，因此，可以得到与上述实施方式1相同的效果。
而且，由于由栅极绝缘膜覆盖反射层40整体，因此，假如外部电路等的其它构件接触，也能够防止经由反射层40的电短路。
《发明的实施方式7》
图16表示本发明的实施方式7。
图16是将本实施方式7的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
上述实施方式6中，将反射层40在相邻的源极端子18a彼此之间形成为岛状，与之相对，本实施方式7中，以第1焊盘61跨过的方式形成岛状地形成的反射层40。
即，如图16所示，多个反射层40沿层间绝缘膜25的端缘以规定的间隔配置。而且，各反射层40与源极端子18a的第1焊盘61交叉配置。由此，从玻璃基板10的法线方向看，反射层40向源极端子18a的宽度方向两侧突出。
-实施方式7的效果-
因此，本实施方式7中，从玻璃基板10的表面的法线方向看，在相邻的源极端子18a彼此之间的区域且包含层间绝缘膜25的端缘的区域配置了反射层40，因此，可通过由反射层40反射的光将层间绝缘膜25的端缘附近区域的抗蚀剂36充分地曝光，因此，可以得到与上述实施方式1相同的效果。
而且，由于由栅极绝缘膜覆盖反射层40整体，所以，假如外部电路等其它构件接触，也能够防止经由反射层40的电短路。
《发明的实施方式8》
图17表示本发明的实施方式8。
图17是将本实施方式8的TFT基板的一部分放大表示的平面图。
上述实施方式7中，将反射层40以向源极端子18a的宽度方向两侧突出的方式与该源极端子18a交叉配置，与之相对，本实施方式8中，将反射层40以向源极端子18a的宽度方向一侧突出的方式配置。
即，如图17所示，多个反射层40沿层间绝缘膜25的端缘以规定的间隔配置。而且，各反射层40，其一部分区域与第1焊盘61重合，并且，其他剩余的区域从第1焊盘61向层间绝缘膜25的端缘方向的一侧伸出。在该伸出的一侧的反射层40的端部和相邻的源极端子18a之间设有规定的间隙。
-实施方式8的效果-
因此，在本实施方式8中，在相邻的源极端子18a彼此之间以被栅极绝缘膜14覆盖的状态配置反射层40整体，因此，可以得到与上述实施方式7相同的效果。
《其它实施方式》
上述各实施方式中，列举形成有多个TFT的TFT基板11进行说明，但本发明不限于此，例如也可以为形成有多个TFD等其它开关元件的有源矩阵基板。
此外，上述各实施方式中，对连接外部电路的端子进行了说明，但本发明不限于此，对于用于输入检查信号的端子等其它端子，也同样可以应用本发明。
此外，外部电路不限于输入信号的电路，也可以为读取信号的电路。即，对于X射线传感器或触摸面板等其它电路也可以应用。
此外，本发明中的端子不仅是栅极端子或源极端子，而且也可以是用于向相对基板12的共用电极输入相对信号的端子、或用于向单片式地形成于有源矩阵基板的驱动电路输入电源信号的端子等。
此外，上述各实施方式中，对在相邻的各端子间分别设置反射层40的例子进行了说明，但本发明不限于此，也可以在至少一个端子间设置反射层。但是，从可靠地防止端子之间的短路的观点考虑，优选在各端子间分别设置反射层40。
此外，在上述实施方式6～8中，对将由与栅极配线17相同的材料形成的反射层40配置于相邻的源极端子18a彼此之间的例子进行了说明，但此外，也可以将由与源极配线18相同的材料形成的反射层40配置于相邻的源极端子18a彼此之间。这样，也可以得到与上述实施方式1相同的效果。
此外，上述实施方式3～8中，由栅极绝缘膜14覆盖反射层40整体，但本发明不限于此，也可以由其它绝缘膜覆盖反射层40整体。
此外，上述各实施方式中，列举液晶显示装置1进行了说明，但本发明不限于此，例如对于显示介质层为发光层的有机EL显示装置等其它显示装置也可以应用。
产业上的可利用性
如以上说明，本发明对于有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的显示装置是有用的。
附图标记说明
1 液晶显示装置
10 玻璃基板(绝缘性基板)
11 TFT基板(有源矩阵基板)
12 相对基板
13 液晶层(显示介质层)
14 栅极绝缘膜(绝缘膜)
15 像素电极
17 栅极配线
17a 栅极端子
18 源极配线
18a 源极端子
19 TFT(开关元件)
25 层间绝缘膜
28 第1半导体层
29 第2半导体层
31 第1焊盘(端子)
32 第2焊盘(端子)
35 像素电极材料
36 抗蚀剂
40 反射层
41 第1金属层(反射层)
42 第2金属层(反射层)

Claims (13)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：
绝缘性基板；
多个开关元件，其设于上述绝缘性基板上；
配线，其在上述绝缘性基板上设有多个，与上述开关元件连接；
层间绝缘膜，其覆盖多个上述开关元件及多个上述配线；
多个像素电极，其形成于上述层间绝缘膜上；以及
多个端子，其从多个上述配线引出并以规定的间隔配置，
多个上述端子的至少一部分以从上述层间绝缘膜露出的状态设置，
从上述绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的上述端子彼此之间的至少一部分区域且包含上述层间绝缘膜的端缘的区域设有将光向与上述绝缘性基板相反的一侧反射的反射层。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述反射层各自独立地配置于相邻的上述端子彼此之间。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述反射层跨过上述各端子而形成，上述跨过的方向是该端子的宽度方向。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述反射层包含金属层。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
外部电路连接于上述多个端子。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述反射层整体由绝缘膜覆盖。
7.一种显示装置，其特征在于，具备：
有源矩阵基板；
相对基板，其与上述有源矩阵基板相对配置；以及
显示介质层，其设于上述有源矩阵基板和相对基板之间，
上述有源矩阵基板具备：绝缘性基板、设于上述绝缘性基板上的多个开关元件、在上述绝缘性基板上设有多个且与上述开关元件连接的配线、覆盖多个上述开关元件及多个上述配线的层间绝缘膜、形成于上述层间绝缘膜上的多个像素电极、以及从多个上述配线引出并以规定的间隔配置的多个端子，
多个上述端子的至少一部分以从上述层间绝缘膜露出的状态设置，
从上述绝缘性基板的表面的法线方向看，在相邻的上述端子彼此之间的至少一部分区域且包含上述层间绝缘膜的端缘的区域设有将光向与上述绝缘性基板相反的一侧反射的反射层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
上述反射层各自独立地配置于相邻的上述端子彼此之间。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
上述反射层跨过上述各端子而形成，上述跨过的方向是该端子的宽度方向。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述反射层包含金属层。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，
外部电路连接于上述多个端子。
12.根据权利要求7～11中任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述反射层整体由绝缘膜覆盖。
13.根据权利要求7～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述显示介质层为液晶层。
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