CN102272954A - 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法 - Google Patents

用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102272954A
CN102272954A CN2009801541863A CN200980154186A CN102272954A CN 102272954 A CN102272954 A CN 102272954A CN 2009801541863 A CN2009801541863 A CN 2009801541863A CN 200980154186 A CN200980154186 A CN 200980154186A CN 102272954 A CN102272954 A CN 102272954A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluorescent powder
layer
substrate
polymer
subsystem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801541863A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102272954B (zh
Inventor
C.陈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MAVEN Optronics Corp
Original Assignee
MAVEN Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MAVEN Optronics Corp filed Critical MAVEN Optronics Corp
Priority to CN201511021086.7A priority Critical patent/CN105655469B/zh
Publication of CN102272954A publication Critical patent/CN102272954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102272954B publication Critical patent/CN102272954B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/54—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored; Luminescent coatings on vessels
    • H01J1/62—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
    • H01J1/64—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels characterised by the binder or adhesive for securing the luminescent material to its support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/54—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored; Luminescent coatings on vessels
    • H01J1/62—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
    • H01J1/68—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels with superimposed luminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/54—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored; Luminescent coatings on vessels
    • H01J1/62—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
    • H01J1/70—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels with protective, conductive, or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/125—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using electrolytic deposition e.g. in-situ electropolymerisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

薄膜荧光粉层可通过改进的沉积方法形成，所述方法包括：(1)形成大致均匀分布在基片表面上的荧光粉层；和(2)形成聚合物粘合剂层以填充松散堆积的荧光粉颗粒之间的缝隙，因而形成大致连续的薄膜层。

Description

用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2008年11月13日提交的美国临时申请No.61/114,198的权益，其所公开的内容在此以引用方式全部并入本文。
发明领域
本发明一般涉及发光装置，并且更具体地说，涉及用于形成靠近半导体发光装置的薄膜荧光粉层的薄膜荧光粉沉积方法。
背景技术
固态光穿过发光二极管(简称SSL-LED)涉及产生用于照明的白光的固态、无机半导体发光二极管的使用。如同取代测算用真空管的无机半导体晶体管，SSL-LED是有可能取代用于传统白炽灯或荧光灯的真空管或充气管的突破性技术。SSL-LED相比于常规光源的优点包括：(1)效率更高和联合节能；(2)颜色呈现更好；(3)形状因子小；(4)坚固性；(5)使用寿命更长和维修费用低；(6)环境友好；和(7)制造费用低。
传统LED通常产生具有狭窄发射光谱的单色光，并且因此通常缺乏用于提供照明用白色光的宽发射光谱。为了从LED中产生白光，由LED中的辐射复合导致的窄带发射转换成宽带白光光谱。这样的宽带白光光谱能够通过三种常用的方法产生。第一种方法是波长转换方法，通过使用紫外线(“UV”)LED刺激在下转换波长发出可见光的多色荧光。第二种方法通过联合多个LED的混合颜色方法，其中每一个LED产生不同颜色的光。第三种方法使用上述两种方法的混合。目前商用白色LED的产生主要是基于这种混合方法。特别地，从蓝色的InGaN型LED发出的初级光与从浅黄色的YAG:Ce3+型无机荧光粉发出的下转换二级光混合。部分传输的蓝光和重新发出的黄光的结合显示出冷淡(绿蓝色)白光的外观。因此，白色LED的荧光粉涂敷技术涉及使用长波转换方法或混合方法。
下面描述的是目前的荧光粉涂敷方法。第一种方法如图1A所述，是一种包括使用混合于聚合物系统(例如聚丙烯、聚碳酸酯、环氧树脂、硅酮树脂)中的荧光粉粒子和颗粒1的料浆法。将混合的荧光粉料浆分配在LED芯片2上或者分布在LED芯片2的周围，接着干燥或固化液体聚合物系统。LED芯片2与荧光粉料浆一起可以沉积在反射杯3内，如图1A所示。虽然料浆方法是一种方便的荧光粉分配方法，但是用此料浆方法生产的LED的所得颜色均匀性通常不令人满意，并且可以从不同视角观察到色环。这些缺陷的结果是：(1)LED芯片周围的含荧光粉材料的厚度的变化可以导致在发出的光逃逸封装之前光程的长度变化；和(2)在含荧光粉材料内不均匀的荧光粉分配(由于重力和浮力效应)在液体聚合物固化过程中倾向于向下移动较大的荧光粉颗粒。此外，由于分配在LED芯片周围的荧光粉末数量的变化，所以白色坐标会因设备的不同而不同。反过来，这种颜色的变化导致复合白色LED的分选过程，所谓颜色分级就是试图根据其白色坐标通过分选每个装置来管理颜色变化。
为了测量发出的光的均匀性，可以使用相关色温(Correlated ColorTemperature)(“CCT”)的变化。发光装置的色温可以通过与理论的黑体热辐射器比较它的色调来确定。黑体散热器匹配发光装置色调时的温度(以度开尔文表示)就是该装置的色温。白炽灯光源可以接近于一个黑体辐射器，但是许多其他的发光装置并不以黑体曲线的形式发出辐射，并且因此指派CCT。发光装置的CCT是最接近匹配设备的感知颜色的黑体散热器的色温。开尔文等级越高，光越“冷”或越蓝。开尔文等级越低，光越“热”或越黄。通过在不同光发射角度测量CCT并且比较不同发光装置的这种变化，可以量化所产生的光的均匀性。通过料浆法分配有黄色荧光粉的蓝色LED芯片的典型CCT在与LED中央发光轴的光发射角度为±70°时，可以从约5,800K到约7,200K变化，横跨约1400K的范围。由于色环的出现，在或者接近中心轴的CCT通常要比周边的高，在周边发出的光较黄。
用于制造荧光粉转换型(phosphor-converted)白色LED的第二种荧光粉涂敷法是电脉沉积法(“EPD”)法，如图1B所示。在EPD的情况，通过向液体溶剂中添加适量的电解质以形成悬浮液而使荧光粉带电，然后被电场偏置。然后，将表面带电的荧光粉颗粒移动到极性相反的电极并且在电极上涂敷。荧光粉颗粒的EPD产生厚度相对均匀的荧光粉层4，该荧光粉层能够产生均匀性更高以及色环减少的白光。虽然实现了更好的颜色均匀性，但是EPD法通常不能直接将荧光粉沉积在非导电性表面。在商业化生产中，根据所谓的近端荧光粉配置，将荧光粉层通常直接涂敷在LED芯片5之上。这种配置在光散射方面是低效的，这是因为近端荧光粉层能将约60％的总白光发射引导回到LED芯片5，从而在LED芯片5上可发生高损失。EPD法的另一缺点是某些荧光粉容易被溶剂降解，因而限制了EPD法的一般适用性。
最近，如图2所示，另一种方法涉及通过高压加热荧光粉颗粒直到荧光粉颗粒表面变软并熔化而形成发光陶瓷板6。部分熔融的颗粒能够粘在一起形成包括坚硬的颗粒聚集物的陶瓷板6。将发光陶瓷板6布置在由LED芯片7发出的光程上，其中LED芯片7布置在一组电极8之上。虽然在坚固性、降低温度敏感性以及减少颜色在芯片之间的颜色变化等方面提供好处，但是由于近端荧光粉配置导致封装效率不理想。
商用白色LED的散射效率(有时也称为封装效率)通常在40％到60％之间，由于通过诸如LED芯片、引线框架或基台等内部封装元件的光吸收具有效率损失。图3描述了由蓝色LED 32供以动力的具有黄色荧光粉的荧光粉转换型白色LED的例子，其中初级蓝光34经过与二级黄色光31混合以形成白色，主要的光源损失由LED芯片32吸收光引起的。因为，LED芯片32通常由高折射率材料制成，由于全内反射(“TIR”)光子往往被捕获在LED芯片32内，一旦光子撞击并且进入LED芯片32。另一潜在的光源损失由LED封装内镜面反射器33的不完善引起的。
图3所描述的几个场景能够将光导入高吸收性LED芯片32。第一，由LED芯片32发出的初级光36可以通过荧光粉末31或镜面反射器33反射回芯片32。第二，由荧光粉31发出的下转换二级光37能够向后散射回芯片32。第三，初级光和二级光38由于在空气-LED封装界面的TIR都能够向着芯片32反射回。为了提高光从封装逃逸的可能性，可以使用半球透镜39减少在空气-封装界面的TIR情况。为了减少向后散射的光透过LED芯片32，荧光粉末31直接置于芯片表面是不可取的，而是应该放置到离LED芯片32有一定距离的位置。此外，更薄的荧光粉层通过荧光粉末31将减少二级光向后散射的情况。
正是在这种背景下，出现了研发本文所述的薄膜荧光粉沉积方法以及相关的装置和系统的需求。
概述
本发明的某些实施方案涉及厚度大体均匀且能够共形地布置在LED的光程中的薄膜荧光粉层的形成，因而产生具有微弱色环或者没有色环的大体均匀的白光。这种薄膜荧光粉层可以通过改进的沉积方法来制备，包括：(1)形成大体均匀地沉积在基片表面上的荧光粉层；和(2)形成聚合物粘合剂层以填充松散堆积的荧光粉颗粒之间的缝隙，因而形成大体连续的薄膜荧光粉层。薄膜荧光粉层的荧光粉转换效率可以显著提高，因为可以在光程上设置更薄层的精确控制量的荧光粉末，因而减少光散射损失。另外，由于荧光粉颗粒的大体均匀沉积，可以显著改善薄膜荧光粉层的颜色均匀性。形成均匀的薄膜荧光粉层的一种方法是在荧光粉颗粒沉积期间在荧光粉颗粒中引入静电荷。荧光粉颗粒中的静电荷可以自我平衡并调整其分布，因而促进荧光粉颗粒大体均匀的分布。形成均匀的薄膜荧光粉层的另一种方法是通过荧光粉分配机构，诸如沉积室中的喷头机构，或者通过旋转基片支承机构，诸如支承基片的旋转平台。除了提高效率和颜色的均匀性外，可以显著提高薄膜荧光粉层的温度稳定性，因为在温度高达至少约300℃或更高时，聚合物粘合剂层可以是热稳定的。
有利地，通过经由荧光粉末输送机构，使用精确控制量的沉积荧光粉颗粒的涂敷过程，可以使白色的一致性保持在紧密的颜色坐标中。可以用多色荧光粉的逐层相继沉积来精确协调白色渲染，诸如沉积红色荧光粉层，沉积绿色荧光粉层，以及然后沉积蓝色荧光粉层。可以在所生成的复合多色荧光粉膜叠层中精确控制多色荧光粉的比率。这样，可以精确地控制色坐标和用荧光粉薄膜方法制成的白光LED的CCT。反过来，这可显著简化(或者甚至省略)分级过程。
根据本发明的一些实施方案，一致的白色坐标可以通过调整多色荧光粉膜叠层的剂量从轻微变化的蓝色LED芯片实现。这种颜色互补方法可以使用荧光粉含量的不同组成或量弥补蓝光LED芯片的颜色变化。以这种方式，对于色彩敏感应用(如用白光LED的显示器背光)，可显著提高白光LED的产量。
根据本发明的实施方案，薄膜荧光粉涂敷方法是分批荧光粉涂敷方法，在一个涂敷操作中，多个LED芯片可以沉积有薄膜荧光粉。根据本发明的另一个实施方案，在一个涂敷操作中，多个LED透镜可以沉积有薄膜荧光粉。类似于半导体芯片制造，通过分批方法，每个LED芯片的制造成本可以大大减少，而制造产量可以大大增加。
与EDP相比，薄膜荧光粉层的沉积可以用于直接在非导电表面上形成共形薄膜荧光粉层。共形薄膜荧光粉也可以沉积在非平坦表面上，诸如LED透镜的凸或凹表面上。
本发明的一些实施方案涉及用于在基片上沉积共形薄膜荧光粉层的系统。所述系统可以包括沉积室、荧光粉末输送子系统以及被构造成输送气相单体到沉积室的聚合物前体输送子系统。所述系统也可以包括存储器和与沉积室、荧光粉末输送子系统以及聚合物前体输送子系统电相通的处理器，其中所述存储器可以包括存储于其中的代码或指令，该代码或指令可通过处理器执行以形成薄膜荧光粉层。
本发明的一个具体实施方案涉及一种形成用于发光装置的薄膜荧光粉层的方法。所述方法包括：(1)使用运载气体将荧光粉末从荧光粉末源输送到沉积室；和(2)在沉积室内将荧光粉末沉积在靠近基片处以便使荧光粉末大体均匀地分布在靠近基片的表面处。
本发明的另一个具体实施方案还涉及形成用于发光装置的薄膜荧光粉层的方法。所述方法包括：(1)在靠近基片处形成第一荧光粉末层，所述第一荧光粉末层包括靠近基片表面分布的第一荧光粉颗粒；和(2)通过气相沉积在靠近第一荧光粉末层处形成第一聚合物层，所述第一聚合物层用作所述第一荧光粉颗粒的粘合剂。
本发明的另一个具体实施方案涉及在基片上形成薄膜荧光粉层的系统。所述系统包括：(1)限定外壳以容纳基片的沉积子系统；(2)被构造成使用运载气体将荧光粉末从荧光粉末源输送到沉积子系统的荧光粉末输送子系统；(3)被构造成在气相中将聚合物前体输送到沉积子系统的聚合物前体输送子系统；和(4)与沉积子系统、荧光粉末输送子系统和聚合物前体输送子系统连接的控制子系统，其中所述控制子系统被构造成控制所述荧光粉末输送子系统在第一时间间隔内将荧光粉末输送到沉积子系统，以在靠近基片处形成荧光粉末层，并且所述控制子系统被构造成控制聚合物前体输送子系统在第二时间间隔内将聚合物前体输送到沉积子系统，以在靠近荧光粉末层处形成聚合物层。
本发明的另一个具体实施方案涉及一种发光装置，其包括：(1)基片；(2)在靠近基片处大体均匀分布的荧光粉末层；和(3)基于聚对二甲苯的聚合物层，其共形地沉积在靠近所述荧光粉末处作为粘合剂材料以形成大体连续的薄膜，其中荧光粉末层包括单色荧光粉。
本发明的又一个具体实施方案涉及发光装置，其包括：(1)基片；(2)在靠近基片处大体均匀分布的多个荧光粉末层，所述荧光粉末层被构造成发出不同颜色的光；和(3)多个基于聚对二甲苯的聚合物层，每一个基于聚对二甲苯的聚合物层共形地沉积在靠近各个荧光粉末层处，每一个基于聚对二甲苯的聚合物层是填充荧光粉颗粒组分之间的空隙的各个荧光粉末层的粘合剂材料。
也要考虑本发明的其它方面以及实施方案。前述的概述和下面的详细描述并不意味着将本发明限制于任何特定实施方案，而仅仅是描述本发明的一些实施方案。
附图说明
为了更好地理解本发明的一些实施方案的特性和目的，应结合附图参考下面的详细描述。
图1A描述了一种使用料浆法形成的常规白色LED的近端荧光粉槽中配置。
图1B描述了一种使用EPD形成的常规白色LED的近端荧光粉配置。
图2描述了一种通过用发光陶瓷板制成薄片而形成的常规白色LED的近端荧光粉配置。
图3描述了由荧光粉末的光散射、在材料界面的TIR以及在LED表面的光吸收导致的的光源损失。
图4根据本发明的实施方案，描述了形成共形薄膜荧光粉层的方法的流程图。
图5根据本发明的实施方案，描述了沉积大体均匀分布的荧光粉层的方法的流程图。
图6A到图6D根据本发明的实施方案，描述了可用作粘合剂材料以形成薄膜荧光粉层的聚合物家族的例子。
图7A根据本发明的实施方案，描述了使用共形薄膜荧光粉沉积方法形成的单色薄膜荧光粉层。
图7B根据本发明的实施方案，描述了使用共形薄膜荧光粉沉积方法形成的多色薄膜荧光粉复合层。
图8根据本发明的实施方案，描述了用于在基片上沉积共形薄膜荧粉层的系统。
详细描述
定义
下面的定义适用于与本发明的一些实施方案相关的描述的一些方面。这些定义在此也可以被扩展。
如本文使用，单数术语“一个(a)”、“一种(an)”、“该(the)”包括复数形式，除非上下文另有明确说明。因此，例如，提及一层可包括多层，除非上下文另有明确说明。
如本文使用，术语“组(set)”指一个或多个组件的集合。因此，例如，一组层可包括单层或多层。一组组件也可被称为该组的成员。一组组件可以相同也可以不同。在一些例子中，一组组件可以共享一个或多个共同特性。
如本文使用，术语“靠近(adjacent)”指接近或者相邻。相邻组件可彼此在空间上分开或者可实际上或者直接彼此接触。在一些例子中，相邻组件可彼此连接或者可彼此整体构成。
如本文使用，术语“连接(connect)”指可操作的结合或连结。连接的组件可彼此直接结合或者可彼此间接结合，诸如经由另一套组件。
如本文使用，术语“实质上(substantially)”和“实质的(substantial)”指相当大的程度或范围。当与事件或状况结合使用时，此术语可以指事件或状况精确地发生的情况和事件或状况密切近似地发生的情况，例如说明本文所述的生产操作的典型耐受水平。
如本文使用，术语“导电性(electrically conductive)”指传输电流的能力，而术语“非导电性(electrically nonconductive)”指缺乏传输电流的能力。导电材料通常对应于那些在其中极少对抗或不对抗电流的流动的材料，而非导电材料通常对应于那些在其中电流极少有或者没有流动倾向的材料。一种导电性(或者非导电性)的量度是以西门子每米(“S·m-1”)计。通常，导电材料是电导率大于约104S·m-1、例如至少约105S·m-1或者至少约106S·m-1的材料，而非导电材料是传导性小于约104S.m-1、例如小于或等于约103S·m-1或者小于或等于约102S·m-1的材料。导电材料(或非导电材料)有时能够随着温度变化。除非另有说明，否则材料的导电性(或者非导电性)是在室温确定的。
如本文使用，与光致发光相关时，术语“量子效率”指输出光子数量与输入光子数量的比率。
如本文使用，术语“尺寸”指特性尺寸。在颗粒是球形的情况下，颗粒的尺寸可以指颗粒的直径。在颗粒是非球形的情况下，颗粒的尺寸可以指颗粒的不同垂直尺寸的平均值。因此，例如，类似球体的颗粒的尺寸可以指颗粒的长轴和短轴的平均值。当提及一组具有特定尺寸的颗粒时，预期该颗粒可具有围绕该尺寸的尺寸分布。因此，如本文使用，一组颗粒的尺寸可以指尺寸分布的典型尺寸，诸如平均尺寸、中值尺寸或者峰值尺寸。
如本文使用，术语“烷烃”指饱和碳氢化合物分子。对一些应用来说，烷烃可以包括1至100个碳原子。术语“低级烷烃”指包括1至20个碳原子、例如1至10个碳原子的烷烃，而术语“高级烷烃”指包括20个以上碳原子、例如21至100个碳原子的烷烃。术语“支链烷烃”指包括一个或多个支链的烷烃，而术语“无支链烷烃”指直链的烷烃。术语“环烷烃”指包括一个或多个环状结构的烷烃。术语“杂烷烃”指烷烃的一个或多个碳原子被一个或多个杂原子例如N、Si、S、O和P替代的烷烃。术语“取代的烷烃”指烷烃的一个或多个氢原子被一个或多个取代基替代的烷烃，所述取代基例如卤素基团、羟基、烷氧基、羧基、硫代基团、烷硫基、氰基、硝基、氨基、烷氨基、二烷基氨基、甲硅烷基和甲硅烷氧基，而术语“未取代的烷烃”指没有此类取代基的烷烃。上述术语的结合可用于指具有特性组合的烷烃。例如，术语“支链低级烷烃”可用于指1至20个碳原子并且包括一个或多个支链的烷烃。烷烃的例子包括甲烷、乙烷、丙烷、环丙烷、丁烷、2-甲基丙烷、环丁烷，以及其荷电形式、杂形式或者取代形式。
如本文使用，术语“烷基”指一价形式的烷烃。例如，烷基可被设想成它的一个氢原子移动以容许键合到另一分子基团的烷烃。术语“低级烷基”指一价形式的低级烷烃，而术语“高级烷基”指一价形式的高级烷烃。术语“支链烷基”指一价形式的支链烷烃，而术语“无支链烷基”指一价形式的无支链烷烃。术语“环烷基”指一价形式的环烷烃，而术语“杂烷基”指一价形式的杂烷烃。术语“取代的烷基”指一价形式的取代烷烃，而术语“未取代的烷基”指一价形式的未取代烷基。烷基的例子包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、丁基、异丁基、叔丁基、环丁基，以及其荷电形式、杂形式或者取代形式。
如本文使用，术语“芳烃”指芳香族碳氢化合物分子。对一些应用来说，芳烃可以包括5至100个碳原子。术语“低级芳烃”指包括5至20个碳原子、例如5至14个碳原子的芳烃，而术语“高级芳烃”指包括20个以上碳原子、例如21至100个碳原子的芳烃。术语“单环芳烃”指包含单个芳环结构的芳烃，而术语“多环芳烃”指包括一个以上芳环结构的芳烃，例如通过碳-碳单键键合或者稠合在一起的两个或多个芳环结构。术语“杂芳烃”指芳烃的一个或多个碳原子被一个或多个杂原子例如N、Si、S、O和P替代的芳烃。术语“取代的芳烃”指芳烃的一个或多个氢原子被一个或多个取代基替代的芳香烃，所述取代基例如烷基、烯基、炔基、亚胺基、卤素基团、羟基、烷氧基、羧基、硫代基团、烷硫基、氰基、硝基、氨基、烷氨基、二烷基氨基、甲硅烷基以及甲硅烷氧基，而术语“未取代的芳烃”指缺少此类取代基的芳烃。上述术语的结合可用于指具有特性组合的芳烃。例如，术语“单环低级烯烃(monocyclic lower alkene)”可用于指包括5至20个碳原子并且包含单个芳环结构的芳烃。芳烃的例子包括苯、联苯基、萘、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、喹啉、异喹啉，以及其荷电形式、杂形式或者取代形式。
如本文使用，术语“芳基”指一价形式的芳烃。例如，芳基可被设想成它的一个氢原子移动以容许键合到另一分子基团的芳烃。术语“低级芳基”指一价形式的低级芳烃，而术语“高级烷基”指一价形式的高级芳烃。术语“单环芳基”指一价形式的单环芳烃，而术语“多环芳基”指一价形式的多环芳烃。术语“杂芳基”指一价形式的杂芳烃。术语“取代的芳基”指一价形式的取代芳烃，而术语“未取代的芳烃基团”指一价形式的未取代芳烃。芳基的实例包括苯基、联苯基、萘基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基，以及其荷电形式、杂形式或者取代形式。
如本文使用，术语“亚芳基”指二价形式的芳烃。例如，亚芳基可被设想成它的两个氢原子移动以容许键合一个或多个额外的分子基团的芳烃。术语“低级亚芳基”指二价形式的低级芳烃，而术语“高级芳烃基团”指二价形式的高级芳烃。术语“单环亚芳基”指二价形式的单环芳烃，而术语“多环亚芳基”指二价形式的多环芳烃。术语“杂亚芳基”指二价形式的杂芳烃。术语“取代的亚芳基”指二价形式的取代芳烃，而术语“未取代亚芳基”指二价形式的未取代芳烃。亚芳烃基的实例包括亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚吡啶基、亚哒嗪基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、以及其荷电形式、杂形式或者取代形式。
共形薄膜荧光粉层沉积方法
本发明的某些实施方案涉及用于荧光粉转换型白光LED的薄膜共形荧光粉沉积方法。所述方法通过提供薄膜和远端荧光粉层构造有助于实现提高白色LED的光散射效率的目的。根据如图4所描述的改进方法，可通过以下两个操作将薄膜荧光粉层大致均匀地和共形地沉积在平坦的或者非平坦的且导电的、半导电的或非导电的表面上：(1)形成大体均匀沉积在基片表面上的荧光粉末层(操作42)；和(2)形成聚合物粘合剂层填充荧光粉颗粒之间的缝隙以形成大体连续的薄膜层(操作44)。形成的薄膜荧光粉层的沉积方法理想地在真空室中进行。但是，应理解，沉积方法也可以在充满惰性气体(如氮气)的沉积室中进行，或在大气环境中进行。
根据图4的方法，可以使用多种荧光粉。通常，荧光粉由发光材料制成的，即，能够响应能量激发而发光的材料。基于原子或分子从激发的电子态到弛豫，可发生发光，且发光一般可以包括，例如，化学发光、电致发光、光致发光、热致发光、摩擦发光及其组合。例如，在光致发光(可以包括荧光和磷光)的情况中，基于光激发(如光的吸收)可以产生激活的电子状态。用在根据图4的方法中的荧光粉包括掺杂有激活剂离子(诸如Ce3+和Eu2+)的多种无机基质材料，包括石榴石(例如，(Y1-aGda)3(Al1-bGab)5O12:Ce3+，其中a，b≤0.2或者YAG:Ce3+)、硅酸盐、原硅酸盐、硫化物和氮化物。石榴石和原硅酸盐可以用作发黄光的荧光粉，而氮化物可以用作发红光的荧光粉。但是，应理解，可以使用多种其它类型的波长转换材料，包括有机染料。理想的是，荧光粉和其它类型的波长转换材料能够表现量子效率大于约30％的光致发光，诸如至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％或至少约80％，并且可能可高达约90％或更高。
通常，根据图4使用的荧光粉是以粉末形式提供的，即作为一组颗粒提供的。为了提高颜色均匀性，颗粒尺寸理想地在约1nm到约100μm的范围内，诸如约10nm到约30μm、约100nm到约30μm、约500nm到约30μm、或者约1μm到约30μm。
参考图4的操作42，荧光粉可以通过惯性效应、布朗运动、热泳或者电场(如果荧光粉末带电)传输并沉积在基片表面上。在基片表面上形成大体均匀分布的荧光粉末层的一种方法是通过一组运载气体(如清洁、干燥的空气)或惰性气体(如氮气)从荧光粉罐夹带、运载、移动或运输荧光粉末，然后在真空、惰性气体或大气室内用喷头机构喷涂荧光粉末。对于一些实施方案，理想的是，在荧光粉运输过程中，用相同的正静电荷或负静电荷使荧光粉末电离。当带电荧光粉末被喷涂并沉积在基片表面上时，由于荧光粉颗粒之间静电力的自平衡，荧光粉颗粒组分大体均匀地分布以形成荧光粉末层。具体而言，荧光粉末的静电喷涂包括：
1)用惰性运载气体从荧光粉末罐或其它荧光粉源运输荧光粉末。荧光粉末流量可以通过喷嘴装置或其它流量控制机构精确控制，如图5的操作421所描述。
2)用相同的静电荷使荧光粉末电离，如图5的操作422所描述。使荧光粉末电离的操作是将荧光粉末大体均匀地沉积在基片表面上所希望的。但是，应理解，粉末电离化操作是任选的，并且在某些实施方案中可以省略。
3)如图5的操作423所描述，如果基片表面是由非导电聚合物材料制成的，那么用基片表面上的相反静电荷使基片表面电离。如果基片表面是由导电材料制成的，那么基片表面是接地的，如将基片表面电连接到地电位。基片表面的电离或接地操作是将荧光粉末均匀地沉积在基片表面上所需要的。但是，应理解，基片表面的电离或接地操作是任选的，并且在某些实施方案中可以省略。
4)运载气体通过喷头机构将带电荧光粉末夹带到沉积室，从而使荧光粉末均匀地分布，如图5的操作424所描述。理想的是喷头机构将荧光粉末大致均匀地沉积在基片表面上。作为选择，或者共同地，在沉积室内使用旋转机构使基片表面旋转，从而使荧光粉末能够大体均匀地沉积在基片表面上。但是，应当理解的是，这些机构是任选的，并且在某些实施方案中可以省略。
5)荧光粉末共形地且大致均匀地沉积到基片表面上，如图5的操作425所描述。在一个实施方案中，基片表面是LED芯片的表面或者多个LED芯片的表面。在另一实施方案中，基片表面是LED透镜的表面或多个LED透镜的表面。在又一实施方案中，基片表面是玻璃或石英基片的表面。在再一实施方案中，基片表面是柔软透明薄膜的表面，如由聚对苯二甲酸乙二醇酯所形成的表面。
6)如图5的操作426所描述，用电离(或去电离)气体使荧光粉末带电。电离气体中和荧光粉上的剩余静电荷。应当理解的是，该放电操作是任选的，并且在某些实施方案中可以省略，如其中电离操作422省略的那些。
在实施实施图5的操作422的情况中，通过下列方法中的一种或组合用静电荷使荧光粉末电离：
电晕充电，其中使用电力产生静电荷
摩擦充电，其中通过粉末和一些管道表面之间的摩擦来产生静电荷
感应充电，其中通过从电场的感应使粉末带电。
在对导电基片实施操作423的情况中，可以将基片表面接地以维持用于使带静电荷的荧光粉末沉积的电场电位。通过摩擦充电可以在荧光粉末或者非导电基片表面上产生静电荷。特别是，当使两种不同的材料接触时，电荷能够从一种材料传输到另一种材料以抵消电荷的失衡。电荷传输的数量和方向取决于许多因素，包括两种材料的化学和电子结构。表1列出某些材料，范围从接触时具有最大带正电荷效应的那些材料到接触时具有最大带负电荷效应的那些材料。
表1：根据摩擦带电效应排序的材料
Figure BDA0000074882170000121
Figure BDA0000074882170000141
用Tribo摩擦充电的方法可以在非导电基片表面产生相反的静电荷。例如，可以通过下列一种或者组合能够在非导电基片表面产生负电荷：
使用吹过非导电的环氧树脂或硅树脂表面的特氟隆粉末进行Tribo摩擦充电。特氟隆粉末能够从环氧树脂或硅树脂表面带走电子以使表面带负电荷。
使用尼龙刷子或布摩擦环氧树脂表面。
荧光粉沉积方法具有许多优点，包括：
它可以应用到荧光粉转换型白光LED的近荧光粉配置和远端荧光粉配置。
它能够实施为逐层荧光粉沉积方法，并且能够很容易用于形成多色荧光粉薄膜叠层。
本沉积方法可以是干燥和清洁的方法，没有任何溶剂。
在沉积过程中可以使用控制量的荧光粉，因而大大减少白光LED的颜色变化和分级问题。
它能够通过在荧光粉颗粒中引入静电荷而实现大体均匀的荧光粉涂敷。
它能够在沉积过程中实现荧光粉的高利用率。
聚合物层沉积方法
根据图4所描述的薄膜荧光粉沉积方法，沉积的荧光粉层最初是松散堆积的粉末层。接着，沉积聚合物薄膜以填充荧光粉颗粒之间的空隙，并且形成大体连续的薄膜层，如图4的操作44所描述。为了保持大体均匀分布的荧光粉层结构，理想的是使用化学气相沉积(“CVD”)方法以形成该聚合物层作为荧光粉颗粒的粘合剂材料。应理解，可使用另一种适用的沉积方法替代CVD或与CVD联用以形成聚合物层。其它沉积方法的实例包括其它气相沉积方法，如热蒸发方法、电子束蒸发方法或物理气相沉积方法，以及喷涂涂敷、浸渍涂敷、网膜涂敷、湿法涂敷和旋转涂敷。
根据本发明的一个实施方案，根据图6A到图6D描述了能够用于形成用于薄膜荧光粉层的粘合基质的共形涂敷聚合物家族。特别是，该聚合物家族与基于聚对二甲苯的聚合物家族对应。通常，基于聚对二甲苯的聚合物与多种基于聚亚二甲苯的聚合物(如聚(对二甲苯)和其衍生物)对应，并包括，例如具有式-CZZ′-Ar-CZ″Z″′-一般重复单位的聚合物，其中Ar是亚芳基(例如，未取代的、部分取代的或者完全取代的亚芳基，如亚苯基)，并且其中Z、Z′、Z″和Z″′可以相同或不同。在具体的实施方案中，Ar是C6H4-xXx，其中X是卤素，诸如Cl或F，x＝0、1、2、3或4，而Z、Z′、Z″和Z″′独立地选自H、F、烷基和芳基(例如，C6H5-xFx，其中x＝0、1、2、3、4或5)。在一个具体的实施方案中，图6A描述的聚对二甲苯N(Parylene N)包括式-CH2-C6H4-CH2-的重复单位，并且被用作粘合剂材料以形成薄膜荧光粉层。在另一个实施方案中，图6B描述的包括式-CH2-C6H3Cl-CH2-的重复单位的聚对二甲苯C被用作粘合剂材料以形成薄膜荧光粉层。可由与聚对二甲苯N相同的单体产生聚对二甲苯C，但是通过用氯原子取代芳香氢中的一个而对其进行了改性。在又一实施方案中，图6C描述的包括式-CH2-C6H2Cl2-CH2-的重复单位的聚对二甲苯D被用作粘合剂材料以形成薄膜荧光粉层。可由与聚对二甲苯N相同的单体产生聚对二甲苯D，但是通过用两个氯原子取代芳香氢中的两个而对其进行了改性。在再一实施方案中，可以使用称为聚对二甲苯F的部分氟化的基于聚对二甲苯的聚合物，如图6D所述。聚对二甲苯F包括式-CF2-C6H4-CF2-的重复单位，并且可以由多种前体形成，如BrCF2-C6H4-CF2Br。应理解，这些基于聚对二甲苯的聚合物以实例的形式提供，而可以使用多种其它共形涂敷聚合物。其它适用的聚合物的例子包括聚酰亚胺，基于碳氟化合物的聚合物(例如，聚(四氟乙烯))、聚(对苯撑乙烯)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚(2，4-己二炔-1，6-二醇)、氟碳/有机硅共聚物、聚(乙二醇)以及它们的衍生物。丙烯酸树脂的热蒸发也可以用来形成大体连续的荧光粉膜。
可通过运输聚合的CVD技术形成多种基于聚对二甲苯的聚合物膜和其它类型的聚合物膜。运输聚合通常包括从位于远离基片表面的位置处的前体分子产生气相活性中间体，然后将气相活性中间体运输到基片表面。可将基片表面保持在低于活性中间体的熔解温度以下以便聚合。例如，可通过移除溴原子以形成活性中间体*CF2-C6H4-CF2*，从而由前体BrCF2-C6H4-CF2Br形成聚对二甲苯F，其中*表示自由基。该活性中间体可在远离沉积室的位置处形成，并且可被运输进沉积室并凝结在基片表面上方，其中聚合发生在基片表面。
更一般地，基于聚对二甲苯的聚合物膜可从多种前体形成，该前体如具有式(CZZ′Y)m-Ar-(CZ″Z″′Y′)n的那些，其中Ar是亚芳基(例如，未取代的、部分取代的或者完全取代的亚芳基，如亚苯基)，Z、Z′、Z″和Z″′可以相同或不同，Y和Y′可以相同或不同并且可以去除以产生自由基，m和n各自等于0或正整数，并且m和n的和小于或等于Ar上可用于取代的sp2-杂化碳的总数。在具体的实施方案中，Ar是C6H4-xXx，其中X是卤素，诸如Cl或F，x＝0、1、2、3或4，而Z、Z′、Z″和Z″′独立地选自H、F、烷基和芳基(例如，C6H5-xFx，其中x＝0、1、2、3、4或5)。其它适用的前体包括具有式{(CZZ′)-Ar-(CZ″Z″′)}2的二聚物，其中Ar是亚芳基(例如，未取代的、部分取代的或者完全取代的亚芳基，如亚苯基)，且Z、Z′、Z″和Z″′可以相同或不同。在具体的实施方案中，Ar是C6H4-xXx，其中X是卤素，诸如Cl或F，x＝0、1、2、3或4，且Z、Z′、Z″和Z″′独立地选自H、F、烷基和芳基(例如，C6H5-xFx，其中x＝0、1、2、3、4或5)。
用CVD方法制备的基于聚对二甲苯的聚合物膜或者其它类型的聚合物膜的一个方面是，它是拥有优越的缝隙穿透能力的共形涂敷，从而基本上填补荧光粉层内的缝隙和空隙。在一些实例中，在基于聚对二甲苯的聚合物家族中，聚对二甲苯F能够达到最好的缝隙填充效果，而聚对二甲苯N次之。基于聚对二甲苯的聚合物的另一个方面是，它在可见光光谱中具有优良的光学透明度，使它成为光致发光荧光粉末中的一种合适的填充材料。基于聚对二甲苯的聚合物的另一个方面是，它的折射率能够基于化学组成而进行调整。在一个实施方案中，多层基于聚对二甲苯的聚合物膜能够形成为复合薄膜荧光粉叠层。形成这种多层结构的方式是沉积折射率为约1.66的聚对二甲苯N膜作为在荧光粉末中的粘合剂材料，然后沉积折射率为约1.4的聚对二甲苯F膜，因而由于聚对二甲苯F膜与周围环境(例如，空气)的指数匹配而增强光提取。一般而言，应理解，这种多层结构可通过以下方式形成：沉积具有第一折射率的第一聚合物膜，作为第一荧光粉末层之间的粘合剂材料以形成靠近基片表面的第一荧光粉层，沉积具有第二折射率的第二聚合物膜，作为第二荧光粉末层之间的粘合剂材料以形成靠近第一荧光粉层的第二荧光粉层等等，其中第一折射率大于或等于第二折射率。
使用CVD法，基于聚对二甲苯的聚合物，或者另一种类型的聚合物可形成为大体连续的膜，其厚度在几十埃到约100μm范围之内，如从约1nm到约100μm、从约10nmnm到约100μm、从约100nm到约100μm、从约1μm到约100μm、从约1μm到约75μm、从约1μm到约30μm或者从约1μm到10μm。在一些实例中，相对于平均厚度，薄膜厚度可表现出小于约20％的标准偏差，如小于约10％或小于约5％。最初沉积的荧光粉末层的厚度可在约1nm到约60μm的范围内，如从约10nm到约60μm、从约100nm到约40μm或从约100nm到约20μm。在一些实例中，相对于平均厚度，荧光粉末层的厚度可表现出小于约20％的标准偏差，如小于约10％或小于约5％。在所得膜内，荧光粉末能够在整个膜的范围内大体均匀地分布，以致相对于平均密度而言，重量密度(例如，每单位体积的荧光粉颗粒的质量或重量)或数量密度(例如，每单位体积的荧光粉颗粒的数量)可表现出小于约20％标准偏差，如小于约10％或小于约5％。
用CVD方法制备的薄膜荧光粉层的实施方案描述在图7A中。在图7A中，最先在基片表面72沉积单色荧光粉末层71，如基于YAG:Ce3+的黄色荧光粉。基片表面72可以是非导电的表面，如柔性塑料基片的表面。沉积基于聚对二甲苯的聚合物层73，接着沉积另一种基于聚对二甲苯的聚合物层74。基于聚对二甲苯的聚合物层73用作粘合剂或至少部分渗透或包围荧光粉末层71的基质，使得荧光粉末层71的荧光粉颗粒分散在基于聚对二甲苯的聚合物层73之内。应理解，基于聚对二甲苯的聚合物层73和74可以使用相同的材料或者不同的材料形成。在一些实例中，基于聚对二甲苯的聚合物层73的折射率大于基于聚对二甲苯的聚合物层74的折射率。
根据荧光粉末的逐层沉积，CVD方法可以用于形成大体均匀地分布的多色荧光粉叠层。在图7B所描述的实施方案中，通过依次沉积蓝色荧光粉末、用作蓝色荧光粉末的粘合剂材料的基于聚对二甲苯的聚合物、绿色荧光粉末、用作绿色荧光粉末的粘合剂材料的基于聚对二甲苯的聚合物、红色荧光粉末以及用作红色荧光粉末的粘合剂材料的基于聚对二甲苯的聚合物，从而形成的多色荧光粉薄膜叠层75。所得到的荧光粉转换型白光LED可通过荧光粉发出各自颜色的三种下转换的二次光。因此，可容易地调整荧光粉转换型白光LED的显色指数(“CRI”)，例如，当用于在室内普通照明应用时，具有温和的白光以及改善的均匀性。并入多色薄膜荧光粉叠层75的荧光粉转换型白光LED的的另一个应用是液晶显示器(LCD)的背光。
应理解，在操作42中的荧光粉沉积和操作44中的聚合物沉积不需按顺序进行。可选地，这些操作可以基本上同时进行以形成共形荧光粉薄膜层。
薄膜荧光粉沉积系统
根据本发明的实施方案，图8描述了薄膜荧光粉层沉积系统80。薄膜荧光粉沉积系统80可以用于形成共形涂敷的薄膜的荧光粉层，方式是沉积大致均匀分布的荧光粉末层，然后沉积共形涂敷的CVD聚合物层形成大致连续的荧光粉薄膜。薄膜荧光粉沉积系统80包括：(1)沉积子系统或单元81；(2)连接到沉积子系统81的荧光粉末输送子系统或单元82；和(3)连接到沉积子系统81的基于聚对二甲苯的聚合物前体输送子系统或单元83。
沉积子系统81包括：(1)沉积室81a，其限定基片布置在其内的外壳，并且例如是保持真空状态的具有联合真空泵的真空室，充满惰性气体，或者是大气室；(2)在室81a内的基片支持器81b，并例如，在荧光粉薄膜形成期间能够旋转基片；(3)喷头机构81c；和(4)荧光粉末电离器81d，其在荧光粉末沉积期间在荧光粉颗粒中引入静电荷。
荧光粉末输送子系统82包括：(1)荧光粉末罐82a或者其它荧光粉末源；(2)荧光粉流量控制器82b，其调节用于每次荧光粉沉积的特定量的荧光粉；(3)电离器82c，其在荧光粉末沉积期间在荧光粉颗粒中引入静电荷；和(4)一组阀82d。
基于聚对二甲苯的聚合前体输送子系统83包括：(1)前体罐83a或其它前体源；(2)前体流量控制器83b，其调节用于每次聚合物沉积的特定量的前体；(3)气体反应器83c，其包括从前体中生成气相活性中间体；和(4)一组阀83d。
为了沉积基于聚对二甲苯的膜，将固态或液态前体在不锈钢罐83a中加热到一致的温度以产生气相前体。将气相前体加到气体反应器83c中，其由流体控制器83b调节，如图8所述。气体反应器83c将前体分裂成带有两个不成对电子或双自由基的活性中间体。在气体反应器83c激活前体后立即将双自由基运输到沉积室81a。因为双自由基可以很活跃，一旦双自由基彼此碰撞，双自由基则能够快速聚合以在放于沉积室81a内的基片表面上形成聚合物薄膜。
薄膜荧光粉沉积系统80还包括控制子系统或单元，其包括处理器84和联合的存储器85，它们与系统80的其它组件连接并且指导这些组件的运作。存储器85可包括具有存储其上的计算机代码的计算机可读存储介质，用于执行多种计算机实施的操作。该介质和计算机代码可以是为实现本发明的实施方案的目的而专门设计和构造的那些，或者它们可以是计算机软件领域的技术人员所熟知并可以使用的种类。计算机只读介质的例子包括但不限于：磁性存储介质，诸如硬盘、软盘和磁带；光存储介质，诸如光碟/数字视频光盘(“CD/DVD”)、只读光盘(“CD-ROM”)和全息设备；磁光存储介质，诸如软光磁盘；以及专门构造以存储和执行程序代码的硬件设备，诸如专用集成电路(“ASIC”)、可编程逻辑器件(“PLD”)以及ROM和RAM器件。计算机代码的例子包括但不限于：机器代码，诸如由编译器产生的代码，以及包含由计算机使用编译器执行的高级代码的文件。例如，可以使用Java、C++或者其它面向对象的编程语言和开发工具执行本发明的一个实施方案。计算机代码的其它例子包括但不限于，加密代码和压缩代码。可以使用硬件电路代替计算机代码或与其联用来执行本发明的其它实施方案。
薄膜荧光粉末沉积方法的优点
表2列出了本发明的一些实施方案的共形薄膜荧光粉沉积方法相对于其它荧光粉涂敷方法的优点。
表2：荧光粉涂敷方法比较
结合上述优点，根据共形薄膜荧光粉沉积方法形成的发光装置可以发出均匀性更好的白光。特别是，在光发射角的范围为140°(与发中心光轴成±70°)之上白光LED的CCT变化可不大于1,000K，如不大于800K、不大于超过500K或者不大于300K和低至约200K或更少。
虽然本发明已经参考具体实施方案进行了描述，但是本领域的技术人员应理解，在不脱离由所附权利要求所限定的本发明的实质和范围的情况下可以进行多种变化和等价替代。另外，可以做出许多修改以适应具体的情况、材料、物质组成、方法，或者达到目的的过程、本发明的实质和范围。所有这些修改旨在属于附于此的权利要求的范围内。特别是，虽然本文所公开的方法是根据以特定的顺序所进行的特定操作而描述的，但应理解，这些操作可以组合、细分或重新排序以形成等价方法而不脱离本发明的教义。相应地，除非本文明确指出，操作的顺序和分组不限于本发明。

Claims (26)

1.一种形成用于发光装置的薄膜荧光粉层的方法，所述方法包括：
使用运载气体将荧光粉末从荧光粉末源运输到沉积室；和
在所述沉积室内将所述荧光粉末沉积在靠近基片处以便使所述荧光粉末大致均匀地分布在靠近基片表面处。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述荧光粉末中诱导静电荷。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述基片是非导电性的，并且进一步包括：
诱导相反的静电荷靠近所述基片的表面；和
随后沉积所述荧光粉末，使用电离气体使所述荧光粉末放电。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述基片是导电性的，并且进一步包括：
使所述基片与地电位连接；和
随后沉积所述荧光粉末，使用电离气体使所述荧光粉末放电。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述荧光粉末包括通过喷头机构分配所述荧光粉末。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述荧光粉末包括使用旋转基片支持器旋转所述基片。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积荧光粉末的厚度在10nm到60μm的范围之内。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括将聚合物层沉积在靠近所述沉积的荧光粉末处以便在靠近所述基片表面处形成薄膜荧光粉层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述薄膜荧光粉层的厚度在10nm到100μm的范围之内。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述聚合物包括基于聚对二甲苯的聚合物，并且沉积所述聚合物是用化学气相沉积进行的。
11.一种形成用于发光装置的薄膜荧光粉层的方法，所述方法包括：
在靠近基片处形成第一荧光粉末层，所述第一荧光粉末层包括靠近所述基片表面分布的第一荧光粉颗粒；和
通过气相沉积在靠近所述第一荧光粉末层处形成第一聚合物层，所述第一聚合物层用作所述第一荧光粉颗粒的粘合剂。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括通过气相沉积在靠近第一聚合物层处形成第二聚合物层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一聚合物层的折射率大于所述第二聚合物层的折射率。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一聚合物层和所述第二聚合物层中的至少一者包括含有式-CZZ′-Ar-CZ″Z″′-的重复单元的聚合物，其中Ar选自(1)未取代的亚苯基，(2)式C6H4-xClx的氯取代的亚苯基，其中x为1至4的的整数，和(3)式C6H4-x’Fx’的氟取代的亚苯基，其中x′为1至4的的整数，且Z、Z′、Z″和Z″′独立地选自H、F、烷基和芳基。
15.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在靠近所述第一聚合物层处形成第二荧光粉末层，所述第二荧光粉末层包括靠近所述第一聚合物层表面分布的第二荧光粉颗粒；和
通过气相沉积在靠近所述第二荧光粉末层处形成第二聚合物层，所述第二聚合物层用作所述第二荧光粉颗粒的粘合剂，
其中所述第一荧光粉颗粒和所述第二荧光粉颗粒被构造成发出不同颜色的光。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在靠近所述第二聚合物层处形成第三荧光粉末层，所述第三荧光粉末层包括靠近所述第二聚合物层分布的第三荧光粉颗粒；和
通过气相沉积在靠近所述第三荧光粉层处形成第三聚合物层，所述第三聚合物层用作所述第三荧光粉颗粒的粘合剂，
其中所述第一荧光粉颗粒、所述第二荧光粉颗粒和所述第三荧光粉颗粒被配置成发出不同颜色的光。
17.一种在基片上形成薄膜荧光粉层的系统，所述系统包括：
沉积子系统，其限定外壳以容纳所述基片；
荧光粉末输送子系统，其被构造成使用运载气体将荧光粉末从荧光粉末源输送到所述沉积子系统；
聚合物前体输送子系统，其被构造成将气相的聚合物前体输送到所述沉积子系统；
控制子系统，其与所述沉积子系统、所述荧光粉末输送子系统以及所述聚合物前体输送子系统连接，其中所述控制子系统被构造成控制所述荧光粉末输送子系统在第一时间间隔内将所述荧光粉末输送到所述沉积子系统，以在靠近所述基片处形成荧光粉末层，并且所述控制子系统被构造成控制所述聚合物前体输送子系统在第二时间间隔内将所述聚合物前体输送到所述沉积子系统，以在靠近所述荧光粉末层处形成聚合物层。
18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述沉积子系统包括限定所述外壳的真空室、被构造以在所述真空室内支撑所述基片的基片支持器以及被构造以在基片上方沉积所述荧光粉末的喷头机构。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述基片支持器被构造用以旋转所述基片。
20.根据权利要求18所述的系统，其中所述沉积子系统还包括被构造成在所述荧光粉末中诱导静电荷的电离器。
21.根据权利要求17所述的系统，其中所述荧光粉末输送子系统包括被构造成在所述荧光粉末中诱导静电荷的电离器。
22.根据权利要求17所述的系统，其中所述聚合物前体子输送子系统包括被构造成从所述聚合物前体中生成气相活性中间体的气体反应器。
23.根据权利要求22所述的系统，其中所述气体反应器被构造用以从所述聚合物前体生成自由基，并且所述聚合物前体具有式：(CZZ′Y)m-Ar-(CZ″Z″′Y′)n，其中Ar选自(1)未取代的亚苯基，(2)式C6H4-xClx的氯取代的亚苯基，其中x为1至4的整数，和(3)式C6H4-x’Fx’的氟取代的亚苯基，其中x′为1至4的整数，且Z、Z′、Z″和Z″′选自H、F、烷基和芳基，Y和Y′可以移除以产生自由基，m和n各自等于0或者是正整数，并且m和n的和小于或等于Ar上可用于取代的sp2-杂化碳的总数。
24.根据权利要求22所述的系统，其中所述气体反应器被构造用以从所述聚合物前体中生成自由基，并且所述聚合物前体包括具有式{(CZZ′)-Ar-(CZ″Z″′)}2的二聚物，其中Ar选自(1)未取代的亚苯基，(2)式C6H4-xClx的氯取代的亚苯基，其中x为1至4的整数，和(3)式C6H4-x’Fx’的氟取代的亚苯基，其中x′为1至4的整数，且Z、Z′、Z″和Z″′独立地选自H、F、烷基和芳基。
25.一种薄膜荧光粉层，包括：
至少一个所述荧光粉层；和
至少一个靠近所述至少一个荧光粉层布置的基于聚对二甲苯的聚合物层，所述至少一个基于聚对二甲苯的聚合物层用作所述至少一个荧光粉层的粘合剂。
26.根据权利要求25所述的薄膜荧光粉层，其中所述至少一个基于聚对二甲苯的聚合物层包括含有式-CZZ′-Ar-CZ″Z″′-的重复单元的聚合物，其中Ar选自(1)未取代的亚苯基，(2)式C6H4-xClx的氯取代的亚苯基，其中x为1至4的整数，和(3)式C6H4-x’Fx’的氟取代的亚苯基，其中x′为1至4的整数，且Z、Z′、Z″和Z″′独立地选自H、F、烷基和芳基。
CN200980154186.3A 2008-11-13 2009-11-13 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法 Active CN102272954B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511021086.7A CN105655469B (zh) 2008-11-13 2009-11-13 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11419808P 2008-11-13 2008-11-13
US61/114,198 2008-11-13
PCT/US2009/064434 WO2010057023A2 (en) 2008-11-13 2009-11-13 System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201511021086.7A Division CN105655469B (zh) 2008-11-13 2009-11-13 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102272954A true CN102272954A (zh) 2011-12-07
CN102272954B CN102272954B (zh) 2016-02-03

Family

ID=42165459

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980154186.3A Active CN102272954B (zh) 2008-11-13 2009-11-13 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法
CN201511021086.7A Active CN105655469B (zh) 2008-11-13 2009-11-13 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201511021086.7A Active CN105655469B (zh) 2008-11-13 2009-11-13 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20100119839A1 (zh)
EP (2) EP2412037B1 (zh)
JP (2) JP5723781B2 (zh)
KR (1) KR101697798B1 (zh)
CN (2) CN102272954B (zh)
TW (1) TWI508331B (zh)
WO (1) WO2010057023A2 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102983251A (zh) * 2012-11-27 2013-03-20 北京半导体照明科技促进中心 极化荧光粉、荧光粉的极化方法及led发光器件的制作方法
CN103633226A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 展晶科技(深圳)有限公司 荧光粉胶体制备方法及相应的发光二极管封装方法
CN104302407A (zh) * 2012-05-25 2015-01-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备
US9581879B2 (en) 2013-10-07 2017-02-28 Coretronic Corporation Light wavelength conversion module, illumination system, and projection apparatus
CN106768838A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 中铁十四局集团第二工程有限公司 一种复杂条件下浆‑水相界面移动追踪观测装置及方法
CN106981554A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 行家光电股份有限公司 具凹形设计的芯片级封装发光装置及其制造方法
CN107706281A (zh) * 2016-08-09 2018-02-16 行家光电股份有限公司 具湿气阻隔结构的晶片级封装发光装置
US10481474B2 (en) 2017-04-27 2019-11-19 Coretronic Corporation Wavelength conversion filter module and illumination system
US10615320B2 (en) 2016-01-12 2020-04-07 Maven Optronics Co., Ltd. Recessed chip scale packaging light emitting device and manufacturing method of the same
CN111221210A (zh) * 2020-01-16 2020-06-02 无锡视美乐激光显示科技有限公司 波长转换机构、投影装置及荧光激发方法
CN113686944A (zh) * 2021-08-31 2021-11-23 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 一种薄膜电晕处理表面的检测方法及系统
CN114904733A (zh) * 2021-02-09 2022-08-16 特拉西斯株式会社 利用粉末喷涂方式的功能性薄片及其制造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8323748B2 (en) * 2009-05-15 2012-12-04 Achrolux Inc. Methods for forming uniform particle layers of phosphor material on a surface
TWI564427B (zh) * 2009-12-18 2017-01-01 財團法人工業技術研究院 聚對二甲苯薄膜的形成方法
GB2488936B (en) * 2009-12-26 2015-03-25 Achrolux Inc Uniform film-layered structure that converts the wavelengh of emitted light and method for forming the same
DE102010034923A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
WO2012099966A2 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Whiteoptics Llc Color-shifting reflector
US8492182B2 (en) 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
US8921875B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US8657200B2 (en) 2011-06-20 2014-02-25 Metrologic Instruments, Inc. Indicia reading terminal with color frame processing
CN102856477B (zh) * 2011-11-22 2015-09-09 深圳市光峰光电技术有限公司 一种荧光粉片层的制作方法及制作系统
CN102492416A (zh) * 2011-11-28 2012-06-13 斯迪克新型材料（江苏）有限公司 一种用于led灯的聚酯薄膜
US8816371B2 (en) * 2011-11-30 2014-08-26 Micron Technology, Inc. Coated color-converting particles and associated devices, systems, and methods
KR20130078764A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 코오롱인더스트리 주식회사 투명 전도성 필름
DE102012212086A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102012109177A1 (de) * 2012-09-27 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR101462377B1 (ko) * 2013-01-30 2014-11-17 주식회사 효성 파장변환용 광학시트의 제조방법 및 이로부터 제조된 광학시트
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US20160186320A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Metal Industries Research And Development Centre Apparatus for continuously forming a film through chemical vapor deposition
DE102015107586B4 (de) * 2015-05-13 2023-10-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
US10693046B2 (en) 2015-12-30 2020-06-23 Maven Optronics Co., Ltd. Chip scale packaging light emitting device and manufacturing method of the same
TWI581465B (zh) * 2015-12-30 2017-05-01 行家光電股份有限公司 晶片級封裝發光裝置及其製造方法
EP3200248B1 (en) 2016-01-28 2020-09-30 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
US10797209B2 (en) 2016-02-05 2020-10-06 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same
US10620478B2 (en) 2016-05-30 2020-04-14 Maven Optronics Co., Ltd. Photoluminescent display device and method for manufacturing the same
EP3279952A1 (en) 2016-08-05 2018-02-07 Maven Optronics Co., Ltd. Moisture-resistant chip scale packaging light-emitting device
TWI599078B (zh) * 2016-08-05 2017-09-11 行家光電股份有限公司 具濕氣阻隔結構之晶片級封裝發光裝置
US10319789B2 (en) * 2016-08-12 2019-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component and an optoelectronic component
US10730276B2 (en) 2017-01-17 2020-08-04 Maven Optronics Co., Ltd. System and method for vacuum film lamination
US10522728B2 (en) 2017-01-26 2019-12-31 Maven Optronics Co., Ltd. Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same
WO2018183341A1 (en) 2017-03-27 2018-10-04 Firouzeh Sabri Light weight flexible temperature sensor kit
TWI627064B (zh) * 2017-08-08 2018-06-21 Southern Taiwan University Of Science And Technology 複合板及其應用
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
CN108511566A (zh) * 2018-03-13 2018-09-07 广东省半导体产业技术研究院 一种发光二极管制作方法
WO2019239850A1 (ja) * 2018-06-12 2019-12-19 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらの製造方法、並びに発光装置
US20210005436A1 (en) * 2019-07-01 2021-01-07 Applied Materials, Inc. Real-time detection of particulate matter during deposition chamber manufacturing

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL135549C (zh) * 1966-04-22
US5466947A (en) * 1994-03-18 1995-11-14 Bio-Rad Laboratories, Inc. Protective overlayer for phosphor imaging screen
US5567468A (en) * 1994-10-11 1996-10-22 Schonbek Worldwide Lighting Inc. Method and apparatus for applying powder coatings to surfaces
KR100629544B1 (ko) * 1996-06-26 2006-09-27 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP2000071451A (ja) * 1998-09-02 2000-03-07 Konica Corp 圧電セラミック素子及びその製造方法
TWI222433B (en) * 1998-10-20 2004-10-21 Nippon Catalytic Chem Ind Method for production of halogen-containing aromatic compound
JP4155986B2 (ja) * 1998-10-20 2008-09-24 株式会社日本触媒 含ハロゲン芳香族化合物
JP4985507B2 (ja) * 1999-07-21 2012-07-25 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置、画像形成方法、及び画像表示媒体
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
JP4066620B2 (ja) * 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
JP2002050799A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプおよびその製造方法
US20040209190A1 (en) * 2000-12-22 2004-10-21 Yoshiaki Mori Pattern forming method and apparatus used for semiconductor device, electric circuit, display module, and light emitting device
US6586048B2 (en) * 2001-04-05 2003-07-01 Honeywell International Inc. Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition comprising said barrier coating
JP4540256B2 (ja) * 2001-05-28 2010-09-08 株式会社ファインラバー研究所 光源用透光性被覆部材およびその被覆部材を備えた光源
EP1286364B1 (en) * 2001-08-23 2008-05-28 Agfa HealthCare NV A phosphor panel with good humidity resistance
US6710356B2 (en) * 2001-08-23 2004-03-23 Agfa-Gevaert Phosphor panel with good humidity resistance
JP4925535B2 (ja) 2001-09-27 2012-04-25 京セラ株式会社 サーマルヘッド
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
SG114514A1 (en) * 2001-11-28 2005-09-28 Univ Singapore Organic light emitting diode (oled)
JP2003197977A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオードの製造方法
US6756084B2 (en) * 2002-05-28 2004-06-29 Battelle Memorial Institute Electrostatic deposition of particles generated from rapid expansion of supercritical fluid solutions
US6841802B2 (en) * 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
JP4387642B2 (ja) * 2002-07-30 2009-12-16 株式会社アルバック 残留電荷除去方法及び残留電荷除去装置
JP4067909B2 (ja) * 2002-08-09 2008-03-26 株式会社日本触媒 含ハロゲン芳香族化合物の製造方法
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP2004170644A (ja) 2002-11-19 2004-06-17 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP2004239713A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Konica Minolta Holdings Inc 放射線画像変換パネル
EP1441019A1 (en) 2002-12-25 2004-07-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Radiographic image conversion panel
JP4661032B2 (ja) * 2003-06-26 2011-03-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型ｌｅｄ
JP2005125764A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Agfa Gevaert Nv 耐スクラッチ性湿分保護パリレン層
EP1541333A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-15 Agfa-Gevaert Scratch resistant moisture-protecting parylene layers
CN2681354Y (zh) * 2003-10-22 2005-02-23 深圳市龙岗区横岗光台电子厂 一种高效白光led结构
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
JP4208790B2 (ja) * 2004-08-10 2009-01-14 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法
JP4539235B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-08 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100674831B1 (ko) * 2004-11-05 2007-01-25 삼성전기주식회사 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2006303001A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Konica Minolta Opto Inc 発光ダイオード及びその製造方法
JP4800669B2 (ja) * 2005-06-07 2011-10-26 セイコーインスツル株式会社 照明装置およびそれを用いた表示装置
KR20060128373A (ko) * 2005-06-10 2006-12-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
WO2007005013A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Lamina Lighting, Inc. Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
AU2006282930B2 (en) * 2005-08-24 2012-05-03 The Regents Of The University Of California Membranes for nanometer-scale mass fast transport
JP5326182B2 (ja) * 2005-10-07 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP4960645B2 (ja) * 2006-03-30 2012-06-27 京セラ株式会社 波長変換器および発光装置
JP4473284B2 (ja) * 2006-03-31 2010-06-02 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4520972B2 (ja) * 2006-11-28 2010-08-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4859050B2 (ja) * 2006-11-28 2012-01-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置及びその製造方法
TW200838974A (en) * 2007-03-22 2008-10-01 Univ Nat Sun Yat Sen Luminous device of fluorescent powder composition
JP5840823B2 (ja) * 2007-03-30 2016-01-06 株式会社朝日ラバー レンズ及びそれを有する照明器具
US8222061B2 (en) * 2007-03-30 2012-07-17 The Penn State Research Foundation Mist fabrication of quantum dot devices
JP2007214592A (ja) * 2007-04-26 2007-08-23 Kyocera Corp 発光装置
JP2008300544A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104302407A (zh) * 2012-05-25 2015-01-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子器件的方法和用于制造光电子器件的设备
CN103633226A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 展晶科技(深圳)有限公司 荧光粉胶体制备方法及相应的发光二极管封装方法
CN103633226B (zh) * 2012-08-21 2016-12-21 广州市晶鑫光电科技有限公司 荧光粉胶体制备方法及相应的发光二极管封装方法
CN102983251A (zh) * 2012-11-27 2013-03-20 北京半导体照明科技促进中心 极化荧光粉、荧光粉的极化方法及led发光器件的制作方法
CN102983251B (zh) * 2012-11-27 2016-02-03 北京半导体照明科技促进中心 极化荧光粉、荧光粉的极化方法及led发光器件的制作方法
US9581879B2 (en) 2013-10-07 2017-02-28 Coretronic Corporation Light wavelength conversion module, illumination system, and projection apparatus
US10615320B2 (en) 2016-01-12 2020-04-07 Maven Optronics Co., Ltd. Recessed chip scale packaging light emitting device and manufacturing method of the same
CN106981554A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 行家光电股份有限公司 具凹形设计的芯片级封装发光装置及其制造方法
CN106981554B (zh) * 2016-01-19 2019-05-07 行家光电股份有限公司 具凹形设计的芯片级封装发光装置及其制造方法
CN107706281A (zh) * 2016-08-09 2018-02-16 行家光电股份有限公司 具湿气阻隔结构的晶片级封装发光装置
CN107706281B (zh) * 2016-08-09 2019-07-19 行家光电股份有限公司 具湿气阻隔结构的晶片级封装发光装置
CN106768838A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 中铁十四局集团第二工程有限公司 一种复杂条件下浆‑水相界面移动追踪观测装置及方法
CN106768838B (zh) * 2016-12-08 2023-07-28 中铁十四局集团第二工程有限公司 一种复杂条件下浆-水相界面移动追踪观测装置及方法
US10481474B2 (en) 2017-04-27 2019-11-19 Coretronic Corporation Wavelength conversion filter module and illumination system
CN111221210A (zh) * 2020-01-16 2020-06-02 无锡视美乐激光显示科技有限公司 波长转换机构、投影装置及荧光激发方法
CN114904733A (zh) * 2021-02-09 2022-08-16 特拉西斯株式会社 利用粉末喷涂方式的功能性薄片及其制造方法
CN114904733B (zh) * 2021-02-09 2023-04-07 特拉西斯株式会社 利用粉末喷涂方式的功能性薄片及其制造方法
CN113686944A (zh) * 2021-08-31 2021-11-23 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 一种薄膜电晕处理表面的检测方法及系统
CN113686944B (zh) * 2021-08-31 2024-03-12 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 一种薄膜电晕处理表面的检测方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN105655469B (zh) 2019-05-07
TWI508331B (zh) 2015-11-11
KR20110105770A (ko) 2011-09-27
US9797041B2 (en) 2017-10-24
CN105655469A (zh) 2016-06-08
EP2930758A1 (en) 2015-10-14
JP2012508987A (ja) 2012-04-12
CN102272954B (zh) 2016-02-03
EP2930758B1 (en) 2019-05-22
WO2010057023A3 (en) 2010-08-19
JP6145125B2 (ja) 2017-06-07
TW201027807A (en) 2010-07-16
KR101697798B1 (ko) 2017-01-18
EP2412037A4 (en) 2015-12-02
EP2412037B1 (en) 2021-03-31
US20100119839A1 (en) 2010-05-13
EP2412037A2 (en) 2012-02-01
JP2015179846A (ja) 2015-10-08
US20150275372A1 (en) 2015-10-01
WO2010057023A2 (en) 2010-05-20
JP5723781B2 (ja) 2015-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102272954B (zh) 用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法
CN102272953B (zh) 用于荧光粉转换型发光设备的荧光粉涂敷的光抽取结构
US8089208B2 (en) Planar light source device
US7122842B2 (en) Solid state white light emitter and display using same
TWI445215B (zh) 用於形成光轉換材料之方法
TWI475730B (zh) 藍光ｌｅｄ上之含透明粒子的磷光體層
CN111148816A (zh) 包括经封裝之纳米颗粒之发光粒子及其用途
CN103201869A (zh) 有机电子器件用衬底和包括该衬底的有机电子器件
KR20080110754A (ko) 발광 장치
WO2002065817A1 (fr) Element luminescent de champ organique
US20140302244A1 (en) Method for forming uniform film-layered structure
JP2019110102A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2011029283A (ja) 有機電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 55, building 5501, Central Plaza, 18 Harbour Road, Wan Chai, Hongkong, China

Applicant after: Maven Optronics Corp.

Address before: Hongkong, China

Applicant before: Maven Optronics Corp.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant