CN102249250B - 一种二氧化硅的提纯方法 - Google Patents

一种二氧化硅的提纯方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102249250B
CN102249250B CN2011101730830A CN201110173083A CN102249250B CN 102249250 B CN102249250 B CN 102249250B CN 2011101730830 A CN2011101730830 A CN 2011101730830A CN 201110173083 A CN201110173083 A CN 201110173083A CN 102249250 B CN102249250 B CN 102249250B
Authority
CN
China
Prior art keywords
dioxide
silicon
silicon dioxide
300sccm
cooled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2011101730830A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102249250A (zh
Inventor
袁良杰
何必寅
胡乐
欧阳勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University WHU
Original Assignee
Wuhan University WHU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University WHU filed Critical Wuhan University WHU
Priority to CN2011101730830A priority Critical patent/CN102249250B/zh
Publication of CN102249250A publication Critical patent/CN102249250A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102249250B publication Critical patent/CN102249250B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开一种二氧化硅的提纯方法,依次包括步骤:1)将二氧化硅置于600~1200温度下,连续通入50~300sccm二氧化碳和50~300sccm水蒸气2~6小时后,经冷却至100~200℃;2)将冷却后的二氧化硅倒入5~10%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。本发明方法工艺简单、条件温和,适用于工业化生产;采用本发明方法提纯后的二氧化硅,能满足半导体和光伏产业用特种石英玻璃制品生产的实际需要。

Description

一种二氧化硅的提纯方法
技术领域
本发明属于无机材料技术领域,尤其涉及一种二氧化硅的提纯方法。
背景技术
随着半导体和光伏产业的迅速发展, 为满足半导体和光伏产业用特种石英玻璃制品生产的实际需要,高纯二氧化硅的制备技术越来越受到关注。有关二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷等杂质元素的除去方法至今不是太明确,二氧化硅的纯度大多依赖于石英矿自身的品质,很难同时兼顾到锂、钠、钾、硼、磷几种元素同时低于1ppm以下。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提出了一种工艺简单、条件温和、能除去二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷等杂质元素的二氧化硅提纯方法。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种二氧化硅的方法,依次包括以下步骤:
1)将二氧化硅置于600~1200℃温度下,连续通入50~300 sccm二氧化碳和50~300 sccm水蒸气2~6 小时后,经冷却至100~200℃;
2)将冷却后的二氧化硅倒入5~10%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。
作为优选:
1、步骤1)中二氧化硅的尺寸为0.044~0.42mm;
2、步骤1)中装二氧化硅的容器为石英或陶瓷容器。
本方法的技术方案是在高温环境下,利用二氧化碳的剥蚀作用以及与碱金属的高温反应,将云母、长石等杂质剥离,并且与晶格外的碱金属和碱土金属反应生成可溶于酸的碳酸盐。利用水蒸汽在高温环境下可以与磷、硼等非金属其氧化物杂质发生反应,生成固定的酸溶于水中,从而达到提纯二氧化硅的效果。
与现有技术相比,本发明具有以下优点和有益效果:
1、本发明方法工艺简单、条件温和,适用于工业化生产;
2、采用本发明方法能除去二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷等微量杂质元素,使二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷元素的含量均低于1ppm;
3、采用本发明方法提纯后的二氧化硅,能满足半导体和光伏产业用特种石英玻璃制品生产的实际需要。      
具体实施方式
下面将通过实施例进一步说明本发明。
实施例1
将粒径为0.42mm的二氧化硅放入石英或陶瓷容器中,在600℃温度下,连续通入50sccm二氧化碳和50sccm水蒸气6小时;经冷却至100℃后,将二氧化硅倒入10%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。本实施例提纯后的二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷元素的含量分别降为为0.9ppm、0.875ppm、0.7ppm、0.1ppm、0.75ppm。
实施例2
将粒径为0.125mm的二氧化硅放入石英或陶瓷容器中,在900℃温度下,连续通入250 sccm二氧化碳和250 sccm水蒸气4小时;经冷却至130℃;将冷却后的二氧化硅倒入5%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。本实施例提纯后的二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷元素的含量分别降为0.725ppm、0.625ppm、0.7ppm、0.2ppm、0.8ppm。
实施例3
将粒径为0.044mm的二氧化硅放入石英或陶瓷容器中,在1200℃温度下,连续通入300 sccm二氧化碳和300 sccm水蒸气2小时;经冷却至200℃;将冷却后的二氧化硅倒入9%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。本实施例提纯后的二氧化硅中锂、钠、钾、硼、磷元素的含量分别降为0.8ppm、0.5ppm、0.825ppm、0.225ppm、0625ppm。

Claims (3)

1.一种二氧化硅的提纯方法,其特征在于,依次包括以下步骤:
1)将二氧化硅置于600~1200℃温度下,连续通入50~300sccm二氧化碳和50~300sccm水蒸气2~6小时后,经冷却至100~200℃;
2)将冷却后的二氧化硅倒入5~10%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的二氧化硅的提纯方法,其特征在于:
所述的步骤1)中二氧化硅的尺寸为0.044~0.42mm。
3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅的提纯方法,其特征在于:
所述的步骤1)中装二氧化硅的容器为石英或陶瓷容器。
CN2011101730830A 2011-06-24 2011-06-24 一种二氧化硅的提纯方法 Expired - Fee Related CN102249250B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101730830A CN102249250B (zh) 2011-06-24 2011-06-24 一种二氧化硅的提纯方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101730830A CN102249250B (zh) 2011-06-24 2011-06-24 一种二氧化硅的提纯方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102249250A CN102249250A (zh) 2011-11-23
CN102249250B true CN102249250B (zh) 2012-11-21

Family

ID=44976889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101730830A Expired - Fee Related CN102249250B (zh) 2011-06-24 2011-06-24 一种二氧化硅的提纯方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102249250B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103183351B (zh) * 2011-12-29 2015-12-09 庄翔昊 氯化焙烧-浸出法提纯二氧化硅矿石的方法
CN102769945A (zh) * 2012-07-27 2012-11-07 瓦房店轴承集团有限责任公司 一种应用于工业电阻炉的电热辐射管
CN103435049B (zh) * 2013-08-19 2014-12-31 武汉大学 一种二氧化硅的提纯方法
CN110203934A (zh) * 2018-07-16 2019-09-06 成亚资源科技股份有限公司 废弃封装材的二氧化硅再生方法
CN109437209B (zh) * 2018-07-26 2020-05-05 浙江工业大学 一种从自然界沙子中提取SiO2的方法
CN111285376A (zh) * 2020-04-15 2020-06-16 威海圆环先进陶瓷股份有限公司 一种制备高纯石英粉体的生产工艺
CN116768571B (zh) * 2023-06-26 2024-04-09 广州市兴耀混凝土有限公司 一种高强路面混凝土及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101445246A (zh) * 2008-12-26 2009-06-03 上海普罗新能源有限公司 一种从二氧化硅矿中除磷和硼的方法
CN101993085A (zh) * 2010-11-29 2011-03-30 中煤平朔煤业有限责任公司 一种粉煤灰生产牙膏用白炭黑的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05139713A (ja) * 1991-11-21 1993-06-08 Kawasaki Steel Corp シリコンの精製方法及びその装置
JP2007198786A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Showa Denko Kk 無機系充填剤の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101445246A (zh) * 2008-12-26 2009-06-03 上海普罗新能源有限公司 一种从二氧化硅矿中除磷和硼的方法
CN101993085A (zh) * 2010-11-29 2011-03-30 中煤平朔煤业有限责任公司 一种粉煤灰生产牙膏用白炭黑的方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2007-198786A 2007.08.09
JP特开平5-139713A 1993.06.08
刘瑜等.硅微粉湿法提纯研究.《非金属矿》.2009,第32卷(第5期), *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102249250A (zh) 2011-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102249250B (zh) 一种二氧化硅的提纯方法
CN100372762C (zh) 一种制备太阳能级多晶硅的方法
WO2018113478A1 (zh) 一种以碳酸锂为原料生产一水氢氧化锂的方法
CN110127708B (zh) 一种SiO2纯度≥99.99%高纯石英砂的提纯方法
CN102229430B (zh) 一种冶金法制备太阳能多晶硅的技术方法
CN102001662B (zh) 一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法
RU2451635C2 (ru) Способ получения высокочистого элементного кремния
WO2016119644A1 (zh) 一种磷化锂粉体的制备方法
CN103539129B (zh) 一种二氧化硅的提纯方法
CN101181997A (zh) 一种金属硅材料的制备方法
CN102145892A (zh) 一种除去金属硅中的磷杂质的方法
CN102432020B (zh) 一种太阳能级多晶硅的制造方法
CN102336786A (zh) 一种三氯蔗糖的高效结晶方法
CN106629758B (zh) 一种低温精馏提纯三氟化硼气体的工艺
CN101935041B (zh) 电子束和酸洗提纯多晶硅的方法
CN101362602A (zh) 铸锭边皮和头料的拉制提纯方法
CN101514025B (zh) 一种制备超纯氧化镁粉体的方法
CN101774589A (zh) 低羟基高纯度水晶粉的制备方法
CN101805921A (zh) 一种多晶硅的制备方法
WO2012068717A1 (zh) 一种用于制造太阳能级硅的生产工艺
CN101759188B (zh) 一种铝熔体提纯金属硅的方法
CN101638231A (zh) 高温蒸汽除硼制备太阳能级硅
CN103508661A (zh) 一种新型多晶铸锭用石英陶瓷坩埚的制备工艺
CN101774585B (zh) 一种通过氧化处理提纯金属硅的方法
CN102616786A (zh) 生产4n和4.5n的硅料的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20111123

Assignee: HUNAN TONGLI QUARTZ MATERIAL LIMITED LIABILITY COMPANY

Assignor: Wuhan University

Contract record no.: 2013430000164

Denomination of invention: Method for purifying silicon dioxide

Granted publication date: 20121121

License type: Exclusive License

Record date: 20130927

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121121

Termination date: 20210624

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee