CN102244827A - 声音传感器及麦克风 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种声音传感器，即使增大背板上的声孔的孔径，固定电极膜也不易发生破损，寄生电阻也难以增大。与膜片(33)相对而覆盖膜片(33)的背板(34)由固定电极膜(40)和板部(39)构成。从固定电极膜(40)延伸出引出配线(44)，引出配线(44)与固定侧电极焊盘(45)连接。在固定电极膜(40)的大部分区域开设有开口面积较大的声孔(38a)。在固定电极膜(40)中的引出配线(44)及其附近区域开设有开口面积较小的声孔(38b)。
Description
技术领域
本发明涉及声音传感器及麦克风，具体而言，涉及使用MEMS(MicroElectro Mechanical Systems)技术制造的MEMS方式的声音传感器、和使用该声音传感器的麦克风。
背景技术
作为静电电容方式的声音传感器，具有专利文献1及专利文献2公开的传感器，静电电容方式的声音传感器中，在硅基板的表面设置膜片(可动电极膜)，且以覆盖膜片的方式在硅基板的表面固定背板，由背板的固定电极膜和膜片构成电容器。而且，通过声振动使膜片振动，输出此时的固定电极膜与膜片之间的静电电容的变化。另外，由于通过声振动使膜片振动，所以必须将声振动导入固定电极膜与膜片之间的气隙中，因此，在背板上开设有多个声孔。
在这种声音传感器中，为了提高S/N比，需要增大声孔的孔径。但是，背板上开设的声孔不仅开设在膜厚较厚的板部，而且也开设在厚度薄的固定电极膜上。因此，当增大声孔的孔径时，存在固定电极膜的引出配线部分容易断线，或寄生电阻增大的问题。
专利文献1：特许第7166910号公报
专利文献2：日本特开第2009-89097号公报
发明内容
本发明是鉴于上述的技术课题而创立的，其目的在于提供一种即使增大开设于背板上的声孔的孔径，也难以使固定电极膜发生破损且难以增大寄生电阻的声音传感器。
本发明第一方面提供一种声音传感器，其具备：半导体基板，其具有背室；导电性膜片，其配设在所述半导体基板的上方；绝缘性固定膜，其以隔开间隙而覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；引出配线，其从所述固定电极膜引出；电极焊盘，其将所述引出配线连接，将声振动变换为所述膜片与所述固定电极膜之间的静电电容的变化，其特征在于，在由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板上开设有多个声孔，相比于其它区域，所述引出配线及其附近区域各自的声孔的开口率小。
在此，开口率是指在包含多个声孔的较大区域内的、声孔的开口面积的合计相对于该区域的面积的比率。为减小设于所述引出配线及所述引出配线的附近区域的声孔的开口率，只要在所述引出配线及所述引出配线的附近区域，相比于其它区域，分别减小每个声孔的开口面积即可。或者，只要在所述引出配线及所述引出配线的附近区域，相比其它区域，分别增长相邻的声孔彼此之间的中心距离即可。
另外，所述引出配线及所述引出配线的附近区域具有分别相比位于其它区域的声孔开口率小的声孔是包含所述引出配线或所述引出配线的附近区域不设有声孔(即开口率为零的)的情况。
另外，所述引出配线的附近区域是指背板的声孔形成区域中(除引出配线穿过的区域之外)，从引出配线的基端测量的、声孔的平均中心距离的6倍以内的区域、优选为大致3倍以内的区域。
本发明第一方面的声音传感器中，由于位于引出配线及其附近区域的声孔的开口率较小，所以在引出配线及其附近区域，声孔间的电极膜的宽度不易变窄，可减小引出配线及其附近区域上的寄生电阻。因此，能够降低引出配线及其附近区域的干扰的发生，可以提高声音传感器的S/N比。另外，由于在引出配线及其附近区域，可加宽声孔间的电极膜的宽度，因此，可以减小引出配线及其附近区域的声孔导致的固定电极膜的强度降低。因此，引出配线及固定电极膜的机械强度提高，难以产生断线或破损。
另外，本发明第一方面的声音传感器中，由于在除引出配线及其附近区域之外的其它区域，声孔的开口率较大，因此，声音振动容易通过声孔，能够增大声音传感器的S/N比，提高灵敏度。
本发明第一方面的声音传感器的一实施方式，其特征在于，设于所述引出配线及所述引出配线的附近区域的所述声孔、和位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域外的其它区域的所述声孔按相同的规则排列。在此所说的按相同规则排列是指排列的方式(例如，矩形配置、同心圆状配置、蜂窝状配置，锯齿状配置等)和排列间距(声孔彼此之间的中心距离)相同。根据该实施方式，在制造工序中可以均一地进行气隙的保护层蚀刻。
本发明第一方面的声音传感器的另一实施方式，其特征在于，设于所述引出配线或所述引出配线的附近区域的开口面积较小的所述声孔的直径比该声孔之间的分开距离的两倍小。根据该实施方式，能够确保固定电极膜的强度，减轻寄生电阻。
本发明第一方面的声音传感器的再一实施方式，其特征在于，设于除所述引出配线及引出配线的附近区域之外的其它区域的开口面积较大的所述声孔的直径比该声孔彼此之间的分开距离大。根据该实施方式，由于在除引出配线及引出配线的附近区域之外的其它区域，声孔的开口率大，所以可以提高声音传感器的S/N比。
本发明第一方面的声音传感器的再一实施方式，其特征在于，位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域之外的其它区域的开口面积较大的所述声孔的直径比该声孔彼此之间的分开距离的四倍小。根据该实施方式，能够防止声孔的开口面积过大而导致背板的强度不足、或固定电极膜的电极面积过小。
本发明第一方面的声音传感器的其他实施方式，其特征在于，在所述引出配线及所述配线的附近区域排列的开口面积较小的所述声孔的、相邻的声孔彼此之间的中心距离与位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域之外的其它区域的开口面积较大的声孔的、相邻的声孔彼此之间的中心距离相等。根据该实施方式，在制造工序中可以均一地形成气隙的保护层蚀刻。
本发明第一方面的声音传感器的其他实施方式，其特征在于，从设于所述引出配线的声孔开始计数时，将包含该引出配线声孔在内且位于五区段以下的区域中的声孔作为开口面积较小的所述声孔。在此所说的区段是指从引出配线通过位于大致相等的距离的多个声孔的中心的假象线，根据该实施方式，能够确保背板的强度，减少寄生电阻。
本发明第二方面提供一种声音传感器，其具备：半导体基板，其具有背室；导电性膜片，其配设在所述半导体基板的上方；绝缘性固定膜，其以隔开间隙而覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；引出配线，其从所述固定电极膜引出；电极焊盘，其将所述引出配线连接，将声振动变换为所述膜片与所述固定电极膜之间的静电电容的变化，其特征在于，在由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板上开设有多个声孔，所述引出配线及其附近区域中，至少所述引出配线不设有所述声孔，或者设有开口率比处于其它区域声孔小的声孔，(其中，以下的情况除外，即，所述引出配线上不设有声孔，并且设于所述引出配线的附近区域的声孔的开口率和位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域以外的其它区域的声孔的开口率相等)。
在此所说的开口率是指含有多个声孔的较大区域内的声孔的开口面积合计相对于该区域面积的比率。为了减小所述引出配线及其附近区域中至少设于所述引出配线的声孔的开口率，只要使每一个的开口面积比位于除所述引出配线及其附近区域之外的其它区域的声孔小即可。或者，只要相比位于除所述引出配线及其附近区域之外的其它区域的声孔加长相邻的声孔彼此之间的中心距离即可。
另外，引出配线的附近区域是指背板的声孔形成区域中(除引出配线穿过的区域之外)，从引出配线的基端测量的、声孔的平均的中心距离的6倍以内的区域、优选为大致3倍以内的区域。
本发明第二方面的声音传感器中，由于位于引出配线及其附近区域的声孔的开口率较小，或者不设有声孔，所以在引出配线及其附近区域，声孔间的电极膜的宽度难以变窄，可减小引出配线及其附近区域上的寄生电阻。因此，能够降低引出配线及其附近区域的噪声的发生，可以提高声音传感器的S/N比。另外，由于在引出配线及其附近区域可加宽声孔间的电极膜的宽度，因此，可以减小引出配线及其附近区域的声孔导致的固定电极膜的强度降低。因此，引出配线及固定电极膜的机械强度提高，难以产生断线或破损。
另外，本发明第二方面的声音传感器中，由于在除引出配线及其附近区域之外的其它区域，声孔的开口率较大，所以声振动容易通过声孔，能够增大声音传感器的S/N比，提高灵敏度。
本发明第三方面提供一种麦克风，在壳体内收纳有本发明第一方面的声音传感器和对从所述声音传感器输出的电信号进行处理的信号处理电路。根据本发明的麦克风，由于使用本发明的声音传感器，因此，能够降低噪声的发生，提高麦克风的S/N比。另外，声音传感器的引出配线及固定电极膜的断线及破损难以发生，麦克风不易出现故障。
本发明第四方面提供一种麦克风，在壳体内收纳有本发明第二方面的声音传感器和对从所述声音传感器输出的电信号进行处理的信号处理电路。根据本发明的麦克风，由于使用本发明的声音传感器，因此，能够降低噪声的发生，提高麦克风的S/N比。另外，声音传感器的引出配线及固定电极膜的断线及破损难以发生，麦克风不易出现故障。
另外，本发明的用于解决所述课题的方式具有适当组合以上说明的构成要素的特征，本发明可以通过这些构成要素的组合进行多种变更。
附图说明
图1是本发明实施方式1的声音传感器的平面图；
图2是图1的X-X线剖面图；
图3是实施方式1的声音传感器的作用说明图；
图4是用于说明实施方式1的声音传感器的声孔的配置的图；
图5是本发明实施方式2的声音传感器的平面图；
图6是实施方式2的声音传感器中除去了背板的板部的状态的平面图；
图7是本发明实施方式3的声音传感器的平面图；
图8是本发明实施方式4的声音传感器的平面图；
图9是本发明实施方式5的麦克风的概略剖面图。
标记说明
31、61：声音传感器
32：硅基板
33：膜片
34：背板
35：背室
38a、38b：声孔
39：板部
40：固定电极膜
44：引出配线
45：固定侧电极焊盘
46：可动侧电极焊盘
62：梁部
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。但是，本发明不限于以下的实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内可以进行各种设计变更。
(第一实施方式)
首先，参照图1及图2对本发明实施方式1的声音传感器31的构造进行说明。图1是声音传感器31的平面图。图2是声音传感器31的对角方向的剖面图(图1中X-X线截面)。
该声音传感器31是利用MEMS技术制作的静电电容型元件，如图2所示，在硅基板32(半导体基板)的上表面经由固定器(アンカ一)37设有膜片33，且在其上经由微小的气隙固定有背板34。
在由单结晶硅构成的硅基板32上形成从表面贯穿至背面的背室35，背室35的内周面可以为垂直面，也可以锥状地倾斜。
在硅基板32的上表面设有支承膜片33外周部下表面的多个固定器37，并且，在硅基板32的上表面以包围膜片33的方式形成有厚膜的基台部41。另外，硅基板32的上表面的、比基台部41外侧的区域由比基台部41薄的紧密贴合层47覆盖。固定器37及基台部41由SiO2形成，紧密贴合层47由SiO2或多晶硅形成。
如图1所示，膜片33由大致圆板状的多晶硅薄膜形成，具有导电性。从膜片33朝向外侧延伸出带板状延伸出引出配线43。
膜片33以覆盖背室35的上表面开口的方式配置在硅基板32之上，膜片33的外周部下表面将其全周通过固定器37固定在硅基板32的上表面。因此，膜片33在背室35的上方悬空悬浮，可感应声振动(空气振动)而进行膜振动。
背板34在由氮化膜(SiN)构成的板部39(固定膜)的下表面设有由多晶硅构成的固定电极膜40。背板34形成顶盖状，由其下的空洞部分覆盖膜片33。背板34之下的空洞部分的高度(自硅基板32的上表面至固定电极膜40的下表面的高度)根据制造上的理由而与形成于硅基板32上表面的基台部41的厚度相等。在背板34的下表面(即，固定电极膜40的下表面)与膜片33的上表面之间形成有微小的气隙。固定电极膜40与作为可动电极膜的膜片33相对，构成电容器。
在背板34上以从上表面贯通至下表面的方式穿设有多个用于使声振动通过的声孔38a、38b(声孔)。背板34上设于固定电极膜40的引出配线44及其附近区域的声孔38b的开口面积比设于其以外的区域(即，背板34的声孔的形成区域中离开引出配线44的大部分区域)的声孔38a的开口面积小。另外，声孔38a、38b从板部39贯通至固定电极膜40，板部39的声孔和固定电极膜40的声孔用相同的符号表示。
另外，在膜片33的外周部下表面与硅基板32的上表面之间也开设有小的间隙(声振动的通路)。因此，通过声孔38a、38b进入到背板34内的声振动使膜片33振动，同时，通过膜片33的外周部与硅基板32之间的间隙而穿过背室3。
另外，在背板34的内表面突出有多个微小的挡块34，防止因对膜片33与固定电极膜40之间施加过电压时的静电引力而将膜片33吸附在背板34的下表面不能返回。另外，通过挡块42还可以防止因浸入到膜片33与背板34之间的水分而使膜片33粘固(粘附)在背板34上不能返回的现象。
从形成顶盖状的板部39的外周缘，遍及全周连续地延伸出保护膜53。因此，保护膜53由与板部39相同的氮化膜(SiN)构成，具有与板部39大致相同的膜厚。保护膜53的内周部形成截面倒沟状的基台被覆部51，保护膜53的外周部成为平坦部52。
背板34固定在硅基板32的上表面，保护膜53经由基台部41及紧密贴合层47覆盖硅基板32的上表面外周部。保护膜53的基台被覆部51覆盖基台部41，平坦部52覆盖紧密贴合层47的上表面。
膜片33的引出配线43固定于基台部41，从固定电极膜40延伸出的引出配线44也固定于基台部41的上表面。另一方面，在基台被覆部51上开设有开口，通过该开口在引出配线43的上表面形成有可动侧电极焊盘46(电极端子)，可动侧电极焊盘46与引出配线43(因此与膜片33)导通。另外，设于板部39的上表面的固定侧电极焊盘45(电极端子)经由通孔等与引出配线44(因此与固定电极膜40)导通。
设于引出配线44及其附近区域的声孔38b的开口面积较小，设于除此以外的区域的声孔38a具有较大的开口面积。这些声孔38a、声孔38b整体可以如图1所示三角形状(或蜂窝状)地排列，也可以四边形状或圆环状地排列，也可以随机排列。因此，在形成有开口面积较大的声孔38a的区域，声孔38a间的分开距离(即，相邻的声孔的外周间的最短距离)较小，在形成开口面积较小的声孔38b的区域内，声孔38b间的分开距离较大。
然后，该声音传感器31中，声振动通过声孔38a、声孔38b进入到背板34和膜片33之间的空间时，薄膜即膜片33与声振动进行共振而膜振动。膜片33振动而膜片33与固定电极膜40之间的间隙距离变化时，膜片33与固定电极膜40之间的静电电容发生变化。其结果，在声音传感器31中，膜片33感应的声振动(音压的变化)成为膜片33与固定电极膜40之间的静电电容的变化，作为电信号而从电极焊盘45、46输出。
另外，在该声音传感器31中，在除引出配线44及引出配线44的附近区域之外的区域、即背板34的大部分区域设有开口面积较大的声孔38a，所以，声振动能够容易地通过声孔38a、38b，能够加大声音传感器31的S/N比，提高灵敏度。
但是，伴随膜片33与固定电极膜40的静电电容的变化，在固定侧电极焊盘45与固定电极膜40之间，如图3中箭头所示，通过引出配线44流通电流。因此，当引出配线44及位于其附近区域的声孔38a的开口面积大时，电流通路的截面积减小，电流通路的寄生电阻提高。而且，当寄生电阻提高时，可能从电阻发生的电干扰增大而致使声音传感器的特性恶化。
对此，在上述声音传感器31中，由于在引出配线44及其附近区域设置的声孔38b的开口面积变小，因此，引出配线44及固定电极膜40中的电流通路的截面面积因声孔38b而难以变窄，如图3中箭头所示流动的电流的寄生电阻变小。因此，在引出配线44及其附近区域也可以减小寄生电阻，降低噪声，提高传感器的S/N比。其结果，通过开口面积较大的声孔38a和开口面积较小的声孔38b的组合，能够有效地提高声音传感器31的S/N比。
另外，引出配线44的部分由于宽度窄，所以强度低，而且由于开设有声孔38b，所以强度更容易降低。另外，由于引出配线44的前端固定于基台部41上，所以固定电极膜40中与引出配线44相连的部位容易有应力集中，进而因声孔38b而强度也降低。因此，在设置开口面积大的声孔时，在引出配线44及其附近区域，引出配线44及固定电极膜40破损或断线，声音传感器31会停止功能。
对此，在上述声音传感器31中，在引出配线44及其附近区域减小声孔38b的开口面积，因此，能够减小引出配线44及其附近区域的声孔38b引起的强度降低。因此，在声音传感器31中，引出配线44及固定电极膜40难以发生断线及破损，从而声音传感器31的机械强度提高。
接着，对用于提高声音传感器31的特性的声孔38a、38b的大小和间距的关系进行说明。其中，声孔38a、38b大致为圆形的开口，有规则地排列。
对远离引出配线44的区域的开口面积较大的声孔38a进行说明。如图4所示，如果设开口面积大的声孔38a的直径为Wa，声孔38a彼此之间的分开距离为Da，则声孔38a的排列间距(中心距离)为Wa+Da。另外，分开距离Da×固定电极膜40的厚度表示电流通路相对于声孔38a间流过的电流的截面面积。
首先，第一，为了提高声音传感器31的S/N比，优选在远离引出配线44的区域增大声孔38a的开口率，因此，期望直径Wa＞分开距离Da。
另外，为了有效地排出在膜片33与固定电极膜40之间的气隙发生的热噪声，期望声孔38a彼此之间的分开距离Da尽可能地窄。但是，如果声孔38a彼此之间的分开距离过度窄，则导致背板34的强度不足，或固定电极膜40的电极面积变小。因此，优选为Da＞0.25×Wa。因此，优选声孔38a彼此之间的分开距离Da尽可能地窄，但以0.25Wa为下限值。
总结表示之，可得到0.25×Wa＜Da＜Wa的条件。
另一方面，声孔38a的直径Wa过小时，在制造工序中可能不能进行背板34内存在的保护层的蚀刻，或可能在声孔38a的内部产生热噪声，因此，优选声孔38a的直径Wa为3μm以上，例如，如果使Wa＝16μm，Da＝8μm，则可减小气隙的热噪声，另外能够得到高的S/N比。
接着，对引出配线44及其附近区域的开口面积较小的声孔38b进行说明。如图4所示，如果设开口面积小的声孔38b的直径为Wb，声孔38b彼此之间的分开距离为Db，则声孔38b的排列间距为Wb+Db。另外，分开距离Db×固定电极膜40的厚度表示电流通路相对于在声孔38b间流过的电流的截面面积。
在引出配线44的附近，必须使固定电极膜40的强度确保及寄生电阻的减轻优先，所以声孔38b彼此之间的分开距离Db宽为好。特别是由于固定电极膜40有足够的强度，所以分开距离Db比声孔38b的半径大即可(例如，Db＞0.5×Wb即可)。另外，为了均一地进行气隙的保护层蚀刻，优选使引出配线44及其附近区域的声孔38b的排列间距Wb+Db与自引出配线44离开的区域中的声孔38a的排列间距Wa+Da相等。即，由于Wb+Db＝Wa+Da，且Wa＞Wb，所以Da＜Db。因此，如果为了将声孔38a的配置如上述地形成为Wa＝16μm、Da＝8μm的情况，则只要将声孔38b的配置形成为Wb＝10μm、Db＝14μm，则可使固定电极膜40拥有足够的强度，而且，保护层蚀刻也能够均一地进行。
另外，从确保背板34的强度，减轻寄生电阻的观点出发，形成开口面积小的声孔38b的区域优选为一区段以上、五区段以下为好。如果为六区段以上，则不能减小气隙的热噪声，可能使声音传感器31的S/N比变差。在此，所谓声孔38b的区段是指将连续地配置的(特别是看作以短间隔并列连续的)一组声孔38b作为一区段。例如，图4的例中，由三区段构成，第一区段(I)由设于引出配线44的一个声孔38b构成，第二区段(II)由三个声孔38b(例如，位于第一区段(I)的声孔38b至角的距离为Wb+Db的六边形上的声孔38b)构成，第三区段(III)由五个声孔38b(例如，位于第一区段(I)的声孔38b至角的距离为2Wb+2Db的六边形上的声孔38b)构成。图4的例中，由于任一方向上声孔38b的间距都相等，所以将尽可能多的声孔38b在并列方向定为一区段。
(第二实施方式)
对本发明实施方式2的声音传感器进行说明。图5是本发明实施方式2的声音传感器61的平面图。图6是声音传感器61的省略板部39表示的平面图，将其一部分一并放大表示。
实施方式2的声音传感器61除膜片33及背板34形成为大致矩形状这一点外，具有与实施方式1中的声音传感器31大致相同的构造，所以对与实施方式1相同的构造部分在图中标注相同的符号，省略说明。
如图6所示，声音传感器61中，膜片33形成为大致矩形，从其四角向对角线方向延伸出梁部62，膜片33通过由SiO2构成且设于硅基板32的上表面的固定器37支承各梁部62的下表面。
另外，声音传感器61上，在从固定电极膜40延伸出的引出配线44的附近区域，设有开口面积小的声孔38b，在自引出配线44离开的区域，设有开口面积较大的声孔38a。声孔38b以与声孔38a相同的排列间距设置成三个区段。
(第三实施方式)
对本发明实施方式3的声音传感器进行说明。图7是本发明实施方式3的声音传感器71的平面图。
实施方式3的声音传感器71中，在引出配线44上设有一个或多个开口面积较小的声孔38b，仅以处于引出配线44的声孔38b作为开口面积小的声孔。在引出配线44通过的区域以外的区域有规则地排列有开口面积大的声孔38a。其中，在引出配线44的附近区域，从有规则地排列的声孔38a中省略几个声孔38a，由此，相比自引出配线44离开的区域，声孔38a的数量密度减小，且声孔38a的排列间距减小。
该实施方式中，在引出配线44上，通过减小声孔38b的开口面积，减小声孔38b的开口率。另外，在引出配线44的附近区域，通过减小声孔38a的数量密度，减小声孔的开口率。
另外，图7的实施方式中，也考虑在引出配线44上设置开口面积小的声孔38b，且在引出配线44的附近区域不设置声孔(即开口率为零)。
另外，接着，也可以仅在引出配线44通过的区域使开口率小，即，在引出配线44上设置开口面积小的声孔38b，减小开口率。另一方面，在引出配线44通过的区域以外的区域有规则地排列开口面积大的声孔38a，引出配线44的附近区域也为与自引出配线44离开的区域相同的开口率。
(第四实施方式)
对本发明实施方式4的声音传感器进行说明。图8是本发明实施方式4的声音传感器81的平面图。
实施方式4的声音传感器81中，在引出配线44通过的区域以外的区域设有声孔38a。声孔38a均具有相同大小的开口面积(或者，孔径)。而且，在处于远离引出配线44的区域的声孔38a中，以邻接的声孔38a彼此之间的分开距离较小的方式有规则地排列声孔。在引出配线44的附近区域，以声孔38a彼此之间的分开距离比自引出配线44离开的区域大的方式不规则或随机地配置声孔38a。
该实施方式中，由于在引出配线44上不设置声孔，所以其开口率为零，在引出配线44的附近区域，声孔38a的数量密度边小，其开口率比远离引出配线44的区域也小。
另外，在图8的实施方式中，也可以在引出配线44上设置小的声孔38b。
(第五实施方式)
图9为表示本发明实施方式5的麦克风91的概略剖面图。如图9所示，声音传感器92与IC电路93(信号处理电路)一同安装于封装94内，将声音传感器92的电极焊盘95和IC电路93用接合线94连接，另外，将IC电路93用接合线97与封装94的电极部98连接。另外，在封装94的上表面开设有用于使声振动进入封装94内的声振动导入孔99。
然后，当声振动从声振动导入孔99进入封装94内时，其声振动由声音传感器92检测。通过声振动使膜片33与固定电极膜40间的静电电容发生变化，将该静电电容的变化作为电信号向IC电路93输出。IC电路93对从声音传感器92输出的电信号实施规定的信号处理，可将其从电极部98向外部输出。
Claims (12)
1.一种声音传感器，其具备：
半导体基板，其具有背室；
导电性膜片，其配设在所述半导体基板的上方；
绝缘性固定膜，其以隔开间隙而覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；
导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；
引出配线，其从所述固定电极膜引出；
电极焊盘，其将所述引出配线连接，
将声振动变换为所述膜片与所述固定电极膜之间的静电电容的变化，其特征在于，
在由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板上开设有多个声孔，
相比于其它区域，所述引出配线及其附近区域各自的声孔的开口率小。
2.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，相比于其它区域，所述引出配线及所述引出配线的附近区域各自的每个声孔的开口面积小。
3.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，相比于其它区域，所述引出配线及所述引出配线的附近区域各自的相邻的声孔彼此之间的中心距离长。
4.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，设于所述引出配线及所述引出配线的附近区域的所述声孔、和位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域之外的其它区域的所述声孔按相同的规则排列。
5.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，设于所述引出配线或所述引出配线的附近区域的开口面积较小的所述声孔的直径小于该声孔彼此之间的分开距离的两倍。
6.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，设于除所述引出配线及引出配线的附近区域之外的其它区域的开口面积较大的所述声孔的直径大于该声孔彼此之间的分开距离。
7.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域之外的其它区域的开口面积较大的所述声孔的直径小于该声孔彼此之间的分开距离的四倍。
8.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，在所述引出配线及所述配线的附近区域排列的开口面积较小的所述声孔的、相邻的声孔彼此之间的中心距离与位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域之外的其它区域的开口面积较大的声孔的、相邻的声孔彼此之间的中心距离相等。
9.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，从设于所述引出配线的声孔起计数时，将包含该引出配线声孔在内且位于五区段以下的区域内的声孔作为开口面积较小的所述声孔。
10.一种声音传感器，其具备：
半导体基板，其具有背室；
导电性膜片，其配设在所述半导体基板的上方；
绝缘性固定膜，其以隔开间隙而覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；
导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；
引出配线，其从所述固定电极膜引出；
电极焊盘，其将所述引出配线连接，
将声振动变换为所述膜片与所述固定电极膜之间的静电电容的变化，其特征在于，
在由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板上开设有多个声孔，
所述引出配线及其附近区域中，至少所述引出配线不设有所述声孔，或者设有开口率比处于其它区域声孔小的声孔，其中，以下的情况除外，即，所述引出配线上不设有声孔，并且设于所述引出配线的附近区域的声孔的开口率和位于除所述引出配线及所述引出配线的附近区域以外的其它区域的声孔的开口率相等。
11.一种麦克风，在壳体内收纳有权利要求1所述的声音传感器和对从所述声音传感器输出的电信号进行处理的信号处理电路。
12.一种麦克风，在壳体内收纳有权利要求10所述的声音传感器和对从所述声音传感器输出的电信号进行处理的信号处理电路。
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