CN111263282A - 电容式传声器及其制作方法 - Google Patents
电容式传声器及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111263282A CN111263282A CN201911200224.6A CN201911200224A CN111263282A CN 111263282 A CN111263282 A CN 111263282A CN 201911200224 A CN201911200224 A CN 201911200224A CN 111263282 A CN111263282 A CN 111263282A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- back plate
- tubular
- condenser microphone
- projection
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
- H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2231/00—Details of apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor covered by H04R31/00, not provided for in its subgroups
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本发明的电容式传声器包括:基础基板;薄膜,位于所述基础基板上;背板部,位于所述薄膜上;空气层,位于所述薄膜和所述背板部之间;多个管形凸起;从所述背板部上向着所述薄膜方向凸出至空气层。
Description
技术领域
本发明涉及电容式传声器(condenser microphone)及其制作方法,更详细地说涉及通过声压振动的薄膜的振动效率好,输出电压的灵敏度优秀的电容式传声器及其制作方法。
背景技术
通常的声传感器(acoustic sensor)作为将声信号变换成电信号的装置包括传声器。
传声器根据材料或工作原理,具有非常多样的多种。
例如,根据材料分为碳粒传声器(carbon microphone)、晶体传声器(crystalmicrophone)以及电磁传声器(magnetic microphone)。
并且,根据工作原理可以分为利用由磁场产生的感应电动势的动圈传声器(dynamic microphone)和利用薄膜(membrane)或膜片(diaphragm)等振动板的振动引发的电容(capacitance)变化的电容式传声器。
电脑、移动通讯终端、MP3录音机、卡带录音机、摄像机、耳麦等,便携式电子机器或小型电子机器主要使用ECM(Electret Condensor Microphone,驻极体电容传声器)或MEMS(Micro Electro Mechanical System,微机电系统)传声器等超小型电容式传声器。
ECM传声器利用一种叫驻极体(electret)的极化电介质。ECM传声器在未接通偏置电压的期间,具有蓄积电荷的功能。驻极体的电荷对温度敏感,并且由于长期漂移(Long-Term Drift)导致特性恶化从而降低传声器的敏感度。因此,虽然用驻极体将特氟隆(Teflon)适用于传声器,但在标准的量产工程中适用特氟隆引发了很多困难的问题。
相反,电容式传声器不需要驻极体,为蓄积电荷只需接通偏置电压。
电容式传声器根据温度具有适当的感知(Sensing)灵敏度和低感知灵敏度。这种电容式传声器为了较小的大小(size)和低费用量产化大多以MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)工程制造,因此电容式传声器也被统称为MEMS传声器(MEMSmicrophone)。
电容式传声器包括两个平板电容,即振动板和背板(back plate),两个平板电容通过以绝缘物质作用的空气层(air gap)分离。
支撑振动板和背板的基础基板形成背音室(Back Chamber)。背板形成多个音响孔执行缓和空气阻尼(Air Damping)的作用。
通过背板的音响孔引入的声波成为扭曲振动板的原因,振动板和背板之间的电容随着空气层的厚度变化而变化。
这种随着空气层的厚度变化而变化的电容,通过构成于电容式传声器的读出电路(Readout Circuit)变换为适当的电信号。
传声器商用化制造企业一直以来为了传声器的敏感度改善及噪声等级(NoiseLevel)持续改善了振动板和背板的结构和物质。
电容式传声器为了最小化寄生电容并提高振动板的振动效率需要维持振动板的有效振动。
图1示出现有的电容式传声器的部分结构。
如图1所示,现有的电容式传声板具备基础基板10、振动板11、背板12、位于基础基板10和背板12之间并支撑振动板11的绝缘连接部13a、13a及位于振动板11和背板12之间的空气层14。
此时,绝缘连接部13a、13b,如图1所示,以振动板11为中心分为位于下部的部分13a和位于上部的部分13b。
形成于基础基板10的振动板11为了使空气层14更容易振动而具有弹性,并且以垂直方向振动从而在和背板12之间形成相应大小的电容(Ce、Cc)。
此时可动的振动板11的振动范围为触到(即,贴到)背板12之前,一旦振动板11贴到背板12就会达到电荷不再移动的吸合电压(Pull-In Voltage)状态,从而具备电容式传声器的声传感器无法执行正常的传感功能并受损。
为了提高电容式传声器的工作效率,电容式传声器需要将对于声信号的背板12和振动板11之间的静电容最大化,将泄漏静电容最小化。
运作中主要发生的泄漏静电容具有在背板12和振动板11之间的绝缘连接部13b发生的寄生电容(Parasitic capacitance,Cp1)和在位于振动板11和基础基板10之间的绝缘连接部13a发生的寄生电容(Cp2)。除了这种寄生电容外也存在一种在连接传声器本体(未图示)和为输入输出信号而形成的板(pad)的丝(wire)上发生的电容。
【先行技术文献】
【专利文献】
韩国公开专利第10-2016-0127212号(公开日2016.11.03)
发明内容
(要解决的问题)
本发明所要解决的课题是提供在运作电压中,提高振动板的振动效率,从而提高电容式传声器的性能的电容式传声器及其制作方法。
本发明所要解决的另一个课题是提供输出电压的灵敏度优秀的电容式传声器及其制作方法。
(解决问题的手段)
为解决所述问题的本发明的电容式传声器,包括:基础基板;薄膜,位于所述基础基板上;背板部,位于所述薄膜上;空气层,位于所述薄膜和所述背板部之间;以及多个管形凸起,从所述背板部向所述薄膜方向凸出至空气层。
所述多个管形凸起的凸出长度可以与位置无关并相同。
所述多个管形凸起的凸出长度可以根据位置不同。
从所述薄膜的中心部越向边缘部,与此面对的管形凸起的凸出长度可以增加。
所述管形凸起的凸出长度可以以规定的比率增加。
所述多个管形凸起的密度可以根据位置不同。
从所述薄膜的中心部越向边缘部,与此面对的管形凸起的密度可以减少。
各个管形凸起可以具有0.6~2.0μm的外径,0.3~1.5μm的内径。
根据本发明的特征的电容式传声器还可以包括:多个音响孔,贯通所述背板部,且所述多个管形凸起位于没有所述多个音响孔的部分。
根据本发明的特征的电容式传声器还可以包括:多个条形凸起,在所述背板部向所述薄膜方向凸出至空气层。
根据本发明的特征的电容式传声器还可以包括:多个音响孔,贯通所述背板部,且所述多个条形凸起位于没有所述多个音响孔和所述多个管形凸起的部分。
所述多个条形凸起的凸出长度可以与位置无关并相同。
所述多个条形凸起的凸出长度可以根据位置不同。
从所述薄膜的中心部越向边缘部,与此面对的管形凸起的凸出长度可以增加。
所述背板部可以包括:第一背板,与所述空气层相接,且所述管形凸起位于其上。
所述背板部还可以包括:第二背板,位于所述第一背板上并与所述管形凸起连接。
所述第二背板可由与所述管形凸起相同的材料构成。
所述第一背板可由与所述第二背板相同的材料构成。
所述第一背板与所述第二背板可以由不同的材料构成。
根据本发明的其他特征的电容式传声器的制作方法,包括:在基础基板上形成薄膜的步骤;在所述薄膜上形成牺牲层的步骤;在所述牺牲层上形成第一背板层的步骤;在所述第一背板层上叠层抗蚀膜后使用掩膜板选择性蚀刻所述抗蚀膜并将位于蚀刻部分的第一背板层部分露出的步骤;将剩余的所述抗蚀膜作为掩膜板除去所述第一背板层露出的部分,从而形成具备管形的空间的第一背板的步骤;除去剩余的所述抗蚀膜的步骤;将通过所述空间露出的牺牲层,以规定深度蚀刻从而在所述第一背板和所述牺牲层形成管形凸起用孔的步骤;在所述管形凸起用孔内蒸镀规定物质,形成管形凸起的步骤。
根据本发明的另一个特征的电容式传声器的制作方法,包括:在基础基板上形成薄膜的步骤;在所述薄膜上形成牺牲层的步骤;在所述牺牲层上形成第一背板层的步骤;在所述第一背板层上叠层抗蚀膜后,使用掩膜板选择性蚀刻所述抗蚀膜并将位于蚀刻部分的第一背板层的部分露出的步骤;将剩余的所述抗蚀膜作为掩膜板除去露出的所述第一背板层的部分,从而形成具备管形的空的部分和条形的空的部分的第一背板的步骤;除去剩余的所述抗蚀膜的步骤;将通过所述管形的空的部分和条形的空的部分露出的牺牲层以规定深度蚀刻,从而在所述第一背板和所述牺牲层,形成用于管形凸起用孔和条形凸起用孔的步骤;在所述管形凸起用孔和条形凸起用孔内蒸镀规定物质从而形成管形凸起和条形凸起的步骤。
根据所述特征的电容式传声器的制作方法还可以包括:在所述第一背板上和所述管形凸起上形成第二板层的步骤。
所述形成第二板层的步骤可以利用与所述管形凸起相同的材料形成所述第二背板。
根据所述特征的电容式传声器的制作方法还可以包括:在所述第一背板上,所述管形凸起以及所述条形凸起上形成第二板层的步骤。
所述形成第二板层的步骤可以利用与所述管形凸起相同的材料形成所述第二背板。
(发明的效果)
根据本发明的这种特征,通过因中间具备空间从而具有相对大的外径和窄线宽的管形凸起,可以防止振动的薄膜与背板部接触并粘贴的现象。并且,由于相对大的外径,与管形凸起接触时,可以防止或最小化薄膜的损伤。因此,可以增加薄膜的寿命。
并且,在电容式传声器接通高声压时,由于管形凸起与薄膜的宽部分接触,因此可以通过管形凸起的缓冲效果提高电容式传声器的耐久性。
并且,多个管形凸起的密度从中心部越向边缘部减少,因此可以提高根据薄膜的振动形式的等高线型凸起部的缓冲效果及防粘贴效果。
除了管形凸起外附加具备条形凸起时,由于管形凸起和条形凸起位于没有形成音响孔的部分,因此可以提高背板的空间活用和薄膜的控制效果。
此外,背板部以二层形成从而可以提高管形凸起的支撑力,大幅减少弯曲现象。
附图说明
图1是示出现有的电容式传声器的结构的一部分的剖面图。
图2是示出根据本发明的一实施例的电容式传声器结构的电容式传声器的示例性平面图。
图3是示出将图2所示的电容式传声器沿Ⅲ-Ⅲ线截断的剖面图。
图4是概略示出在本发明的一实施例的电容式传声器中,音响孔和管形凸起的配置状态的电容式传声器的部分平面图。
图5a至图5j是示出沿图2的Ⅲ-Ⅲ线截断的剖面图,是根据本发明的一实施例的电容式传声器的制作顺序依次示出的剖面图。
图6是示出根据本发明的另一实施例的电容式传声器结构的电容式传声器的示例性平面图。
图7是示出将图6所示的电容式传声器沿Ⅶ-Ⅶ线截断的剖面图。
图8是概略示出在本例的电容式传声器中的音响孔、管形凸起以及条形凸起的配置状态的电容式传声器的部分平面图。
(附图标记说明)
100:基础基板 101:背音室
110:振动板,薄膜 120:背板部
120a:第一背板 120b:第二背板
121a:第一板层 130:空气层
131:牺牲层 140:管形凸起
142:条形凸起 H10:音响孔
具体实施方式
以下,参考附图详细说明本发明的实施例。在说明本发明时,对该领域公知的技术或构成附加具体的说明被判断为可能使本发明的要旨不清楚时在详细说明中将省略一部分。并且,本说明书中使用的用语是为了适当说明本发明的实施例而使用的,可以根据该领域的相关人员或惯例等进行改变。因此,对这些用语的定义应以本说明书整体的内容为基础。
这里使用的专业用语只是为了涉及特定实施例,而不是限定本发明。这里使用的单数形态除了明确表示于此相反的含义的情况之外也包括复数形态。
说明书中使用的“包括”的含义具体化特定特性、领域、整数、步骤、动作、要素及/或成分,并且不排除其他特定特性、领域、整数、步骤、动作、要素、成分及/或群的存在或附加。
以下,通过附图说明根据本发明的一实施例的电容器传声器及其制作方法。
首先,参考图2至图4说明根据本发明的一实施例的电容式传声器的结构。
如图2及图3所示,本实施例的电容式传声器具备基础基板100,位于基础基板100上的薄膜110,位于薄膜110上的背板部120,位于基础基板100和背板部120之间的空气层130,在背板部120向空气层130凸出的多个管形凸起140。
基础基板100由硅片(silicon wafer)等构成。
这种基础基板100具备不存在硅片的背音室(即,空洞)101。因此,背音室101内具有驻极体元件。
薄膜110是根据流入电容式传声器内部的声波的大小振动的振动板,因此,通过根据这种声波的薄膜110的振动生成相应的电信号。
作为一例,薄膜110具有0.5~2.0μm的厚度,并由多晶硅(Poly Si)构成。
薄膜110的厚度未满0.5μm时,由于薄膜110的厚度过于薄而破损的危险大,且具有超过2.0μm厚度时,根据声波的振动动作会受到干扰。
背板部120以空气层130为中心与薄膜110面对。因此,根据薄膜110振动的薄膜110和背板部120之间的距离变化,薄膜110和背板部120之间会发生相应大小的电容。
这种背板部120具备位于空气层130上并与空气层130相接的多个管形凸起140所在的第一背板120a和位于第一背板120a上并与多个管形凸起140连接的第二背板120b。
第一背板120a帮助与其面对的薄膜110和电容的发生,第二背板120b执行支撑管形凸起140的作用。
第一背板120a和第二背板120b可以由相同材料构成或不同的材料构成。并且,第二背板120b由与管形凸起140相同的材料构成。
第一背板120a和第二背板120b由相同材料构成时,第一背板120a和第二背板120b可以由与管形凸起140相同的材料(例如,氮化物)构成。
但是,第一背板120a和第二背板120b由不同的材料构成时,只有第二背板120a由与管形凸起140相同的材料构成。
如此,由于背板部120以二层构成,因此可以提高与空气层130面对面的背板部120的支撑力,从而防止弯曲现象。
并且,因与管形凸起140相同的材料形成的第二背板120b,管形凸起140的支撑力得到增加从而防止管形凸起140从背板部120掉落的现象。
但是,在其他例中可以省略第二背板120b。
以作为绝缘层的空气层130为中心的薄膜110和背板部120,可以进行作为分别在相反的方向面对面的面对电极的功能。此时,薄膜110和背板部120分别可以附加地具备薄膜电极和背板电极。薄膜电极可以接通偏置电压(bias voltage),背板电极可以接通生成的输出电压从而向外部输出。
空气层130如所述位于薄膜110和背板部120之间,以与空气层130的厚度相当的距离,隔离薄膜110和背板部120之间。
这种空气层130起到电介质的功能,如上所述,根据声波引起的薄膜110的振动,在薄膜110和背板部120之间发生相应大小的电容。
多个管形凸起140为了防止在薄膜110振动时,薄膜110和背板部120相接导致发生吸合电压状态,并起到界面缓冲作用。
本例的各个管形凸起140由氮化物构成,从名称中可知,为环(ring)形状,中间部分具备以圆形填满空气的空间H14。
这种管形凸起140,如图3所示,在背板部120向薄膜110侧凸出规定长度,由于这种多个管形凸起140,振动的薄膜110可以与管形凸起140相接而不是背板部120。
因此,振动时薄膜110不与背板部120相接,从而不会发生吸合电压状态,因此薄膜110的寿命得到延长,并且电容式传声器的寿命也得到延长。
在图3,背板120更具体地说从第一背板120a的下面到薄膜110侧,凸出至空气层130的管形凸起140的凸出长度与位置无关并相同。
但是,这并不限于此,在代替方案的例中,至少两个管形凸起140的凸出长度根据位置不同,因此,位于电容式传声器的中心部的管形凸起140的凸出长度可以比位于边缘部的管形凸起140的凸出长度更短。
凸出长度根据位置不同时,从电容式传声器的中心部越向边缘部从,管形凸起140的凸出长度可以增加。此时,凸出长度的增加比率可以根据规定的比率按比例增加。
通常在流入相同大小的声波时,薄膜110的振动幅度从中心部越向边缘部减少。
因此,从电容式传声器的中心部越向边缘部的管形凸起140的凸出长度增加时,薄膜110不会受面对的管形凸起140的干扰,正常完成相应幅度的振动动作,薄膜110的振动对于中心部对称地维持。
因此,对应于流入的声波发生正确的电容,从而提高电容式传声器的运作可信度,缓解与管形凸起140的接触频率或接触时的冲击,减少薄膜110的损伤和破损。
尤其是由于位于中间部分的空间H14被空气填满,因此薄膜110冲击对应的管形凸起140时发生缓冲效果,从而更好地减少薄膜110的损伤或破损。
各个管形凸起140的外部直径D11可以维持0.6μm至2.0μm,内部直径D12可以维持0.3μm至1.5μm,各个管形凸起140的线宽W11,即,厚度维持最小0.2μm因此较薄。
具有大的外径,且中间部分具备空间,因此本例的管形凸起140具有强耐久性。因此,可以防止与薄膜110频繁冲突导致的管形凸起140的破损或减少破损。
并且,由于窄的线宽W11,减少与薄膜110接触的管形凸起140的接触面积,因此即使薄膜110与管形凸起140接触,也能防止粘贴到管形凸起140的现象。
管形凸起140的外部直径大于0.6μm时,增加管形凸起140接触的薄膜110的范围,从而可以提高薄膜的吸收冲击效果,增加管形凸起140的耐久性。相反,管形凸起140的外部直径小于2.0μm时,可以防止因管形凸起140的形成面积增加所引起的问题。
并且,管形凸起140的内部直径大于0.3μm时,可以减少管形凸起形成时的困难并有助于与薄膜110的粘贴现象,管形凸起140的内部直径小于1.5μm时,可以防止管形凸起140的线宽减小问题。
各个管形凸起140的线宽W11大于0.2μm时,管形凸起140的形成更容易,且可以减少与薄膜110冲突时破损的危险。
如此,外部口径(即,外部直径D11)形成得较宽,因此可以扩大每个凸起可以接触的薄膜110的范围。
这种多个管形凸起140如图4所示,位于音响孔H10未在的背板部120的位置。音响孔H10是声波流入的孔,是完全贯通背板部120的贯通孔。
即,管形凸起140避开背板音响孔H10并配置于音响孔H10的周围。此时,相邻的两个管形凸起140之间的间隔可以是一定的。
在本例中,如图2所示密集于电容式传声器的相应部分(即,背板部120)的中心部(即中间部),且可以不位于边缘部。
但是,管形凸起140除了位于电容式传声器的相应部分的中心部外,还可以位于如边缘部等其他部分。此时,薄膜110的振动在中心部较强且越向边缘部变弱,因此管形凸起140的密度可以根据面对的薄膜110的位置不同,例如,管形凸起140的密度从薄膜110的中心部越向边缘部减少。
因此,面对于薄膜110的中心部的相邻的两个管形凸起140的间隔,可以比面对于薄膜110的边缘部的相邻的两个管形凸起140的间隔窄。此时,相邻的两个管形凸起140的间隔从薄膜110的中心部越向边缘部,可按比例变化。
具有此结构的本例的电容式传声器除了图2及图3所示的构成因素外,还可以附加地具备位于基础基板100上支撑背板部120的绝缘连接部,与背板电极电连接并输出电信号的输出垫,与薄膜电极电连接并用于输入偏置电压的偏置垫,与用于连接背板电极和输出垫以及连接薄膜电极和偏置板的各个连接器等的至少一个构成因素。
以下,参考图5a至图5j概略说明根据本发明的一实施例的电容式传声器的制作方法。
首先,如图5a所示,在由硅片组成的基础基板100上以CVD蒸镀成长法蒸镀多晶硅膜形成薄膜110。此时,形成的薄膜110可以具备0.5μm~2.0μm的厚度。
接下来,如图5b所示,在薄膜110上由热氧化法成长1.5~4.0μm厚度的膜形成牺牲层131。此时,牺牲层131的厚度可以根据薄膜110的振动范围和管形凸起140的凸出长度等决定。
此后,如图5c所示,在牺牲层131上利用蒸镀法形成由氮化物构成的第一背板层121a。第一背板层121a的厚度可以是2.0μm~3.5μm。
然后,如图5d所示,叠层抗蚀膜151后利用掩膜板(mask)选择性掩盖抗蚀膜151,并蚀刻抗蚀膜151露出的部分露出位于下部的第一背板层121a。
此时,抗蚀膜151的蚀刻部分成为管形凸起140的形成位置。
如此,利用抗蚀膜151露出第一背板层121a中希望露出的部分后,将剩余的抗蚀膜151作为掩膜板蚀刻第一背板层121a的露出部分形成第一背板120a(图5e)。
此时,第一背板120a通过蚀刻具备管形的空的部分,通过这个空间露出牺牲层131的相应部分。
蚀刻液选择性得只除去第一背板层121a的露出部分,牺牲层131的露出部分不会被蚀刻。
然后,存在于第一背板120a上的抗蚀膜121会被除去(图5f)。
如图5g所示,从露出的牺牲层131的表面,将牺牲层131蚀刻规定深度,分别在第一背板120a的相应位置和牺牲层131的相应位置形成管形凸起用孔H140。
此时,从牺牲层131的露出表面蚀刻的深度优选为牺牲层131总厚度的1/2以下,例如,可以是0.5μm~1.5μm。
牺牲层131的蚀刻深度超过总厚度的1/2时,相比薄膜110的振动幅度,管形凸起140和薄膜110之间的距离会更短,从而对薄膜110的振动动作引起坏影响。
如此,在第一背板120a和牺牲层131上形成多个管形凸起用孔H140时,通过氮化物的蒸镀方式在多个管形凸起用孔H140里填满氮化物,从而完成多个管形凸起140(图5h)。
为了氮化物的蒸镀动作只在多个管形凸起用孔H140里,可由掩膜版掩盖没有管形凸起用孔H140的第一背板120b部分。
形成的各个管形凸起140的外部直径D11可以是0.6~2.0μm,由牺牲层131填满的内部直径D12可以是0.3~1.5μm。并且,各个管形凸起130的宽幅W11最小可以是0.2μm。
然后,如图5i所示,在第一背板120a和管形凸起140上蒸镀氮化物形成第二背板120b。此时,第二背板120b被省略时,省略此步骤。
此后,选择性蚀刻牺牲层131,在薄膜110和第一背板120a之间形成空气层130(图5j)。第二背板120b的形成步骤被省略时,在形成管形凸起140后直接进行形成空气层130的步骤。
最后,选择性除去基础基板110形成作为空间的背音室101(参考图3)。
以下,参考图6至图8,说明根据本发明的其他实施例的电容式传声器。
相比图2至图4所示的电容式传声器,对于具有相同结构并执行相同功能的本例的构成因素,赋予与图2至图4的附图标记相同的附图标记并省略对其仔细说明。
本例的电容式传声器具有与图2至图4所示类似的结构。
即,如图6至图8所示,电容式传声器具备基础基板100,位于基础基板100上的薄膜110,位于薄膜110上并具备第一及第二背板120a、120b的背板部120,位于基础基板100和背板部120之间的空气层130,从背板部120向空气层130凸出的多个管形凸起140。
但是,本例的电容式传声器,如图6及图7所示,附加地具备多个条(bar)形凸起142。
因此,本例的电容式传声器中,多个管形凸起140和多个条形凸起142混合存在于空气层130内。
条形凸起142,如图7所示,与管形凸起130一样从第一背板120a的表面向空气层130凸出规定距离。
但是,与管形凸起140不同,条形凸起142的中间部分是不具备存在空气层130的空间的条(bar),即,棒形态。
这种多个条形凸起142具有比管形凸起140的外径更小的外径,位于没有管形凸起140和音响孔H10的位置。
例如,条形凸起142可以位于相邻的两个管形凸起140之间,相邻的两个音响孔H10之间及如图6所示由管形凸起140围住的部分中的至少一个位置。此时,相邻的两个条形凸起142之间的间隔,可以是一定的或不规则的,或是按比例增加的。
多个条形凸起142和多个管形凸起140的配置状态,可以具有多种形态,例如条形凸起142可以与管形凸起140相邻配置。
随着这种条形凸起142附加地增加,薄膜110的振动可以被均匀调整,电容式传声器的品质可以得到提高。
条形凸起142可以根据音响孔H10的直径及配置间隔,以及薄膜110的柔性及压力(stress),决定条形凸起142的间隔及位置等,并且,可以决定条形凸起142的附加与否。
这种条形凸起142的凸出长度,与管形凸起140一样,与位置无关并相同,或至少存在两个具有不同凸出长度的条形凸起142。
条形凸起142的凸出长度不同时,对应于薄膜110的中心部位置的条形凸起142的凸出长度,可以比对应于薄膜110的边缘部位置的条形凸起142的凸出长度更短。与此类似地,在其他例中,从薄膜110的中心部越向边缘部,面对的管形凸起140的凸出长度可以增加。此时,凸出长度的增加比率可以根据规定比率按比例增加。
如此,具备管形凸起140和条形凸起142的本例的电容式传声器的制作方法与图5a至图5j所示相同。
但是,在图5d中蚀刻抗蚀膜151露出的部分时,除了管形凸起140外还蚀刻用于条形凸起142的部分,在相应位置附加地露出第一背板层121a,在形成第一背板120a时第一背板120a具备用于管形凸起140的管形的空的部分和用于条形凸起的条形的空的部分。
因此,将通过管形的空的部分和条形的空的部分露出的牺牲层131蚀刻规定深度,从而形成管形凸起用孔和条形凸起用孔。此后,通过接下来的工程来完成管形凸起140和条形凸起142的形成。
以上,说明了本发明的电容式传声器及其制作方法的实施例。本发明不限定于所述实施例及附图,以具备本发明所属领域的一般知识的人的观点可以进行不用的修正及变形。因此本发明的范围除了本说明书的权利要求范围之外还应根据与权利要求范围的均等所决定。
Claims (25)
1.一种电容式传声器,其特征在于,包括:
基础基板;
薄膜,位于所述基础基板上;
背板部,位于所述薄膜上;
空气层,位于所述薄膜和所述背板部之间;及
多个管形凸起,从所述背板部向所述薄膜方向凸出至空气层。
2.根据权利要求1所述的电容式传声器,其特征在于,
所述多个管形凸起的凸出长度与位置无关并相同。
3.根据权利要求1所述的电容式传声器,其特征在于,
所述多个管形凸起的凸出长度根据位置不同。
4.根据权利要求3所述的电容式传声器,其特征在于,
从所述薄膜的中心部越向边缘部,与此面对的管形凸起的凸出长度增加。
5.根据权利要求4所述的电容式传声器,其特征在于,
所述管形凸起的凸出长度以规定的比率增加。
6.根据权利要求1所述的电容式传声器,其特征在于,
所述多个管形凸起的密度根据位置不同。
7.根据权利要求6所述的电容式传声器,其特征在于,
从所述薄膜的中心部越向边缘部,与此面对的管形凸起的密度减少。
8.根据权利要求1所述的电容式传声器,其特征在于,
各个管形凸起具有0.6~2.0μm的外径,0.3~1.5μm的内径。
9.根据权利要求1所述的电容式传声器,其特征在于,还包括:
多个音响孔,贯通所述背板部,且
所述多个管形凸起位于没有所述多个音响孔的部分。
10.根据权利要求1所述的电容式传声器,还包括:
多个条形凸起,从所述背板部向所述薄膜方向凸出至空气层。
11.根据权利要求10所述的电容式传声器,其特征在于,还包括:
多个音响孔,贯通所述背板部,且
所述多个条形凸起位于没有所述多个音响孔和所述多个管形凸起的部分。
12.根据权利要求11所述的电容式传声器,其特征在于,
所述多个条形凸起的凸出长度与位置无关并相同。
13.根据权利要求11所述的电容式传声器,其特征在于,
所述多个条形凸起的凸出长度根据位置不同。
14.根据权利要求13所述的电容式传声器,其特征在于,
从所述薄膜的中心部越向边缘部,与此面对的管形凸起的凸出长度增加。
15.根据权利要求1所述的电容式传声器,其特征在于,
所述背板部包括:第一背板,与所述空气层相接,且所述管形凸起位于其上。
16.根据权利要求15所述的电容式传声器,其特征在于,
所述背板部还包括:第二背板,位于所述第一背板上并与所述管形凸起连接。
17.根据权利要求16所述的电容式传声器,其特征在于,
所述第二背板由与所述管形凸起相同的材料构成。
18.根据权利要求17所述的电容式传声器,其特征在于,
所述第一背板由与所述第二背板相同的材料构成。
19.根据权利要求17所述的电容式传声器,其特征在于,
所述第一背板与所述第二背板由不同的材料构成。
20.一种电容式传声器的制作方法,其特征在于,包括:
在基础基板上形成薄膜的步骤;
在所述薄膜上形成牺牲层的步骤;
在所述牺牲层上形成第一背板层的步骤;
在所述第一背板层上叠层抗蚀膜后,使用掩膜板选择性蚀刻所述抗蚀膜,并将位于蚀刻部分的第一背板层部分露出的步骤;
将剩余的所述抗蚀膜作为掩膜板除去所述第一背板层露出的部分,从而形成具备管形的空间的第一背板的步骤;
除去剩余的所述抗蚀膜的步骤;
将通过所述空部分露出的牺牲层,以规定深度蚀刻从而在所述第一背板和所述牺牲层形成管形凸起用孔的步骤;
在所述管形凸起用孔内蒸镀规定物质,形成管形凸起的步骤。
21.一种电容式传声器的制作方法,其特征在于,包括:
在基础基板上形成薄膜的步骤;
在所述薄膜上形成牺牲层的步骤;
在所述牺牲层上形成第一背板层的步骤;
在所述第一背板层上叠层抗蚀膜后,使用掩膜板选择性蚀刻所述抗蚀膜并将位于蚀刻部分的第一背板层的部分露出的步骤;
将剩余的所述抗蚀膜作为掩膜板除去露出的所述第一背板层的部分,从而形成具备管形的空的部分和条形的空的部分的第一背板的步骤;
除去剩余的所述抗蚀膜的步骤;
将通过所述管形的空的部分和条形的空的部分露出的牺牲层以规定深度蚀刻,从而在所述第一背板和所述牺牲层形成用于管形凸起用孔和条形凸起用孔的步骤;及
在所述管形凸起用孔和条形凸起用孔内蒸镀规定物质,从而形成管形凸起和条形凸起的步骤。
22.根据权利要求20所述的电容式传声器的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述第一背板上和所述管形凸起上形成第二板层的步骤。
23.根据权利要求22所述的电容式传声器的制作方法,其特征在于,
所述形成第二板层的步骤利用与所述管形凸起相同的材料形成第二背板。
24.根据权利要求21所述的电容式传声器的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述第一背板上、所述管形凸起以及所述条形凸起上形成第二板层的步骤。
25.根据权利要求24所述的电容式传声器的制作方法,其特征在于,
所述形成第二板层的步骤利用与所述管形凸起相同的材料形成第二背板。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20180151673 | 2018-11-30 | ||
KR10-2018-0151673 | 2018-11-30 | ||
KR10-2019-0032413 | 2019-03-21 | ||
KR1020190032413A KR102091849B1 (ko) | 2018-11-30 | 2019-03-21 | 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111263282A true CN111263282A (zh) | 2020-06-09 |
CN111263282B CN111263282B (zh) | 2021-11-09 |
Family
ID=69958168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911200224.6A Expired - Fee Related CN111263282B (zh) | 2018-11-30 | 2019-11-29 | 电容式传声器及其制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR102091849B1 (zh) |
CN (1) | CN111263282B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114390418A (zh) * | 2020-10-19 | 2022-04-22 | 达菲感测有限公司 | 微机电系统电极形成方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112492486B (zh) * | 2020-12-03 | 2022-03-25 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 麦克风芯片、mems麦克风及电子装置 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201042076Y (zh) * | 2007-04-29 | 2008-03-26 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式麦克风 |
CN101389155A (zh) * | 2007-09-12 | 2009-03-18 | 美律实业股份有限公司 | 硅晶电容式麦克风 |
CN101568057A (zh) * | 2009-05-27 | 2009-10-28 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 电容麦克风 |
US20100187646A1 (en) * | 2006-10-11 | 2010-07-29 | Mems Technology Bhd | Ultra low pressure sensor and method of fabrication of same |
US20110075866A1 (en) * | 2008-06-05 | 2011-03-31 | Analog Devices, Inc. | Microphone with Backplate Having Specially Shaped Through-Holes |
CN102111705A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-06-29 | 宝星电子股份有限公司 | 微电子机械系统传声器及其制造方法 |
CN102244827A (zh) * | 2010-05-13 | 2011-11-16 | 欧姆龙株式会社 | 声音传感器及麦克风 |
US20130104384A1 (en) * | 2005-08-23 | 2013-05-02 | Analog Devices, Inc. | Microphone with Irregular Diaphragm |
CN203279171U (zh) * | 2013-05-03 | 2013-11-06 | 歌尔声学股份有限公司 | Mems麦克风 |
CN103563399A (zh) * | 2011-03-11 | 2014-02-05 | 歌尔声学股份有限公司 | Cmos兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法 |
CN103686570A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-03-26 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
CN104918194A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 欧姆龙株式会社 | 声响转换器 |
US20160014538A1 (en) * | 2010-12-10 | 2016-01-14 | Infineon Technologies Ag | Micromechanical Digital Loudspeaker |
CN105359553A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-02-24 | 歌尔声学股份有限公司 | 具有悬挂式振膜的硅麦克风和具有该硅麦克风的系统 |
CN107986225A (zh) * | 2016-10-26 | 2018-05-04 | 鑫创科技股份有限公司 | 微机电系统装置以及制作微机电系统的方法 |
KR20180066577A (ko) * | 2016-12-09 | 2018-06-19 | (주)다빛센스 | 어쿠스틱 센서 및 그 제조방법 |
US20180332405A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Hyundai Motor Company | Microphone and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3192279A4 (en) * | 2014-09-12 | 2018-06-27 | Robert Bosch GmbH | Mems device with acoustic leak control features |
KR20160127212A (ko) | 2015-04-23 | 2016-11-03 | (주)이미지스테크놀로지 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
KR101776752B1 (ko) * | 2016-09-02 | 2017-09-08 | 현대자동차 주식회사 | 마이크로폰 |
KR102035242B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2019-10-22 | (주)다빛센스 | 음향전달장치 및 그 제조방법 |
-
2019
- 2019-03-21 KR KR1020190032413A patent/KR102091849B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-21 KR KR1020190032416A patent/KR102091854B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-29 CN CN201911200224.6A patent/CN111263282B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130104384A1 (en) * | 2005-08-23 | 2013-05-02 | Analog Devices, Inc. | Microphone with Irregular Diaphragm |
US20100187646A1 (en) * | 2006-10-11 | 2010-07-29 | Mems Technology Bhd | Ultra low pressure sensor and method of fabrication of same |
CN201042076Y (zh) * | 2007-04-29 | 2008-03-26 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式麦克风 |
CN101389155A (zh) * | 2007-09-12 | 2009-03-18 | 美律实业股份有限公司 | 硅晶电容式麦克风 |
US20110075866A1 (en) * | 2008-06-05 | 2011-03-31 | Analog Devices, Inc. | Microphone with Backplate Having Specially Shaped Through-Holes |
CN101568057A (zh) * | 2009-05-27 | 2009-10-28 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 电容麦克风 |
CN201937821U (zh) * | 2009-12-29 | 2011-08-17 | 宝星电子股份有限公司 | 微电子机械系统传声器 |
CN102111705A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-06-29 | 宝星电子股份有限公司 | 微电子机械系统传声器及其制造方法 |
CN102244827A (zh) * | 2010-05-13 | 2011-11-16 | 欧姆龙株式会社 | 声音传感器及麦克风 |
US20160014538A1 (en) * | 2010-12-10 | 2016-01-14 | Infineon Technologies Ag | Micromechanical Digital Loudspeaker |
CN103563399A (zh) * | 2011-03-11 | 2014-02-05 | 歌尔声学股份有限公司 | Cmos兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法 |
CN203279171U (zh) * | 2013-05-03 | 2013-11-06 | 歌尔声学股份有限公司 | Mems麦克风 |
CN103686570A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-03-26 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
CN104918194A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 欧姆龙株式会社 | 声响转换器 |
CN105359553A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-02-24 | 歌尔声学股份有限公司 | 具有悬挂式振膜的硅麦克风和具有该硅麦克风的系统 |
CN107986225A (zh) * | 2016-10-26 | 2018-05-04 | 鑫创科技股份有限公司 | 微机电系统装置以及制作微机电系统的方法 |
KR20180066577A (ko) * | 2016-12-09 | 2018-06-19 | (주)다빛센스 | 어쿠스틱 센서 및 그 제조방법 |
US20180332405A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Hyundai Motor Company | Microphone and manufacturing method thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114390418A (zh) * | 2020-10-19 | 2022-04-22 | 达菲感测有限公司 | 微机电系统电极形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102091849B1 (ko) | 2020-03-20 |
KR102091854B1 (ko) | 2020-03-20 |
CN111263282B (zh) | 2021-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8104354B2 (en) | Capacitive sensor and manufacturing method thereof | |
EP2103173B1 (en) | Microphone with pressure relief | |
KR101561661B1 (ko) | 진동막에 부착된 질량체를 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 | |
US8901683B2 (en) | Micro electro mechanical system (MEMS) microphone and fabrication method thereof | |
CN108124226B (zh) | 具有改进灵敏度的集成电声mems换能器及其制造工艺 | |
US20080123876A1 (en) | Electrostatic pressure transducer and manufacturing method therefor | |
US8722446B2 (en) | Acoustic sensor and method of manufacturing the same | |
KR101887537B1 (ko) | 어쿠스틱 센서 및 그 제조방법 | |
US11057717B2 (en) | MEMS microphone | |
EP3219112A1 (en) | Integrated package forming wide sense gap micro electro-mechanical system microphone and methodologies for fabricating the same | |
CN111263282B (zh) | 电容式传声器及其制作方法 | |
KR101980785B1 (ko) | 멤스 음향 센서의 백 플레이트 구조물 및 그 제조 방법 | |
JP4737535B2 (ja) | コンデンサマイクロホン | |
KR100924674B1 (ko) | 커패시터형 실리콘 멤스 마이크로폰 | |
US10524060B2 (en) | MEMS device having novel air flow restrictor | |
JP2011514088A (ja) | モノリシック静電容量トランスデューサ | |
KR101816253B1 (ko) | 음성전달장치 및 그 제조방법 | |
CN112788510B (zh) | 微机电系统麦克风的结构 | |
KR102350898B1 (ko) | 멤스 전극 형성 방법 | |
KR102035242B1 (ko) | 음향전달장치 및 그 제조방법 | |
KR20230125678A (ko) | 콘덴서 마이크로폰 | |
JP5649636B2 (ja) | 静電容量トランスデューサの製造方法 | |
US10993044B2 (en) | MEMS device with continuous looped insert and trench | |
KR101112120B1 (ko) | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 | |
KR100540712B1 (ko) | 초소형 콘덴서 실리콘 마이크로폰 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20211109 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |