JP5861497B2 - センサ装置 - Google Patents
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Description
さらに、基板上面の露出領域の幅(=ウエハにおけるダイシングストリートの幅の1/2)の幅を40μm以上としているので、ダイシング時におけるレーザー光の照射性が良好となる。すなわち、ウエハ作製時におけるハンドリング性からは、ウエハ厚が200μm以上であることが好ましく、レーザー光の照射性からは、ウエハのダイシングストリートの幅はウエハ厚に0.4を乗じた値以上であることが望ましいとされているので、露出領域の幅は40μm以上(ウエハにおけるダイシングストリート幅が80μm)であることが好ましいからである。
以下、図1−3を参照して本発明の実施形態1によるセンサ装置(マイクロフォン)を説明する。図1は、本発明の実施形態1によるセンサ装置31の平面図である。図2は、図1のX−X線断面図である。また、図3は、保護膜を透明化して示すセンサ装置31の平面図である。
図4及び図5は、それぞれ本発明の実施形態2によるセンサ装置61の平面図及び断面図である。この実施形態では、回路部34の上方のうち、特定の部位では金属保護膜46を部分的に除去している。金属保護膜46を除去した領域では、回路部34は絶縁被覆層45と保護膜41だけで覆われている。
図6は、本発明の実施形態3によるセンサ装置の断面図である。実施形態3のセンサ装置71では、保護膜41のドーム部分41aの上面にAu膜によって固定電極膜42を形成している。かかる実施形態によれば、Au膜によって固定電極膜42と金属保護膜46を同一工程で成膜することができるので、センサ装置71の製造工程を減らすことができ、製造コストを安価にできる。
32 半導体基板
33 センサ部
34 回路部
35 空洞
37 ダイアフラム
38 バックプレート
41 保護膜
41a ドーム部分
41b 被覆領域
42 固定電極膜
45 絶縁被覆層
46 金属保護膜
47、48、49a、49b、50 電極パッド
51 スルーホール
52 露出領域
62 除去部分
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の上面に設けられたセンサ部と、
前記基板の上面に設けられた回路部と、
前記センサ部又は前記回路部と電気的に導通した複数の接続用パッドと、
前記回路部の少なくとも一部分を覆う絶縁保護層と、
前記絶縁保護層の上面に形成され、前記回路部の少なくとも一部分の上方を覆う金属保護膜とを備え、
前記基板の上面の外周縁部は、前記基板の上面の外周端縁から少なくとも40μm以上の距離にある領域が、前記金属保護膜及び前記絶縁保護層から露出していることを特徴とするセンサ装置。 - 前記センサ部は、
前記基板の上方に配設された可動電極と、
間隙を隔てて前記可動電極を覆うようにして前記基板の上面に固定された絶縁材料からなる絶縁保護膜と、
前記可動電極と対向する位置において前記絶縁保護膜に設けた固定電極とによって構成され、
前記回路部は、前記絶縁保護膜と等しい厚みを有するとともに、前記絶縁保護層の少なくとも一部を構成する第1絶縁層によって覆われ、
前記金属保護膜は、前記第1絶縁層の上面に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。 - 前記センサ部は、
前記基板の上方に配設された可動電極と、
間隙を隔てて前記可動電極を覆うようにして前記基板の上面に固定された絶縁材料からなる絶縁保護膜と、
前記可動電極と対向する位置において前記絶縁保護膜に設けた固定電極とによって構成され、
前記回路部の表面は、前記可動電極と前記固定電極の間に形成された間隙と等しい厚みを有するとともに、前記絶縁保護層の少なくとも一部を構成する第2絶縁層によって覆われ、
前記金属保護膜は、前記第2絶縁層の上方に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。 - 前記回路部の実質的に全体を金属保護膜によって覆っていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記回路部の上方のうち一部の領域で前記金属保護膜を除去していることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記金属保護膜が、前記接続用パッドのうち一部の接続用パッドと電気的に短絡していることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記金属保護膜は、少なくとも表面がAu膜であることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記センサ部は、
前記基板の上方に配設された可動電極と、
間隙を隔てて前記可動電極を覆うようにして前記基板の上面に固定された絶縁材料からなる絶縁保護膜と、
前記可動電極と対向する位置において前記絶縁保護膜に設けた固定電極とによって構成され、
前記回路部は、前記絶縁保護膜と等しい厚みを有する第1絶縁層によって覆われ、
前記金属保護膜は、前記第1絶縁層の上面に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。 - 前記センサ部は、
前記基板の上方に配設された可動電極と、
間隙を隔てて前記可動電極を覆うようにして前記基板の上面に固定された絶縁材料からなる絶縁保護膜と、
前記可動電極と対向する位置において前記絶縁保護膜に設けた固定電極とによって構成され、
前記回路部の表面は、前記可動電極と前記固定電極の間に形成された間隙と等しい厚みを有する第2絶縁層によって覆われ、
前記金属保護膜は、前記第2絶縁層の上方に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012043380A JP5861497B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | センサ装置 |
PCT/JP2013/054947 WO2013129386A1 (ja) | 2012-02-29 | 2013-02-26 | センサ装置 |
US14/376,945 US9260292B2 (en) | 2012-02-29 | 2013-02-26 | Sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012043380A JP5861497B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | センサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013180345A JP2013180345A (ja) | 2013-09-12 |
JP5861497B2 true JP5861497B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=49082583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012043380A Expired - Fee Related JP5861497B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | センサ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9260292B2 (ja) |
JP (1) | JP5861497B2 (ja) |
WO (1) | WO2013129386A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013213717A1 (de) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauelement mit einer Mikrofonstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6307253B2 (ja) * | 2013-11-21 | 2018-04-04 | スタンレー電気株式会社 | 光偏向器及びその製造方法 |
JP6481265B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2019-03-13 | 新日本無線株式会社 | Mems素子 |
JP6597053B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2019-10-30 | ヤマハ株式会社 | 放収音装置 |
KR102617273B1 (ko) | 2016-10-31 | 2023-12-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인셀 터치 표시 장치 |
KR20190016718A (ko) | 2017-08-09 | 2019-02-19 | 주식회사 디비하이텍 | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 |
KR102370648B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2022-03-07 | 주식회사 디비하이텍 | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 |
KR102424774B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2022-07-25 | 주식회사 디비하이텍 | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 |
KR102370645B1 (ko) | 2017-09-11 | 2022-03-07 | 주식회사 디비하이텍 | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 |
CN208158670U (zh) * | 2018-01-31 | 2018-11-27 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
KR20200004041A (ko) * | 2018-07-03 | 2020-01-13 | 주식회사 디비하이텍 | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 |
JP7219526B2 (ja) * | 2018-10-24 | 2023-02-08 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | トランスデューサ装置 |
JP7162567B2 (ja) * | 2019-05-23 | 2022-10-28 | ホシデン株式会社 | 基板、マイクユニット |
JP2022030781A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | オムロン株式会社 | サーモパイル型センサ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5452268A (en) * | 1994-08-12 | 1995-09-19 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer with improved low frequency response |
JP4244885B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | エレクトレットコンデンサー |
US7373835B2 (en) * | 2005-01-31 | 2008-05-20 | Sanyo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor sensor |
SG131039A1 (en) * | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Bse Co Ltd | Condenser microphone and packaging method for the same |
JP4737719B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-08-03 | ヤマハ株式会社 | コンデンサマイクロホン |
US7863714B2 (en) | 2006-06-05 | 2011-01-04 | Akustica, Inc. | Monolithic MEMS and integrated circuit device having a barrier and method of fabricating the same |
JP4419103B1 (ja) * | 2008-08-27 | 2010-02-24 | オムロン株式会社 | 静電容量型振動センサ |
JP2010098518A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Rohm Co Ltd | Memsセンサの製造方法およびmemsセンサ |
JP5375311B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-12-25 | オムロン株式会社 | 電子部品実装装置及びその製造方法 |
JP4947168B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2012-06-06 | オムロン株式会社 | 音響センサ |
WO2011103720A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Ubotic Intellectual Property Co., Ltd. | Semiconductor package for mems device and method of manufacturing the same |
JP4947220B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2012-06-06 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びマイクロフォン |
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US9013011B1 (en) * | 2011-03-11 | 2015-04-21 | Amkor Technology, Inc. | Stacked and staggered die MEMS package and method |
-
2012
- 2012-02-29 JP JP2012043380A patent/JP5861497B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-26 US US14/376,945 patent/US9260292B2/en active Active
- 2013-02-26 WO PCT/JP2013/054947 patent/WO2013129386A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9260292B2 (en) | 2016-02-16 |
JP2013180345A (ja) | 2013-09-12 |
WO2013129386A1 (ja) | 2013-09-06 |
US20140374859A1 (en) | 2014-12-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140313 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |