CN102242348A - 空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法 - Google Patents

空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法 Download PDF

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孟凡涛
郑明文
魏春城
白佳海
牛金叶
冯柳
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Abstract

本发明提供一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,特征为:将抛光后的反应烧结碳化硅基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜:一路气是来自蒸发釜的三氯甲基硅烷和氢气的混合气,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,混合气总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是流量为800~900ml/min的氩气,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃;再沉积碳化硅颗粒薄膜:氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa;最后抛光,在基体上得到碳化硅复合膜。本方法基体与碳化硅复合膜间的残余热应力小,结合性好,有利于制备大尺寸的碳化硅反射镜。

Description

空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法
技术领域
本发明提供一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,属于陶瓷制备技术领域。
背景技术
人们对太空的探索促进了对辅助观测系统的开发与研究,在辅助观测系统中镜片的性能及稳定性直接影响着系统的使用。太空中高真空、失重和高能辐射等恶劣环境,使得人们对镜片材料性能提出了很高的要求,除了需要适用于特定波段、稳定性好、准确度及强度高外,还需要具有质轻、低造价及大尺寸的优点,因此反射镜设计主要任务是减重。镜子可以设计成由光滑致密的膜和轻量化的镜体组成。轻量化结构包括减小结构厚度,多孔结构和泡沫结构。多孔结构可以通过钻盲孔、蜂窝结构和三明治结构来实现。光滑致密的膜与镜体的结合,是研究的关键技术。
用碳化硅材料制作反射镜膜的研究始于20世纪70年代,由于碳化硅材料具有低变形、高强、高反射等优良性能,使其成为制造反射镜面层的理想材料。碳化硅膜的制造方法主要有反应烧结法(RB)、热压烧结法(HP)和化学气相沉积法(CVD)。SiC普通烧结和热压烧结所生成的典型无定型材料难以抛光,反应烧结的SiC复合材料的两相具有相差悬殊的硬度值,使抛光的均匀性受到影响。而现有的化学气相法沉积碳化硅膜,碳化硅为球形纳米颗粒,抛光时,膜与基体易脱落,膜与基体的结合性,需要进一步提高。如论文“CVD-SiC反射镜制备过程中热应力变形的研究”采用化学气相法在1300℃,沉积球形碳化硅薄膜。专利“可见光波段内碳化硅反射镜的高反膜及其制备方法”采用磁控溅射的方法制备出有4层结构的高反膜,由硅膜致密层、过渡层、Ag反射层,SiO2保护层组成,结构复杂,Ag的耐高温性差,工艺复杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种能克服上述缺陷、工艺简单、操作安全、成本低的空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,其技术方案为:
一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,基体为抛光后的反应烧结碳化硅,其特征在于采用以下步骤:将基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜,再沉积碳化硅颗粒薄膜,最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜;其中:
在沉积碳化硅晶须薄膜步骤中,沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为35~40℃,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气作为稀释气体,气流量为800~900ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃,沉积时间为8~48h,在基体表面沉积碳化硅晶须;
在沉积碳化硅颗粒薄膜步骤中:氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa,沉积时间为8~48h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:
1、通过改变氢气和三氯甲基硅烷总流量、氩气气流量和沉积室内的沉积压力,分别沉积碳化硅晶须和碳化硅球形颗粒,制备出碳化硅复合膜,薄膜的均匀性好,有利于制备大尺寸的碳化硅反射镜。
2、碳化硅反射镜基体与碳化硅晶须薄膜间的残余热应力小,结合性好,抛光时,碳化硅复合膜不脱落,有利于机加工工艺和成品反射镜的质量;
3、碳化硅晶须薄膜和碳化硅颗粒薄膜界面间,晶须逐渐减少,球形颗粒逐渐增多,形成梯度过渡层,使碳化硅晶须薄膜和碳化硅颗粒薄膜间具有较强的结合性;
4、碳化硅球形颗粒薄膜表面致密,缺陷少,表面光洁度高,制备的反射镜反射率大。
具体实施方式
实施例1
将抛光后的反应烧结碳化硅基体放在沉积室内,进行以下步骤:
首先沉积碳化硅晶须薄膜:沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为35℃,蒸发釜的压力控制在0.2MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在200ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气气流量为800ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6kPa,沉积温度为1100℃,沉积时间为8h,在基体表面沉积碳化硅晶须;
然后沉积碳化硅颗粒薄膜:将氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300ml/min,氩气气流量改为500ml/min,沉积室内沉积压力为3kPa,沉积时间为8h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜;
最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜。
实施例2
将抛光后的反应烧结碳化硅基体放在沉积室内,进行以下步骤:
首先沉积碳化硅晶须薄膜:沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为40℃,蒸发釜的压力控制在0.3MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气气流量为900ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为7kPa,沉积温度为1150℃,沉积时间为48h,在基体表面沉积碳化硅晶须;
然后沉积碳化硅颗粒薄膜:将氢气和三氯甲基硅烷总流量改为400ml/min,氩气气流量改为600ml/min,沉积室内沉积压力为5kPa,沉积时间为48h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜;
最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜。
实施例3
将抛光后的反应烧结碳化硅基体放在沉积室内,进行以下步骤:
首先沉积碳化硅晶须薄膜:沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为38℃,蒸发釜的压力控制在0.27MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在250ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气气流量为850ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6.7kPa,沉积温度为1120℃,沉积时间为12h,在基体表面沉积碳化硅晶须;
然后沉积碳化硅颗粒薄膜:将氢气和三氯甲基硅烷总流量改为350ml/min,氩气气流量改为为550ml/min,沉积室内沉积压力为4.5kPa,沉积时间为12h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜;
最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜。

Claims (1)

1.一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,基体为抛光后的反应烧结碳化硅,其特征在于采用以下步骤:将基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜,再沉积碳化硅颗粒薄膜,最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜;其中:
在沉积碳化硅晶须薄膜步骤中,沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为35~40℃,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气气流量为800~900ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃,沉积时间为8~48h,在基体表面沉积碳化硅晶须;
在沉积碳化硅颗粒薄膜步骤中,氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa,沉积时间为8~48h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜。
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